JPH0637357A - カルコゲナイド半導体の形成方法 - Google Patents
カルコゲナイド半導体の形成方法Info
- Publication number
- JPH0637357A JPH0637357A JP19120992A JP19120992A JPH0637357A JP H0637357 A JPH0637357 A JP H0637357A JP 19120992 A JP19120992 A JP 19120992A JP 19120992 A JP19120992 A JP 19120992A JP H0637357 A JPH0637357 A JP H0637357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- hydrogen
- chalcogenide semiconductor
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は高いキャリア濃度のｐ型カルコゲナ
イド半導体結晶の作製および良好なｐｎ接合素子の作製
を目的とする。 【構成】 気相成長法によって亜鉛或はカドミウムを含
むカルコゲナイド半導体層を成長させると共にV 族元素
と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族元素を
添加した後、カルコゲナイド半導体層から水素元素を除
去することを特徴とするカルコゲナイド半導体の形成方
法。
イド半導体結晶の作製および良好なｐｎ接合素子の作製
を目的とする。 【構成】 気相成長法によって亜鉛或はカドミウムを含
むカルコゲナイド半導体層を成長させると共にV 族元素
と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族元素を
添加した後、カルコゲナイド半導体層から水素元素を除
去することを特徴とするカルコゲナイド半導体の形成方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は亜鉛またはカドミウムを
含むカルコゲナイド半導体の形成方法に関する。
含むカルコゲナイド半導体の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】亜鉛またはカドミウムを含むカルコゲナ
イド半導体はその禁止帯幅が可視領域に相当するため、
可視半導体発光素子として期待されている。特に、亜鉛
化合物を主体とする材料では青色領域まで注入発光が確
認されており、短波長発光素子材料として開発が進めら
れている。近年、ようやくｐ型導電性制御の可能性が見
えてきたもののまだ十分な特性を得るところには達して
いない。
イド半導体はその禁止帯幅が可視領域に相当するため、
可視半導体発光素子として期待されている。特に、亜鉛
化合物を主体とする材料では青色領域まで注入発光が確
認されており、短波長発光素子材料として開発が進めら
れている。近年、ようやくｐ型導電性制御の可能性が見
えてきたもののまだ十分な特性を得るところには達して
いない。
【０００３】MOCVD は半導体素子の製造方法の中で、近
年非常に有効な手法として利用されてきている。カルコ
ゲナイド結晶の成長においても盛んに研究が行われてお
り、ｐ型結晶を得る上でも有効であることが知られてい
る。
年非常に有効な手法として利用されてきている。カルコ
ゲナイド結晶の成長においても盛んに研究が行われてお
り、ｐ型結晶を得る上でも有効であることが知られてい
る。
【０００４】従来アクセプターとしてV 族元素を添加す
る場合には、MBE 法において、窒素ガスをプラズマ励起
して添加する事により1017cm-3を超えるキャリア濃度が
得られている。MOCVD 法の場合には、MBE 法のような窒
素添加方法は必ずしも適当ではなく通常アンモニア等の
窒素原料を多量に供給する事により窒素添加を行ってい
る。
る場合には、MBE 法において、窒素ガスをプラズマ励起
して添加する事により1017cm-3を超えるキャリア濃度が
得られている。MOCVD 法の場合には、MBE 法のような窒
素添加方法は必ずしも適当ではなく通常アンモニア等の
窒素原料を多量に供給する事により窒素添加を行ってい
る。
【０００５】しかしながら、この様な方法で窒素を添加
しても添加窒素濃度に対してキャリア濃度は著しく低
く、結晶中の窒素濃度の1%以下という場合も珍しくな
い。従って高いキャリア濃度のｐ型導電性を得る事がで
きず良好なｐｎ接合を実現できなかった。
しても添加窒素濃度に対してキャリア濃度は著しく低
く、結晶中の窒素濃度の1%以下という場合も珍しくな
い。従って高いキャリア濃度のｐ型導電性を得る事がで
きず良好なｐｎ接合を実現できなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、MOCV
D 法では従来高いキャリア濃度のｐ型導電性の亜鉛或は
カドミウムを含むカルコゲナイド半導体を得る事ができ
なかった。そのため、これまでにMOCVD 法により得られ
ている窒素添加カルコゲナイド結晶のｐ型ホール濃度は
著しく低いものでしかなく良好なｐｎ接合を形成するこ
とができなかった。本発明は上記問題点を解決し、高い
キャリア濃度のｐ型カルコゲナイド半導体を提供する事
を目的とする。
D 法では従来高いキャリア濃度のｐ型導電性の亜鉛或は
カドミウムを含むカルコゲナイド半導体を得る事ができ
なかった。そのため、これまでにMOCVD 法により得られ
ている窒素添加カルコゲナイド結晶のｐ型ホール濃度は
著しく低いものでしかなく良好なｐｎ接合を形成するこ
とができなかった。本発明は上記問題点を解決し、高い
キャリア濃度のｐ型カルコゲナイド半導体を提供する事
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は気相成長法によって亜鉛或はカドミウム
を含むカルコゲナイド半導体層を成長させると共に、V
族元素と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族
元素を添加する工程と、前記カルコゲナイド半導体層か
ら水素元素を除去する工程とを具備する事を特徴とする
カルコゲナイド半導体の形成方法を提供するものであ
る。
めに、本発明は気相成長法によって亜鉛或はカドミウム
を含むカルコゲナイド半導体層を成長させると共に、V
族元素と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族
元素を添加する工程と、前記カルコゲナイド半導体層か
ら水素元素を除去する工程とを具備する事を特徴とする
カルコゲナイド半導体の形成方法を提供するものであ
る。
【０００８】
【作用】本発明者は、高濃度V 族元素添加の方法を鋭意
検討したところ、MOCVD 法におけるV 族元素添加はV 族
元素と水素元素の結合の存在が添加効率を著しく増大さ
せる事を見いだした。また窒素原子が添加されると共に
水素原子も同時に添加され、この添加された水素原子は
窒素原子と結合状態を形成し、窒素原子をアクセプター
不純物として機能しなくしてしまうという事を見いだし
た。つまり、V 族元素と水素元素の結合の形で結晶中に
存在するとV 族元素はアクセプターとして活性化せず、
キャリアの発生が認められない。この問題を、水素原子
除去で解決できる事を明らかにした。この様にしてV 族
元素を効率的に添加しアクセプターとして活性化する事
が可能となる。
検討したところ、MOCVD 法におけるV 族元素添加はV 族
元素と水素元素の結合の存在が添加効率を著しく増大さ
せる事を見いだした。また窒素原子が添加されると共に
水素原子も同時に添加され、この添加された水素原子は
窒素原子と結合状態を形成し、窒素原子をアクセプター
不純物として機能しなくしてしまうという事を見いだし
た。つまり、V 族元素と水素元素の結合の形で結晶中に
存在するとV 族元素はアクセプターとして活性化せず、
キャリアの発生が認められない。この問題を、水素原子
除去で解決できる事を明らかにした。この様にしてV 族
元素を効率的に添加しアクセプターとして活性化する事
が可能となる。
【０００９】
【実施例】図１により本発明の第１の実施例を説明す
る。V 族添加元素として窒素を添加したｐ型カルコゲナ
イド層を成長させた。実施例においては発光ダイオード
を製造した。各層は表１に示した成長条件でMOCVD 法に
よって成長させる。
る。V 族添加元素として窒素を添加したｐ型カルコゲナ
イド層を成長させた。実施例においては発光ダイオード
を製造した。各層は表１に示した成長条件でMOCVD 法に
よって成長させる。
【００１０】
【表１】 まず、ｎ型GaAs基板１１上に亜鉛を含むカルコゲナイド
半導体層として塩素を添加したｎ型ZnS 0.08Se0.92層１
２を積層する（図１（ａ））。
半導体層として塩素を添加したｎ型ZnS 0.08Se0.92層１
２を積層する（図１（ａ））。
【００１１】次に、V 族元素と水素元素の結合を有する
添加原料としてアンモニアを用い、窒素添加ｐ型ZnS
0.08Se0.92層１３を積層する（図１（ｂ））。成長温度
はいずれの成長層も500 ℃である。
添加原料としてアンモニアを用い、窒素添加ｐ型ZnS
0.08Se0.92層１３を積層する（図１（ｂ））。成長温度
はいずれの成長層も500 ℃である。
【００１２】次に、水素原子を除去するために、この様
にして得られた成長層を成長温度以下の温度である400
℃で30分熱処理を行った。熱処理は、成長原料であるジ
メチルセレンを成長時と同じだけ供給するセレン雰囲気
とした。熱処理温度としては350 ℃〜600 ℃の範囲であ
れば良く、成長温度500 ℃の場合400 ℃〜500 ℃の範囲
が好ましい。
にして得られた成長層を成長温度以下の温度である400
℃で30分熱処理を行った。熱処理は、成長原料であるジ
メチルセレンを成長時と同じだけ供給するセレン雰囲気
とした。熱処理温度としては350 ℃〜600 ℃の範囲であ
れば良く、成長温度500 ℃の場合400 ℃〜500 ℃の範囲
が好ましい。
【００１３】この様にして得られた結晶のｎ型GaAs基板
１１側にAu-Ge 合金１４を被着させ、ｐ型ZnS 0.08Se
0.92層１３表面に白金電極１５を被着させダイオードを
形成した（図１（ｃ））。
１１側にAu-Ge 合金１４を被着させ、ｐ型ZnS 0.08Se
0.92層１３表面に白金電極１５を被着させダイオードを
形成した（図１（ｃ））。
【００１４】図２はこのダイオードの電流電圧特性を示
したものである。比較のために水素を除去するための熱
処理を行わないものに同じく電極を形成し、ダイオード
としたものの電流電圧特性を破線で示してある。本実施
例の場合には、ｐ型ZnS 0.08Se0.92層１３のキャリア濃
度は7 ×1017cm-3と良好な値を示し、順方向の立ち上が
り電圧が2.5Vと低く、またダイオード特性を表すｎ値も
1.7 と小さい値を示す。このことは良好なｐｎ接合が形
成できている事を示している。
したものである。比較のために水素を除去するための熱
処理を行わないものに同じく電極を形成し、ダイオード
としたものの電流電圧特性を破線で示してある。本実施
例の場合には、ｐ型ZnS 0.08Se0.92層１３のキャリア濃
度は7 ×1017cm-3と良好な値を示し、順方向の立ち上が
り電圧が2.5Vと低く、またダイオード特性を表すｎ値も
1.7 と小さい値を示す。このことは良好なｐｎ接合が形
成できている事を示している。
【００１５】これに対して、比較例の場合にはｐ層のキ
ャリア濃度は極めて低く測定限界を越え、順方向立ち上
がり電圧が7Vと非常に高い上に、ｎ値も10以上を示し、
ｐｎ接合の形成が認められない。
ャリア濃度は極めて低く測定限界を越え、順方向立ち上
がり電圧が7Vと非常に高い上に、ｎ値も10以上を示し、
ｐｎ接合の形成が認められない。
【００１６】さらに、両試料からの発光を測定したとこ
ろ本実施例では460nm に極大を持つ強い注入発光が2mA
以上の電流で観測され明らかに比較例よりも明るく発光
した。このことは高いキャリア濃度のｐ型層が実現した
事を示している。
ろ本実施例では460nm に極大を持つ強い注入発光が2mA
以上の電流で観測され明らかに比較例よりも明るく発光
した。このことは高いキャリア濃度のｐ型層が実現した
事を示している。
【００１７】これに対して比較例の場合には440nm に極
大を持つ発光が20mA以上と非常に高い電流で観測され
た。熱処理を行わない場合には不純物である窒素が抵抗
となり窒素添加層が高抵抗であるためダイオードはMIS
型の特性に近いものを示すため順方向立ち上がり電圧も
高く、発光はバンド間遷移によるため短波長になる。こ
の事からも比較例のキャリア濃度が低い事を示してい
る。
大を持つ発光が20mA以上と非常に高い電流で観測され
た。熱処理を行わない場合には不純物である窒素が抵抗
となり窒素添加層が高抵抗であるためダイオードはMIS
型の特性に近いものを示すため順方向立ち上がり電圧も
高く、発光はバンド間遷移によるため短波長になる。こ
の事からも比較例のキャリア濃度が低い事を示してい
る。
【００１８】本実施例と比較例についてSIMSにより不純
物分析を行った。図３はSIMSによる成長方向の不純物分
布を示したものである。本実施例は（ｂ）のグラフ、比
較例は（ａ）のグラフに示している。比較例の場合には
窒素添加層に窒素濃度と同じだけの水素が検出されてい
るのに対して、本実施例の場合には水素濃度が著しく低
下していることがわかる。本発明では窒素添加層から水
素を除去することにより低抵抗のｐ型結晶が得られると
ともに、良好なｐｎ接合を得ることが可能である。
物分析を行った。図３はSIMSによる成長方向の不純物分
布を示したものである。本実施例は（ｂ）のグラフ、比
較例は（ａ）のグラフに示している。比較例の場合には
窒素添加層に窒素濃度と同じだけの水素が検出されてい
るのに対して、本実施例の場合には水素濃度が著しく低
下していることがわかる。本発明では窒素添加層から水
素を除去することにより低抵抗のｐ型結晶が得られると
ともに、良好なｐｎ接合を得ることが可能である。
【００１９】次に、窒素添加層を形成する場合の原料不
純物の違いによる特性の違いを検討した。原料不純物と
してアンモニア、ジメチルヒドラジン、メチルアミン、
トリメチルアミン、アニリン、ジメチルアニリンを比較
した。その結果、アンモニア、ジメチルヒドラジン、メ
チルアミン、アニリンの場合に上記実施例と同様の結果
が得られた。これに対してトリメチルアミン、ジメチル
アニリンを用いた場合には窒素を添加することが非常に
難しく、高濃度のｐ型結晶を得ることができなかった。
この様な原料による窒素添加量の著しい変化はNH結合の
有無に起因するものである。
純物の違いによる特性の違いを検討した。原料不純物と
してアンモニア、ジメチルヒドラジン、メチルアミン、
トリメチルアミン、アニリン、ジメチルアニリンを比較
した。その結果、アンモニア、ジメチルヒドラジン、メ
チルアミン、アニリンの場合に上記実施例と同様の結果
が得られた。これに対してトリメチルアミン、ジメチル
アニリンを用いた場合には窒素を添加することが非常に
難しく、高濃度のｐ型結晶を得ることができなかった。
この様な原料による窒素添加量の著しい変化はNH結合の
有無に起因するものである。
【００２０】この効果は窒素添加の場合に限られるもの
ではなく、V 族元素全般に適用できるものである。リン
やヒ素も水素との結合を形成した状態で結晶中に添加す
る事により高濃度添加する事が可能となり、水素を除去
する事により活性化させる事ができる。例えばリン原料
として以下に挙げるものがある。
ではなく、V 族元素全般に適用できるものである。リン
やヒ素も水素との結合を形成した状態で結晶中に添加す
る事により高濃度添加する事が可能となり、水素を除去
する事により活性化させる事ができる。例えばリン原料
として以下に挙げるものがある。
【００２１】
【化１】 また、ヒ素原料として以下に挙げるものがある。
【００２２】
【化２】 図４において本発明の第２の実施例を説明する。本実施
例においては発光ダイオードを作成した。各成長はMOCV
D 法を用いた。
例においては発光ダイオードを作成した。各成長はMOCV
D 法を用いた。
【００２３】まず、ｎ型GaAs基板１１上にn 型ZnSSe 層
４１を積層し、V 族元素と水素元素の結合を有する添加
原料としてアンモニア用い、窒素添加ｐ型ZnSSe 層４２
を積層する。
４１を積層し、V 族元素と水素元素の結合を有する添加
原料としてアンモニア用い、窒素添加ｐ型ZnSSe 層４２
を積層する。
【００２４】次に、ｐ型ZnSSe 層４２中の水素を除去す
るために、n 型GaAs基板１１側にIn-Ga 合金４４を電極
として形成し、Li-Au 合金４３を表面に被着させた。こ
の後、電極間にLi-Au 電極４３側が負になるように104
V/cmの電界を印加する事によってｐ型ZnSSe 層４２中の
水素を除去した。水素を捕獲する元素としてはLiの他に
ニッケル、ハ゜ラシ゛ウム、チタン等が挙げられる。水
素を捕獲する元素例えばLiを別の金属に含ませることに
よっても本発明の効果を奏することができる。この金属
はAuの他にPt,Ti,Sn等任意の金属について応用が可能で
ある。印加する電圧は104 〜106 V/cmにおいて素子を破
壊せず十分に水素を取り除く事ができた。また、この水
素を取り除く工程で、電圧を印加する際に熱処理を施し
ても良い。最後にLi-Au 電極４３を除去し、ｐ型ZnSSe
層４２表面に白金電極を被着させ発光ダイオードを作成
した。
るために、n 型GaAs基板１１側にIn-Ga 合金４４を電極
として形成し、Li-Au 合金４３を表面に被着させた。こ
の後、電極間にLi-Au 電極４３側が負になるように104
V/cmの電界を印加する事によってｐ型ZnSSe 層４２中の
水素を除去した。水素を捕獲する元素としてはLiの他に
ニッケル、ハ゜ラシ゛ウム、チタン等が挙げられる。水
素を捕獲する元素例えばLiを別の金属に含ませることに
よっても本発明の効果を奏することができる。この金属
はAuの他にPt,Ti,Sn等任意の金属について応用が可能で
ある。印加する電圧は104 〜106 V/cmにおいて素子を破
壊せず十分に水素を取り除く事ができた。また、この水
素を取り除く工程で、電圧を印加する際に熱処理を施し
ても良い。最後にLi-Au 電極４３を除去し、ｐ型ZnSSe
層４２表面に白金電極を被着させ発光ダイオードを作成
した。
【００２５】この様にして作成した水素除去処理を施し
た発光ダイオードの電流電圧特性を図５に示す。比較例
として水素除去処理を施していないものの特性を破線で
示す。
た発光ダイオードの電流電圧特性を図５に示す。比較例
として水素除去処理を施していないものの特性を破線で
示す。
【００２６】本実施例によるダイオードは、電流が流れ
易くなり、抵抗の低下したことが示されている。さら
に、ｐ型層のキャリア濃度の比較を行ったところ、N 濃
度の差は見られなかったものの、キャリア濃度は本実施
例によるものが比較例よりも一桁増大している事が観測
された。これは、電界により窒素原子と結合を形成し、
アクセプターを補償していた水素原子が電極に吸い寄せ
られ窒素原子がアクセプターとして活性化したためであ
る。
易くなり、抵抗の低下したことが示されている。さら
に、ｐ型層のキャリア濃度の比較を行ったところ、N 濃
度の差は見られなかったものの、キャリア濃度は本実施
例によるものが比較例よりも一桁増大している事が観測
された。これは、電界により窒素原子と結合を形成し、
アクセプターを補償していた水素原子が電極に吸い寄せ
られ窒素原子がアクセプターとして活性化したためであ
る。
【００２７】本発明は上記実施例に限られるものではな
い。すなわち、N の添加されている結晶はZnSSe のみな
らず、ZnSe,ZnS,CdSe,CdS などの他Teを含む結晶やそれ
らの混晶系に広く適用できるものである。
い。すなわち、N の添加されている結晶はZnSSe のみな
らず、ZnSe,ZnS,CdSe,CdS などの他Teを含む結晶やそれ
らの混晶系に広く適用できるものである。
【００２８】
【発明の効果】本発明によりこれまで高いキャリア濃度
のｐ型結晶を得ることが困難であったカルコゲナイド半
導体結晶にV 族と水素の結合した状態で添加した上で、
水素を選択的に除去し、V 族元素を活性化する事ができ
るようになったため、高いキャリア濃度のｐ型カルコゲ
ナイド半導体結晶が得られると共に、良好なｐｎ接合の
形成が可能となり、発光素子等の特性が著しく向上す
る。
のｐ型結晶を得ることが困難であったカルコゲナイド半
導体結晶にV 族と水素の結合した状態で添加した上で、
水素を選択的に除去し、V 族元素を活性化する事ができ
るようになったため、高いキャリア濃度のｐ型カルコゲ
ナイド半導体結晶が得られると共に、良好なｐｎ接合の
形成が可能となり、発光素子等の特性が著しく向上す
る。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る発光ダイオード
の製造工程を説明するための断面図。
の製造工程を説明するための断面図。
【図２】 本発明の第１の実施例及び比較例に係る発光
ダイオードの電流電圧特性を示す図。
ダイオードの電流電圧特性を示す図。
【図３】 本発明の第１の実施例及び比較例に係る発光
ダイオードのSIMS分析による水素元素と窒素元素の濃度
変化を示す図。
ダイオードのSIMS分析による水素元素と窒素元素の濃度
変化を示す図。
【図４】 本発明の第２の実施例に係る発光ダイオード
の水素を除く工程を説明するための素子断面図。
の水素を除く工程を説明するための素子断面図。
【図５】 本発明の第２の実施例及び比較例に係る発光
ダイオードの電流電圧特性を示す図。
ダイオードの電流電圧特性を示す図。
【図６】 本発明の第２の実施例及び比較例に係る発光
ダイオードのSIMS分析による水素元素と窒素元素の濃度
変化を示す図。
ダイオードのSIMS分析による水素元素と窒素元素の濃度
変化を示す図。
１１…GaAs基板 １２…ｎ型ZnSSe 層 １３…ｐ型ZnSSe 層 １４…Au-Ge 合金 １５…白金電極
Claims (1)
- 【請求項１】 気相成長法によって亜鉛或はカドミウム
を含むカルコゲナイド半導体層を成長させると共にV 族
元素と水素元素の結合を有する化合物を原料としV 族元
素を添加する工程と、 前記カルコゲナイド半導体層から水素元素を除去する工
程とを具備する事を特徴とするカルコゲナイド半導体の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19120992A JPH0637357A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | カルコゲナイド半導体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19120992A JPH0637357A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | カルコゲナイド半導体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637357A true JPH0637357A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16270724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19120992A Pending JPH0637357A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | カルコゲナイド半導体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637357A (ja) |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP19120992A patent/JPH0637357A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3461074B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子製造方法 | |
| JP3700609B2 (ja) | 化合物半導体発光素子、その製造方法、ランプ及び光源 | |
| KR100827993B1 (ko) | 질화갈륨계 반도체 소자 | |
| JP4329166B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体光デバイス | |
| EP0552023B1 (en) | Electrode structure for semiconductor device | |
| JPH0637357A (ja) | カルコゲナイド半導体の形成方法 | |
| US20050179046A1 (en) | P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices | |
| JPH05291619A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2656276B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0728052B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2002246643A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| US7018728B2 (en) | Boron phosphide-based semiconductor device and production method thereof | |
| KR100389738B1 (ko) | 단파장 산화아연 발광소자 및 그 제조방법 | |
| JPH03161981A (ja) | 半導体装置と２―６族化合物半導体結晶層の製造方法 | |
| JP2004153169A (ja) | ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子、ツェナーダイオード、及び発光ダイオード | |
| JP2585252B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| Takenoshita et al. | Preparation and Some Properties of CuInSe2 on ZnSe Heterojunction Grown by LPE | |
| JP4518881B2 (ja) | ｐ形オーミック電極、それを備えた化合物半導体素子、化合物半導体発光素子及びそれらの製造方法 | |
| JPH01140663A (ja) | 半導体装置の電極 | |
| JPS63185077A (ja) | 青色発光ダイオ−ド | |
| JPH0463479A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JP3659202B2 (ja) | 発光素子用積層構造体、その製造方法、発光素子、ランプ及び光源 | |
| JPH0472683A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JP2993654B2 (ja) | 電極構造 | |
| JP2937534B2 (ja) | 発光素子 |