JPH063412A - 半導体製品評価装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 リードレスパッケージで覆われた半導体製品
の電極と評価装置本体側の電極とにボンディングを施す
ことなく、半導体製品を評価装置本体側の凹部に収容
し、この状態で、該半導体製品を、該評価装置本体とは
別体に設けられた押圧部材によって該評価装置本体に押
しつけるだけで、これら両者の電極間を電気的に接続で
きる半導体製品評価装置を得る。 【構成】 評価装置本体１ａの上面にマイクロストリッ
プライン４を形成したセラミック基板３を配置し、リー
ドレスパッケージで覆われた高周波半導体製品２のパッ
ケージに形成された電極６に金属リボン７を熱圧着し、
該金属リボン７が上記ストリップライン４に直接接触す
るように、高周波半導体製品２を評価装置本体１ａの凹
部１ｄに収容し、該高周波半導体製品２を押圧部材５で
押圧する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体製品評価装置
に関し、特に、パッケージ電極部にリードを持たないリ
ードレスパッケージで覆われた半導体製品の電気特性を
評価する評価装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図８、図９は従来のリードレスパッケー
ジで覆われた半導体製品の電気特性を評価する評価装置
の構造を示す上面図と断面図であり、半導体製品が評価
装置本体の所定位置に収容された状態を示している。こ
れらの図において、１ａは半導体製品が収容される凹部
１ｃが形成された評価装置本体、１ｂは評価装置本体１
ａの裏面に接合された放熱フィン、２はリードレスパッ
ケージ構造を備えた高周波半導体製品、２ａは高周波半
導体製品２に形成された凸部、３は評価装置本体１ａ上
に載置されたセラミック基板、４はセラミック基板３の
上面に形成されたマイクロストリップライン、５は半導
体製品２を上方から押さえる押圧部材、６は半導体製品
２のパッケージの縁部に形成された電極、７は電極６と
マイクロストリップライン４とを接続する金属リボン、
８はマイクロストリップライン４に繋がり、該マイクロ
ストリップライン４を通して半導体製品２に高周波信号
と電気信号とを入出力するコネクタ９がその所定部分に
設けられた、セラミック基板３の位置規制を行う側板で
ある。

【０００３】次に、動作について説明する。リードレス
パッケージで覆われた高周波半導体製品２を評価装置本
体１ａに形成された凹部１ｃに収容し、押圧部材５で高
周波半導体製品２を押圧し、パッケージの縁部に形成さ
れた電極６と評価装置本体１ａの上面に載置されたセラ
ミック基板３上に敷設されたマイクロストリップライン
４とを金属リボン７（または図示しない金ワイヤ）によ
ってボンディングし、この状態でコネクタ９から高周波
信号と電気信号とを入出力することにより、高周波半導
体製品２の電気的特性を測定する。そして、電気特性の
測定後は、金属リボン７（または金ワイヤ）を切断し
て、評価装置本体１ａから半導体製品２が取り外され
る。また、この電気特性を測定する間に発生する熱は放
熱フィン１ｂによって外部に放出される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のリードレスパッ
ケージで覆われた半導体製品の電気特性評価を行う評価
装置は以上のように構成されており、複数の半導体製品
の電気特性を評価する際、各半導体製品２を評価装置本
体１ａに収容する度毎に、パッケージ電極６とセラミッ
ク基板３上に形成されたマイクロストリップライン４と
を金属リボン７（または金ワイヤ）によってボンディン
グしなければならず、この間に多大な時間を要するとい
う問題点があった。また、セラミック基板３上に形成さ
れたマイクロストリップライン４に、多数回金属リボン
７をボンディングするため、このマイクロストリップラ
イン４からなる電極部の電気的特性が次第に変化し、得
られる評価値（電気特性値）の信頼性が低下し、精度良
く特性評価を行うことができなくなるという問題点があ
った。

【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体製品のパッケージの電極
と半導体製品評価装置側の電極とを金属リボン（又は金
ワイヤ）等でボンディングすることなく、これらの間を
簡単な作業で電気的に接続でき、評価に要する時間を短
縮でき、しかも、精度の良い特性評価を行うことができ
る半導体製品評価装置を得ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
製品評価装置は、評価装置本体の上面にストリップライ
ンを形成した絶縁性基板を設置し、リードレスパッケー
ジで覆われた半導体製品のパッケーシに形成された電極
に金属リボンを装着し、この金属リボンが上記ストリッ
プラインに直接接触するように、該半導体製品を上記評
価装置本体に収容させ、該半導体製品を押圧部材で押圧
することにより、上記金属リボンと上記ストリップライ
ンとの接触を保ち、上記パッケージに形成された電極と
上記ストリップラインとを電気的に接続するようにした
ものである。

【０００７】この発明にかかる半導体製品評価装置は、
評価装置本体の上面にストリップラインを形成した絶縁
性基板を設置し、該ストリップラインの一端に金属リボ
ンを装着し、この金属リボンがリードレスパッケージで
覆われた半導体製品の電極の真上に位置するように、該
半導体製品を上記評価装置本体に収容させ、該半導体製
品を押圧部材で押圧することにより、該押圧部材の棒状
突起によって、上記半導体製品の電極と上記金属リボン
との接触を保ち、上記パッケージに形成された電極と上
記ストリップラインとを電気的に接続するようにしたも
のである。

【０００８】この発明にかかる半導体製品評価装置は、
評価装置本体の上面にストリップラインを形成した絶縁
性基板を設置し、該ストリップラインとリードレスパッ
ケージ構造を備えた半導体製品の電極とが同一高さとな
るように、該半導体製品を上記評価装置本体に収容さ
せ、該半導体製品を押圧部材で押圧することにより、該
押圧部材の棒状突起の先端に装着した金属リボンを、上
記パッケージに形成された電極と上記ストリップライン
とに接触させ、上記パッケージに形成された電極と上記
ストリップラインとを電気的に接続するようにしたもの
である。

【０００９】

【作用】この発明においては、装置本体に対して半導体
製品を押圧するだけで、評価装置側の電極と、半導体製
品の（パッケージ）電極とが電気的に接続できるように
構成したから、従来のように、互いの電極をボンディン
グする必要がなくなり、測定時間（評価時間）を短縮で
きるとともに、評価装置本体側の電極の電気特性の変動
が抑制されて、評価精度を向上することができる。

【００１０】

【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 （実施例１）図２，３は、この発明の第１の実施例によ
るリードレスパッケージで覆われた半導体製品の電気特
性を評価する評価装置の構造を示す斜視図と断面図であ
り、また、図１は、上記リードレスパッケージで覆われ
た高周波半導体製品の構造を示す斜視図である。これら
の図において、図８，９と同一符号は同一または相当す
る部分を示しており、１ｄは半導体製品を収納する凹
部、５ａは放熱フィンである。

【００１１】そして、この評価装置は、装置本体１ａの
凹部１ｄの形状が、上記図１に示した半導体製品２が、
凸部２ａ及び該凸部２ａの周囲に形成された電極６を下
方に向けた状態で収容される形状に形成されており、押
圧部材５の上面に放熱フィン５ａが接合されている。ま
た、半導体製品の電極６には、金属リボン７が熱圧着さ
れている。

【００１２】次に、動作を説明する。先ず、図１に示し
たように、リードレスパッケージで覆われた高周波半導
体製品２の電極６に、金属リボン７を熱圧着し、次に、
図２に示すように、その一方の面に放熱フィン５ａが接
合された押圧部材５の他方の面に、電極６に金属リボン
７が熱圧着された高周波半導体製品２の該電極６側とは
反対側の面を接合し、この状態で、図３に示すように、
装置本体１ａの凹部１ｄに高周波半導体製品２の凸部２
ａを嵌合する。そして、該押圧部材５にて高周波半導体
製品２を装置本体１ａに向けて押しつけ、側板８によっ
て位置規制され、装置本体１ａの凹部１ｄの周囲部にそ
の端部が配置されるように、装置本体１ａ上に載置され
たセラミック基板３の表面のマイクロストリップライン
４の端部に、高周波半導体製品２のその上面に金属リボ
ンが熱圧着された電極６を接触させる。次いで、側板８
に設けられたコネクタ９とマイクロストリップライン４
を通して、半導体製品２に高周波信号と電気信号とが入
出力され、コネクタ９から得られる出力信号の電気特性
を該コネクタ９に接続された図示しない外部装置で評価
し、半導体製品２の電気特性評価が行われる。そして、
電気特性評価が行われた後、押圧部材５による押圧を解
いて、装置本体１ａの凹部１ｃから高周波半導体製品２
の凸部２ａを外し、次の、高周波半導体製品２を装置本
体１ａの凹部１ｄに上記と同様にして収容し、上記と同
様の操作によって半導体製品２の電気特性評価を行う。

【００１３】このような本実施例の評価装置では、パッ
ケージ電極部６を下方に向けた高周波半導体製品２を、
装置本体１ａの凹部１ｄに収容させ、該高周波半導体製
品２を押圧部材５によって装置本体１ａの上面に向けて
押圧することで、評価装置本体１ａ上に載置されたセラ
ミック基板３上のマイクロストリップライン４に、その
上面に金属リボン７が熱圧着されたパッケージ電極６を
接触させることができ、従来のように、これら電極間を
ボンディングするというような煩わしい操作を行うこと
なく、高周波半導体製品２の電気特性評価を行うことが
できる。また、セラミック基板３上のマイクロストリッ
プライン４に対してボンディング作業を行わないため、
複数の高周波半導体製品２の特性評価を行っても、この
電極６の電気特性の変動は殆ど無く、常に、精度の高い
評価試験を行うことができる。

【００１４】（実施例２）図４は、この発明の第２の実
施例によるリードレスパッケージで覆われた半導体製品
の電気特性を評価する評価装置の構造を示す断面図であ
り、図５は該評価装置における電極付近を拡大して示し
た斜視図である。これらの図において、図８，９と同一
符号は同一または相当する部分であり、５ｂは半導体製
品２の電極６と製品本体（パッケージ面）とを押さえる
押圧部材である。そして、この評価装置は、図５に示す
ように、セラミック基板３上のマイクロストリップライ
ン４の凹部１ｅ側の終端部に、金属リボン７が熱圧着さ
れており、また、該装置本体１ａに形成された凹部１ｅ
は半導体製品２を収容した時に、半導体製品２と凹部１
ｅの側壁部との間の距離が、上記金属リボン７の凹部１
ｅ側に開放される部分の長さより大きくならないよう
に、寸法設定されている。

【００１５】次に、動作を説明する。電極６が上方を向
き、該電極６がマイクロストリップライン４の終端部に
熱圧着された金属リボン７の真下となるように、装置本
体１ａの凹部１ｅに半導体製品２を収容させる。そし
て、この状態で、押圧部材５ｂの押さえ棒子５ｃによっ
て、半導体製品２の本体（パッケージ面）を押圧すると
ともに、該押圧部材５ｂの押さえ棒５ｄによって金属リ
ボン７を該金属リボン７が電極６に接触するように押圧
し、これによって、電極６とマイクロストリップライン
４とが金属リボン７を介して接続される。この後、この
状態で上記第１の実施例と同様にして、コネクタ９を介
して半導体製品２に高周波信号と電気信号とを入出力
し、半導体製品２の電気特性評価が行われる。

【００１６】このような本実施例の評価装置では、電極
６が、セラミック基板３上のマイクロストリップライン
４の装置本体１ａの凹部１ｅ側に熱圧着された金属リボ
ン７の真下になるように、半導体製品２を該装置本体１
ａの凹部１ｅに収容させ、押圧部材５ｂによって、該半
導体製品２の本体（パッケージ面）と金属リボン７とを
押圧することで、半導体製品２の電極６に該金属リボン
７を接触させることができ、これにより、電極６とマイ
クロストリップライン４とを接続することができ、上記
第１の実施例と同様に、電極間をボンディングするとい
うような煩わしい操作を行うことなく、高周波半導体製
品２の電気特性評価を行うことができる。また、上記実
施例と同様に、セラミック基板３上のマイクロストリッ
プライン部４にボンディング作業を行う必要がないた
め、複数の高周波半導体製品２の特性評価を行っても、
この電極４の電気特性の変動は殆ど無く、常に、信頼性
の高い特性評価を行うことができる。

【００１７】（実施例３）図６は、この発明の第３の実
施例によるリードレスパッケージで覆われた半導体製品
の電気特性を評価する評価装置の構造を示す断面図であ
り、図７は該評価装置における電極付近と該評価装置に
収容された半導体製品の電極付近とを拡大して示した図
である。これらの図において、図８，９と同一符号は同
一または相当する部分を示しており、５ｅは半導体製品
２の製品本体（パッケージ面）を押さえる押さえ棒５ｃ
と、該半導体製品２の電極６とセラミック基板３上のマ
イクロストリップライン４間をこれらに跨がって押さえ
る押さえ棒５ｆを備えた押圧部材であり、電極６とマイ
クロストリップライン４端部の電極部とを押さえる部分
５ｆの先端には、金属リボン７が熱圧着されている。ま
た、装置本体１ａの凹部１ｆに半導体製品２を収容した
時に、半導体製品２の電極６の上面と、セラミック基板
３上に敷設されたマイクロストリップライン４の上面と
が同一高さとなるように、これらのセラミック基板３の
厚さと、装置本体１ａの凹部１ｅの深さ等が寸法調整さ
れている。また、図７中の１０は押圧部材５ｅの押さえ
棒５ｆによって押圧される領域を示している。

【００１８】次に、動作を説明する。電極６が上方を向
くようにして、装置本体１ａの凹部１ｆにリードレスパ
ッケージ半導体製品２を収容させる。そして、この時、
上記のように、半導体製品２の電極６の上面の高さと、
セラミック基板３上に敷設されたマイクロストリップラ
イン４の上面の高さが同一になり、この状態で、押圧部
材５ｅによって半導体製品２を押圧すると、電極６とマ
イクロストリップライン４とがその先端部に金属リボン
７が熱圧着された押さえ棒５ｆによって押圧され（図７
中の押圧領域１０で示される領域）、これら電極６とマ
イクロストリップライン４とが金属リボン７を介して電
気的に接続される。そして、この後、この状態で、上記
第１の実施例と同様にして、コネクタ９を介して半導体
製品２に高周波信号と電気信号とを入出力し、半導体製
品２の電気特性評価が行われる。

【００１９】このような本実施例の評価装置では、装置
本体１ａの凹部１ｆに半導体製品２を収容すると、該半
導体製品２の電極６と、装置本体１ａに載置されたセラ
ミック基板３に敷設されたマイクロストリップライン４
とが同一高さになり、そして、これら両電極４，６を、
その先端に金属リボン７が熱圧着された押圧部材５ｅの
押さえ棒５ｆによって押圧することで、両電極４，６間
を電気的に接続するようにしたので、上記第１，第２の
実施例と同様に、簡単な操作で、これら両電極４，６間
を電気的に接続することができ、複数の高周波半導体製
品２の特性評価を短い時間で行うことができ、しかも、
マイクロストリップライン４が全くボンディングされな
いので、常に、信頼性の高い特性評価を行うことができ
る。

【００２０】尚、上記実施例では、何れもストリップラ
イン４を敷設する基板としてセラミック基板３を用いた
が、他の材料からなる絶縁性基板を用いても上記実施例
と同様の効果を得ることができる。

【００２１】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、リー
ドレスパッケージで覆われた半導体製品を、評価装置本
体の凹部に収容させ、該評価装置本体とは別体の押圧部
材で該半導体製品を下方に向けて押圧することにより、
該半導体製品の電極と該評価装置本体側の電極とが電気
的に接続されるように評価装置を構成したので、簡単な
作業で短時間に半導体製品の電気特性評価を行うことが
でき、しかも、評価装置本体側の電極には全くボンディ
ング作業を施す必要がないことから、評価装置本体側の
電極の電気特性の変動を防止でき、常に、精度良く特性
評価を行うことができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】リードレスパッケージで覆われた半導体製品の
構造を示す斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施例によるリードレスパッケ
ージで覆われた半導体製品の電気特性を評価する半導体
製品評価装置の構造を示す斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施例によるリードレスパッケ
ージで覆われた半導体製品の電気特性を評価する半導体
製品評価装置の構造を示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施例によるリードレスパッケ
ージで覆われた半導体製品の電気特性を評価する半導体
製品評価装置の構造を示す断面図である。

【図５】図４に示す半導体製品評価装置の装置本体の電
極付近の構造を拡大して示した斜視図である。

【図６】本発明の第３の実施例によるリードレスパッケ
ージで覆われた半導体製品の電気特性を評価する半導体
製品評価装置の構造を示す断面図である。

【図７】図６の半導体製品評価装置の装置本体の電極付
近と、該装置本体内に収容したリードレスパッケージで
覆われた半導体製品の電極付近とを拡大して示した平面
図である。

【図８】従来のリードレスパッケージで覆われた半導体
製品の電気特性を評価する半導体製品評価装置の構造を
示す斜視図である。

【図９】従来のリードレスパッケージで覆われた半導体
製品の電気特性を評価する半導体製品評価装置の構造を
示す断面図である。

【符号の説明】

１ａ 評価装置本体 １ｂ 放熱フィン １ｃ〜１ｆ 凹部 ２ リードレスパッケージで覆われた半導体製品 ２ａ 凸部 ３ セラミック基板 ４ マスクストリップライン ５，５ｂ，５ｅ 押圧部材 ５ａ 放熱フィン ５ｃ〜５ｅ 押さえ棒 ６ 電極 ７ 金属リボン ８ 側板 ９ コネクタ １０ 押圧領域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードレスパッケージで覆われた半導体
   製品を、装置本体の所定位置に形成された凹部に収容さ
   せ、上記リードレスパッケージに形成された上記半導体
   製品の電極を、上記装置本体の上面に載置された絶縁性
   基板の表面に敷設されてあるマイクロストリップライン
   に電気的に接続し、この状態で、上記装置本体の側部に
   配設された上記マイクロストリップラインの一端に接続
   されたコネクタから上記半導体製品へ電気信号を入力し
   て上記半導体製品を動作させ、上記半導体製品からの出
   力信号を、上記半導体製品の電極，マイクロストリップ
   ライン及びコネクタを介して外部に出力し、上記コネク
   タから得られる出力信号より上記半導体製品の電気特性
   を評価する半導体製品評価装置において、 上記装置本体の凹部の形状が、上記リードレスパッケー
   ジで覆われた半導体製品が、その電極形成面を下方に向
   けた状態で収容される形状に形成されており、 該電極形成面を下方に向けた状態で上記リードレスパッ
   ケージで覆われた半導体製品を上記装置本体の凹部に収
   容し、この状態で該半導体製品を該装置本体に押圧した
   時、上記リードレスパッケージに形成された電極の上面
   に装着された金属リボンを介して、該電極と上記マイク
   ロストリップラインとが電気的に接続されることを特徴
   とする半導体製品評価装置。
2. 【請求項２】 リードレスパッケージで覆われた半導体
   製品を、装置本体の所定位置に形成された凹部に収容さ
   せ、上記リードレスパッケージに形成された上記半導体
   製品の電極を、上記装置本体の上面に載置された絶縁性
   基板の表面に敷設されてあるマイクロストリップライン
   に電気的に接続し、この状態で、上記装置本体の側部に
   配設された上記マイクロストリップラインの一端に接続
   されたコネクタから上記半導体製品へ電気信号を入力し
   て上記半導体製品を動作させ、上記半導体製品からの出
   力信号を、上記半導体製品の電極，マイクロストリップ
   ライン及びコネクタを介して外部に出力し、上記コネク
   タから得られる出力信号より上記半導体製品の電気特性
   を評価する半導体製品評価装置において、 上記装置本体の凹部の形状が、上記リードレスパッケー
   ジで覆われた半導体製品が、その電極形成面を上方に向
   けた状態で収容される形状に形成され、且つ、上記マイ
   クロストリップラインの一端に、その一部が上記装置本
   体の凹部の上方に伸びる金属リボンが装着されており、 上記リードレスパッケージに形成された電極が、上記金
   属リボンの真下になるように上記半導体製品を上記装置
   本体の凹部に収容させ、この状態で上記半導体製品と上
   記金属リボンとを下方に向けて押圧した時、上記リード
   レスパッケージに形成された電極と上記金属リボンとが
   接触し、該リードレスパッケージに形成された電極と上
   記マイクロストリップラインとが電気的に接続されるこ
   とを特徴とする半導体製品評価装置。
3. 【請求項３】 リードレスパッケージで覆われた半導体
   製品を、装置本体の所定位置に形成された凹部に収容さ
   せ、上記リードレスパッケージに形成された上記半導体
   製品の電極を、上記装置本体の上面に載置された絶縁性
   基板の表面に敷設されてあるマイクロストリップライン
   に電気的に接続し、この状態で、上記装置本体の側部に
   配設された上記マイクロストリップラインの一端に繋が
   れたコネクタから上記半導体製品へ電気信号を入力して
   上記半導体製品を動作させ、上記半導体製品からの出力
   信号を、上記半導体製品の電極，マイクロストリップラ
   イン及びコネクタを介して外部に出力し、上記コネクタ
   から得られる出力信号より上記半導体装置の電気特性を
   評価する半導体製品評価装置において、 上記装置本体の凹部の形状が、上記リードレスパッケー
   ジで覆われた半導体製品が、そのの電極形成面を上方に
   向けた状態で収容され、且つ、上記半導体製品の電極と
   上記マイクロストリップラインとが同一高さになる形状
   に形成されており、 上記半導体製品を上記凹部に収容させた状態で、該半導
   体製品を押圧部材でもって上方から下方に向けて押圧し
   た時、該押圧部材の棒状突起の先端面に装着された金属
   リボンが、上記リードレスパッケージに形成された電極
   と上記マイクロストリップラインとの両者に接触し、該
   リードレスパッケージに形成された電極と上記マイクロ
   ストリップラインとが電気的に接続されることを特徴と
   する半導体製品評価装置。