JPH0646691B2 - 表面波装置の周波数調整方法 - Google Patents
表面波装置の周波数調整方法Info
- Publication number
- JPH0646691B2 JPH0646691B2 JP8680486A JP8680486A JPH0646691B2 JP H0646691 B2 JPH0646691 B2 JP H0646691B2 JP 8680486 A JP8680486 A JP 8680486A JP 8680486 A JP8680486 A JP 8680486A JP H0646691 B2 JPH0646691 B2 JP H0646691B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- resin
- wave device
- mask
- Prior art date
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、表面波基板上に薄膜を形成して表面波装置
の周波数調整を行なう方法に関するものである。
の周波数調整を行なう方法に関するものである。
［従来の技術］ 表面波装置において、インターディジタルトランスデュ
ーサ（ＩＤＴ）電極の形成後に周波数調整を行なうこと
は、実用上、ほとんど不可能であるとされていた。なぜ
なら、周波数特性は、表面波伝搬速度（音速）に依存す
るが、この音速は表面波基板の材料によって決まってし
まうからである。なお、表面波基板上に薄膜を形成する
ことにより、表面波装置の周波数特性が変わることが知
られているが、これは、わずかに実験室レベルの規模で
しか実施されておらず、未だ実用化には至っていない。
ーサ（ＩＤＴ）電極の形成後に周波数調整を行なうこと
は、実用上、ほとんど不可能であるとされていた。なぜ
なら、周波数特性は、表面波伝搬速度（音速）に依存す
るが、この音速は表面波基板の材料によって決まってし
まうからである。なお、表面波基板上に薄膜を形成する
ことにより、表面波装置の周波数特性が変わることが知
られているが、これは、わずかに実験室レベルの規模で
しか実施されておらず、未だ実用化には至っていない。
［関連の技術］ このような背景から、本件特許出願人は、先の出願（特
願昭６０−５１３３６号）において、表面波基板上に薄
膜を形成して表面波装置の周波数調整を行なう方法を提
案した。この先願においては、薄膜を形成するための材
料としてポリイミド系樹脂を用い、特定的な実施例で
は、この樹脂がスプレーされて、表面波基板上に適用さ
れる。このとき、適当なマスクを用い、薄膜の形成を望
まない箇所を遮蔽して、特定の領域のみに薄膜を形成す
ることが行なわれる。
願昭６０−５１３３６号）において、表面波基板上に薄
膜を形成して表面波装置の周波数調整を行なう方法を提
案した。この先願においては、薄膜を形成するための材
料としてポリイミド系樹脂を用い、特定的な実施例で
は、この樹脂がスプレーされて、表面波基板上に適用さ
れる。このとき、適当なマスクを用い、薄膜の形成を望
まない箇所を遮蔽して、特定の領域のみに薄膜を形成す
ることが行なわれる。
この先願の関連技術によれば、スプレーの時間を調整す
るだけで膜厚の制御が可能となる。表面波装置の周波数
は、この膜厚に依存し、膜厚を変えることにより、周波
数調整ができる。
るだけで膜厚の制御が可能となる。表面波装置の周波数
は、この膜厚に依存し、膜厚を変えることにより、周波
数調整ができる。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上述した関連技術においては、さらに解
決すべき問題点があることがわかった。すなわち、表面
波基板上には、ＩＤＴに接続される引出電極部が露出し
ているが、この引出電極部は、他の回路部品との確実な
電気的接続を達成するために、周波数調整のための樹脂
によって汚されることがあってはならない。そのため、
このような引出電極部を遮蔽するようにマスクが適用さ
れ、前述したような樹脂のスプレーが実施される。しか
しながら、スプレーにおいて、噴射される樹脂が、マス
クによって遮蔽している領域にまで達しないようにする
ためには、マスクをできるだけ表面波基板に密着させな
ければならないが、実際には、マスクと表面波基板とを
完全に密着させることは不可能である。そのため、マス
クと表面波基板との間には、不都合にも、スプレーされ
未だ硬化していない樹脂が毛細管現象で染込むのに適し
た間隙が形成されてしまい、マスクの裏側にまで、この
ような樹脂が達することがあった。これにより、引出電
極部にまで樹脂が回り込むという現象がしばしば生じて
いた。
決すべき問題点があることがわかった。すなわち、表面
波基板上には、ＩＤＴに接続される引出電極部が露出し
ているが、この引出電極部は、他の回路部品との確実な
電気的接続を達成するために、周波数調整のための樹脂
によって汚されることがあってはならない。そのため、
このような引出電極部を遮蔽するようにマスクが適用さ
れ、前述したような樹脂のスプレーが実施される。しか
しながら、スプレーにおいて、噴射される樹脂が、マス
クによって遮蔽している領域にまで達しないようにする
ためには、マスクをできるだけ表面波基板に密着させな
ければならないが、実際には、マスクと表面波基板とを
完全に密着させることは不可能である。そのため、マス
クと表面波基板との間には、不都合にも、スプレーされ
未だ硬化していない樹脂が毛細管現象で染込むのに適し
た間隙が形成されてしまい、マスクの裏側にまで、この
ような樹脂が達することがあった。これにより、引出電
極部にまで樹脂が回り込むという現象がしばしば生じて
いた。
表面波基板としては、たとえば、ガラス板の上にＺｎＯ
圧電薄膜が形成されたもののほか、ＰＺＴのような圧電
セラミック材料やＬｉＮｂＯ３のような圧電単結晶材料
が用いられるが、特に、ＰＺＴやＬｉＮｂＯ３を用いた
場合、上述したようなマスクの裏側への樹脂のまわり込
みがさらに顕著に現われることがわかった。
圧電薄膜が形成されたもののほか、ＰＺＴのような圧電
セラミック材料やＬｉＮｂＯ３のような圧電単結晶材料
が用いられるが、特に、ＰＺＴやＬｉＮｂＯ３を用いた
場合、上述したようなマスクの裏側への樹脂のまわり込
みがさらに顕著に現われることがわかった。
また、このようなまわり込みのために、マスクが表面波
基板に付着してしまい、マスクを表面波基板から取外し
にくいという欠点もあった。
基板に付着してしまい、マスクを表面波基板から取外し
にくいという欠点もあった。
そこで、この発明は、周波数調整において用いる樹脂が
マスクの裏側へまわり込むことを低減できる、表面波装
置の周波数調整方法を提供しようとするものである。
マスクの裏側へまわり込むことを低減できる、表面波装
置の周波数調整方法を提供しようとするものである。
［問題点を解決するための手段］ この発明は、引出電極部を露出させ、かつ当該引出電極
部から延びてＩＤＴが形成された、表面波基板を備え
る、表面波装置の周波数調整方法であって、上述の問題
点を解決するために、次のような構成がとられる。
部から延びてＩＤＴが形成された、表面波基板を備え
る、表面波装置の周波数調整方法であって、上述の問題
点を解決するために、次のような構成がとられる。
すなわち、この発明は、表面波装置においてしばしば付
与されるダンピング材に注目したもので、まず、引出電
極部とＩＤＴとを画する境界に沿って、ダンピング材を
形成するステップが実施される。このダンピング材は、
たとえばシリコーンゴムのような適当な弾性を有する材
料で構成される。次に、ダンピング材に一部が接触した
状態でＩＤＴの上方に窓を形成するマスクを表面波基板
上に配置し、この窓から露出した表面波基板上に、窓を
介して周波数調整のための未硬化の樹脂を適用し、さら
に、未硬化の樹脂を硬化する、各ステップが実施され
る。
与されるダンピング材に注目したもので、まず、引出電
極部とＩＤＴとを画する境界に沿って、ダンピング材を
形成するステップが実施される。このダンピング材は、
たとえばシリコーンゴムのような適当な弾性を有する材
料で構成される。次に、ダンピング材に一部が接触した
状態でＩＤＴの上方に窓を形成するマスクを表面波基板
上に配置し、この窓から露出した表面波基板上に、窓を
介して周波数調整のための未硬化の樹脂を適用し、さら
に、未硬化の樹脂を硬化する、各ステップが実施され
る。
［発明の作用効果］ この発明によれば、マスクは、ダンピング材と密着し、
窓を介して適用された未硬化の樹脂の毛細管現象による
染み出しをダンピング材において有利に堰き止め、この
ような樹脂が引出電極部にまで達することが防止され
る。また、ダンピング材の上にマスクが載る形となるの
で、マスクは表面波基板からわずかに浮いた状態で保た
れ、表面波基板にマスクが付着して、マスクを取外しに
くいという問題点も解消される。
窓を介して適用された未硬化の樹脂の毛細管現象による
染み出しをダンピング材において有利に堰き止め、この
ような樹脂が引出電極部にまで達することが防止され
る。また、ダンピング材の上にマスクが載る形となるの
で、マスクは表面波基板からわずかに浮いた状態で保た
れ、表面波基板にマスクが付着して、マスクを取外しに
くいという問題点も解消される。
また、ダンピング材の形成は、従来から表面波装置の製
造において既に実施されているステップであるので、こ
の発明を採用したとしても、製造ステップ数が増加する
ことはない。
造において既に実施されているステップであるので、こ
の発明を採用したとしても、製造ステップ数が増加する
ことはない。
［実施例］ 第１図ないし第４図は、この発明の一実施例を適用した
表面波装置の製造方法を順次示したものである。
表面波装置の製造方法を順次示したものである。
まず、第１図に平面図で示すように、ガラス板１が用意
される。ガラス板１の一方面には、たとえばアルミニウ
ムが蒸着され、その後フォトエッチング工程を経て、櫛
歯状のＩＤＴ２と、これに連なる引出電極部３とが形成
される。次に、ＩＤＴ２を覆うように、スパッタにより
ＺｎＯ圧電薄膜４が形成される。そして、引出電極部３
とＩＤＴ２とを画する境界に沿って、ダンピング材５が
形成される。ダンピング材５としては、たとえば、シリ
コーンゴムが用いられる。
される。ガラス板１の一方面には、たとえばアルミニウ
ムが蒸着され、その後フォトエッチング工程を経て、櫛
歯状のＩＤＴ２と、これに連なる引出電極部３とが形成
される。次に、ＩＤＴ２を覆うように、スパッタにより
ＺｎＯ圧電薄膜４が形成される。そして、引出電極部３
とＩＤＴ２とを画する境界に沿って、ダンピング材５が
形成される。ダンピング材５としては、たとえば、シリ
コーンゴムが用いられる。
なお、図示は省略するが、実際には、上述したような操
作は、１枚のガラス板１上の複数箇所において実施さ
れ、それによって、１枚のガラス板１から複数の表面波
装置が得られるようにされる。
作は、１枚のガラス板１上の複数箇所において実施さ
れ、それによって、１枚のガラス板１から複数の表面波
装置が得られるようにされる。
次に、第２図に示すように、ダンピング材５に一部が接
触した状態でＩＤＴ２の上方に窓６を形成するマスク７
が、ガラス板１および圧電薄膜４からなる表面波基板上
に配置される。なお、前述したように、１枚のガラス板
１上には複数の表面波装置が構成されているので、これ
らに対応して、マスク７には複数の窓が形成されていて
もよい。
触した状態でＩＤＴ２の上方に窓６を形成するマスク７
が、ガラス板１および圧電薄膜４からなる表面波基板上
に配置される。なお、前述したように、１枚のガラス板
１上には複数の表面波装置が構成されているので、これ
らに対応して、マスク７には複数の窓が形成されていて
もよい。
次に、第３図に示すように、窓６から露出した表面波基
板、すなわち圧電薄膜４上に、窓６を介して周波数調整
のための未硬化の樹脂８が適用される。樹脂８を適用す
る方法としては、塗布も可能であるが、膜厚を正確に管
理できる点では、スプレー法が好ましい。スプレー法に
よれば、スプレーに供給される単位時間あたりの樹脂の
量を一定にしておけば、そのスプレー時間によって膜厚
を管理することができる。なお、スプレー法を適用する
場合、樹脂８は、適当な希釈材を加えることにより、そ
の粘度を調整することが行なわれてもよい。
板、すなわち圧電薄膜４上に、窓６を介して周波数調整
のための未硬化の樹脂８が適用される。樹脂８を適用す
る方法としては、塗布も可能であるが、膜厚を正確に管
理できる点では、スプレー法が好ましい。スプレー法に
よれば、スプレーに供給される単位時間あたりの樹脂の
量を一定にしておけば、そのスプレー時間によって膜厚
を管理することができる。なお、スプレー法を適用する
場合、樹脂８は、適当な希釈材を加えることにより、そ
の粘度を調整することが行なわれてもよい。
また、このような周波数調整のために用いる樹脂８は、
前述した先願に開示されたポリイミド系樹脂のほか、ポ
リアミドイミド系樹脂またはポリエステルイミド系樹脂
のような熱硬化性樹脂が有利に用いられることがわかっ
た。なぜなら、これらの熱硬化性樹脂は、それによって
薄膜が形成されたとしても、表面波の伝搬損失および変
換損失の増加が少なく、したがって、伝搬損失をそれほ
ど増大させることなく、周波数調整を行なうことができ
るからである。また、これらの熱硬化性樹脂は、ほとん
どの有機溶剤によって侵されることがないので、表面波
装置の有機溶剤による洗浄や樹脂モールドを問題なく行
なうことができる。
前述した先願に開示されたポリイミド系樹脂のほか、ポ
リアミドイミド系樹脂またはポリエステルイミド系樹脂
のような熱硬化性樹脂が有利に用いられることがわかっ
た。なぜなら、これらの熱硬化性樹脂は、それによって
薄膜が形成されたとしても、表面波の伝搬損失および変
換損失の増加が少なく、したがって、伝搬損失をそれほ
ど増大させることなく、周波数調整を行なうことができ
るからである。また、これらの熱硬化性樹脂は、ほとん
どの有機溶剤によって侵されることがないので、表面波
装置の有機溶剤による洗浄や樹脂モールドを問題なく行
なうことができる。
次に、マスク７が除去され、第４図に示すように、所望
の膜厚に達した樹脂８は硬化される。このような硬化ス
テップにおいて、前述したような熱硬化性樹脂を用いる
と、２００〜２５０℃という比較的低い温度で硬化処理
することができる。そのため、アルミニウムからなるＩ
ＤＴ２や引出電極部３あるいはＺｎＯ圧電薄膜４等の腐
蝕を生じることはない。
の膜厚に達した樹脂８は硬化される。このような硬化ス
テップにおいて、前述したような熱硬化性樹脂を用いる
と、２００〜２５０℃という比較的低い温度で硬化処理
することができる。そのため、アルミニウムからなるＩ
ＤＴ２や引出電極部３あるいはＺｎＯ圧電薄膜４等の腐
蝕を生じることはない。
第４図のステップを終えたとき、得られた表面波装置の
周波数は所望のごとく調整されており、要すれば、引出
電極部３にリード線等が接続される。
周波数は所望のごとく調整されており、要すれば、引出
電極部３にリード線等が接続される。
なお、この発明が適用される表面波装置の表面波基板と
しては、ＰＺＴのような圧電セラミック材料からなるも
のであっても、ＬｉＮｂＯ３のような圧電単結晶材料か
らなるものであってもよい。
しては、ＰＺＴのような圧電セラミック材料からなるも
のであっても、ＬｉＮｂＯ３のような圧電単結晶材料か
らなるものであってもよい。
また、ＩＤＴが、図示の実施例のように、圧電薄膜４に
よって覆われる構造のもののほか、表面波基板から露出
して形成されるものであってもよい。このように、ＩＤ
Ｔが表面波基板から露出して形成される場合には、周波
数調整のための樹脂からなる薄膜は、ＩＤＴの保護膜と
しても働かせることができる。
よって覆われる構造のもののほか、表面波基板から露出
して形成されるものであってもよい。このように、ＩＤ
Ｔが表面波基板から露出して形成される場合には、周波
数調整のための樹脂からなる薄膜は、ＩＤＴの保護膜と
しても働かせることができる。
第１図ないし第４図は、この発明の一実施例を適用して
表面波装置を製造するためのステップを順次示したもの
である。 図において、１はガラス板、２はＩＤＴ、３は引出電極
部、４はＺｎＯ圧電薄膜、５はダンピング材、６は窓、
７はマスク、８は樹脂である。
表面波装置を製造するためのステップを順次示したもの
である。 図において、１はガラス板、２はＩＤＴ、３は引出電極
部、４はＺｎＯ圧電薄膜、５はダンピング材、６は窓、
７はマスク、８は樹脂である。
Claims (1)
- 【請求項１】引出電極部を露出させ、かつ引出電極部か
ら延びてインターディジタルトランスデューサが形成さ
れた、表面波基板を備える、表面波装置の周波数調整方
法において、 前記引出電極部と前記インターディジタルトランスデュ
ーサとを画する境界に沿って、まず、ダンピング材を形
成し、 次いで、前記ダンピング材に一部が接触した状態で前記
インターディジタルトランスデューサの上方に窓を形成
するマスクを前記表面波基板上に配置し、 前記窓から露出した前記表面波基板上に、前記窓を介し
て周波数調整のための未硬化の樹脂を適用し、 前記未硬化の樹脂を硬化する、 各ステップを備えることを特徴とする、表面波装置の周
波数調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8680486A JPH0646691B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 表面波装置の周波数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8680486A JPH0646691B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 表面波装置の周波数調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62242404A JPS62242404A (ja) | 1987-10-23 |
| JPH0646691B2 true JPH0646691B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=13896986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8680486A Expired - Lifetime JPH0646691B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 表面波装置の周波数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646691B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9445211B2 (en) * | 2005-04-11 | 2016-09-13 | St. Jude Medical, Atrial Fibrillation Division, Inc. | Methods for manufacturing high intensity ultrasound transducers |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP8680486A patent/JPH0646691B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62242404A (ja) | 1987-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |