JPH0644033B2 - 超電導回路 - Google Patents

超電導回路

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JPH0644033B2
JPH0644033B2 JP60241469A JP24146985A JPH0644033B2 JP H0644033 B2 JPH0644033 B2 JP H0644033B2 JP 60241469 A JP60241469 A JP 60241469A JP 24146985 A JP24146985 A JP 24146985A JP H0644033 B2 JPH0644033 B2 JP H0644033B2
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magnetic flux
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superconducting circuit
coupling type
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豊 原田
英章 中根
潮 川辺
英一 後藤
信雄 宮本
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Hitachi Ltd
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Original Assignee
Hitachi Ltd
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はジョセフソンデバイスを用いた磁束計は当技術
分野では公知であり、SQUID磁束計に代表される。
従来のSQUID磁束計は外界からの熱雑音や信号の増
幅に使う前置増幅器の雑音によるSQUIDが本来持つ
感度を十分に活用できなかった。このSQUID磁束計
の欠点を補い、更に高感度の磁束計を実現するために、
直流磁束パラメトロン(DC Flux Parametron;以
下DCFPと呼ぶ)回路を使う方法が提案されている。
このDCFP回路を使う磁束計は特願昭60−1225
26に詳細に記載されている。
DCFP回路は磁束に鋭敏で、高い回路利得を持ち、磁
束計の比較回路として優れた特性を持っている。しかし
DCFP回路の動作エネルギーは10−24J極めて小
さいため、DCFP回路の電流を検出する際に検出回路
に流す電流がトランス結合を介して該DCFP回路に影
響し、DCFP回路の保守する信号極性を反転させる誤
動作を起し、情報を破壊するおそれがあることが分かっ
た。
〔発明の目的〕
本発明の目的はDCFP回等の回路の出力電流を該DC
FP回路等の回路の情報を破壊すること無く検出するの
に適した超電導回路を提供することにある。
〔発明の概要〕
この目的を達成するために本発明では電流検出回路の影
響を相殺する為の回路を新たに付加するか、二つの電流
検出回路を差動に動作させて、該DCFP回路等の回路
への影響を無くす方法を採用する。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。第2図
(a)は本発明で使う電流検出回路に使う磁束結合形量
子干渉素子を示す。この素子は2個のジョセフソン接合
1,2インダクタ3,4で超電導ループを構成してい
る。該超電導ループにはバイアス線5によりバイアス電
流が供給される。また該超電導ループの近傍には二つの
制御線6,7が設置され、該制御線6,7に流れる電流
により発生する磁束は該超電導ループに鎖交し、該制御
線の電流は磁束結合形量子干渉素子の最大超電導電流を
制御する。以降この磁束結合形量子干渉素子を第2図
(b)のシンボル10で表わす。第3図は電流検出回路
の動作原理を示す図である。電流検出回路の磁束結合形
量子干渉素子10では、第1の制御線6には被測定電流
Isを、第2の制御線7には参照電流Irを流す。第2
図には磁束結合形量子干渉素子の閾値特性を示してい
る。この図で磁束結合形量子干渉素子のバイアス電流を
Igに固定すれば、該磁束結合形量子干渉素子を超電導
状態から電圧状態にスイッチさせるために必要な制御電
流Ifは一意的に決る。この電流Ifが第1,第2の制
御線に流れる電流Is,Irの和であることは明らかで
ある。従ってIrをスキャンし、該磁束結合形量子干渉
回路がスイッチするのIrをサンプリングすればそれか
らIsの値を知ることができる。このことから電流検出
回路では参照電流Irから被測電流Isの値を知るこが
出来る。従来技術では、この電流検出回路のバイアス電
流Ig、参照電流Irにより発生した磁束が制御線6に
重畳され、これがDCFP回路に影響を与えた。
第1図は本発明の第1の実施例である。この実施例では
ジョセフソン接合101,102、励振インダクタ10
3,104、励振線105、入力端子106、出力線1
08からなるDCFP回路の負荷インダクタとしてトラ
ンス109、電流検出回路10の制御線6が接続されて
いる。電流検出回路の磁束結合量子干渉回路10はパル
ス電流源200より電流Igが供給され、その両端の電
圧は電圧計201でモニタされる。参照電流Irはスキ
ャン電流源300より供給される。この回路構成でキャ
ンセル電流Ig′をトランス109に配線110を介し
てバイアス電流Igと参照電流Irに対して逆方向に流
せば、バイアス電流Ig参照電流Irにより制御線6に
重畳される磁束キャンセル電流Ig′で打ち消すことが
できる。キャンセル電流Ig′は電流Ig,Irとトラ
ンス109の結合係数により最適な電流値を選択するこ
とができる。
第4図は本発明による第2の実施例である。この実施例
では第1図の第1の実施例のトランス109に流れる電
流をバイアス電流Igと同じになるように、トランス1
09と電流検出回路のバイアス線5を直列接続した形と
なっている。またトランス109で発生する磁束と電流
検出回路10が発生する磁束が互いに打ち消し合う様に
電流の向きが反対になるよう接続されている。この構成
ではトランス109の結合係数を電流検出回路の結合係
数と同じにすることにより磁束を打ち消しあうことがで
きる。またこの実施例ではバイアス電流による磁束を打
ちけす事ができる回路構成であるが、障害となる磁束は
ほとんどこのバイアス電流から発生するため、この回路
構成で十分実用に供することができる。更に参照電流に
よる磁束を打ち消すためには第5図に示す様に、参照電
流による磁束をトランス109′により打ち消す構成と
すればよい事は明らかである。
第6図は本発明による第3の実施例である。この実施例
では二つの電流検出回路10a,10bをDCFP回路
の負荷とし、該2個の電流検出回路のバイアス電流I
g、参照電流Irの向きを互いに逆方向に流す様な差動
接続した構成になっている。この構成で該2個の電流検
出回路により発生した磁束は互いに打ち消し合うため、
電流検出回路のDCFP回路に与えるリアクションは皆
無である。この場合2個の電流検出回路のうち一方だけ
が有効に電流検出として使われ、他方は使われていな
い。第7図は第6図に示す実施例の変形で、2個の電流
検出回路に同じバイアス電流流すように、2個のバイア
ス線5a,5bを直列に接続した構成となっている。こ
の実施例では2個の電流検出回路は発生する磁束が互い
に逆方向になる様に、バイアス電流の方向を逆向きにし
てある。
以上の説明は電流検出回路に2接合磁束結合形量子干渉
素子を使った例で説明したが、発明の原理から2接合以
上の磁束結合形素子を使って本発明を実施できる事は明
らかである。
〔発明の効果〕 本発明によれば、極めて微弱なエネルギーで動作するD
CFP回路の信号を検出回路の影響を除外した形で取り
だすことができる。このため微小な信号を安定した形で
検出する事ができ、DCFP回路の測定精度、さらには
測定速度を大幅に向上させる事ができ、ひいては高感
度,高精度の磁束計を提供するのに役立つ。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による第1の実施例、第2図は本発明の
電流検出回に使う磁束結合形素子とそのシンボル、第3
図は電流検出回路の動作原理図、第4図は本発明の第2
の実施例、第5図は第4図の実施例の変形例、第6図は
本発明の第3の実施例、第7図は第6図の実施例の変形
例である。 1,2……ジョセフソン接合、3,4……インダクタ、
5……バイアス線、6,7……制御線、10……磁束結
合形量子干渉素子のシンボル、101,102……ジョ
セフソン接合、103,104……励振インダクタ、1
05……励振線、106……入力端子、108……出力
線、109……トランス、110……配線、200……
パルス電流線、201……電圧計、300……スキャン
電流源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川辺 潮 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 後藤 英一 埼玉県和光市広沢2番1号 理化学研究所 内 (72)発明者 宮本 信雄 東京都国分寺市東恋ヶ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−114776(JP,A) 特開 昭60−24460(JP,A)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電流信号を信号線に出力する第1の超電導
    回路と、該信号線に接続され、該信号電流に応答する磁
    束結合形素子を含む第2の超電導回路からなる超電導回
    路において、該磁束結合素子に流す動作電流により該信
    号線に重畳して発生される磁束を打ち消す磁束を該信号
    線に重畳させる手段を有する超電導回路。
  2. 【請求項2】特許請求の範囲第1項の超電導回路におい
    て、該磁束重畳手段は、該磁束結合形素子に流す該動作
    電流に対応する値の電流を流すための、該信号線に磁気
    結合されたトランス結合素子からなることを特徴とする
    超電導回路。
  3. 【請求項3】特許請求の範囲第1項の超電導回路におい
    て、該磁束重畳手段は、該信号線に接続され、該磁束結
    合形素子と同一構造を有し、該動作電流と逆の方向の動
    作電流が流される他の磁束結合形素子からなることを特
    徴とする超電導回路。
  4. 【請求項4】特許請求の範囲第1項から第3項のいずれ
    かの超電導回路において、該第1の超電導回路は、直流
    磁束パラメトロン回路であることを特徴とする超電導回
    路。
JP60241469A 1985-06-07 1985-10-30 超電導回路 Expired - Lifetime JPH0644033B2 (ja)

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JP60241469A JPH0644033B2 (ja) 1985-10-30 1985-10-30 超電導回路
EP86107693A EP0205120B1 (en) 1985-06-07 1986-06-05 Superconducting current detecting circuit employing DC flux parametron circuit
CA000510927A CA1268815A (en) 1985-06-07 1986-06-05 Superconducting current detecting circuit employing dc flux parametron circuit
DE3650062T DE3650062T2 (de) 1985-06-07 1986-06-05 Supraleitende Stromfühlerschaltung.
US07/291,338 US4866373A (en) 1985-06-07 1988-12-28 Superconducting current detecting circuit employing DC flux parametron circuit

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JP2016201697A (ja) * 2015-04-10 2016-12-01 国立大学法人横浜国立大学 断熱型量子磁束パラメトロン回路及び超伝導論理素子

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