JPH0642633B2 - Am受信機の高周波回路 - Google Patents
Am受信機の高周波回路Info
- Publication number
- JPH0642633B2 JPH0642633B2 JP2060743A JP6074390A JPH0642633B2 JP H0642633 B2 JPH0642633 B2 JP H0642633B2 JP 2060743 A JP2060743 A JP 2060743A JP 6074390 A JP6074390 A JP 6074390A JP H0642633 B2 JPH0642633 B2 JP H0642633B2
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- frequency
- tuning
- tuning circuit
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- Noise Elimination (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 スーパーヘテロダイン型AM受信機の高周波回路に関
し、 高周波同調器のQを変えずにイメージ妨害排除性能を向
上させることを目的とし、 バイパスコンデンサでソースを接地したFETを増幅素
子とする高周波増幅器と、該FETのドレイン電流で駆
動される第1段の同調回路の後段に結合用リアクタンス
素子を用いて第2段の同調回路を結合した複同調型の高
周波同調器とを備え、前記FETのソースを前記結合用
リアクタンス素子と同種のイメージトラップ用リアクタ
ンス素子を介して前記第1段の同調回路と第2段の同調
回路の結合点に接続するよう構成する。
し、 高周波同調器のQを変えずにイメージ妨害排除性能を向
上させることを目的とし、 バイパスコンデンサでソースを接地したFETを増幅素
子とする高周波増幅器と、該FETのドレイン電流で駆
動される第1段の同調回路の後段に結合用リアクタンス
素子を用いて第2段の同調回路を結合した複同調型の高
周波同調器とを備え、前記FETのソースを前記結合用
リアクタンス素子と同種のイメージトラップ用リアクタ
ンス素子を介して前記第1段の同調回路と第2段の同調
回路の結合点に接続するよう構成する。
本発明は、スーパーヘテロダイン型AM受信機の高周波
回路に関する。
回路に関する。
高周波(RF)同調器の同調周波数に対し中間周波(I
F)信号の周波数だけ高い局部発振信号を用いるスーパ
ーヘテロダイン型AM受信機は、同時に局発周波数より
IF周波数だけ低いイメージ周波数に対しても同じIF
信号を出力するので、これを極力排除する必要がある。
F)信号の周波数だけ高い局部発振信号を用いるスーパ
ーヘテロダイン型AM受信機は、同時に局発周波数より
IF周波数だけ低いイメージ周波数に対しても同じIF
信号を出力するので、これを極力排除する必要がある。
第7図はスーパーヘテロダイン型AM受信機の構成図で
ある。この受信機ではアンテナANTで受信された広帯
域のRF信号がRFアンプ1で増幅され、その中から希
望周波数の信号だけがRF同調器2を通して周波数混合
器3に入力し、ここで局部発振器4の出力と混合され
る。混合器3の出力は所定周波数のIF信号になり、こ
れはIF同調器5を通してIFアンプ6で増幅され、検
波器7でオーディオ信号に検波される。8はこの信号を
増幅してスピーカSPを駆動するオーディオアンプであ
る。
ある。この受信機ではアンテナANTで受信された広帯
域のRF信号がRFアンプ1で増幅され、その中から希
望周波数の信号だけがRF同調器2を通して周波数混合
器3に入力し、ここで局部発振器4の出力と混合され
る。混合器3の出力は所定周波数のIF信号になり、こ
れはIF同調器5を通してIFアンプ6で増幅され、検
波器7でオーディオ信号に検波される。8はこの信号を
増幅してスピーカSPを駆動するオーディオアンプであ
る。
電子同調型のAMラジオではRF同調器2の同調周波数
と局部発振器4の局発周波数を同時に可変する。つま
り、RF信号E1cosωrtを受信する場合、RF同調器
2の同調周波数をそのように設定すると同時に、局部発
振器4の周波数ωotをωrtよりIF周波数ωitだけ高い
値に設定する。
と局部発振器4の局発周波数を同時に可変する。つま
り、RF信号E1cosωrtを受信する場合、RF同調器
2の同調周波数をそのように設定すると同時に、局部発
振器4の周波数ωotをωrtよりIF周波数ωitだけ高い
値に設定する。
cosωrt=cos(ωrt+ωit) このとき周波数混合器(掛算器)の出力EMは となる。このうち右辺第1項のcos(ωrt+ωot)はI
F同調器5により排除されるので、最終的には右辺第2
項だけとなり となる。
F同調器5により排除されるので、最終的には右辺第2
項だけとなり となる。
ところが、RF信号が局発周波数よりIF周波数高い場
合(ωrt=ωot+ωit)は となり、この場合も同じIF信号が出る。これがイメー
ジ妨害である。
合(ωrt=ωot+ωit)は となり、この場合も同じIF信号が出る。これがイメー
ジ妨害である。
一般にこのイメージ妨害はRF同調器2のQによって排
除する。第8図は局発周波数oよりIF周波数iだ
け低いRF信号rに同調しているとき、oよりi
だけ高いイメージ周波数を如何に抑圧できるか(イメー
ジ妨害排除能力)を示している。
除する。第8図は局発周波数oよりIF周波数iだ
け低いRF信号rに同調しているとき、oよりi
だけ高いイメージ周波数を如何に抑圧できるか(イメー
ジ妨害排除能力)を示している。
従来のAM受信機におけるイメージ妨害排除能力はRF
同調器2のQを高めることによって決定される。しかし
ながら回路のQはコイル等によって決まる限界のある値
であるから、自ずとイメージ妨害排除能力も制限される
欠点がある。
同調器2のQを高めることによって決定される。しかし
ながら回路のQはコイル等によって決まる限界のある値
であるから、自ずとイメージ妨害排除能力も制限される
欠点がある。
本発明は上述したQが一定でもイメージ妨害排除能力を
向上させることができるようにするものである。
向上させることができるようにするものである。
本発明は、バイパスコンデンサでソースを接地したFE
Tを増幅素子とする高周波増幅器と、該FETのドレイ
ン電流で駆動される第1段の同調回路の後段に結合用リ
アクタンス素子を用いて第2段の同調回路を結合した複
同調型の高周波同調器とを備え、前記FETのソースを
前記結合用リアクタンス素子と同種のイメージトラップ
用リアクタンス素子を介して前記第1段の同調回路と第
2段の同調回路の結合点に接続してなることを特徴とす
るものである。
Tを増幅素子とする高周波増幅器と、該FETのドレイ
ン電流で駆動される第1段の同調回路の後段に結合用リ
アクタンス素子を用いて第2段の同調回路を結合した複
同調型の高周波同調器とを備え、前記FETのソースを
前記結合用リアクタンス素子と同種のイメージトラップ
用リアクタンス素子を介して前記第1段の同調回路と第
2段の同調回路の結合点に接続してなることを特徴とす
るものである。
ソース接地型FETのソース電圧はRF同調回路のイメ
ージ周波数付近の電圧とほぼ等しく、又位相を180°
ずらすことができる。そこで、このソース電圧をRF同
調回路に供給することでイメージ周波数付近の成分をキ
ャンセルし、イメージ妨害除去能力を向上させる。
ージ周波数付近の電圧とほぼ等しく、又位相を180°
ずらすことができる。そこで、このソース電圧をRF同
調回路に供給することでイメージ周波数付近の成分をキ
ャンセルし、イメージ妨害除去能力を向上させる。
このとき、ソース電圧をRF同調回路の結合用リアクタ
ンス素子と同種のイメージトラップ用リアクタンス素子
を介して供給することにより、同調特性に影響を与えな
いようにする。
ンス素子と同種のイメージトラップ用リアクタンス素子
を介して供給することにより、同調特性に影響を与えな
いようにする。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。図中、
Q1はRF増幅用のFET、CaはRFアンプ入力の直
流カット用カップリングコンデンサ、RaはFETQ1
のゲートバイアス抵抗、R1はFETQ1のバイアス電
流設定抵抗、C1はFETQ1のソースバイパスコンデ
ンサで、これらでRFアンプ1を構成する。
Q1はRF増幅用のFET、CaはRFアンプ入力の直
流カット用カップリングコンデンサ、RaはFETQ1
のゲートバイアス抵抗、R1はFETQ1のバイアス電
流設定抵抗、C1はFETQ1のソースバイパスコンデ
ンサで、これらでRFアンプ1を構成する。
一方、T1,T2はRF同調用トランス、CV1,CV
2はRF同調用可変容量ダイオードで、トランスT1の
2次側コイルL1とダイオードCV1で第1段の同調回
路を構成し、またダイオードCV2とトランスT2の1
次側コイルL2で第2段の同調回路を構成する。Ccは
これら同調回路の1段目と2段目を結合する結合用コン
デンサ、Rbは可変容量ダイオードCv1,Cv2のバイア
ス電圧(チューニング電圧)供給用抵抗であり、以上で
複同調型のRF同調器(2)を構成する。
2はRF同調用可変容量ダイオードで、トランスT1の
2次側コイルL1とダイオードCV1で第1段の同調回
路を構成し、またダイオードCV2とトランスT2の1
次側コイルL2で第2段の同調回路を構成する。Ccは
これら同調回路の1段目と2段目を結合する結合用コン
デンサ、Rbは可変容量ダイオードCv1,Cv2のバイア
ス電圧(チューニング電圧)供給用抵抗であり、以上で
複同調型のRF同調器(2)を構成する。
本例ではRFアンプ1のFETQ1のソース(点)を
同調回路の結合用コンデンサCcと同じリアクタンスの
イメージトラップ用コンデンサCiを介して同調回路の
1段目と2段目の結合点に接続する。
同調回路の結合用コンデンサCcと同じリアクタンスの
イメージトラップ用コンデンサCiを介して同調回路の
1段目と2段目の結合点に接続する。
第2図は第1図の交流等価回路図で、FETQ1はソー
ス等価抵抗Rs、位相反転アンプ−1、電流源(純伝達
アドミタンス)gmに区分して示してある。一例として
Rs=22Ω,R1=100Ω,C1=0.1μF,gm
=600mS,L1=L2=200μH,Cv1=Cv2=
126pF,Cc=0.033μF,Ci=4700pFであ
る。
ス等価抵抗Rs、位相反転アンプ−1、電流源(純伝達
アドミタンス)gmに区分して示してある。一例として
Rs=22Ω,R1=100Ω,C1=0.1μF,gm
=600mS,L1=L2=200μH,Cv1=Cv2=
126pF,Cc=0.033μF,Ci=4700pFであ
る。
入力Eiから点を見ると抵抗Rs,R1とコンデンサ
C1でローパスフィルタ(LPF)が構成されているの
で、点は全帯域にわたりレベルが小さく、また位相は
FETQ1のゲートに対し−90°の関係にある。第4
図(a)(b)は希望とする入力を1MHz、想定するイメージ
を1.9MHzとしたときの点のレベルと位相を示してい
る。
C1でローパスフィルタ(LPF)が構成されているの
で、点は全帯域にわたりレベルが小さく、また位相は
FETQ1のゲートに対し−90°の関係にある。第4
図(a)(b)は希望とする入力を1MHz、想定するイメージ
を1.9MHzとしたときの点のレベルと位相を示してい
る。
一方、点はFETQ1により入力電圧Eiの逆位相で
駆動され、さらに同調回路が共振点より高いイメージ周
波数側では容量性になるため、入力Eiから見た位相は
第5図(b)のようにほぼ−270°になる(共振点より
低い周波数帯では誘導性であるため位相は点と同じ−
90°である)。またレベルは結合コンデンサCcを可
変容量Cv1,Cv2より十分大きく選んでおけば点と同
じ程度の小さい値にすることができる。第5図(a)は
点のレベルで、共振点(1MHz)より高くなると点と
同じように低い値になる。
駆動され、さらに同調回路が共振点より高いイメージ周
波数側では容量性になるため、入力Eiから見た位相は
第5図(b)のようにほぼ−270°になる(共振点より
低い周波数帯では誘導性であるため位相は点と同じ−
90°である)。またレベルは結合コンデンサCcを可
変容量Cv1,Cv2より十分大きく選んでおけば点と同
じ程度の小さい値にすることができる。第5図(a)は
点のレベルで、共振点(1MHz)より高くなると点と
同じように低い値になる。
従って、点と点はイメージ周波数付近では同程度の
レベルで位相は逆相の関係にあるので、これをコンデン
サCiで結合すればRF同調器2のQを一定としたまま
でもイメージ妨害を効果的に排除できる。
レベルで位相は逆相の関係にあるので、これをコンデン
サCiで結合すればRF同調器2のQを一定としたまま
でもイメージ妨害を効果的に排除できる。
第3図はこのイメージ妨害排除効果を示す入出力(Ei
→Eo)の伝達特性図である。同図から明らかなように
−間をCiで結合すると(Ciあり)、−間が
オープンである(Ciなし)従来回路より1.9MHz(イ
メージ)付近で20dB近くイメージ妨害除去特性が改
善されていることが判る。
→Eo)の伝達特性図である。同図から明らかなように
−間をCiで結合すると(Ciあり)、−間が
オープンである(Ciなし)従来回路より1.9MHz(イ
メージ)付近で20dB近くイメージ妨害除去特性が改
善されていることが判る。
第6図は本発明の他の実施例を示す回路図である。本例
は同調回路の1,2段結合をコイルLcで行うことによ
り、可変容量Cv1,Cv2が変化しても結合係数が変化し
ないようにしたものである。この場合は点と点の結
合は同種のリアクタンス素子としてイメージトラップ用
コイルLiを用いる。尚、C2〜C4は直流カット用コ
ンデンサである。本例のイメージ妨害除去性能も基本的
に第1図と変わらない。
は同調回路の1,2段結合をコイルLcで行うことによ
り、可変容量Cv1,Cv2が変化しても結合係数が変化し
ないようにしたものである。この場合は点と点の結
合は同種のリアクタンス素子としてイメージトラップ用
コイルLiを用いる。尚、C2〜C4は直流カット用コ
ンデンサである。本例のイメージ妨害除去性能も基本的
に第1図と変わらない。
以上述べたように本発明によれば、スーパーヘテロダイ
ンAM受信機のイメージ妨害除去性能を、同調回路のQ
を一定としたままでも改善できる利点がある。
ンAM受信機のイメージ妨害除去性能を、同調回路のQ
を一定としたままでも改善できる利点がある。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、 第2図は第1図の交流等価回路図、 第3図は第2図の入出力伝達特性図、 第4図は点の特性図、 第5図は点の特性図、 第6図は本発明の他の実施例の回路図、 第7図はスーパーヘテロダイン型AM受信機のブロック
図、 第8図はイメージ妨害の説明図である。 図中、1は高周波増幅器、2は高周波同調器、Q1はF
ET、C1はソースバイパスコンデンサ、L1,CV1
は第1段の同調回路、L2,CV2は第2段の同調回
路、Cc,Lcは結合用リアクタンス素子、Ci,Li
はイメージトラップ用リアクタンス素子である。
図、 第8図はイメージ妨害の説明図である。 図中、1は高周波増幅器、2は高周波同調器、Q1はF
ET、C1はソースバイパスコンデンサ、L1,CV1
は第1段の同調回路、L2,CV2は第2段の同調回
路、Cc,Lcは結合用リアクタンス素子、Ci,Li
はイメージトラップ用リアクタンス素子である。
Claims (1)
- 【請求項1】バイパスコンデンサ(C1)でソースを接地し
たFET(Q1)を増幅素子とする高周波増幅器(1)と、 該FETのドレイン電流で駆動される第1段の同調回路
(L1,CV1)の後段に結合用リアクタンス素子(Ccまたは
Lc)を用いて第2段の同調回路(L2,CV2)を結合した複
同調型の高周波同調器(2)とを備え、 前記FETのソース()を前記結合用リアクタンス素
子と同種のイメージトラップ用リアクタンス素子(Ci
またはLi)を介して前記第1段の同調回路と第2段の
同調回路の結合点()に接続してなることを特徴とす
るAM受信機の高周波回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2060743A JPH0642633B2 (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Am受信機の高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2060743A JPH0642633B2 (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Am受信機の高周波回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03262216A JPH03262216A (ja) | 1991-11-21 |
JPH0642633B2 true JPH0642633B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=13151050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2060743A Expired - Fee Related JPH0642633B2 (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | Am受信機の高周波回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0642633B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017951A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Harada Ind Co Ltd | Fmアンテナ用増幅器 |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP2060743A patent/JPH0642633B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03262216A (ja) | 1991-11-21 |
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JPH0226420B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |