JPH063790B2 - 微細パタン形成方法 - Google Patents
微細パタン形成方法Info
- Publication number
- JPH063790B2 JPH063790B2 JP61068469A JP6846986A JPH063790B2 JP H063790 B2 JPH063790 B2 JP H063790B2 JP 61068469 A JP61068469 A JP 61068469A JP 6846986 A JP6846986 A JP 6846986A JP H063790 B2 JPH063790 B2 JP H063790B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- forming method
- pattern forming
- layer film
- reflecting mirror
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＸ線を露光用光源とするパタン形成方法に関す
るものであって、くわしくは広範囲の面積にわたって極
微細なパタンが形成し得るパタン形成方法に関する。
るものであって、くわしくは広範囲の面積にわたって極
微細なパタンが形成し得るパタン形成方法に関する。
（従来技術および発明が解決しようとする問題点） 特性Ｘ線を露光用光源として用いた従来のＸ線露光装置
の光源は、点光源である。この場合Ｘ線が全立体角に放
射されるため、レジスト面と光源の距離の２乗に反比例
して露光に使われるＸ線の強度が弱くなってしまうとい
う欠点を有する。また電子シンクロトロン放射光を露光
用光源として用いた従来のＸ線露光装置においては波長
連続光源であるために、露光に適したスペクトル帯域幅
を選択する必要がある。この点について従来の装置では
電子蓄積リングから放射されるＸ線の短波長部分を全反
射ミラーで除去し、長波長部分をフィルタで除去してい
る。しかしこの場合、限られた材料の特性に支配され、
そのため、スペクトル帯域幅の選択が自由に行えないと
いう欠点がある。特にスペイシャル・ビオリオッド・デ
ィビジョン法〔文献、デイ．シー．フランダース他、ジ
ャーナル．オブ．バキューム．サイエンス．アンド．テ
クノロジー、“J.Vac.Sci.Technology”16巻．1949(197
3年）〕などの干渉露光法を用いてＸ線マスクの周期格
子パタンの周期の整数分の一の周期を有する微細な周期
的干渉パタンを作製する場合は、露光用光源の波長帯域
幅Δλ／λを適正に選択することが重要であり、波長帯
域幅が広すぎると可干渉性の低下により微細な干渉パタ
ンが作製できず、狭すぎると逆に外部振動やＸ線マスク
と基板間のギャップの変動などに敏感に影響され、干渉
パタンが乱れる。本発明者らの解析によると微細な該周
期的干渉パタンを大面積にわたって安定に形成するため
には、中心波長の５〜40％程度の波長帯域幅が適切であ
る。このような精密な波長帯域幅の先端を行うことは、
先に述べた全反射ミラーとフィルタとの組みあわせによ
り帯域幅を設定するという従来の技術によっては全く不
可能であった。
の光源は、点光源である。この場合Ｘ線が全立体角に放
射されるため、レジスト面と光源の距離の２乗に反比例
して露光に使われるＸ線の強度が弱くなってしまうとい
う欠点を有する。また電子シンクロトロン放射光を露光
用光源として用いた従来のＸ線露光装置においては波長
連続光源であるために、露光に適したスペクトル帯域幅
を選択する必要がある。この点について従来の装置では
電子蓄積リングから放射されるＸ線の短波長部分を全反
射ミラーで除去し、長波長部分をフィルタで除去してい
る。しかしこの場合、限られた材料の特性に支配され、
そのため、スペクトル帯域幅の選択が自由に行えないと
いう欠点がある。特にスペイシャル・ビオリオッド・デ
ィビジョン法〔文献、デイ．シー．フランダース他、ジ
ャーナル．オブ．バキューム．サイエンス．アンド．テ
クノロジー、“J.Vac.Sci.Technology”16巻．1949(197
3年）〕などの干渉露光法を用いてＸ線マスクの周期格
子パタンの周期の整数分の一の周期を有する微細な周期
的干渉パタンを作製する場合は、露光用光源の波長帯域
幅Δλ／λを適正に選択することが重要であり、波長帯
域幅が広すぎると可干渉性の低下により微細な干渉パタ
ンが作製できず、狭すぎると逆に外部振動やＸ線マスク
と基板間のギャップの変動などに敏感に影響され、干渉
パタンが乱れる。本発明者らの解析によると微細な該周
期的干渉パタンを大面積にわたって安定に形成するため
には、中心波長の５〜40％程度の波長帯域幅が適切であ
る。このような精密な波長帯域幅の先端を行うことは、
先に述べた全反射ミラーとフィルタとの組みあわせによ
り帯域幅を設定するという従来の技術によっては全く不
可能であった。
（問題点を解決するための手段） 本発明は上記の従来技術の欠点を解決するために提案さ
れたもので、Ｘ線の干渉による微細パタン形成方法を提
供することにある。この微細パタン形成方法は多層膜反
射鏡を用いて露光光源の波長帯域幅の適切な制御を行な
い、Ｘ線を集光することにより強度を増大し、微細な干
渉パタンを短時間のうちに一括形成することを特徴とす
るものである。
れたもので、Ｘ線の干渉による微細パタン形成方法を提
供することにある。この微細パタン形成方法は多層膜反
射鏡を用いて露光光源の波長帯域幅の適切な制御を行な
い、Ｘ線を集光することにより強度を増大し、微細な干
渉パタンを短時間のうちに一括形成することを特徴とす
るものである。
本発明は上記目的を達成するためにウエハ上にレジスト
を塗布し、Ｘ線マスクを用いて該レジスト面上にＸ線の
干渉パタン像を露光するパタン形成法において、所定の
基板上に所定の厚さの重元素薄膜（例えばＷ）と所定の
厚さの軽元素薄膜（例えばBe）を交互に重ねることによ
って得られる多層膜反射鏡によって、Ｘ線を所定の入射
角および出射角を持って反射させた後、Ｘ線マスクを通
し、Ｘ線の干渉パタンを形成し、このパタン像をレジス
ト面上に照射することを特徴とする。また多層膜反射鏡
の構造として、重元素薄膜と軽元素薄膜との積み重ねピ
ッチの異なる単位多層膜を複数個積層し、Ｘ線露光に適
切な波長帯域幅を自由に選択できることを特徴とする。
従来のＸ線露光パタン形成方法は該多層膜反射鏡を用い
ずに、光源から得られたＸ線を直接あるいは全反射鏡で
反射させた後、フィルタとＸ線マスクを通しＸ線レジス
ト面に照射するものである。従ってＸ線の強度も弱く、
またＸ線露光に適切な波長帯域幅を自由に選択すること
ができないという欠点があった。本発明によるパタン形
成方法は、波長帯域幅を自由に選択することが可能であ
り、特に前記スペイシャル・ビオリオッド・デイビジョ
ン法などの干渉露光法に適用することにより、寸法精度
の良い微細なパタンを大面積にわたって一括形成するこ
とができる。なおこれまでに述べたスペクトル帯域幅を
制御することの重要性についての一例として、本発明者
らが行った解析結果を参考までに以下に紹介しておく。
第１図は各波長帯域幅Δλ／λ（ピーク波長＝10Å）に
おけるスペイシャル・ビオリオッド・デイビジョン法に
よる干渉パタン形状のギャップ依存性を示したものであ
る。Δλ／λ＝２％、60％の場合、ギャップが所定の値
から変動すると、パタン形状は大きく乱れる。即ちパタ
ン形状が顕著なギャップ依存性を持っている。しかしΔ
λ／λ＝20％とすると、このギャップ依存性は緩和され
る。このようにΔλ／λを適切に制御することにより、
該干渉パタン形状のギャップ依存性が緩和され、大面積
にわたり寸法精度の良い微細な周期パタンが形成でき
る。パタン形状の乱れを隣接ピークの強度比，半値幅の
比，及びバックグラウンドと最大ピーク強度の比で表わ
し、これらの比がそれぞれ0.9,0.9以上及び0.1以下の範
囲であれば寸法精度の良い微細パタンが露光できるもの
として許容しうるギャップ変動を求めたのが第２図であ
る。ただしマスクとなる回析格子の周期（ｐ）はそれぞ
れ0.2μｍ，0.8μｍである。ｐ＝0.2μｍの場合、パタ
ン幅0.1μｍ以下の周期パタンが形成できる。現在では
技術的にギャップ制御の精度を±10%程度得ることが可
能である。従ってパタン幅0.1μｍ以下の周期パタンを
形成するには、ギャップ変動が±10％まで許容しうるΔ
λ／λの領域、即ち10％〜30％のΔλ／λが適切であ
る。
を塗布し、Ｘ線マスクを用いて該レジスト面上にＸ線の
干渉パタン像を露光するパタン形成法において、所定の
基板上に所定の厚さの重元素薄膜（例えばＷ）と所定の
厚さの軽元素薄膜（例えばBe）を交互に重ねることによ
って得られる多層膜反射鏡によって、Ｘ線を所定の入射
角および出射角を持って反射させた後、Ｘ線マスクを通
し、Ｘ線の干渉パタンを形成し、このパタン像をレジス
ト面上に照射することを特徴とする。また多層膜反射鏡
の構造として、重元素薄膜と軽元素薄膜との積み重ねピ
ッチの異なる単位多層膜を複数個積層し、Ｘ線露光に適
切な波長帯域幅を自由に選択できることを特徴とする。
従来のＸ線露光パタン形成方法は該多層膜反射鏡を用い
ずに、光源から得られたＸ線を直接あるいは全反射鏡で
反射させた後、フィルタとＸ線マスクを通しＸ線レジス
ト面に照射するものである。従ってＸ線の強度も弱く、
またＸ線露光に適切な波長帯域幅を自由に選択すること
ができないという欠点があった。本発明によるパタン形
成方法は、波長帯域幅を自由に選択することが可能であ
り、特に前記スペイシャル・ビオリオッド・デイビジョ
ン法などの干渉露光法に適用することにより、寸法精度
の良い微細なパタンを大面積にわたって一括形成するこ
とができる。なおこれまでに述べたスペクトル帯域幅を
制御することの重要性についての一例として、本発明者
らが行った解析結果を参考までに以下に紹介しておく。
第１図は各波長帯域幅Δλ／λ（ピーク波長＝10Å）に
おけるスペイシャル・ビオリオッド・デイビジョン法に
よる干渉パタン形状のギャップ依存性を示したものであ
る。Δλ／λ＝２％、60％の場合、ギャップが所定の値
から変動すると、パタン形状は大きく乱れる。即ちパタ
ン形状が顕著なギャップ依存性を持っている。しかしΔ
λ／λ＝20％とすると、このギャップ依存性は緩和され
る。このようにΔλ／λを適切に制御することにより、
該干渉パタン形状のギャップ依存性が緩和され、大面積
にわたり寸法精度の良い微細な周期パタンが形成でき
る。パタン形状の乱れを隣接ピークの強度比，半値幅の
比，及びバックグラウンドと最大ピーク強度の比で表わ
し、これらの比がそれぞれ0.9,0.9以上及び0.1以下の範
囲であれば寸法精度の良い微細パタンが露光できるもの
として許容しうるギャップ変動を求めたのが第２図であ
る。ただしマスクとなる回析格子の周期（ｐ）はそれぞ
れ0.2μｍ，0.8μｍである。ｐ＝0.2μｍの場合、パタ
ン幅0.1μｍ以下の周期パタンが形成できる。現在では
技術的にギャップ制御の精度を±10%程度得ることが可
能である。従ってパタン幅0.1μｍ以下の周期パタンを
形成するには、ギャップ変動が±10％まで許容しうるΔ
λ／λの領域、即ち10％〜30％のΔλ／λが適切であ
る。
次に本発明の実施例を説明する。
なお実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうることは
言うまでもない。
しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうることは
言うまでもない。
（実施例） 第３図に本発明によるパタンの形成方法の一実施例を示
す。装置の基本構成は平面もしくは曲面基板を有する多
層膜反射鏡１とＸ線マスク２及びレジスト３を塗布した
Si等のウエハ４より成る。露光用光源５としては電子ビ
ーム励起Ｘ線源あるいは波長連続な電子ビーム励起Ｘ線
源あるいは波長連続な電子シンクロトロン放射光（以下
ＳＯＲ光と略す）あるいはレーザープラズマＸ線源を用
いる。ここにおいて多層膜反射鏡１の構造は次のような
特徴を有する。即ち第４図に示すように基板20上に反射
層である厚さＡｎの重元素薄膜（例えばＷ）７と厚さＢ
ｎの軽元素薄膜（例えばBe）８からなり、ピッチｄｎの
２層膜をＮｎ層重ねた周期的な単位多層膜９を基板20側
から順にＭ個積層したものである。該多層反射鏡の光学
特性の原理を第５図に示すようなＭ＝２の場合を例にあ
げて説明する。所定のピッチの多層膜は、一定のピーク
波長と帯域幅から成るＸ線を高い反射率で反射すること
が知られている。従って、第４図に示すようなピッチの
異なる２種の単位多層膜を積層した多層膜反射鏡は
Ｎ1，Ｎ2の各々の単位多層膜に対応する異なる中心波長
にピークを有するスペクトル10,11を合成した広い波長
領域にわたり高いピーク反射率を実現することができ
る。このような構造の特徴は、広い波長領域にわたり高
い反射率を有する特性、即ち高い積分反射率を有するス
ペクトル特性が実現できることと、ピッチｄｎ，重元素
薄膜の膜厚Ａｎ，軽元素薄膜の膜厚Ｎｎ，積層数Ｍの値
をそれぞれ変化させることにより、所望の波長帯域幅を
設定できることである。従って第３図の実施例に示した
パタン形成法においては、波長帯域幅を自由に選択でき
る特徴を有する。
す。装置の基本構成は平面もしくは曲面基板を有する多
層膜反射鏡１とＸ線マスク２及びレジスト３を塗布した
Si等のウエハ４より成る。露光用光源５としては電子ビ
ーム励起Ｘ線源あるいは波長連続な電子ビーム励起Ｘ線
源あるいは波長連続な電子シンクロトロン放射光（以下
ＳＯＲ光と略す）あるいはレーザープラズマＸ線源を用
いる。ここにおいて多層膜反射鏡１の構造は次のような
特徴を有する。即ち第４図に示すように基板20上に反射
層である厚さＡｎの重元素薄膜（例えばＷ）７と厚さＢ
ｎの軽元素薄膜（例えばBe）８からなり、ピッチｄｎの
２層膜をＮｎ層重ねた周期的な単位多層膜９を基板20側
から順にＭ個積層したものである。該多層反射鏡の光学
特性の原理を第５図に示すようなＭ＝２の場合を例にあ
げて説明する。所定のピッチの多層膜は、一定のピーク
波長と帯域幅から成るＸ線を高い反射率で反射すること
が知られている。従って、第４図に示すようなピッチの
異なる２種の単位多層膜を積層した多層膜反射鏡は
Ｎ1，Ｎ2の各々の単位多層膜に対応する異なる中心波長
にピークを有するスペクトル10,11を合成した広い波長
領域にわたり高いピーク反射率を実現することができ
る。このような構造の特徴は、広い波長領域にわたり高
い反射率を有する特性、即ち高い積分反射率を有するス
ペクトル特性が実現できることと、ピッチｄｎ，重元素
薄膜の膜厚Ａｎ，軽元素薄膜の膜厚Ｎｎ，積層数Ｍの値
をそれぞれ変化させることにより、所望の波長帯域幅を
設定できることである。従って第３図の実施例に示した
パタン形成法においては、波長帯域幅を自由に選択でき
る特徴を有する。
パタン形成は該多層膜反射鏡１を用いて入射Ｘ線５を所
定の入射及び出射角度αを持って反射させ、所定の波長
帯域幅を有する反射光６をスリットを有するＸ線マスク
２を通してレジスト３に照射し、該Ｘ線マスク２を通過
したＸ線による干渉像を該レジスト３上に感光させるも
のである。ここにおいて、入射及び出射の角度αは ｃｏｓ−１（λｃ／２／（ｄ１＋ｄ２＋………＋ｄＭ／
Ｍ）） ここに λｃ：反射スペクトルの中心波長 ｄ１，ｄ２……ｄＭ：ピッチ Ｍ：積み重ね数 付近の値に設定する。
定の入射及び出射角度αを持って反射させ、所定の波長
帯域幅を有する反射光６をスリットを有するＸ線マスク
２を通してレジスト３に照射し、該Ｘ線マスク２を通過
したＸ線による干渉像を該レジスト３上に感光させるも
のである。ここにおいて、入射及び出射の角度αは ｃｏｓ−１（λｃ／２／（ｄ１＋ｄ２＋………＋ｄＭ／
Ｍ）） ここに λｃ：反射スペクトルの中心波長 ｄ１，ｄ２……ｄＭ：ピッチ Ｍ：積み重ね数 付近の値に設定する。
なおＸ線マスク２を通過したＸ線の干渉パタンとしては
先に説明したスペイシャル・ビオリオッド・デイビジョ
ン法による干渉パタンが代表例であるが、一般的に一つ
のマスク上に複数のＸ線通過部を形成するか、または複
数のマスクを通して複数のＸ線光束がレジスト上に照射
される構成とし、マスクとレジスト面とのギャップを所
定の値（Ｘ線マスクのパタンのピッチをｐとし、波長を
λとするときｐ2／２λ）に設定することにより、該複
数のＸ線光束の間で干渉が生じ、レジスト面上に干渉パ
タンが形成される。Ｘ線の干渉像であるので微細なパタ
ンが形成される。この場合先にも説明したように、波長
帯域幅を５〜40％の範囲に設定することが、微細パタン
を解像するうえで重要である。５％未満では帯域幅が狭
すぎて実用上好ましくなく、40％を超えると微細パタン
がえられにくく、好ましくない。本発明方法の特徴は、
この波長帯域幅の設定を多層膜反射鏡の反射率スペクト
ル帯域幅を調節することにより行うものである。
先に説明したスペイシャル・ビオリオッド・デイビジョ
ン法による干渉パタンが代表例であるが、一般的に一つ
のマスク上に複数のＸ線通過部を形成するか、または複
数のマスクを通して複数のＸ線光束がレジスト上に照射
される構成とし、マスクとレジスト面とのギャップを所
定の値（Ｘ線マスクのパタンのピッチをｐとし、波長を
λとするときｐ2／２λ）に設定することにより、該複
数のＸ線光束の間で干渉が生じ、レジスト面上に干渉パ
タンが形成される。Ｘ線の干渉像であるので微細なパタ
ンが形成される。この場合先にも説明したように、波長
帯域幅を５〜40％の範囲に設定することが、微細パタン
を解像するうえで重要である。５％未満では帯域幅が狭
すぎて実用上好ましくなく、40％を超えると微細パタン
がえられにくく、好ましくない。本発明方法の特徴は、
この波長帯域幅の設定を多層膜反射鏡の反射率スペクト
ル帯域幅を調節することにより行うものである。
（発明の効果） 上記のように本発明によれば、基板上にレジストを塗布
し、Ｘ線マスクを用いて該レジスト面状にＸ線の干渉パ
タン像を露光するパタン形成方法において、所定の基板
上に所定の厚さの重元素薄膜と所定の厚さの軽元素薄膜
を交互に重ねることによって得られる多層膜反射鏡によ
って、該Ｘ線を所定の入射角および出射角を持って反射
させた後、該Ｘ線マスクを通し、レジスト面上に照射す
ることにより、適切な中心波長と適切な波長帯域幅を有
するＸ線によってレジストを露光することができる。従
って、寸法精度の良い微細なパタンを短時間のうちに形
成することができるという利点がある。
し、Ｘ線マスクを用いて該レジスト面状にＸ線の干渉パ
タン像を露光するパタン形成方法において、所定の基板
上に所定の厚さの重元素薄膜と所定の厚さの軽元素薄膜
を交互に重ねることによって得られる多層膜反射鏡によ
って、該Ｘ線を所定の入射角および出射角を持って反射
させた後、該Ｘ線マスクを通し、レジスト面上に照射す
ることにより、適切な中心波長と適切な波長帯域幅を有
するＸ線によってレジストを露光することができる。従
って、寸法精度の良い微細なパタンを短時間のうちに形
成することができるという利点がある。
第１図は波長帯域幅に対する干渉パタン形状のギャップ
依存性を示す図、第２図は許容ギャップ変動の波長帯域
幅依存性を示す図、第３図は本発明によるパタン形成方
法の一実施例を示した図、第４図は本発明による多層膜
反射鏡の構造を示す図、第５図は本発明による多層膜反
射鏡の光学特性の原理を説明する図である。 １……本発明による多層膜反射鏡 ２……Ｘ線マスク ３……レジスト ４……ウエハ ５……入射Ｘ線 ６……反射Ｘ線 ７……反射層 ８……スペーサー層 ９……単位多層膜 10……反射率スペクトル 11……反射率スペクトル 20……基板
依存性を示す図、第２図は許容ギャップ変動の波長帯域
幅依存性を示す図、第３図は本発明によるパタン形成方
法の一実施例を示した図、第４図は本発明による多層膜
反射鏡の構造を示す図、第５図は本発明による多層膜反
射鏡の光学特性の原理を説明する図である。 １……本発明による多層膜反射鏡 ２……Ｘ線マスク ３……レジスト ４……ウエハ ５……入射Ｘ線 ６……反射Ｘ線 ７……反射層 ８……スペーサー層 ９……単位多層膜 10……反射率スペクトル 11……反射率スペクトル 20……基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ２１Ｋ 3/00 8607−2Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】ウエハ上にレジストを塗布し、Ｘ線マスク
を用いて該レジスト面上にＸ線の干渉パタン像を露光す
るパタン形成法において、所定の基板上に所定の厚さの
重元素薄膜と所定の厚さの軽元素薄膜を交互に重ねるこ
とによって得られる多層膜反射鏡によって、該Ｘ線を所
定の入射角および出射角を持って反射させた後、Ｘ線マ
スクを通し、レジスト面上に照射することを特徴とした
微細パタン形成方法。 - 【請求項２】所定のピッチと層数からなる多層膜を単位
多層膜として、該単位多層膜を複数個積層した多層膜反
射鏡を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の微細パタン形成方法。 - 【請求項３】多層膜反射鏡を構成する単位多層膜のピッ
チが基板から上に向かって順に増大している多層膜反射
鏡を用いることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の微細パタン形成方法。 - 【請求項４】多層膜反射鏡の反射率スペクトル特性がＸ
線に対し高い反射率を有するようになされており、該反
射率スペクトル特性の波長帯域幅が中心波長の５〜40％
の値に設定してあることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の微細パタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61068469A JPH063790B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 微細パタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61068469A JPH063790B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 微細パタン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226625A JPS62226625A (ja) | 1987-10-05 |
| JPH063790B2 true JPH063790B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=13374578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61068469A Expired - Fee Related JPH063790B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 微細パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063790B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009054653A1 (de) | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
| CN102782531B (zh) * | 2009-12-15 | 2014-12-17 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于极紫外光刻的反射光学元件 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP61068469A patent/JPH063790B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62226625A (ja) | 1987-10-05 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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