JPS62226625A - 微細パタン形成方法 - Google Patents
微細パタン形成方法Info
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- JPS62226625A JPS62226625A JP61068469A JP6846986A JPS62226625A JP S62226625 A JPS62226625 A JP S62226625A JP 61068469 A JP61068469 A JP 61068469A JP 6846986 A JP6846986 A JP 6846986A JP S62226625 A JPS62226625 A JP S62226625A
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線ｔｌ−ｍ先出光源とするパタン形成方法に
関するものであって、くわしくは広範囲の面積にわ友っ
て憔微細なパタンか形成し得るパタン形成方法に関する
。
関するものであって、くわしくは広範囲の面積にわ友っ
て憔微細なパタンか形成し得るパタン形成方法に関する
。
（従来技術および発明が屏決し工うとする問題点少特性
Ｘｍｋｍ光月光源として用いた従来のＸ線露光装置の光
源は、点光源である。この場合Ｘｉが全立体角に放射さ
れるため、レジスト面と光源の距離の２乗に反比例して
路光に父われるＸ線の強度が弱くなってしぼっという欠
点？重子る。ｉた電子シンクロトロン放射光ｋ Ｍ’？
を尤用光源として用い窺従来のＸ線露光装置においては
波長連続光源でめるために、露光に適したスペクトル帯
域幅を選択する必要がある。この点について従来の装置
では電子蓄積リングから放射されるＸ線の短波長部分を
全反射ミラーで除去し、艮改長部分ケフィルタで除去し
ている。
Ｘｍｋｍ光月光源として用いた従来のＸ線露光装置の光
源は、点光源である。この場合Ｘｉが全立体角に放射さ
れるため、レジスト面と光源の距離の２乗に反比例して
路光に父われるＸ線の強度が弱くなってしぼっという欠
点？重子る。ｉた電子シンクロトロン放射光ｋ Ｍ’？
を尤用光源として用い窺従来のＸ線露光装置においては
波長連続光源でめるために、露光に適したスペクトル帯
域幅を選択する必要がある。この点について従来の装置
では電子蓄積リングから放射されるＸ線の短波長部分を
全反射ミラーで除去し、艮改長部分ケフィルタで除去し
ている。
し〃・しこの場合、限られた材料の特性に支配され、そ
のため、スペクトル帯域幅の選択が自由に行えないとい
う欠点がめるＱ’Ｆ？にスベイシャル・ビオリオツド・
ディビジョン法〔文献、ディ、シー、フランダース他、
ジャーナル、オブ、バ＃ ニー ム、サイエンス、アン
ド、テクノロジー、”’ Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｅｔ、
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ）” １６巻。
のため、スペクトル帯域幅の選択が自由に行えないとい
う欠点がめるＱ’Ｆ？にスベイシャル・ビオリオツド・
ディビジョン法〔文献、ディ、シー、フランダース他、
ジャーナル、オブ、バ＃ ニー ム、サイエンス、アン
ド、テクノロジー、”’ Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｅｔ、
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ）” １６巻。
１９４９ （１９７３年）〕などの干渉〉″６光法を用
いてＸ勝マスクの周期格子パタンの周期の整数分の−の
周ル」７Ｍする微２）４１１Ｉな周ルｊ的干渉ノくタン
全作製する場合は、蕗光用元源の波長帯域幅ムλ／λヶ
堰正に選択することが主要であり、波長帯域幅がムチさ
′ると可干渉性の低下に工Ｖ微細な干渉パタンか作製で
きず、挟子ざると逆に外部振動やＸ線マスクと基板間の
ギャップの変動などに敏感に影響され、干渉パタンか乱
れる０不発明者らの解析によると微細な咳周期的干渉パ
タンを大面積にｖ’ｒｃつて安定に形成するためには、
中心波長の５．〜旬チ程度の波長帯域幅が適切である。
いてＸ勝マスクの周期格子パタンの周期の整数分の−の
周ル」７Ｍする微２）４１１Ｉな周ルｊ的干渉ノくタン
全作製する場合は、蕗光用元源の波長帯域幅ムλ／λヶ
堰正に選択することが主要であり、波長帯域幅がムチさ
′ると可干渉性の低下に工Ｖ微細な干渉パタンか作製で
きず、挟子ざると逆に外部振動やＸ線マスクと基板間の
ギャップの変動などに敏感に影響され、干渉パタンか乱
れる０不発明者らの解析によると微細な咳周期的干渉パ
タンを大面積にｖ’ｒｃつて安定に形成するためには、
中心波長の５．〜旬チ程度の波長帯域幅が適切である。
この工つな祠密な波長帯域幅の選択ケ行うことは、先に
述べた全反射ミラーとフィルタとの組みあわせに工す帯
域幅を設定するという従来の技術によっては全く手口」
能であった０（問題点を解決するための手段） 本発明は上記の従来技術の欠点を解決するために提案さ
れｔもので、Ｘ線の干渉による微細パタン形成方法を提
供することにある。この微細パタン形成方法は多Ｊ％＃
映反射境を用いて露光光源の波長帯域幅の適切な制＃全
行ない、Ｘ線を集光することにより強健を増大し、微細
な干渉パタンを短時間のうちに一括形成すること全特徴
とするものである０ 不発明は上記目的を達成するためにウエノ・上にレジス
ト全塗布し、Ｘ線マスクケ用いて誤しジスト面上にＸ線
の干渉パタン像を露光するパタン形成法において、庁定
の基板上に所定の厚きの重元素薄膜（例えばＷ）と所定
の厚さの軽元素薄膜（例えばＢｅ ）を交互に重ねるこ
とによって得られる多層膜反射鏡に１って、Ｘ線を所定
の入射角２工び出射角を持って反射させｔ後、Ｘ１１１
１Ｉ！マスクを通し、Ｘ線の干渉パタン全形成し、この
パタン像ケレジスト面上に照射することを特徴とする。
述べた全反射ミラーとフィルタとの組みあわせに工す帯
域幅を設定するという従来の技術によっては全く手口」
能であった０（問題点を解決するための手段） 本発明は上記の従来技術の欠点を解決するために提案さ
れｔもので、Ｘ線の干渉による微細パタン形成方法を提
供することにある。この微細パタン形成方法は多Ｊ％＃
映反射境を用いて露光光源の波長帯域幅の適切な制＃全
行ない、Ｘ線を集光することにより強健を増大し、微細
な干渉パタンを短時間のうちに一括形成すること全特徴
とするものである０ 不発明は上記目的を達成するためにウエノ・上にレジス
ト全塗布し、Ｘ線マスクケ用いて誤しジスト面上にＸ線
の干渉パタン像を露光するパタン形成法において、庁定
の基板上に所定の厚きの重元素薄膜（例えばＷ）と所定
の厚さの軽元素薄膜（例えばＢｅ ）を交互に重ねるこ
とによって得られる多層膜反射鏡に１って、Ｘ線を所定
の入射角２工び出射角を持って反射させｔ後、Ｘ１１１
１Ｉ！マスクを通し、Ｘ線の干渉パタン全形成し、この
パタン像ケレジスト面上に照射することを特徴とする。
−ｆ ７’Ｃ多層暎反射鏡の構造として、重元素薄膜と
軽元素薄膜との積み重ねピッチの異なるＪ−ｔｉ泣多層
映を複数個積層し、Ｘ線露光に適切な波艮蛍域！陽を自
由に選択できることを特徴とする。従来のＸ線露光パタ
ン形成方法は該多層膜反射説ケ用いずに、光源から得ら
れたＸ線を直接あるいは全反射鏡で反射させた後、フィ
ルタとＸ線マスクケ辿しＸ＃ｉ！レジスト面に照射する
ものである。従ってＸ線の頻度も弱く、またＸ線露光に
堰切な波長帯域幅を自由に選択子にとができないという
欠点がめった。本発明によるパタン形成方法は、波長帯
域幅全自由に選択することが目Ｊ［ヒであり、特に前記
スペイシャル・ビオリオツド・ディビジョン法などの干
渉露光法に適用することに工り、寸法（°＃匪の艮い微
細なパタンを大面積にわたって一括形成することができ
る。なおこれまでに述べたスペクトル帯域幅を制御する
ことの頁安住についての一例として、本発明者らが行つ
友屏析紹果を参２Ｉまでに以下に紹介し７ておく。第１
図は各波長帯域幅Δλ／λ（ピーク波長＝ｌＯＡ）にお
けるスペイシャル・ビオリオツドｅディビジョン法によ
る干渉パタン形状のギャップ依存性を示したものである
。Δλ／λ＝２％、（５０％の場合、ギャップが所定の
値から変動すると、パタン形状は大きく乱れる。即ちパ
タン形状が顕ｆｉなギャップ依存性を持っている。しか
レムλ／λ＝２０％とすると、このギャップ依存性は緩
和される。
軽元素薄膜との積み重ねピッチの異なるＪ−ｔｉ泣多層
映を複数個積層し、Ｘ線露光に適切な波艮蛍域！陽を自
由に選択できることを特徴とする。従来のＸ線露光パタ
ン形成方法は該多層膜反射説ケ用いずに、光源から得ら
れたＸ線を直接あるいは全反射鏡で反射させた後、フィ
ルタとＸ線マスクケ辿しＸ＃ｉ！レジスト面に照射する
ものである。従ってＸ線の頻度も弱く、またＸ線露光に
堰切な波長帯域幅を自由に選択子にとができないという
欠点がめった。本発明によるパタン形成方法は、波長帯
域幅全自由に選択することが目Ｊ［ヒであり、特に前記
スペイシャル・ビオリオツド・ディビジョン法などの干
渉露光法に適用することに工り、寸法（°＃匪の艮い微
細なパタンを大面積にわたって一括形成することができ
る。なおこれまでに述べたスペクトル帯域幅を制御する
ことの頁安住についての一例として、本発明者らが行つ
友屏析紹果を参２Ｉまでに以下に紹介し７ておく。第１
図は各波長帯域幅Δλ／λ（ピーク波長＝ｌＯＡ）にお
けるスペイシャル・ビオリオツドｅディビジョン法によ
る干渉パタン形状のギャップ依存性を示したものである
。Δλ／λ＝２％、（５０％の場合、ギャップが所定の
値から変動すると、パタン形状は大きく乱れる。即ちパ
タン形状が顕ｆｉなギャップ依存性を持っている。しか
レムλ／λ＝２０％とすると、このギャップ依存性は緩
和される。
この工うに△λ／λを適切に制御することにエリ、該干
渉パタン形状のギャップ依存性が緩和され、大面積にわ
′ｆｃり寸法精度の良い倣細な周期パタンか形成できる
。パタン形状の跣れを隣ｊ妾ビーりの強度比、半値幅の
比、及びバックグラウンドと最大ピーク強度の比で表わ
し、これらの比がそれぞれ０．９ 、０．９以上及び０
．１以下の範囲であれば寸云侑度の良い微細パタンか露
光でさるものとして、ＩｆＷしうるギヤツブ変動ヲ求め
たのが第２図で、Ｉりる。たにレマスクとなる回折格子
の周期Ｃ，ｐ）ｎそれぞれ０．２μ” ＋ Ｏ−８７４
ｍである。ｐ ＝ ０．２ｐｍの場合、パタン幅０．１
μｍ以下の周期パタンか形成できる。現在では°技術的
にギャップ制御の梢度ｔ±１０％程度得ることかり能で
める。従ってパタン幅０．１μｍ以下の周期パタン全形
成するには、ギャップ変動が±１０ ％−２で許容しう
るムλ／λの領域、即ち１０％〜３０％のΔλ／λが適
切である。
渉パタン形状のギャップ依存性が緩和され、大面積にわ
′ｆｃり寸法精度の良い倣細な周期パタンか形成できる
。パタン形状の跣れを隣ｊ妾ビーりの強度比、半値幅の
比、及びバックグラウンドと最大ピーク強度の比で表わ
し、これらの比がそれぞれ０．９ 、０．９以上及び０
．１以下の範囲であれば寸云侑度の良い微細パタンか露
光でさるものとして、ＩｆＷしうるギヤツブ変動ヲ求め
たのが第２図で、Ｉりる。たにレマスクとなる回折格子
の周期Ｃ，ｐ）ｎそれぞれ０．２μ” ＋ Ｏ−８７４
ｍである。ｐ ＝ ０．２ｐｍの場合、パタン幅０．１
μｍ以下の周期パタンか形成できる。現在では°技術的
にギャップ制御の梢度ｔ±１０％程度得ることかり能で
める。従ってパタン幅０．１μｍ以下の周期パタン全形
成するには、ギャップ変動が±１０ ％−２で許容しう
るムλ／λの領域、即ち１０％〜３０％のΔλ／λが適
切である。
次に本発明の詳細な説明する。
な＄・実施タリは一つの例示であって、不発明の４゛Ｈ
神を逸脱しない範囲で棟々の変更あるいは改良ケ行いう
ろことは言うまでもない。
神を逸脱しない範囲で棟々の変更あるいは改良ケ行いう
ろことは言うまでもない。
（実施例）
第３図に本発明によるパタン形成方法の一実施例全示す
。装置の基本構成は平面もしくは曲面基板を有する多層
膜反射ｖＡ１とＸ線マスク２及びレジスト３ｔｌ−塗布
したＳｉ Ｗのウェハ４ニジ成る。露光用光源５として
は電子ビーム励起Ｘ線源あるいは波長連続な電子シンク
ロトロン放射光（以下ＳＯＲ光と略丁）あるいはレーザ
ープラズマＸ線源を用いる。ここにおいて多層膜反射ｄ
８１の構造は次のＬ９な特徴を有する。即ち第４図に示
す工うに基板２０上に反射層である厚さＡｎの重元素薄
膜（例えばＷ）７と厚さＢｎの軽元素＃Ｉｌ＃（例えば
Ｂｅ ） ８からなり、ピッチｄｎの２贋膜をＮｎ層重
ねた周期的な単位多層膜９を基板加側から順にＭ個積層
したものでるる。
。装置の基本構成は平面もしくは曲面基板を有する多層
膜反射ｖＡ１とＸ線マスク２及びレジスト３ｔｌ−塗布
したＳｉ Ｗのウェハ４ニジ成る。露光用光源５として
は電子ビーム励起Ｘ線源あるいは波長連続な電子シンク
ロトロン放射光（以下ＳＯＲ光と略丁）あるいはレーザ
ープラズマＸ線源を用いる。ここにおいて多層膜反射ｄ
８１の構造は次のＬ９な特徴を有する。即ち第４図に示
す工うに基板２０上に反射層である厚さＡｎの重元素薄
膜（例えばＷ）７と厚さＢｎの軽元素＃Ｉｌ＃（例えば
Ｂｅ ） ８からなり、ピッチｄｎの２贋膜をＮｎ層重
ねた周期的な単位多層膜９を基板加側から順にＭ個積層
したものでるる。
該多層膜反射鏡の光学特性の原理を第５図に示す工つな
Ｍ＝２の場合を例にめげて説明する。
Ｍ＝２の場合を例にめげて説明する。
所定のピッチの多層膜は、一定のピーク波長と帯域幅か
ら成るＸ線を腐い反射率で反射することが知られている
。従って、第４図に示すようなピンチの異なる２８ｉの
単位多層膜を積増した多層膜反射鏡はＮ＋、 Ｎ＊の各
々の単位多層膜に対応する異なる中心波長にピークを有
するスペクトル１０．ｌｌｉ合成した広い波長領域にわ
几９高いピーク反射率全実現することができる。このよ
うな４′４輩の特徴は、広い波長領域にわたり高い反射
率會イ〕する特性、即ち高い積分反射率を有するスペク
トル特性が実現できることと、ピッチｄｎ１重元素薄膜
の膜厚Ａｎ、軽元素薄膜の膜厚Ｎｎ、積層数Ｍの値をそ
れぞれ変化させることにより、Ｉ９ｒ望の波長帯域幅全
設定できることである。従って第３図の実施例に示した
パタン形成法においては、波長帯域幅を自由に選択でき
る特徴を有する。
ら成るＸ線を腐い反射率で反射することが知られている
。従って、第４図に示すようなピンチの異なる２８ｉの
単位多層膜を積増した多層膜反射鏡はＮ＋、 Ｎ＊の各
々の単位多層膜に対応する異なる中心波長にピークを有
するスペクトル１０．ｌｌｉ合成した広い波長領域にわ
几９高いピーク反射率全実現することができる。このよ
うな４′４輩の特徴は、広い波長領域にわたり高い反射
率會イ〕する特性、即ち高い積分反射率を有するスペク
トル特性が実現できることと、ピッチｄｎ１重元素薄膜
の膜厚Ａｎ、軽元素薄膜の膜厚Ｎｎ、積層数Ｍの値をそ
れぞれ変化させることにより、Ｉ９ｒ望の波長帯域幅全
設定できることである。従って第３図の実施例に示した
パタン形成法においては、波長帯域幅を自由に選択でき
る特徴を有する。
パタン形成は庇多層膜反射鏡１を用いて入射Ｘ線５’ｆ
ｌｒ定の入射及び出射角朋α會待って反射させ、所定の
波長帯域幅を有する反射光６をスリット會南するＸ：Ｖ
Ｍマスク２を進してレジスト３に照射し、ｄＸ線マスク
２を迎遇しｔＸ線による干渉像ヲ該レジスト３上に感光
させるものである。ここにおいて、入射及び出射の月間
αは ｃｏｓ−’ （λｃ／ ２／ （ｃｌ＋ ” ｄｔ”
・・”・・・＝ 十ｄＭ／ Ｍ） ）ここに λＣ：反
射スペクトルの中心波長ｄ、、 ｄ、・・・・・・ｄＭ
：ピッチＭ ：積与重ね数 付近の値に設定子ゐ。
ｌｒ定の入射及び出射角朋α會待って反射させ、所定の
波長帯域幅を有する反射光６をスリット會南するＸ：Ｖ
Ｍマスク２を進してレジスト３に照射し、ｄＸ線マスク
２を迎遇しｔＸ線による干渉像ヲ該レジスト３上に感光
させるものである。ここにおいて、入射及び出射の月間
αは ｃｏｓ−’ （λｃ／ ２／ （ｃｌ＋ ” ｄｔ”
・・”・・・＝ 十ｄＭ／ Ｍ） ）ここに λＣ：反
射スペクトルの中心波長ｄ、、 ｄ、・・・・・・ｄＭ
：ピッチＭ ：積与重ね数 付近の値に設定子ゐ。
なおＸ線マスク２を通過したＸ線の千（ｆｐ パタンと
しては先に説明したスペイシャル・ビオリオツド・ディ
ビジョン法による干渉パタンか代表例でるるか、一般的
に一つのマスク上に複数のＸ線通過部を形成するか、筐
たは複数のマスク全通して複数のＸ線光束がレジスト上
に照射される構成とし、マスクとレジスト面とのギャツ
ｊｋｆｆＴ定の値（Ｘｉマスクのパタンのピンチをｐと
し、波長上λとするときｐ２／２λ）に設定することに
エリ、該複数のＸ線光束の間で干渉が生じ、レジスト面
上に干渉パタンか形成される。Ｘ線の干渉像であるので
倣細なパタンか形成される。この場合光にも説明したよ
うに、波長帯域幅を５〜４０％の範囲に設定することが
、微細パタン全解像する９えでｆｆｌ安である。５％未
満でに帯域幅が挟子ぎて実用上好ましくなく、４０％ケ
超えると微細パタンがえられに＜＜、好ましくない。本
発明方法の特徴は、この波長帯域幅の設定を多層膜反射
鏡の反射率スペクトル帯域＠Ａｋ 、ｌ、Ｌ１節するこ
とにより行うものである。
しては先に説明したスペイシャル・ビオリオツド・ディ
ビジョン法による干渉パタンか代表例でるるか、一般的
に一つのマスク上に複数のＸ線通過部を形成するか、筐
たは複数のマスク全通して複数のＸ線光束がレジスト上
に照射される構成とし、マスクとレジスト面とのギャツ
ｊｋｆｆＴ定の値（Ｘｉマスクのパタンのピンチをｐと
し、波長上λとするときｐ２／２λ）に設定することに
エリ、該複数のＸ線光束の間で干渉が生じ、レジスト面
上に干渉パタンか形成される。Ｘ線の干渉像であるので
倣細なパタンか形成される。この場合光にも説明したよ
うに、波長帯域幅を５〜４０％の範囲に設定することが
、微細パタン全解像する９えでｆｆｌ安である。５％未
満でに帯域幅が挟子ぎて実用上好ましくなく、４０％ケ
超えると微細パタンがえられに＜＜、好ましくない。本
発明方法の特徴は、この波長帯域幅の設定を多層膜反射
鏡の反射率スペクトル帯域＠Ａｋ 、ｌ、Ｌ１節するこ
とにより行うものである。
（発明の効果す
上記のように本発明によれば、基板上にレジスト面上布
し、Ｘ線マスクを用いて該レジスト面状にＸｉの干渉パ
タン像を透光するパタン形成方法にひいて、所定の基板
上に所定の厚さのｊ５元素薄嗅と所定の厚さの軽元素薄
膜を交互に貞ねることりこよって得られる多層膜反射鏡
によって、該Ｘ 服ｋ Ｑｒ定の入射角および出射角を
持って反射さ＋！：た後、該Ｘ線マスクを趙し、レジス
ト面上に照射することにニジ、適切な中心波長と適切な
波長帯域幅を有するＸ線によってレジスト’ｔｍ光する
ことができる。従って、寸法棺度の艮い倣細なパタンを
短時間のうちに形成することができるという利点がめる
。
し、Ｘ線マスクを用いて該レジスト面状にＸｉの干渉パ
タン像を透光するパタン形成方法にひいて、所定の基板
上に所定の厚さのｊ５元素薄嗅と所定の厚さの軽元素薄
膜を交互に貞ねることりこよって得られる多層膜反射鏡
によって、該Ｘ 服ｋ Ｑｒ定の入射角および出射角を
持って反射さ＋！：た後、該Ｘ線マスクを趙し、レジス
ト面上に照射することにニジ、適切な中心波長と適切な
波長帯域幅を有するＸ線によってレジスト’ｔｍ光する
ことができる。従って、寸法棺度の艮い倣細なパタンを
短時間のうちに形成することができるという利点がめる
。
第１図は波長帯域幅に対する干渉パタン形状のギャップ
依存性を示す図、第２図は許容ギャップ変動の波長４ｉ
Ｖ域幅依存性全示す図、第３図は本発明によるパタン形
成方法の一実施例ケ示した図、第４図は本発明による多
）曽俟反射説の横通を示す図、第５図は本発明による多
層膜反射鏡の光学時性の原理を説明する図である。 １・・・・・・本発明による多層映反射説２・・・・・
・ＸＩＶｊ！マスク ３・・・・・・レジスト ４・・・・・・ウェハ ５・・・・・・入射Ｘ線 ６・・・・・・反射Ｘ線 ７・・・・・・反射層 ８・・・・・・スペー”ｊ−Ｍ ９・・・・・・単位多層膜 １０・・・・・・反射率スペクトル １１・・・・・・反射率スペクトル ２０・・・・・・基板 第１図 Σ巨ｉｔ （４ｍ） 第２図 Δλ／λ（’／、） 第５図 ん 辷 逮長
依存性を示す図、第２図は許容ギャップ変動の波長４ｉ
Ｖ域幅依存性全示す図、第３図は本発明によるパタン形
成方法の一実施例ケ示した図、第４図は本発明による多
）曽俟反射説の横通を示す図、第５図は本発明による多
層膜反射鏡の光学時性の原理を説明する図である。 １・・・・・・本発明による多層映反射説２・・・・・
・ＸＩＶｊ！マスク ３・・・・・・レジスト ４・・・・・・ウェハ ５・・・・・・入射Ｘ線 ６・・・・・・反射Ｘ線 ７・・・・・・反射層 ８・・・・・・スペー”ｊ−Ｍ ９・・・・・・単位多層膜 １０・・・・・・反射率スペクトル １１・・・・・・反射率スペクトル ２０・・・・・・基板 第１図 Σ巨ｉｔ （４ｍ） 第２図 Δλ／λ（’／、） 第５図 ん 辷 逮長
Claims (4)
- （１）ウェハ上にレジストを塗布し、Ｘ線マスクを用い
て該レジスト面上にＸ線の干渉パタン像を露光するパタ
ン形成法において、所定の基板上に所定の厚さの重元素
薄膜と所定の厚さの軽元素薄膜を交互に重ねることによ
つて得られる多層膜反射鏡によつて、該Ｘ線を所定の入
射角および出射角を持つて反射させた後、Ｘ線マスクを
通し、レジスト面上に照射することを特徴とした微細パ
タン形成方法。 - （２）所定のピッチと層数からなる多層膜を単位多層膜
として、該単位多層膜を複数個積層した多層膜反射鏡を
用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の微
細パタン形成方法。 - （３）多層膜反射鏡を構成する単位多層膜のピッチが基
板から上に向かつて順に増大している多層膜反射鏡を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の微細
パタン形成方法。 - （４）多層膜反射鏡の反射率スペクトル特性がＸ線に対
し高い反射率を有するようになされており、該反射率ス
ペクトル特性の波長帯域幅が中心波長の５〜４０％の値
に設定してあることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の微細パタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61068469A JPH063790B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 微細パタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61068469A JPH063790B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 微細パタン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226625A true JPS62226625A (ja) | 1987-10-05 |
| JPH063790B2 JPH063790B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=13374578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61068469A Expired - Fee Related JPH063790B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 微細パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063790B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013513961A (ja) * | 2009-12-15 | 2013-04-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖリソグラフィ用反射光学素子 |
| JP2013513955A (ja) * | 2009-12-15 | 2013-04-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ波長域用のミラー、当該ミラー用の基板、当該ミラー又は当該基板を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP61068469A patent/JPH063790B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013513961A (ja) * | 2009-12-15 | 2013-04-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖリソグラフィ用反射光学素子 |
| JP2013513955A (ja) * | 2009-12-15 | 2013-04-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ波長域用のミラー、当該ミラー用の基板、当該ミラー又は当該基板を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
| US9494718B2 (en) | 2009-12-15 | 2016-11-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mirror for the EUV wavelength range, substrate for such a mirror, projection objective for microlithography comprising such a mirror or such a substrate, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063790B2 (ja) | 1994-01-12 |
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