JPH0641137A - フタロシアニン誘導体及びその製造方法並びにその中間体の製造方法 - Google Patents
フタロシアニン誘導体及びその製造方法並びにその中間体の製造方法Info
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- JPH0641137A JPH0641137A JP5043181A JP4318193A JPH0641137A JP H0641137 A JPH0641137 A JP H0641137A JP 5043181 A JP5043181 A JP 5043181A JP 4318193 A JP4318193 A JP 4318193A JP H0641137 A JPH0641137 A JP H0641137A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 フタロシアニン誘導体及びその製法を提供す
る。 【構成】 式（Ｉ）のフタロシアニン誘導体、式
（Ｖ）の芳香族ジクロライド類に、Ｐｄ・ホスフィン錯
体触媒の存在下にＣＯ及び無機アンモニウム塩を反応さ
せて式(IV)のフタルイミド類とし、アンモニアを作用さ
せて式(III)の化合物とし、オキシ塩化 と反応させて
式(II)の化合物とし、塩基触媒の存在下金属酸化物又は
金属ハロゲン化物と反応させて式（Ｉ）〔但しＣＦ３は
（Ｒ）ｎで置き換へられている〕のフタロシアニン誘導
体を製造する方法、上記の式(IV)の化合物を製造する
方法。 （式中、Ｍは金属原子、その酸化物又はそのハロゲン化
物を示す。ＭがＣｕ、Ｇｅ−Ｃｌ2 、Ｓｎ−Ｃｌ2 を示
す場合を除く。又Ｒは低級（ハロ）アルキル、低級（ハ
ロ）アルコキシ等であり、ｎは０〜４の整数である。）
る。 【構成】 式（Ｉ）のフタロシアニン誘導体、式
（Ｖ）の芳香族ジクロライド類に、Ｐｄ・ホスフィン錯
体触媒の存在下にＣＯ及び無機アンモニウム塩を反応さ
せて式(IV)のフタルイミド類とし、アンモニアを作用さ
せて式(III)の化合物とし、オキシ塩化 と反応させて
式(II)の化合物とし、塩基触媒の存在下金属酸化物又は
金属ハロゲン化物と反応させて式（Ｉ）〔但しＣＦ３は
（Ｒ）ｎで置き換へられている〕のフタロシアニン誘導
体を製造する方法、上記の式(IV)の化合物を製造する
方法。 （式中、Ｍは金属原子、その酸化物又はそのハロゲン化
物を示す。ＭがＣｕ、Ｇｅ−Ｃｌ2 、Ｓｎ−Ｃｌ2 を示
す場合を除く。又Ｒは低級（ハロ）アルキル、低級（ハ
ロ）アルコキシ等であり、ｎは０〜４の整数である。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般式(I)
【化９】 （式中、Ｍは金属原子、その酸化物又はそのハロゲン化
物を示す。但し、ＭががＣｕ、Ｇｅ−Ｃｌ2 、Ｓｎ−Ｃ
ｌ2 を示す場合を除く。）で表されるフタロシアニン誘
導体及び一般式(I) で表されるフタロシアニン誘導体を
包含する一般式(I')
物を示す。但し、ＭががＣｕ、Ｇｅ−Ｃｌ2 、Ｓｎ−Ｃ
ｌ2 を示す場合を除く。）で表されるフタロシアニン誘
導体及び一般式(I) で表されるフタロシアニン誘導体を
包含する一般式(I')
【化１０】 （式中、Ｒは同一又は異なっても良く、低級アルキル
基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
アルコキシ基、低級アルキルチオ基又は低級ハロアルキ
ルチオ基を示し、ｎは０〜４の整数を示し、Ｍは水素原
子、金属原子、その酸化物又はそのハロゲン化物を示
す。）で表されるフタロシアニン誘導体の製造方法並び
にその中間体である一般式(IV)で表されるフタルイミド
類の製造方法に関するものである。一般式(I) 及び(I')
で表されるフタロシアニン誘導体は、顔料、染料の他、
有機光導電材料や光記憶材料等の機能性材料として有用
な化合物である。
基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
アルコキシ基、低級アルキルチオ基又は低級ハロアルキ
ルチオ基を示し、ｎは０〜４の整数を示し、Ｍは水素原
子、金属原子、その酸化物又はそのハロゲン化物を示
す。）で表されるフタロシアニン誘導体の製造方法並び
にその中間体である一般式(IV)で表されるフタルイミド
類の製造方法に関するものである。一般式(I) 及び(I')
で表されるフタロシアニン誘導体は、顔料、染料の他、
有機光導電材料や光記憶材料等の機能性材料として有用
な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】フタロシアニン類は種々の誘導体類が知
られており、それらの製造方法も知られており、例えば
一般式(I) で表されるフタロシアニン誘導体の製造方法
としてはＳＹＮＴＨＥＴＩＣ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩ
ＯＮ １１（５），３５１（１９８１）に下記の製法が
記載されている。
られており、それらの製造方法も知られており、例えば
一般式(I) で表されるフタロシアニン誘導体の製造方法
としてはＳＹＮＴＨＥＴＩＣ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩ
ＯＮ １１（５），３５１（１９８１）に下記の製法が
記載されている。
【０００３】
【化１１】
【０００４】
【化１２】 （式中、ＤＤＱは２，３−ジクロロ−６，６−ジシアノ
−１，４−ベンゾキノンを示す。）
−１，４−ベンゾキノンを示す。）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は従来法で
は原料化合物が高価で取り扱い上の問題があり、工程数
も非常に長く、工業的な製造方法としては更に解決すべ
き課題を有しており、新規な製造法が望まれている現状
を鑑み、一般式(I')で表されるフタロシアニン誘導体の
新規な製造方法に関して鋭意研究を重ねた結果、本発明
の新規な製造方法を見出したものであり、更には本発明
の製造方法による一般式(I) で表されるフタロシアニン
誘導体が文献未記載の新規化合物であることを見出し本
発明を完成させたものであり、本発明による一般式(I)
で表されるフタロシアニン誘導体は顔料、染料及び機能
性材料として有用な化合物である。
は原料化合物が高価で取り扱い上の問題があり、工程数
も非常に長く、工業的な製造方法としては更に解決すべ
き課題を有しており、新規な製造法が望まれている現状
を鑑み、一般式(I')で表されるフタロシアニン誘導体の
新規な製造方法に関して鋭意研究を重ねた結果、本発明
の新規な製造方法を見出したものであり、更には本発明
の製造方法による一般式(I) で表されるフタロシアニン
誘導体が文献未記載の新規化合物であることを見出し本
発明を完成させたものであり、本発明による一般式(I)
で表されるフタロシアニン誘導体は顔料、染料及び機能
性材料として有用な化合物である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一般式(I')で表
されるフタロシアニン誘導体は、例えば下記に示す製造
方法により製造することができる。
されるフタロシアニン誘導体は、例えば下記に示す製造
方法により製造することができる。
【０００７】
【化１３】 （式中、Ｒは同一又は異なっても良く、低級アルキル
基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
アルコキシ基、低級アルキルチオ基又は低級ハロアルキ
ルチオ基を示し、ｎは０〜４の整数を示し、Ｍは水素原
子、金属原子、その酸化物又はそのハロゲン化物を示
す。）
基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
アルコキシ基、低級アルキルチオ基又は低級ハロアルキ
ルチオ基を示し、ｎは０〜４の整数を示し、Ｍは水素原
子、金属原子、その酸化物又はそのハロゲン化物を示
す。）
【０００８】一般式(V) で表される芳香族ジクロライド
類を、パラジウム化合物及びホスフィン化合物を触媒と
して不活性溶媒の存在下又は不存在下に一酸化炭素及び
無機アンモニウムと反応させて一般式(IV)で表されるフ
タルイミド類とし、該フタルイミド類を単離し又は単離
せずしてアンモニアと反応させ、一般式(III) で表され
る化合物とし、該化合物(III) を単離し又は単離せずし
てオキシ塩化リンと反応させることにより、一般式(II)
で表されるフタロニトリル類とし、該芳香族ニトリル類
を塩基触媒の存在下に金属酸化物又は金属ハロゲン化物
と反応させることにより一般式(I')で表されるフタロシ
アニン誘導体を製造することができる。
類を、パラジウム化合物及びホスフィン化合物を触媒と
して不活性溶媒の存在下又は不存在下に一酸化炭素及び
無機アンモニウムと反応させて一般式(IV)で表されるフ
タルイミド類とし、該フタルイミド類を単離し又は単離
せずしてアンモニアと反応させ、一般式(III) で表され
る化合物とし、該化合物(III) を単離し又は単離せずし
てオキシ塩化リンと反応させることにより、一般式(II)
で表されるフタロニトリル類とし、該芳香族ニトリル類
を塩基触媒の存在下に金属酸化物又は金属ハロゲン化物
と反応させることにより一般式(I')で表されるフタロシ
アニン誘導体を製造することができる。
【０００９】. 一般式(V) → 一般式(IV) 本反応で触媒として使用するパラジウム化合物はホスフ
ィン化合物と組み合わせて使用すれば良く、パラジウム
化合物としては、例えば金属パラジウム、パラジウムカ
−ボン、パラジウムアルミナ、塩化パラジウム、臭化パ
ラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビスシアノフェニ
ルパラジウム、ジクロロビストリフェニルパラジウム、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム等を使用
することができる。
ィン化合物と組み合わせて使用すれば良く、パラジウム
化合物としては、例えば金属パラジウム、パラジウムカ
−ボン、パラジウムアルミナ、塩化パラジウム、臭化パ
ラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビスシアノフェニ
ルパラジウム、ジクロロビストリフェニルパラジウム、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム等を使用
することができる。
【００１０】パラジウム化合物と組み合わせて使用する
ホスフィン化合物としては、例えば１，１−ビス（ジメ
チルホスフィノ）メタン、１，１−ビス（ジエチルホス
フィノ）メタン、１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）
エタン、１，２−ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、
１，３−ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、１，４
−ビス（ジメチルホスフィノ）ブタン等のビス（ジアル
キルホスフィノ）アルカン類、１，１−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホス
フィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）
ブタン、１，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタ
ン、１，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）ヘキサン、
２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ
−１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス
（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ビナフチル、１，２−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）ベンゼン、メチルジベンゾホスホ−ル、エ
チルジベンゾホスホ−ル、プロピルジベンゾホスホ−
ル、ブチルジベンゾホスホ−ル、ペンチルジベンゾホス
ホ−ル、フェニルジベンゾホスホ−ル、１，１−ビス
（ジベンゾホスホリル）メタン、１，２−ビス（ジベン
ゾホスホリル）エタン、１，３−ビス（ジベンゾホスホ
リル）プロパン、１，４−ビス（ジベンゾホスホリル）
ブタン、１，５−ビス（ジベンゾホスホリル）ペンタン
等を例示することができるが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
ホスフィン化合物としては、例えば１，１−ビス（ジメ
チルホスフィノ）メタン、１，１−ビス（ジエチルホス
フィノ）メタン、１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）
エタン、１，２−ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、
１，３−ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、１，４
−ビス（ジメチルホスフィノ）ブタン等のビス（ジアル
キルホスフィノ）アルカン類、１，１−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホス
フィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）
ブタン、１，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタ
ン、１，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）ヘキサン、
２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ
−１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス
（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ビナフチル、１，２−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）ベンゼン、メチルジベンゾホスホ−ル、エ
チルジベンゾホスホ−ル、プロピルジベンゾホスホ−
ル、ブチルジベンゾホスホ−ル、ペンチルジベンゾホス
ホ−ル、フェニルジベンゾホスホ−ル、１，１−ビス
（ジベンゾホスホリル）メタン、１，２−ビス（ジベン
ゾホスホリル）エタン、１，３−ビス（ジベンゾホスホ
リル）プロパン、１，４−ビス（ジベンゾホスホリル）
ブタン、１，５−ビス（ジベンゾホスホリル）ペンタン
等を例示することができるが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
【００１１】ホスフィン化合物の添加量はパラジウム化
合物に対して０．０１〜１００００倍モルの範囲から選
択して使用すれば良く、好ましくは０．１〜１００倍モ
ルの範囲で使用すれば良い。本反応はパラジウム化合物
及びホスフィン化合物を組み合わせて使用すれば良く、
反応系にそれぞれ単独で使用しても良く、予め錯体の形
に調製して使用しても良い。パラジウム化合物及びホス
フィン化合物の添加量は特に限定されるものではない
が、一般式(V) で表される芳香族ジクロライド類１モル
に対して０．０００１モル乃至０．５モルの範囲で使用
すれば良く、好ましくは０．００１〜０．１モルの範囲
である。
合物に対して０．０１〜１００００倍モルの範囲から選
択して使用すれば良く、好ましくは０．１〜１００倍モ
ルの範囲で使用すれば良い。本反応はパラジウム化合物
及びホスフィン化合物を組み合わせて使用すれば良く、
反応系にそれぞれ単独で使用しても良く、予め錯体の形
に調製して使用しても良い。パラジウム化合物及びホス
フィン化合物の添加量は特に限定されるものではない
が、一般式(V) で表される芳香族ジクロライド類１モル
に対して０．０００１モル乃至０．５モルの範囲で使用
すれば良く、好ましくは０．００１〜０．１モルの範囲
である。
【００１２】本反応の無機アンモニウム塩としては炭酸
アンモニウム、炭酸水素アンモニウム等の無機アンモニ
ウム塩を使用することができるが、これらに限定される
ものではない。無機アンモニウム塩の使用量は一般式
(V) で表される芳香族ジクロライド類１モルに対して２
倍モル乃至５倍モルの範囲から選択すれば良く、好まし
くは２〜４倍モルの範囲から選択して使用すれば良い。
アンモニウム、炭酸水素アンモニウム等の無機アンモニ
ウム塩を使用することができるが、これらに限定される
ものではない。無機アンモニウム塩の使用量は一般式
(V) で表される芳香族ジクロライド類１モルに対して２
倍モル乃至５倍モルの範囲から選択すれば良く、好まし
くは２〜４倍モルの範囲から選択して使用すれば良い。
【００１３】本反応は不活性溶媒の存在下又は不存在下
で行うことができ，使用できる不活性溶媒としては本反
応の進行を著しく阻害しない不活性溶媒であれば良く、
例えばヘキサン、ベンゼン、トルエン、ジエチルエ−テ
ル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホ
ルムアミド、ヘキサメチルホスホトリアミド、アセトン
等の不活性溶媒を例示することができる。
で行うことができ，使用できる不活性溶媒としては本反
応の進行を著しく阻害しない不活性溶媒であれば良く、
例えばヘキサン、ベンゼン、トルエン、ジエチルエ−テ
ル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホ
ルムアミド、ヘキサメチルホスホトリアミド、アセトン
等の不活性溶媒を例示することができる。
【００１４】本反応は常圧〜加圧下に行われ、一酸化炭
素の圧力は１〜２００気圧の範囲で適宜選択すれば良
く、好ましくは１〜５０気圧の範囲である。本発明の反
応温度は通常１００℃〜３００℃の範囲から選択され、
好ましくは１５０℃〜２５０℃の範囲である。本反応で
用いられる反応容器としては、通常用いられるものであ
れば良く、加圧反応の場合には反応圧力に耐え得るもの
であれば良く、通常金属製又はガラス製の容器が用いら
れる。反応時間は反応剤の量及び反応温度等により一定
しないが、数分〜４８時間の範囲から選択すれば良い。
反応終了後、常法により反応系から目的物を単離すれば
良く、単離せずに次の反応に供しても良い。
素の圧力は１〜２００気圧の範囲で適宜選択すれば良
く、好ましくは１〜５０気圧の範囲である。本発明の反
応温度は通常１００℃〜３００℃の範囲から選択され、
好ましくは１５０℃〜２５０℃の範囲である。本反応で
用いられる反応容器としては、通常用いられるものであ
れば良く、加圧反応の場合には反応圧力に耐え得るもの
であれば良く、通常金属製又はガラス製の容器が用いら
れる。反応時間は反応剤の量及び反応温度等により一定
しないが、数分〜４８時間の範囲から選択すれば良い。
反応終了後、常法により反応系から目的物を単離すれば
良く、単離せずに次の反応に供しても良い。
【００１５】．一般式(IV) → 一般式(III) → 一
般式(II) → 一般式(I') 本反応で使用する金属、金属酸化物又は金属ハロゲン化
物としては、例えばＣｕ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｚ
ｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｖ等の金属原子、その酸化物又はその
ハロゲン化物を使用することができる。本反応は、例え
ば『新実験化学講座 ８−III, Ｐ１４９７〜（丸
善）』、ＳＹＮＴＨＥＴＩＣ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩ
ＯＮ １１（５），３５１（１９８１）、Ｃｈｅｎ．ｌ
ｅｔｔ.,（１９８０），１２７７、同（１９８３），３
１３等に記載の方法により一般式(I')で表されるフタロ
シアニン誘導体を製造することができる。以下に本発明
の一般式(I) で表されるフタロシアニン誘導体の代表例
を第１表に示す。
般式(II) → 一般式(I') 本反応で使用する金属、金属酸化物又は金属ハロゲン化
物としては、例えばＣｕ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｚ
ｎ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｖ等の金属原子、その酸化物又はその
ハロゲン化物を使用することができる。本反応は、例え
ば『新実験化学講座 ８−III, Ｐ１４９７〜（丸
善）』、ＳＹＮＴＨＥＴＩＣ ＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩ
ＯＮ １１（５），３５１（１９８１）、Ｃｈｅｎ．ｌ
ｅｔｔ.,（１９８０），１２７７、同（１９８３），３
１３等に記載の方法により一般式(I')で表されるフタロ
シアニン誘導体を製造することができる。以下に本発明
の一般式(I) で表されるフタロシアニン誘導体の代表例
を第１表に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【実施例】以下に本発明の代表的な実施例を挙げるが、
本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ ４−トリフルオロメチルフタルイミドの製造 ハステロイ製オ−トクレ−ブ中に、３，４−ジクロロベ
ンゾトリフルオリド３８．７ｇ（０．１８モル）、炭酸
水素アンモニウム４４．１ｇ（０．５６モル）、塩化パ
ラジウム０．３２ｇ（０．００１８モル）、１，４−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）ブタン３．８４ｇ（０．０
０９モル）及びトルエン１８０ｍｌを入れ、密閉した
後、一酸化炭素（５Ｋｇ／ｃｍ2 ）で３回置換後、３５
Ｋｇ／ｃｍ2 に充填し、２００℃で３時間反応を行っ
た。反応終了後、反応系を冷却しガスを抜いた後に反応
液を濾過し、残渣を水２００ｍｌで洗浄し、酢酸エチル
３００ｍｌで抽出し、得られた抽出液を濃縮することに
より４−トリフルオロメチルフタルイミド２５．４ｇ
（収率６５．６％）を得た。更に、反応濾液を濃縮し、
酢酸エチル−ｎ−ヘキサンより再結晶することにより目
的物３．３ｇ（収率８．４％）を得た。 物性 m.p.１６６−１６８℃1 H-NMR(DMSO-d6,ppm) 8.19(m,3H,Ar-H), 11.60(s,1H,
NH).
本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ ４−トリフルオロメチルフタルイミドの製造 ハステロイ製オ−トクレ−ブ中に、３，４−ジクロロベ
ンゾトリフルオリド３８．７ｇ（０．１８モル）、炭酸
水素アンモニウム４４．１ｇ（０．５６モル）、塩化パ
ラジウム０．３２ｇ（０．００１８モル）、１，４−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）ブタン３．８４ｇ（０．０
０９モル）及びトルエン１８０ｍｌを入れ、密閉した
後、一酸化炭素（５Ｋｇ／ｃｍ2 ）で３回置換後、３５
Ｋｇ／ｃｍ2 に充填し、２００℃で３時間反応を行っ
た。反応終了後、反応系を冷却しガスを抜いた後に反応
液を濾過し、残渣を水２００ｍｌで洗浄し、酢酸エチル
３００ｍｌで抽出し、得られた抽出液を濃縮することに
より４−トリフルオロメチルフタルイミド２５．４ｇ
（収率６５．６％）を得た。更に、反応濾液を濃縮し、
酢酸エチル−ｎ−ヘキサンより再結晶することにより目
的物３．３ｇ（収率８．４％）を得た。 物性 m.p.１６６−１６８℃1 H-NMR(DMSO-d6,ppm) 8.19(m,3H,Ar-H), 11.60(s,1H,
NH).
【００１９】実施例２ ４−トリフルオロメチルフタル
酸アミドの製造 ４−トリフルオロメチルフタルイミド５．０ｇ（２３．
３ミリモル）と２８％アンモニア水１６０ｍｌを室温下
に１２．５時間攪拌し反応を行った。反応終了後、反応
液を濾過して得られた結晶をエタノ−ル−水で再結晶す
ることにより目的物を淡黄色結晶として４．４ｇ（収率
８２．１％）得た。 物性 m.p.１８９℃（分解）1 H-NMR(DMSO-d6,ppm) 7.50(s,4H,NH), 7.84(m,3H,Ar-
H).
酸アミドの製造 ４−トリフルオロメチルフタルイミド５．０ｇ（２３．
３ミリモル）と２８％アンモニア水１６０ｍｌを室温下
に１２．５時間攪拌し反応を行った。反応終了後、反応
液を濾過して得られた結晶をエタノ−ル−水で再結晶す
ることにより目的物を淡黄色結晶として４．４ｇ（収率
８２．１％）得た。 物性 m.p.１８９℃（分解）1 H-NMR(DMSO-d6,ppm) 7.50(s,4H,NH), 7.84(m,3H,Ar-
H).
【００２０】実施例３ ４−トリフルオロメチルフタロ
ニトリルの製造 ４−トリフルオロメチルフタル酸アミド４．６ｇ（２０
ミリモル）をピリジン４３ｍｌに溶解させ、５℃まで冷
却した。反応液にオキシ塩化リン７．４ｇ（４８ミリモ
ル）を徐々に滴下し、滴下終了後６０℃で２時間反応を
行った。反応終了後、反応液を氷水中に注ぎ１５分間攪
拌し、析出した結晶を濾過し、得られた結晶を１２０℃
／５ｍｍＨｇで蒸留（昇華精製）することにより目的物
を白色結晶として２．９ｇ（収率７２．８％）得た。 物性 m.p.６１℃1 H-NMR(CDCl3,ppm) 8.13(m,3H,Ar-H).
ニトリルの製造 ４−トリフルオロメチルフタル酸アミド４．６ｇ（２０
ミリモル）をピリジン４３ｍｌに溶解させ、５℃まで冷
却した。反応液にオキシ塩化リン７．４ｇ（４８ミリモ
ル）を徐々に滴下し、滴下終了後６０℃で２時間反応を
行った。反応終了後、反応液を氷水中に注ぎ１５分間攪
拌し、析出した結晶を濾過し、得られた結晶を１２０℃
／５ｍｍＨｇで蒸留（昇華精製）することにより目的物
を白色結晶として２．９ｇ（収率７２．８％）得た。 物性 m.p.６１℃1 H-NMR(CDCl3,ppm) 8.13(m,3H,Ar-H).
【００２１】実施例４ テトラキス（トリフルオロメチ
ル）フタロシアニン錫の製造 ４−トリフルオロメチルフタロニトリル０．９８ｇ（５
ミリモル）、塩化第一錫０．２８ｇ（１．５ミリモル）
及びＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウ
ンデ−７−セン）０．７６ｇ（５ミリモル）をエチレン
グリコ−ルモノエチルエ−テル１２．５ｍｌ中で還流下
に６時間反応を行った。反応終了後、反応液を冷却し、
水を加えて析出する結晶を濾過し、得られた粉末を３％
塩酸水溶液及び水で洗浄することにより目的物を結晶と
して１．１３ｇ（収率１００％）得た。
ル）フタロシアニン錫の製造 ４−トリフルオロメチルフタロニトリル０．９８ｇ（５
ミリモル）、塩化第一錫０．２８ｇ（１．５ミリモル）
及びＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウ
ンデ−７−セン）０．７６ｇ（５ミリモル）をエチレン
グリコ−ルモノエチルエ−テル１２．５ｍｌ中で還流下
に６時間反応を行った。反応終了後、反応液を冷却し、
水を加えて析出する結晶を濾過し、得られた粉末を３％
塩酸水溶液及び水で洗浄することにより目的物を結晶と
して１．１３ｇ（収率１００％）得た。
【００２２】実施例５ テトラキス（トリフルオロメチ
ル）フタロシアニン鉄の製造 実施例４の塩化第一錫に代えて塩化第一鉄０．１９ｇ
（１．５ミリモル）を使用し、実施例４と同様に反応さ
せることにより目的物を粉末として１．０４ｇ（収率９
９．１％）得た。
ル）フタロシアニン鉄の製造 実施例４の塩化第一錫に代えて塩化第一鉄０．１９ｇ
（１．５ミリモル）を使用し、実施例４と同様に反応さ
せることにより目的物を粉末として１．０４ｇ（収率９
９．１％）得た。
【００２３】実施例６ テトラキス（トリフルオロメチ
ル）フタロシアニンニッケルの製造 実施例４の塩化第一錫に代えて臭化ニッケル０．３３ｇ
（１．５ミリモル）を使用し、エチレングリコ−ルモノ
エチルエ−テルに代えてエチレングリコ−ルモノメチル
エ−テル１５ｍｌを使用し、実施例４と同様に反応させ
ることにより目的物を粉末として０．９１ｇ（収率８
６．４％）得た。
ル）フタロシアニンニッケルの製造 実施例４の塩化第一錫に代えて臭化ニッケル０．３３ｇ
（１．５ミリモル）を使用し、エチレングリコ−ルモノ
エチルエ−テルに代えてエチレングリコ−ルモノメチル
エ−テル１５ｍｌを使用し、実施例４と同様に反応させ
ることにより目的物を粉末として０．９１ｇ（収率８
６．４％）得た。
【００２４】実施例７ テトラキス（トリフルオロメチ
ル）フタロシアニン亜鉛の製造 実施例４の塩化第一錫に代えて塩化亜鉛０．１７ｇ
（１．５ミリモル）を使用し、エチレングリコ−ルモノ
エチルエ−テルに代えてエタノ−ル２０ｍｌを使用し、
同様に反応させることにより目的物を粉末として０．９
８ｇ（収率９２．５％）得た。
ル）フタロシアニン亜鉛の製造 実施例４の塩化第一錫に代えて塩化亜鉛０．１７ｇ
（１．５ミリモル）を使用し、エチレングリコ−ルモノ
エチルエ−テルに代えてエタノ−ル２０ｍｌを使用し、
同様に反応させることにより目的物を粉末として０．９
８ｇ（収率９２．５％）得た。
【００２５】実施例８ テトラキス（トリフルオロメチ
ル）フタロシアニン鉛の製造 実施例４の塩化第一錫に代えて塩化鉛０．３５ｇ（１．
２５ミリモル）を使用し、エチレングリコ−ルモノエチ
ルエ−テルに代えてｎ−ペンタノ−ル２０ｍｌを使用
し、実施例４と同様に反応させることにより目的物を粉
末として０．３６ｇ（収率２８．７％）得た。
ル）フタロシアニン鉛の製造 実施例４の塩化第一錫に代えて塩化鉛０．３５ｇ（１．
２５ミリモル）を使用し、エチレングリコ−ルモノエチ
ルエ−テルに代えてｎ−ペンタノ−ル２０ｍｌを使用
し、実施例４と同様に反応させることにより目的物を粉
末として０．３６ｇ（収率２８．７％）得た。
【００２６】実施例９ オキソ−テトラキス（トリフル
オロメチル）フタロシアニンバナジウムの製造 ４−トリフルオロメチルフタロニトリル１．９６ｇ（１
０ミリモル）及び五酸化バナジウム０．１５ｇ（０．８
３ミリモル）をエチレングリコ−ル４ｍｌ中で還流下に
６時間反応を行った。反応終了後、反応液を熱時濾過
し、温ジメチルホルムアミド及び温イソプロピルアルコ
−ルで洗浄することにより目的物を１．０７ｇ（収率７
５．４％）得た。
オロメチル）フタロシアニンバナジウムの製造 ４−トリフルオロメチルフタロニトリル１．９６ｇ（１
０ミリモル）及び五酸化バナジウム０．１５ｇ（０．８
３ミリモル）をエチレングリコ−ル４ｍｌ中で還流下に
６時間反応を行った。反応終了後、反応液を熱時濾過
し、温ジメチルホルムアミド及び温イソプロピルアルコ
−ルで洗浄することにより目的物を１．０７ｇ（収率７
５．４％）得た。
【００２７】実施例１０ オキソ−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）フタロシアニンチタンの製造 ４−トリフルオロメチルフタロニトリル２．４９ｇ（１
２．７ミリモル）及び三塩化チタン０．４９ｇ（３．１
７ミリモル）を１，２，４−トリクロロベンゼン１２ｍ
ｌ中、アルゴン雰囲気下、２００℃で６時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を濾過して得られた粉末をベン
ゼン及びエチルエ−テルで洗浄することにより目的物を
０．５５ｇ（収率１９．２％）得た。
ルオロメチル）フタロシアニンチタンの製造 ４−トリフルオロメチルフタロニトリル２．４９ｇ（１
２．７ミリモル）及び三塩化チタン０．４９ｇ（３．１
７ミリモル）を１，２，４−トリクロロベンゼン１２ｍ
ｌ中、アルゴン雰囲気下、２００℃で６時間反応を行っ
た。反応終了後、反応液を濾過して得られた粉末をベン
ゼン及びエチルエ−テルで洗浄することにより目的物を
０．５５ｇ（収率１９．２％）得た。
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式(I) 【化１】 （式中、Ｍは金属原子、その酸化物又はそのハロゲン化
物を示す。但し、ＭがＣｕ、Ｇｅ−Ｃｌ2 、Ｓｎ−Ｃｌ
2 を示す場合を除く。）で表されるフタロシアニン誘導
体。 - 【請求項２】 ＭがＳｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｔ
ｉ又はＶである請求項第１項記載のフタロシアニン誘導
体。 - 【請求項３】 一般式(V) 【化２】 （式中、Ｒは同一又は異なっても良く、低級アルキル
基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
アルコキシ基、低級アルキルチオ基又は低級ハロアルキ
ルチオ基を示し、ｎは０〜４の整数を示す。）で表され
る芳香族ジクロライド類を、触媒としてパラジウム化合
物及びホスフィン化合物の存在下に一酸化炭素及び無機
アンモニウム塩と反応させ、一般式(IV) 【化３】 （式中、Ｒ及びｎは前記に同じ。）で表されるフタルイ
ミド類とし、該フタルイミド類を単離し又は単離せずし
てアンモニアと反応させ、一般式(III) 【化４】 （式中、Ｒ及びｎは前記に同じ。）で表される化合物と
し、該化合物(III) を単離し又は単離せずしてオキシ塩
化リンと反応させることにより、一般式(II) 【化５】 （式中、Ｒ及びｎは前記に同じ。）で表されるフタロニ
トリル類とし、該芳香族ニトリル類を塩基触媒の存在
下、金属酸化物又は金属ハロゲン化物と反応させること
を特徴とする一般式(I') 【化６】 （式中、Ｍは水素原子、金属原子、その酸化物又はその
ハロゲン化物を示し、Ｒ及びｎは前記に同じ。）で表さ
れるフタロシアニン誘導体の製造方法。 - 【請求項４】 Ｒが低級ハロアルキル基であり、ｎが１
である請求項第３項記載のフタロシアニン誘導体の製造
方法。 - 【請求項５】 Ｒがトリフルオロメチル基である請求項
第４項記載のフタロシアニン誘導体の製造方法。 - 【請求項６】 一般式(V) 【化７】 （式中、Ｒは同一又は異なっても良く、低級アルキル
基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロ
アルコキシ基、低級アルキルチオ基又は低級ハロアルキ
ルチオ基を示し、ｎは０〜４の整数を示す。）で表され
る芳香族ジクロライド類を、触媒としてパラジウム化合
物及びホスフィン化合物の存在下に一酸化炭素及び無機
アンモニウム塩と反応させることを特徴とする一般式(I
V) 【化８】 （式中、Ｒ及びｎは前記に同じ。）で表されるフタルイ
ミド類の製造方法。 - 【請求項７】 Ｒが低級ハロアルキル基であり、ｎが１
である請求項第６項記載のフタルイミド類の製造方法。 - 【請求項８】 Ｒがトリフルオロメチル基である請求項
第７項記載のフタルイミド類の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043181A JPH0641137A (ja) | 1992-02-08 | 1993-02-08 | フタロシアニン誘導体及びその製造方法並びにその中間体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-56895 | 1992-02-08 | ||
| JP5689592 | 1992-02-08 | ||
| JP5043181A JPH0641137A (ja) | 1992-02-08 | 1993-02-08 | フタロシアニン誘導体及びその製造方法並びにその中間体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0641137A true JPH0641137A (ja) | 1994-02-15 |
Family
ID=26382923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5043181A Pending JPH0641137A (ja) | 1992-02-08 | 1993-02-08 | フタロシアニン誘導体及びその製造方法並びにその中間体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0641137A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034236A (en) * | 1997-06-05 | 2000-03-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for producing of phthalocyanine compound |
| JP2004323511A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | フタロシアニン化合物及びその中間体の製造方法並びにその中間体化合物 |
| JP2005075778A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 水溶性フタロシアニン化合物の製造方法及びその合成中間体 |
| WO2014084331A1 (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-05 | 宇部興産株式会社 | ペンタフルオロスルファニルフタロシアニン誘導体およびその中間体 |
| CN105646503A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-08 | 河北工程大学 | 一种锌酞菁空心球的制备方法 |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP5043181A patent/JPH0641137A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034236A (en) * | 1997-06-05 | 2000-03-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for producing of phthalocyanine compound |
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| JP4625644B2 (ja) * | 2003-04-08 | 2011-02-02 | 富士フイルム株式会社 | フタロシアニン化合物及びその中間体の製造方法並びにその中間体化合物 |
| JP2005075778A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 水溶性フタロシアニン化合物の製造方法及びその合成中間体 |
| WO2014084331A1 (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-05 | 宇部興産株式会社 | ペンタフルオロスルファニルフタロシアニン誘導体およびその中間体 |
| JPWO2014084331A1 (ja) * | 2012-11-29 | 2017-01-05 | 宇部興産株式会社 | ペンタフルオロスルファニルフタロシアニン誘導体およびその中間体 |
| CN105646503A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-08 | 河北工程大学 | 一种锌酞菁空心球的制备方法 |
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