JPH06337534A - 電子写真感光体の製法 - Google Patents
電子写真感光体の製法Info
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- JPH06337534A JPH06337534A JP12684993A JP12684993A JPH06337534A JP H06337534 A JPH06337534 A JP H06337534A JP 12684993 A JP12684993 A JP 12684993A JP 12684993 A JP12684993 A JP 12684993A JP H06337534 A JPH06337534 A JP H06337534A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基体端部の形状によりa−Si成膜後の端部
の変形を補正すると共に、膜剥離による成膜欠陥の発生
も防止する電子写真感光体の製法を提供する。 【構成】 3mm乃至10mmの幅の全周に亘って−
0.1度乃至−2.0度の傾斜を有する第1のテーパー
面17と、その第1のテーパー面17より短い幅に亘っ
て1.0度乃至3.0度の傾斜を有する第2のテーパー
面18とが、その端部より順次形成されたアルミニウム
製筒状基体1に、グロ−放電プラズマCVD法によりa
−Si膜を成膜形成する。
の変形を補正すると共に、膜剥離による成膜欠陥の発生
も防止する電子写真感光体の製法を提供する。 【構成】 3mm乃至10mmの幅の全周に亘って−
0.1度乃至−2.0度の傾斜を有する第1のテーパー
面17と、その第1のテーパー面17より短い幅に亘っ
て1.0度乃至3.0度の傾斜を有する第2のテーパー
面18とが、その端部より順次形成されたアルミニウム
製筒状基体1に、グロ−放電プラズマCVD法によりa
−Si膜を成膜形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真感光体の製法に
関するものであり、特にアモルファスシリコン感光体用
基体の改良に関するものである。
関するものであり、特にアモルファスシリコン感光体用
基体の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、アモルファスシリコン系光導電層
を有する電子写真感光体が、その優れた光感度特性や高
い耐久性により、複写機や電子写真方式プリンタなどの
電子写真装置における市場を拡大しつつある。
を有する電子写真感光体が、その優れた光感度特性や高
い耐久性により、複写機や電子写真方式プリンタなどの
電子写真装置における市場を拡大しつつある。
【0003】このアモルファスシリコン(以下、a−S
iと略す)感光体の製作においては、通常はアルミニウ
ムなどの金属からなる導電性のドラム状基体の周面に、
グロー放電プラズマCVD法によりa−Si系光導電層
を成膜する。
iと略す)感光体の製作においては、通常はアルミニウ
ムなどの金属からなる導電性のドラム状基体の周面に、
グロー放電プラズマCVD法によりa−Si系光導電層
を成膜する。
【0004】そのようなa−Si感光体の層構成の例を
図3に、また、図4にその成膜に用いられるグロー放電
分解装置の構成を示す。図3におけるa−Si感光体
は、導電性基体1の上にキャリア注入阻止層2と第1の
a−Si系光導電層3と第2のa−Si系光導電層4と
表面層5とを順次積層した構成としている。図4に示し
たグロー放電分解装置6においては、7は円筒状の金属
製反応炉、8は感光体ドラム装着用の筒状の導電性基体
支持体、9は基体加熱用ヒーター、10はa−Siの成
膜に用いられる筒状のグロー放電用電極板であり、この
電極板10にはガス噴出口11が形成されており、そし
て、12は反応炉内部へガスを導入するためのガス導入
口、13はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気
するためのガス排出口であり、14は基体支持体8とグ
ロー放電用電極板10の間でグロー放電を発生させるた
めの高周波電源である。また、この反応炉7は円筒体7
aと、蓋体7bと、底体7cとからなり、そして、円筒
体7aと蓋体7bとの間、並びに円筒体7aと底体7c
との間にはそれぞれ絶縁性のリング7dを設けており、
これによって高周波電源14の一方の端子は円筒体7a
を介してグロー放電用電極板10と導通しており、他方
の端子は蓋体7bや底体7cを介して基体支持体8と導
通し、接地されている。また、蓋体7bの上に付設した
モーター15により回転軸16を介して基体支持体8が
回転駆動され、これに伴って基体1も回転する。
図3に、また、図4にその成膜に用いられるグロー放電
分解装置の構成を示す。図3におけるa−Si感光体
は、導電性基体1の上にキャリア注入阻止層2と第1の
a−Si系光導電層3と第2のa−Si系光導電層4と
表面層5とを順次積層した構成としている。図4に示し
たグロー放電分解装置6においては、7は円筒状の金属
製反応炉、8は感光体ドラム装着用の筒状の導電性基体
支持体、9は基体加熱用ヒーター、10はa−Siの成
膜に用いられる筒状のグロー放電用電極板であり、この
電極板10にはガス噴出口11が形成されており、そし
て、12は反応炉内部へガスを導入するためのガス導入
口、13はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気
するためのガス排出口であり、14は基体支持体8とグ
ロー放電用電極板10の間でグロー放電を発生させるた
めの高周波電源である。また、この反応炉7は円筒体7
aと、蓋体7bと、底体7cとからなり、そして、円筒
体7aと蓋体7bとの間、並びに円筒体7aと底体7c
との間にはそれぞれ絶縁性のリング7dを設けており、
これによって高周波電源14の一方の端子は円筒体7a
を介してグロー放電用電極板10と導通しており、他方
の端子は蓋体7bや底体7cを介して基体支持体8と導
通し、接地されている。また、蓋体7bの上に付設した
モーター15により回転軸16を介して基体支持体8が
回転駆動され、これに伴って基体1も回転する。
【0005】このグロー放電分解装置6を用いてa−S
i感光体ドラムを作製する場合には、a−Si成膜用の
ドラム状基体1を基体支持体8に装着し、a−Si生成
用ガスをガス導入口12より反応炉内部へ導入し、この
ガスをガス噴出口11を介して基体表面へ向けて噴出
し、更にヒーター9によって基体を所要の温度に設定す
るとともに、高周波電源14より高周波電力を供給して
基体支持体8と電極板10との間でグロー放電を発生さ
せ、更に基体1を回転させることによって基体1の周面
にa−Si膜を成膜する。
i感光体ドラムを作製する場合には、a−Si成膜用の
ドラム状基体1を基体支持体8に装着し、a−Si生成
用ガスをガス導入口12より反応炉内部へ導入し、この
ガスをガス噴出口11を介して基体表面へ向けて噴出
し、更にヒーター9によって基体を所要の温度に設定す
るとともに、高周波電源14より高周波電力を供給して
基体支持体8と電極板10との間でグロー放電を発生さ
せ、更に基体1を回転させることによって基体1の周面
にa−Si膜を成膜する。
【0006】また、このようにして作製されたa−Si
感光体ドラムを電子写真装置で使用する際には、ドラム
表面上に安定してトナー像を形成するために、トナーを
供給する現像器のスリーブと感光体との間隔を、常に一
定に保持する必要がある。そのように現像器を位置決め
するためには、現像器側にコロを設けて感光体の端部に
当接させる方法が、一般的な方法として採用される。
感光体ドラムを電子写真装置で使用する際には、ドラム
表面上に安定してトナー像を形成するために、トナーを
供給する現像器のスリーブと感光体との間隔を、常に一
定に保持する必要がある。そのように現像器を位置決め
するためには、現像器側にコロを設けて感光体の端部に
当接させる方法が、一般的な方法として採用される。
【0007】
【発明が解決しようとする問題点】a−Si感光体は優
れた電子写真特性を有しているが、他の感光体材料に比
較して帯電性にやや劣る傾向があることより、高い帯電
電位を得るためにa−Si光導電層の膜厚を厚くするこ
とが行なわれ、これに伴って基体にかかる膜応力が大き
くなり、特に基体の両端部がその応力によって収縮し
て、基体の端部に向かって直径が減少する方向に変形す
るという問題点があった。これに対して、従来の成膜前
の基体の表面加工においては、基体端部の直径は中央部
と同一に設定されており、成膜による端部直径の収縮は
補正されることがなかった。そのために、膜厚を厚くし
たa−Si感光体を用いると、収縮した端部に現像器の
コロが当たるため、現像器の位置決めの精度が悪化し、
濃度ムラなどの画像品質の低下を招くという問題点があ
った。
れた電子写真特性を有しているが、他の感光体材料に比
較して帯電性にやや劣る傾向があることより、高い帯電
電位を得るためにa−Si光導電層の膜厚を厚くするこ
とが行なわれ、これに伴って基体にかかる膜応力が大き
くなり、特に基体の両端部がその応力によって収縮し
て、基体の端部に向かって直径が減少する方向に変形す
るという問題点があった。これに対して、従来の成膜前
の基体の表面加工においては、基体端部の直径は中央部
と同一に設定されており、成膜による端部直径の収縮は
補正されることがなかった。そのために、膜厚を厚くし
たa−Si感光体を用いると、収縮した端部に現像器の
コロが当たるため、現像器の位置決めの精度が悪化し、
濃度ムラなどの画像品質の低下を招くという問題点があ
った。
【0008】また本発明者らが、上記のような端部の収
縮を補正する目的で、基体の表面加工時に基体中央部か
ら端部に向かって直径が大きくなるように単純なテーパ
ー面を形成し、成膜によって端部が収縮した後の直径が
中央部とほぼ等しくなるようにして成膜を行なったとこ
ろ、基体円筒面とテーパー面との接合部に生じた段差よ
りa−Si膜が剥離して、光導電層中に成膜欠陥を発生
させるという問題点があることが判った。
縮を補正する目的で、基体の表面加工時に基体中央部か
ら端部に向かって直径が大きくなるように単純なテーパ
ー面を形成し、成膜によって端部が収縮した後の直径が
中央部とほぼ等しくなるようにして成膜を行なったとこ
ろ、基体円筒面とテーパー面との接合部に生じた段差よ
りa−Si膜が剥離して、光導電層中に成膜欠陥を発生
させるという問題点があることが判った。
【0009】本発明は、上記の問題点を基体加工の改良
により解決したもので、特に基体端部の形状により、a
−Si成膜後の端部の変形を補正すると共に、膜剥離に
よる成膜欠陥の発生も防止した、電子写真感光体の製法
を提供することを目的としたものである。
により解決したもので、特に基体端部の形状により、a
−Si成膜後の端部の変形を補正すると共に、膜剥離に
よる成膜欠陥の発生も防止した、電子写真感光体の製法
を提供することを目的としたものである。
【0010】
【問題点を解決するための手段】本発明の電子写真感光
体の製法は、3mm乃至10mmの幅の全周に亘って−
0.1度乃至−2.0度の傾斜を有する第1のテーパー
面と、その第1のテーパー面より短い幅に亘って1.0
度乃至3.0度の傾斜を有する第2のテーパー面とが、
その端部より順次形成されたアルミニウム製筒状基体
に、グロ−放電プラズマCVD法によりアモルファスシ
リコン膜を成膜形成したことを特徴とするものである。
体の製法は、3mm乃至10mmの幅の全周に亘って−
0.1度乃至−2.0度の傾斜を有する第1のテーパー
面と、その第1のテーパー面より短い幅に亘って1.0
度乃至3.0度の傾斜を有する第2のテーパー面とが、
その端部より順次形成されたアルミニウム製筒状基体
に、グロ−放電プラズマCVD法によりアモルファスシ
リコン膜を成膜形成したことを特徴とするものである。
【0011】図1に、本発明の第1のテーパー面と第2
のテーパー面を形成した、アルミニウムあるいはその合
金からなる筒状基体の端部形状を示す。同図中の(a)
はグロ−放電プラズマCVD法によるa−Si系膜の成
膜前の筒状基体の端部形状を示し、(b)は成膜後の筒
状基体の端部形状を示している。同図において17は第
1のテーパー面(以下、A面という)であり、18は第
2のテーパー面(以下、B面という)である。
のテーパー面を形成した、アルミニウムあるいはその合
金からなる筒状基体の端部形状を示す。同図中の(a)
はグロ−放電プラズマCVD法によるa−Si系膜の成
膜前の筒状基体の端部形状を示し、(b)は成膜後の筒
状基体の端部形状を示している。同図において17は第
1のテーパー面(以下、A面という)であり、18は第
2のテーパー面(以下、B面という)である。
【0012】図1(a)に示したように、A面17は、
筒状基体1の端部より中央に向かって−0.1〜−2.
0度の傾斜で直径が減少するように、軸方向に3〜10
mmの長さで形成される。またB面18は、A面17に
連続して、中央に向かって1.0〜3.0度の傾斜で直
径が増大するように、軸方向に3〜10mmの長さで形
成される。そしてA面17の軸方向の長さは、B面18
の長さより長く形成される。B面18の最終の直径は、
感光体として使用する際に画像が形成される表面とな
る、筒状基体1の被画像形成部の直径すなわち外径に等
しくなるように、連続的に形成されるが、A面17の端
部の直径は、必ずしも筒状基体1の上記被画像形成部の
直径と一致していなくてもよい。
筒状基体1の端部より中央に向かって−0.1〜−2.
0度の傾斜で直径が減少するように、軸方向に3〜10
mmの長さで形成される。またB面18は、A面17に
連続して、中央に向かって1.0〜3.0度の傾斜で直
径が増大するように、軸方向に3〜10mmの長さで形
成される。そしてA面17の軸方向の長さは、B面18
の長さより長く形成される。B面18の最終の直径は、
感光体として使用する際に画像が形成される表面とな
る、筒状基体1の被画像形成部の直径すなわち外径に等
しくなるように、連続的に形成されるが、A面17の端
部の直径は、必ずしも筒状基体1の上記被画像形成部の
直径と一致していなくてもよい。
【0013】
【作用】図1(a)のようにA面17とB面18の2つ
のテーパー面が順次形成された基体端部は、グロ−放電
プラズマCVD法によるa−Si系膜の成膜後、a−S
i系膜の膜応力によって図1(b)に示すように収縮す
る。そのため、A面17の端部すなわち直径の大きい部
分が収縮して、直径の小さい部分と直径がほぼ等しくな
り、A面17は一定の直径を持つ円筒形状となる。従っ
て、この成膜後のA面17に電子写真装置の現像器のコ
ロを当接させることにより、ドラムへのコロの接触が安
定し、現像器のスリーブとドラムとの間隔を一定に保持
して位置決めすることができる。また同様にして、電子
写真装置側の各プロセス機器の位置決めにも利用するこ
とができる。このように、収縮後のA面17は、電子写
真装置側の各プロセス機器の位置決めに利用できればよ
いので、その直径は必ずしも筒状基体1の被画像形成部
の直径と一致していなくてもよい。
のテーパー面が順次形成された基体端部は、グロ−放電
プラズマCVD法によるa−Si系膜の成膜後、a−S
i系膜の膜応力によって図1(b)に示すように収縮す
る。そのため、A面17の端部すなわち直径の大きい部
分が収縮して、直径の小さい部分と直径がほぼ等しくな
り、A面17は一定の直径を持つ円筒形状となる。従っ
て、この成膜後のA面17に電子写真装置の現像器のコ
ロを当接させることにより、ドラムへのコロの接触が安
定し、現像器のスリーブとドラムとの間隔を一定に保持
して位置決めすることができる。また同様にして、電子
写真装置側の各プロセス機器の位置決めにも利用するこ
とができる。このように、収縮後のA面17は、電子写
真装置側の各プロセス機器の位置決めに利用できればよ
いので、その直径は必ずしも筒状基体1の被画像形成部
の直径と一致していなくてもよい。
【0014】また、A面17と筒状基体1の被画像形成
部との間に、連続した面としてB面18を形成したこと
により、筒状基体1の外周面に段差形状を生じなくなっ
たので、基体円筒面とテーパー面との接合部に生じた段
差よりa−Si膜が剥離して光導電層中に成膜欠陥を発
生させることもなくなった。従って、a−Si光導電層
の膜厚を厚くしてa−Si感光体ドラムを作製しても、
成膜欠陥に起因する画像欠陥の増加を抑制でき、優れた
画像品質のa−Si感光体ドラムを得ることができた。
部との間に、連続した面としてB面18を形成したこと
により、筒状基体1の外周面に段差形状を生じなくなっ
たので、基体円筒面とテーパー面との接合部に生じた段
差よりa−Si膜が剥離して光導電層中に成膜欠陥を発
生させることもなくなった。従って、a−Si光導電層
の膜厚を厚くしてa−Si感光体ドラムを作製しても、
成膜欠陥に起因する画像欠陥の増加を抑制でき、優れた
画像品質のa−Si感光体ドラムを得ることができた。
【0015】
【実施例】以下、実施例を具体的に示す。 〔例1〕直径100mm、長さ364mm、肉厚4mm
のアルミニウム製筒状基体に対して、まず端部から5m
mまでの内周面に2mmの深さのインロー加工を施し、
その部分の肉厚を2mmとした。次に、基体外周面の端
部から中央に向けて、−1.1度の傾斜を持つA面を7
mmの長さで形成し、続けて中央に向けて3.0度の傾
斜を持つB面を4mmの長さで形成して、基体の被画像
形成部と連続するテーパー面を形成した。そして、基体
の被画像形成部を鏡面状態に仕上げ加工し、図4のグロ
−放電分解装置6にセットして、表1の成膜条件で、図
3に示す層構成のa−Si感光体ドラムAを作製した。
のアルミニウム製筒状基体に対して、まず端部から5m
mまでの内周面に2mmの深さのインロー加工を施し、
その部分の肉厚を2mmとした。次に、基体外周面の端
部から中央に向けて、−1.1度の傾斜を持つA面を7
mmの長さで形成し、続けて中央に向けて3.0度の傾
斜を持つB面を4mmの長さで形成して、基体の被画像
形成部と連続するテーパー面を形成した。そして、基体
の被画像形成部を鏡面状態に仕上げ加工し、図4のグロ
−放電分解装置6にセットして、表1の成膜条件で、図
3に示す層構成のa−Si感光体ドラムAを作製した。
【0016】
【表1】
【0017】このa−Si感光体ドラムAの端部から2
mmから9mmの直径を、レーザースキャンマイクロメ
ーターを用いて測定し、端部形状の状態を調べた。測定
結果を図2に示す。図2は、横軸にドラム基体端部から
の距離xをとり、縦軸にドラム基体の直径dをとって測
定結果をプロットした線図であり、a−Si感光体ドラ
ムAの結果は同図中Aで示す。図中のLは、電子写真装
置の中で現像器のコロが当接する位置を示しており、本
実験では2〜6mmの設定であった。
mmから9mmの直径を、レーザースキャンマイクロメ
ーターを用いて測定し、端部形状の状態を調べた。測定
結果を図2に示す。図2は、横軸にドラム基体端部から
の距離xをとり、縦軸にドラム基体の直径dをとって測
定結果をプロットした線図であり、a−Si感光体ドラ
ムAの結果は同図中Aで示す。図中のLは、電子写真装
置の中で現像器のコロが当接する位置を示しており、本
実験では2〜6mmの設定であった。
【0018】図2のAより分かるように、a−Si感光
体ドラムAの成膜後のA面はほぼ円筒形状となってお
り、コロの当接位置範囲内(端部より2〜6mm)での
直径差は、0.03mmと小さなものであった。このド
ラムAを電子写真装置にセットして画像評価したとこ
ろ、現像器のコロの当接が安定しており、画像濃度のム
ラや解像力のムラのない良好な画像が得られた。また、
A面およびB面と基体中央部は、連続した面となって段
差がついておらず、a−Si膜の剥離や、それに起因す
る光導電層中の成膜欠陥も見られなかった。
体ドラムAの成膜後のA面はほぼ円筒形状となってお
り、コロの当接位置範囲内(端部より2〜6mm)での
直径差は、0.03mmと小さなものであった。このド
ラムAを電子写真装置にセットして画像評価したとこ
ろ、現像器のコロの当接が安定しており、画像濃度のム
ラや解像力のムラのない良好な画像が得られた。また、
A面およびB面と基体中央部は、連続した面となって段
差がついておらず、a−Si膜の剥離や、それに起因す
る光導電層中の成膜欠陥も見られなかった。
【0019】〔例2〕〔例1〕と同じ直径100mm、
長さ364mm、肉厚4mmのアルミニウム製筒状基体
に対して、まず端部から5mmまでの内周面に2mmの
深さのインロー加工を施し、その部分の肉厚を2mmと
した。次に、基体外周面の端部にテーパー面を形成せず
に基体の被画像形成部を鏡面状態に仕上げ加工し、図4
のグロ−放電分解装置6にセットして、表1の成膜条件
で、図3に示す層構成のa−Si感光体ドラムBを作製
した。
長さ364mm、肉厚4mmのアルミニウム製筒状基体
に対して、まず端部から5mmまでの内周面に2mmの
深さのインロー加工を施し、その部分の肉厚を2mmと
した。次に、基体外周面の端部にテーパー面を形成せず
に基体の被画像形成部を鏡面状態に仕上げ加工し、図4
のグロ−放電分解装置6にセットして、表1の成膜条件
で、図3に示す層構成のa−Si感光体ドラムBを作製
した。
【0020】このa−Si感光体ドラムBの端部から2
mmから9mmの直径を、〔例1〕と同様に測定し、端
部形状の状態を調べた。測定結果を図2のBに示す。こ
れより分かるように、a−Si感光体ドラムBの成膜後
の端部は、端部に向かって直径が小さくなっており、コ
ロの当接位置範囲内(端部より2〜6mm)での直径差
は、0.22mmとドラムAに比べて大きなものであっ
た。そのため、このドラムBを電子写真装置にセットし
て画像評価したところ、現像器のコロの当接が不安定な
ため、画像濃度のムラや解像力のムラを生じていた。
mmから9mmの直径を、〔例1〕と同様に測定し、端
部形状の状態を調べた。測定結果を図2のBに示す。こ
れより分かるように、a−Si感光体ドラムBの成膜後
の端部は、端部に向かって直径が小さくなっており、コ
ロの当接位置範囲内(端部より2〜6mm)での直径差
は、0.22mmとドラムAに比べて大きなものであっ
た。そのため、このドラムBを電子写真装置にセットし
て画像評価したところ、現像器のコロの当接が不安定な
ため、画像濃度のムラや解像力のムラを生じていた。
【0021】〔例3〕〔例1〕と同様にa−Si感光体
ドラムを作製するに当たって、基体外周面の端部から中
央に向けて、−1.1度の傾斜を持つA面のみを7mm
の長さで形成し、基体の被画像形成部と連続するテーパ
ー面として、B面を形成しない基体とした。そして、基
体の被画像形成部を鏡面状態に仕上げ加工し、図4のグ
ロ−放電分解装置6にセットして、表1の成膜条件で、
図3に示す層構成のa−Si感光体ドラムCを作製し
た。
ドラムを作製するに当たって、基体外周面の端部から中
央に向けて、−1.1度の傾斜を持つA面のみを7mm
の長さで形成し、基体の被画像形成部と連続するテーパ
ー面として、B面を形成しない基体とした。そして、基
体の被画像形成部を鏡面状態に仕上げ加工し、図4のグ
ロ−放電分解装置6にセットして、表1の成膜条件で、
図3に示す層構成のa−Si感光体ドラムCを作製し
た。
【0022】このa−Si感光体ドラムCの端部から2
mmから9mmの直径を、〔例1〕と同様に測定し、端
部形状の状態を調べたところ、コロの当接位置範囲内
(端部より2〜6mm)での直径差は、例1と同様に
0.03mmと小さなものであった。しかし、A面と基
体中央部との接合部に段差が生じているため、段差部す
なわちテーパー端部でのa−Si膜の剥離が発生してお
り、それに起因する光導電層中の成膜欠陥も見られたた
め、画像評価においてその成膜欠陥による画像欠陥が発
生し、不良な結果であった。
mmから9mmの直径を、〔例1〕と同様に測定し、端
部形状の状態を調べたところ、コロの当接位置範囲内
(端部より2〜6mm)での直径差は、例1と同様に
0.03mmと小さなものであった。しかし、A面と基
体中央部との接合部に段差が生じているため、段差部す
なわちテーパー端部でのa−Si膜の剥離が発生してお
り、それに起因する光導電層中の成膜欠陥も見られたた
め、画像評価においてその成膜欠陥による画像欠陥が発
生し、不良な結果であった。
【0023】〔例4〕〔例1〕と同様にしてa−Si感
光体ドラムを作製するに当たって、A面とB面の傾斜お
よび長さを表2に示すように変化させて、a−Si感光
体ドラムD〜Lを作製した。そして、〔例1〕と同様に
端部の直径を測定し、それらの結果も表2にまとめた。
測定結果は、コロの当接位置範囲内(端部より2〜6m
m)での直径差で示し、0.05mm以下を良好として
○で表わし、それを越えるものは不良として×で表わし
た。
光体ドラムを作製するに当たって、A面とB面の傾斜お
よび長さを表2に示すように変化させて、a−Si感光
体ドラムD〜Lを作製した。そして、〔例1〕と同様に
端部の直径を測定し、それらの結果も表2にまとめた。
測定結果は、コロの当接位置範囲内(端部より2〜6m
m)での直径差で示し、0.05mm以下を良好として
○で表わし、それを越えるものは不良として×で表わし
た。
【0024】
【表2】
【0025】表2より分かるように、A面の傾斜が−
0.1〜−2.0度で長さが3〜10mmであり、B面
の傾斜が1.0〜3.0度で長さが3〜10mmであっ
て、A面の長さがB面の長さより長い場合に、良好な結
果となった。
0.1〜−2.0度で長さが3〜10mmであり、B面
の傾斜が1.0〜3.0度で長さが3〜10mmであっ
て、A面の長さがB面の長さより長い場合に、良好な結
果となった。
【0026】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体の製法により、
特に基体端部の形状をA面とB面の2つのテーパー面と
することによって、a−Si膜の成膜による基体端部の
収縮による変形を補正でき、寸法精度の良好なa−Si
感光体ドラムを提供することができた。すなわち、成膜
後の基体端部が収縮によってテーパー状となるのを補正
し、端部においても寸法精度の良好な円筒面が得られ
た。従って、この円筒面に電子写真装置の現像器などの
コロを当接させることにより、プロセス側の機器の位置
決めが安定して行なえる。また、端部の形状を連続した
テーパー面とすることにより接合部での段差をなくし、
段差部で生じる膜剥離を抑制して,成膜欠陥の発生も抑
制することができた。さらに本発明の製法においては、
上記補正について、成膜前の基体加工で対応でき、製造
上簡便に採用できる。
特に基体端部の形状をA面とB面の2つのテーパー面と
することによって、a−Si膜の成膜による基体端部の
収縮による変形を補正でき、寸法精度の良好なa−Si
感光体ドラムを提供することができた。すなわち、成膜
後の基体端部が収縮によってテーパー状となるのを補正
し、端部においても寸法精度の良好な円筒面が得られ
た。従って、この円筒面に電子写真装置の現像器などの
コロを当接させることにより、プロセス側の機器の位置
決めが安定して行なえる。また、端部の形状を連続した
テーパー面とすることにより接合部での段差をなくし、
段差部で生じる膜剥離を抑制して,成膜欠陥の発生も抑
制することができた。さらに本発明の製法においては、
上記補正について、成膜前の基体加工で対応でき、製造
上簡便に採用できる。
【図1】筒状基体の端部形状を示す図である。
【図2】成膜後の筒状基体の端部における直径の変化を
示す線図である。
示す線図である。
【図3】a−Si感光体の層構成を示す断面図である。
【図4】グロ−放電分解装置の構成を示す概略図であ
る。
る。
【符号の説明】 1・・・筒状基体 3・・・第1のa−Si系光導電層 6・・・グロ−放電分解装置 17・・第1のテーパー面 18・・第2のテーパー面
Claims (1)
- 【請求項1】 3mm乃至10mmの幅の全周に亘って
−0.1度乃至−2.0度の傾斜を有する第1のテーパ
ー面と、該第1のテーパー面より短い幅に亘って1.0
度乃至3.0度の傾斜を有する第2のテーパー面とが、
その端部より順次形成されたアルミニウム製筒状基体
に、グロー放電プラズマCVD法によりアモルファスシ
リコン膜を成膜形成したことを特徴とする電子写真感光
体の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12684993A JPH06337534A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 電子写真感光体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12684993A JPH06337534A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 電子写真感光体の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06337534A true JPH06337534A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14945383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12684993A Pending JPH06337534A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 電子写真感光体の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06337534A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0987603A1 (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and image forming apparatus |
JP2009169428A (ja) * | 2009-04-17 | 2009-07-30 | Kyocera Corp | 画像形成装置 |
US8057975B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-11-15 | Kyocera Corporation | Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus having same |
US8295732B2 (en) * | 2006-06-30 | 2012-10-23 | Kyocera Corporation | Electrophotographic photosensitive member and method of producing the same |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP12684993A patent/JPH06337534A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0987603A1 (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and image forming apparatus |
US8295732B2 (en) * | 2006-06-30 | 2012-10-23 | Kyocera Corporation | Electrophotographic photosensitive member and method of producing the same |
US8057975B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-11-15 | Kyocera Corporation | Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus having same |
JP2009169428A (ja) * | 2009-04-17 | 2009-07-30 | Kyocera Corp | 画像形成装置 |
JP4531105B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2010-08-25 | 京セラ株式会社 | 画像形成装置 |
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