JPH06350003A - リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置Info
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- JPH06350003A JPH06350003A JP14102993A JP14102993A JPH06350003A JP H06350003 A JPH06350003 A JP H06350003A JP 14102993 A JP14102993 A JP 14102993A JP 14102993 A JP14102993 A JP 14102993A JP H06350003 A JPH06350003 A JP H06350003A
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- lead frame
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リード成形時に変形しにくいＱＦＰタイプの
リードフレームを提供する。 【構成】 ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）タイプのリードフレームにおけるアウターリード２
ａの肩部２ａ2 のリード幅Ａ1 を基部２ａ3 のリード幅
Ａ2 よりも幅広とする。これによって、アウターリード
の肩部２ａ2 に対して十分な剛性が付与されることとな
るので、成形時において機械的ストレスが加わってもリ
ードが変形しにくくなる。
リードフレームを提供する。 【構成】 ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）タイプのリードフレームにおけるアウターリード２
ａの肩部２ａ2 のリード幅Ａ1 を基部２ａ3 のリード幅
Ａ2 よりも幅広とする。これによって、アウターリード
の肩部２ａ2 に対して十分な剛性が付与されることとな
るので、成形時において機械的ストレスが加わってもリ
ードが変形しにくくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
それを用いた半導体集積回路装置に関し、特に、ＱＦＰ
（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのリー
ドフレームの成形時におけるリードの変形の防止につい
て有効な技術に関する。
それを用いた半導体集積回路装置に関し、特に、ＱＦＰ
（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのリー
ドフレームの成形時におけるリードの変形の防止につい
て有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、半導体集積回路装置の高集積度化
にともなって、半導体チップと電気的に接続されるリー
ドフレームも多ピン化の一途を辿っている。この多ピン
化は、換言すれば、リード間隔の微細ピッチ化およびリ
ードの幅狭化ということができる。
にともなって、半導体チップと電気的に接続されるリー
ドフレームも多ピン化の一途を辿っている。この多ピン
化は、換言すれば、リード間隔の微細ピッチ化およびリ
ードの幅狭化ということができる。
【０００３】すなわち、半導体集積回路装置をプリント
基板へ半田付け装着する場合において、隣接するリード
同士が半田により電気的に接続されて導通不良となる、
いわゆる半田ブリッジを防止するため、リードの間隔は
一定寸法以上のピッチが必要となる。したがって、リー
ドフレームの多ピン化は、リード間隔の微細ピッチ化の
みに委ねることはできず、リードの幅狭化をも同時に推
進して達成されることとなるからである。
基板へ半田付け装着する場合において、隣接するリード
同士が半田により電気的に接続されて導通不良となる、
いわゆる半田ブリッジを防止するため、リードの間隔は
一定寸法以上のピッチが必要となる。したがって、リー
ドフレームの多ピン化は、リード間隔の微細ピッチ化の
みに委ねることはできず、リードの幅狭化をも同時に推
進して達成されることとなるからである。
【０００４】ここで、従来におけるＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのリードにおいて
は、アウターリードの肩部からプリント基板の電極と半
田付けされる基部までが同一幅とされているものであ
る。
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのリードにおいて
は、アウターリードの肩部からプリント基板の電極と半
田付けされる基部までが同一幅とされているものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような同一幅のリ
ードでは、前記のような多ピン化によるリードの幅狭化
にあっては、モールド後にリードをガルウィング状に成
形したときに、肩部の強度不足からリードが変形して寸
法がばらつき、所定の公差内からはみ出してしまう。
ードでは、前記のような多ピン化によるリードの幅狭化
にあっては、モールド後にリードをガルウィング状に成
形したときに、肩部の強度不足からリードが変形して寸
法がばらつき、所定の公差内からはみ出してしまう。
【０００６】そして、たとえば、隣接するリード同士が
接触して導通不良となったり、電極との接触が不十分で
導通不良となる事態が発生することとなる。
接触して導通不良となったり、電極との接触が不十分で
導通不良となる事態が発生することとなる。
【０００７】そこで、本発明の目的は、リード成形時に
変形しにくいＱＦＰタイプのリードフレームおよびそれ
を用いた半導体集積回路装置に関する技術を提供するこ
とにある。
変形しにくいＱＦＰタイプのリードフレームおよびそれ
を用いた半導体集積回路装置に関する技術を提供するこ
とにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１０】すなわち、本発明のリードフレームは、Ｑ
ＦＰタイプのリードフレームであって、アウターリード
の肩部のリード幅が基部のリード幅よりも幅広とされて
いるものである。
ＦＰタイプのリードフレームであって、アウターリード
の肩部のリード幅が基部のリード幅よりも幅広とされて
いるものである。
【００１１】また、本発明の半導体集積回路装置は、前
記リードフレームを用いて構成されるものである。
記リードフレームを用いて構成されるものである。
【００１２】
【作用】上記のような構成のリードフレームおよびそれ
を用いた半導体集積回路装置によれば、アウターリード
の肩部に対して十分な剛性が付与されることとなるの
で、成形時において肩部に機械的ストレスが加わっても
リードが変形して寸法が大きくばらつくことがなく、導
通不良を未然に防止することができる。
を用いた半導体集積回路装置によれば、アウターリード
の肩部に対して十分な剛性が付与されることとなるの
で、成形時において肩部に機械的ストレスが加わっても
リードが変形して寸法が大きくばらつくことがなく、導
通不良を未然に防止することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいてさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００１４】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
るリードフレームを用いた半導体集積回路装置を示す斜
視図、図２はそのリードフレームの要部斜視図である。
るリードフレームを用いた半導体集積回路装置を示す斜
視図、図２はそのリードフレームの要部斜視図である。
【００１５】本実施例における半導体集積回路装置１
は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タ
イプの４方向リードのリードフレーム２を用いてなるも
ので、モールド後にアウターリード２ａがガルウィング
状に成形された面実装タイプのパッケージである。
は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タ
イプの４方向リードのリードフレーム２を用いてなるも
ので、モールド後にアウターリード２ａがガルウィング
状に成形された面実装タイプのパッケージである。
【００１６】ここで、リードフレーム２のアウターリー
ド２ａは、脚部２ａ1 の上方と下方とでリードの幅を異
ならしめることで、肩部２ａ2 のリード幅Ａ1 の方が、
図示しないプリント基板の電極と半田付けされる基部２
ａ3 のリード幅Ａ2 よりも幅広とされている。
ド２ａは、脚部２ａ1 の上方と下方とでリードの幅を異
ならしめることで、肩部２ａ2 のリード幅Ａ1 の方が、
図示しないプリント基板の電極と半田付けされる基部２
ａ3 のリード幅Ａ2 よりも幅広とされている。
【００１７】なお、パッケージの外周縁には、モールド
工程におけるレジンのはみ出しを防止するダムバーとし
てのテープ３が残存している。
工程におけるレジンのはみ出しを防止するダムバーとし
てのテープ３が残存している。
【００１８】本実施例のリードフレーム２によれば、前
記のように、アウターリード２ａの肩部２ａ2 のリード
幅Ａ1 の方が、基部２ａ3 のリード幅Ａ2 よりも幅広と
されているので、肩部２ａ2 に対して十分な剛性が付与
されることとなる。
記のように、アウターリード２ａの肩部２ａ2 のリード
幅Ａ1 の方が、基部２ａ3 のリード幅Ａ2 よりも幅広と
されているので、肩部２ａ2 に対して十分な剛性が付与
されることとなる。
【００１９】したがって、アウターリード２ａの成形時
において肩部２ａ2 に機械的ストレスが加わってもリー
ドが変形して寸法が大きくばらつくことがなく、導通不
良を未然に防止することができる。
において肩部２ａ2 に機械的ストレスが加わってもリー
ドが変形して寸法が大きくばらつくことがなく、導通不
良を未然に防止することができる。
【００２０】また、基部２ａ3 のリード幅を狭くして一
定寸法のピッチが確保されているので、半導体集積回路
装置１をプリント基板へ半田付けした場合に、隣接する
リード同士が半田により電気的に接続される半田ブリッ
ジも防止される。
定寸法のピッチが確保されているので、半導体集積回路
装置１をプリント基板へ半田付けした場合に、隣接する
リード同士が半田により電気的に接続される半田ブリッ
ジも防止される。
【００２１】（実施例２）図３は本発明の他の実施例で
あるリードフレームを用いた半導体集積回路装置を示す
斜視図、図４はそのリードフレームの要部斜視図であ
る。
あるリードフレームを用いた半導体集積回路装置を示す
斜視図、図４はそのリードフレームの要部斜視図であ
る。
【００２２】本実施例における半導体集積回路装置１１
も、ＱＦＰタイプのリードフレーム１２を用いてなる面
実装タイプのパッケージである。
も、ＱＦＰタイプのリードフレーム１２を用いてなる面
実装タイプのパッケージである。
【００２３】本実施例におけるリードフレーム１２のア
ウターリード１２ａにおいては、肩部１２ａ2 の付近で
幅を異ならしめることで、肩部１２ａ2 のリード幅Ａ1
を基部１２ａ3 のリード幅Ａ2 より幅広としている。
ウターリード１２ａにおいては、肩部１２ａ2 の付近で
幅を異ならしめることで、肩部１２ａ2 のリード幅Ａ1
を基部１２ａ3 のリード幅Ａ2 より幅広としている。
【００２４】本実施例のリードフレーム１２において
も、肩部１２ａ2 に対して十分な剛性が付与されること
となるので、アウターリード１２ａの成形時においてリ
ード１２が変形して寸法が大きくばらつくことがなく、
導通不良を未然に防止することができ、また、半田ブリ
ッジも防止される。
も、肩部１２ａ2 に対して十分な剛性が付与されること
となるので、アウターリード１２ａの成形時においてリ
ード１２が変形して寸法が大きくばらつくことがなく、
導通不良を未然に防止することができ、また、半田ブリ
ッジも防止される。
【００２５】さらに、本実施例のリードフレーム１２に
おいては、前記のように、肩部１２ａ2 の付近で幅狭と
なっているのでリードフレーム１２を曲げやすく、より
スムーズな成形が可能になる。
おいては、前記のように、肩部１２ａ2 の付近で幅狭と
なっているのでリードフレーム１２を曲げやすく、より
スムーズな成形が可能になる。
【００２６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更が可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更が可能であることは言うまでもない。
【００２７】たとえば、本実施例のリードフレームにお
いては、モールド工程におけるレジンのはみ出しを防止
するためにテープを用いているが、テープの代わりにリ
ードフレームにダムバーを形成することも可能である。
いては、モールド工程におけるレジンのはみ出しを防止
するためにテープを用いているが、テープの代わりにリ
ードフレームにダムバーを形成することも可能である。
【００２８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００２９】(1).すなわち、本発明のリードフレームお
よびそれを用いた半導体集積回路装置によれば、アウタ
ーリードの肩部のリード幅の方が、基部のリード幅より
も幅広とされているので、肩部に対して十分な剛性が付
与されることとなる。
よびそれを用いた半導体集積回路装置によれば、アウタ
ーリードの肩部のリード幅の方が、基部のリード幅より
も幅広とされているので、肩部に対して十分な剛性が付
与されることとなる。
【００３０】したがって、アウターリードの成形時にお
いて肩部に機械的ストレスが加わってもリードが変形し
て寸法が大きくばらつくことがなく、隣接するリード同
士の接触による導通不良や、電極との接触不十分による
導通不良等を未然に防止することができる。
いて肩部に機械的ストレスが加わってもリードが変形し
て寸法が大きくばらつくことがなく、隣接するリード同
士の接触による導通不良や、電極との接触不十分による
導通不良等を未然に防止することができる。
【００３１】(2).さらに、肩部の付近でリード幅を異な
らせることで肩部のリード幅が幅広とされたリードフレ
ームによれば、リードフレームを曲げやすく、よりスム
ーズな成形が可能になる。
らせることで肩部のリード幅が幅広とされたリードフレ
ームによれば、リードフレームを曲げやすく、よりスム
ーズな成形が可能になる。
【００３２】(3).そして、基部のリード幅を狭くするこ
とによって一定寸法のリードピッチが確保されているの
で、半導体集積回路装置をプリント基板へ半田付けした
場合に隣接するリードが半田により電気的に接続され
る、いわゆる半田ブリッジも同時に防止することができ
る。
とによって一定寸法のリードピッチが確保されているの
で、半導体集積回路装置をプリント基板へ半田付けした
場合に隣接するリードが半田により電気的に接続され
る、いわゆる半田ブリッジも同時に防止することができ
る。
【００３３】（実験例）図１および図２に示す本発明の
実施例１におけるＱＦＰタイプのリードフレームを使用
して、本発明者が行った実験例について説明する。
実施例１におけるＱＦＰタイプのリードフレームを使用
して、本発明者が行った実験例について説明する。
【００３４】試料としてのリードフレームのリードピッ
チは0.３mm、肩部のリード幅は0.１８mm、基部のリード
幅は0.１２mmである。このリードフレームを所定の形状
に成形した後リードフレームの寸法を測定した結果、ば
らつきを示す標準偏差は、σ＝5.６μｍとなった。
チは0.３mm、肩部のリード幅は0.１８mm、基部のリード
幅は0.１２mmである。このリードフレームを所定の形状
に成形した後リードフレームの寸法を測定した結果、ば
らつきを示す標準偏差は、σ＝5.６μｍとなった。
【００３５】一方、リードピッチが0.３mm、肩部および
基部のリード幅が0.１２mmである従来のリードフレーム
を所定の形状に成形した後の標準偏差は、σ＝8.０μｍ
である。
基部のリード幅が0.１２mmである従来のリードフレーム
を所定の形状に成形した後の標準偏差は、σ＝8.０μｍ
である。
【００３６】すなわち、本発明のリードフレームによれ
ば、従来のそれに比べて、リードの変形が約３０％低減
されるという、良好な結果を得ることができた。
ば、従来のそれに比べて、リードの変形が約３０％低減
されるという、良好な結果を得ることができた。
【図１】本発明の実施例１によるリードフレームを用い
た半導体集積回路装置を示す斜視図である。
た半導体集積回路装置を示す斜視図である。
【図２】そのリードフレームの要部斜視図である。
【図３】本発明の実施例２によるリードフレームを用い
た半導体集積回路装置を示す斜視図である。
た半導体集積回路装置を示す斜視図である。
【図４】そのリードフレームの要部斜視図である。
１ 半導体集積回路装置 ２ リードフレーム ２ａ アウターリード ２ａ1 脚部 ２ａ2 肩部 ２ａ3 基部 ３ テープ １１ 半導体集積回路装置 １２ リードフレーム １２ａ アウターリード １２ａ2 肩部 １２ａ3 基部 Ａ1 リード幅 Ａ2 リード幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖永 隆幸 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 林田 哲哉 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 白井 優之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 本多 厚 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 小俣 誠 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ＱＦＰタイプのリードフレームであっ
て、アウターリードの肩部のリード幅が基部のリード幅
よりも幅広とされていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】 前記肩部の付近でリードの幅を異ならし
めることで、前記アウターリードの前記肩部のリード幅
が前記基部のリード幅よりも幅広とされていることを特
徴とする請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記リードフレームのダムバーがテープ
であることを特徴とする請求項１または２記載のリード
フレーム。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載のリードフレ
ームを用いて構成されることを特徴とする半導体集積回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14102993A JP3268688B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14102993A JP3268688B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350003A true JPH06350003A (ja) | 1994-12-22 |
| JP3268688B2 JP3268688B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=15282563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14102993A Expired - Lifetime JP3268688B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3268688B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444905B1 (en) | 1998-12-24 | 2002-09-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| WO2024095795A1 (ja) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | ローム株式会社 | 電子装置 |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP14102993A patent/JP3268688B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444905B1 (en) | 1998-12-24 | 2002-09-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6541702B2 (en) | 1998-12-24 | 2003-04-01 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6553657B2 (en) | 1998-12-24 | 2003-04-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6777262B2 (en) | 1998-12-24 | 2004-08-17 | Renesas Technology Corp. | Method of packaging a semiconductor device having gull-wing leads with thinner end portions |
| WO2024095795A1 (ja) * | 2022-11-01 | 2024-05-10 | ローム株式会社 | 電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3268688B2 (ja) | 2002-03-25 |
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