JPH06334057A - セラミックと金属リードとの接合構造及びその形成方法 - Google Patents
セラミックと金属リードとの接合構造及びその形成方法Info
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- JPH06334057A JPH06334057A JP12610993A JP12610993A JPH06334057A JP H06334057 A JPH06334057 A JP H06334057A JP 12610993 A JP12610993 A JP 12610993A JP 12610993 A JP12610993 A JP 12610993A JP H06334057 A JPH06334057 A JP H06334057A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
Abstract
(57)【要約】
【目的】 接合強度が大きく、しかもメニスカスが小さ
く、更に面取加工における問題も解消できるセラミック
と金属リードとの接合構造及びその形成方法を提供する
こと。 【構成】 セラミックスと金属リードとの接合構造は、
ＡｌＮのセラミックス基板１とＦｅ−Ｎｉ合金のリード
材２とを、ＢＡｇ−８のロー材３にて接合したものであ
る。セラミックス基板１の角部には、Ｃ面取加工によっ
て、Ｃ面取寸法０．１〜０．３mmの範囲のＣ面取部５が
形成してあり、このＣ面取部５を覆う様にメタライズ層
６が形成してある。更に、Ｃ面取部５とリード材２との
間に形成された空間（ロー溜り）７には、多くのロー材
２が配置されており、このロー材２によって強固な接合
が行われる。
く、更に面取加工における問題も解消できるセラミック
と金属リードとの接合構造及びその形成方法を提供する
こと。 【構成】 セラミックスと金属リードとの接合構造は、
ＡｌＮのセラミックス基板１とＦｅ−Ｎｉ合金のリード
材２とを、ＢＡｇ−８のロー材３にて接合したものであ
る。セラミックス基板１の角部には、Ｃ面取加工によっ
て、Ｃ面取寸法０．１〜０．３mmの範囲のＣ面取部５が
形成してあり、このＣ面取部５を覆う様にメタライズ層
６が形成してある。更に、Ｃ面取部５とリード材２との
間に形成された空間（ロー溜り）７には、多くのロー材
２が配置されており、このロー材２によって強固な接合
が行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばトランジスタ用
パッケージにトランジスタをマウントする際等に使用さ
れるセラミックと金属リードとの接合構造及びその形成
方法に関するものである。
パッケージにトランジスタをマウントする際等に使用さ
れるセラミックと金属リードとの接合構造及びその形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミック基板と金属リード
（リード材）との接合には、ロー材が使用されている。
このセラミック基板とリード材との接合強度は、セラミ
ック基板そのものの強度に大きく左右されるが、それ以
外にも、セラミック基板の端部の形状に大きく影響され
る。
（リード材）との接合には、ロー材が使用されている。
このセラミック基板とリード材との接合強度は、セラミ
ック基板そのものの強度に大きく左右されるが、それ以
外にも、セラミック基板の端部の形状に大きく影響され
る。
【０００３】例えば、従来では、セラミック基板にリー
ド材をロー付けする際に、セラミック基板の端部の角部
に、バレル研磨などによってＲ面取加工を施してＲ面取
部を形成しているが、このＲ面取部の大きさ等によって
接合強度が変化する。このＲ面取加工を施した基板と
は、図４に示す様に、セラミック基板Ｐ１の端部の角部
を（外側に凸に）丸める様に加工したもので、このＲ面
取加工を施したセラミック基板Ｐ１を使用すると、セラ
ミック基板Ｐ１とリード材Ｐ２とに間にロー溜りＰ３が
形成されるので、接合強度が大きく向上する。
ド材をロー付けする際に、セラミック基板の端部の角部
に、バレル研磨などによってＲ面取加工を施してＲ面取
部を形成しているが、このＲ面取部の大きさ等によって
接合強度が変化する。このＲ面取加工を施した基板と
は、図４に示す様に、セラミック基板Ｐ１の端部の角部
を（外側に凸に）丸める様に加工したもので、このＲ面
取加工を施したセラミック基板Ｐ１を使用すると、セラ
ミック基板Ｐ１とリード材Ｐ２とに間にロー溜りＰ３が
形成されるので、接合強度が大きく向上する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たバレル研磨加工では、研磨に使用するメディア等の特
性上あまり大きなＲ面取加工ができないので、小さなＲ
面取部Ｐ４にてセラミック基板Ｐ１とリード材Ｐ２とを
接合しなければならないという問題があった。
たバレル研磨加工では、研磨に使用するメディア等の特
性上あまり大きなＲ面取加工ができないので、小さなＲ
面取部Ｐ４にてセラミック基板Ｐ１とリード材Ｐ２とを
接合しなければならないという問題があった。
【０００５】つまり、接合強度を一定以上確保するため
には、接合に十分な量のロー材Ｐ５を使用しなければな
らないが、Ｒ面取部Ｐ４が小さいと、ロー付けの際にロ
ー材Ｐ５がはみ出して、（セラミック基板１より外側に
突出する）メニスカスＰ６の寸法（メニスカスサイズ）
が大きくなり過ぎるので、寸法精度に問題が生じてしま
うことがあった。具体的には、ロー付け後のセラミック
基板Ｐ１を他の部材に組み付けたり、或はセラミック基
板Ｐ１に他の部材を取り付ける際に、この大きなメニス
カスＰ６が邪魔になって、精度良く組み付けられないと
いう問題があった。
には、接合に十分な量のロー材Ｐ５を使用しなければな
らないが、Ｒ面取部Ｐ４が小さいと、ロー付けの際にロ
ー材Ｐ５がはみ出して、（セラミック基板１より外側に
突出する）メニスカスＰ６の寸法（メニスカスサイズ）
が大きくなり過ぎるので、寸法精度に問題が生じてしま
うことがあった。具体的には、ロー付け後のセラミック
基板Ｐ１を他の部材に組み付けたり、或はセラミック基
板Ｐ１に他の部材を取り付ける際に、この大きなメニス
カスＰ６が邪魔になって、精度良く組み付けられないと
いう問題があった。
【０００６】この対策として、ロー材Ｐ５の使用量を低
減することが考えられるが、減らしすぎると接合強度が
弱くなる可能性があるので好ましくない。また、前記問
題以外にも、Ｒ面取加工は時間がかかり過ぎ、しかも加
工中にセラミック基板Ｐ１が破損することがあり、歩留
りが悪いという問題があった。
減することが考えられるが、減らしすぎると接合強度が
弱くなる可能性があるので好ましくない。また、前記問
題以外にも、Ｒ面取加工は時間がかかり過ぎ、しかも加
工中にセラミック基板Ｐ１が破損することがあり、歩留
りが悪いという問題があった。
【０００７】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れ、接合強度が大きく、しかもメニスカスが小さく、更
に面取加工における問題も解消できるセラミックと金属
リードとの接合構造及びその形成方法を提供することを
目的とする。
れ、接合強度が大きく、しかもメニスカスが小さく、更
に面取加工における問題も解消できるセラミックと金属
リードとの接合構造及びその形成方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の請求項１の発明は、セラミック基板に金属リードをロ
ー材を用いて接合したセラミックと金属リードとの接合
構造において、セラミック基板の端部の角部にて、平面
状に傾斜して面取された面取部又は内側に凹んだ形状に
面取された面取部と、該面取部の表面に形成されたメタ
ライズ層と、該メタライズ層と前記金属リードとの間に
設けられたロー溜りのロー材と、を備えていることを特
徴とするセラミックと金属リードとの接合構造を要旨と
する。
の請求項１の発明は、セラミック基板に金属リードをロ
ー材を用いて接合したセラミックと金属リードとの接合
構造において、セラミック基板の端部の角部にて、平面
状に傾斜して面取された面取部又は内側に凹んだ形状に
面取された面取部と、該面取部の表面に形成されたメタ
ライズ層と、該メタライズ層と前記金属リードとの間に
設けられたロー溜りのロー材と、を備えていることを特
徴とするセラミックと金属リードとの接合構造を要旨と
する。
【０００９】請求項２の発明は、前記面取部が、Ｃ面取
部であることを特徴とする前記請求項１記載のセラミッ
クと金属リードとの接合構造を要旨とする。請求項３の
発明は、前記Ｃ面取部の寸法が、０．１〜０．３mmであ
ることを特徴とする前記請求項２記載のセラミックと金
属リードとの接合構造を要旨とする。
部であることを特徴とする前記請求項１記載のセラミッ
クと金属リードとの接合構造を要旨とする。請求項３の
発明は、前記Ｃ面取部の寸法が、０．１〜０．３mmであ
ることを特徴とする前記請求項２記載のセラミックと金
属リードとの接合構造を要旨とする。
【００１０】請求項４の発明は、前記請求項１ないし請
求項３のいずれか記載のセラミックと金属リードとの接
合構造の形成方法であって、セラミック基板にＣ面取加
工を施してＣ面取部を形成した後に、該Ｃ面取部にメタ
ライズを施してメタライズ層を形成し、次に該Ｃ面取部
のメタライズ層と金属リードとの間に加熱溶融したロー
材によってロー溜りを形成し、その後該ロー溜りのロー
材を冷却して前記セラミック基板と金属リードとを接合
することを特徴とするセラミックと金属リードとの接合
構造の形成方法を要旨とする。
求項３のいずれか記載のセラミックと金属リードとの接
合構造の形成方法であって、セラミック基板にＣ面取加
工を施してＣ面取部を形成した後に、該Ｃ面取部にメタ
ライズを施してメタライズ層を形成し、次に該Ｃ面取部
のメタライズ層と金属リードとの間に加熱溶融したロー
材によってロー溜りを形成し、その後該ロー溜りのロー
材を冷却して前記セラミック基板と金属リードとを接合
することを特徴とするセラミックと金属リードとの接合
構造の形成方法を要旨とする。
【００１１】ここで、前記セラミック基板の素材として
は、例えばＡｌＮ，アルミナ，ムライト，Ｓｉ3Ｎ4，ベ
リリヤ等が挙げられる。また、前記金属リードの素材と
しては、例えばＦｅ−４２重量％Ｎｉ合金，コバール等
が挙げられる。
は、例えばＡｌＮ，アルミナ，ムライト，Ｓｉ3Ｎ4，ベ
リリヤ等が挙げられる。また、前記金属リードの素材と
しては、例えばＦｅ−４２重量％Ｎｉ合金，コバール等
が挙げられる。
【００１２】前記メタライズ層の組成としては、耐熱性
に優れたＭｏ−Ｍｎ系もしくはＷ系の厚膜メタライズ
や、Ｔｉ−Ｍｏ系の薄膜メタライズ等が挙げられる。前
記ロー材の種類としては、Ｃｕ−７２重量％ＡｇのＢＡ
ｇ−８，１０重量％Ｉｎ−２５重量％Ｃｕ−Ａｇ等が挙
げられる。
に優れたＭｏ−Ｍｎ系もしくはＷ系の厚膜メタライズ
や、Ｔｉ−Ｍｏ系の薄膜メタライズ等が挙げられる。前
記ロー材の種類としては、Ｃｕ−７２重量％ＡｇのＢＡ
ｇ−８，１０重量％Ｉｎ−２５重量％Ｃｕ−Ａｇ等が挙
げられる。
【００１３】尚、前記メタライズ層の表面には、ロー付
け性を向上させるために、例えばＮｉメッキ層等を設け
ることが好ましい。
け性を向上させるために、例えばＮｉメッキ層等を設け
ることが好ましい。
【００１４】
【作用】本発明では、セラミック基板に金属リードをロ
ー付けする際には、セラミック基板の端部の角部に所定
形状の面取部を形成したものを使用している。具体的に
は、平面状に傾斜して面取された面取部又は内側に凹ん
だ形状（凹状）に面取された面取部を備えたセラミック
基板を使用している。従って、金属リードを取り付ける
際のロー材の溜る部分が大きくなり、接合に十分な量の
ロー材を使用することができるので、接合強度が向上す
る。
ー付けする際には、セラミック基板の端部の角部に所定
形状の面取部を形成したものを使用している。具体的に
は、平面状に傾斜して面取された面取部又は内側に凹ん
だ形状（凹状）に面取された面取部を備えたセラミック
基板を使用している。従って、金属リードを取り付ける
際のロー材の溜る部分が大きくなり、接合に十分な量の
ロー材を使用することができるので、接合強度が向上す
る。
【００１５】また、ロー材の溜る部分が大きいので、接
合に十分な量のロー材を使用してもメニスカスは小さく
なり、よって寸法精度を向上することが可能である。特
に、セラミック基板の角部にＣ面取加工を施してＣ面取
部を形成する場合には、従来のＲ面取加工に比べて、接
合強度が向上するだけでなく、加工の歩留りも高く、し
かも面取の寸法の自由度が大きくなる。
合に十分な量のロー材を使用してもメニスカスは小さく
なり、よって寸法精度を向上することが可能である。特
に、セラミック基板の角部にＣ面取加工を施してＣ面取
部を形成する場合には、従来のＲ面取加工に比べて、接
合強度が向上するだけでなく、加工の歩留りも高く、し
かも面取の寸法の自由度が大きくなる。
【００１６】
【実施例】以上説明した本発明の構成・作用を一層明ら
かにするために、以下本発明の好適な実施例について説
明する。図１に示す様に、本実施例のセラミックスと金
属リードとの接合構造は、ＡｌＮからなるセラミックス
基板１とＦｅ−４２重量％Ｎｉ合金からなるリード材２
とを、Ｃｕ−７２重量％Ａｇ（ＢＡｇ−８）からなるロ
ー材３にて接合したものである。
かにするために、以下本発明の好適な実施例について説
明する。図１に示す様に、本実施例のセラミックスと金
属リードとの接合構造は、ＡｌＮからなるセラミックス
基板１とＦｅ−４２重量％Ｎｉ合金からなるリード材２
とを、Ｃｕ−７２重量％Ａｇ（ＢＡｇ−８）からなるロ
ー材３にて接合したものである。
【００１７】前記セラミックス基板１の端部の角部に
は、Ｃ面取加工によって、Ｃ面取寸法（縦・横の長さ）
０．１〜０．３mmの範囲のＣ面取部５が形成してあり、
このＣ面取部５を覆う様にメタライズ層６が形成してあ
る。具体的には、Ｃ面取部５の表面に加え、Ｃ面取部５
の両側のセラミックス基板側面１ａの一部と上面１ｂの
一部に、厚さ約１０μmのメタライズ層６が形成してあ
る。
は、Ｃ面取加工によって、Ｃ面取寸法（縦・横の長さ）
０．１〜０．３mmの範囲のＣ面取部５が形成してあり、
このＣ面取部５を覆う様にメタライズ層６が形成してあ
る。具体的には、Ｃ面取部５の表面に加え、Ｃ面取部５
の両側のセラミックス基板側面１ａの一部と上面１ｂの
一部に、厚さ約１０μmのメタライズ層６が形成してあ
る。
【００１８】更に、Ｃ面取部５とリード材２との間に形
成された断面略三角形状の空間（ロー溜り）７には、多
くのロー材２が配置されており、場合によっては、若干
のメニスカス８が形成されていることがある。次に、本
実施例のセラミックスと金属リードとの接合構造の形成
方法について、図２に基づいて説明する。
成された断面略三角形状の空間（ロー溜り）７には、多
くのロー材２が配置されており、場合によっては、若干
のメニスカス８が形成されていることがある。次に、本
実施例のセラミックスと金属リードとの接合構造の形成
方法について、図２に基づいて説明する。
【００１９】まず、図２（ａ）に示す様に、焼成した
セラミック基板１の表面を、ダイス１０で切削して線状
の溝１１を形成する。このダイス１０の先端は略Ｖ字状
であるので、溝１１の断面形状もＶ字状になる。よっ
て、この溝１１の中央で切断すると、図２（ｂ）に示す
様に、上述したＣ面取寸法のＣ面取部５を備えたセラミ
ック基板１が形成される。
セラミック基板１の表面を、ダイス１０で切削して線状
の溝１１を形成する。このダイス１０の先端は略Ｖ字状
であるので、溝１１の断面形状もＶ字状になる。よっ
て、この溝１１の中央で切断すると、図２（ｂ）に示す
様に、上述したＣ面取寸法のＣ面取部５を備えたセラミ
ック基板１が形成される。
【００２０】次に、図２（ｃ）に示す様に、このセラ
ミック基板１のＣ面取部５及びその周囲に、（基板上面
１ｂにおける）スクリーン印刷及び（Ｃ面取部５及び基
板側面１ａにおける）タンポ印刷によってメタライズペ
ーストを塗布し、常法によって加熱してメタライズ層６
を形成する。尚、このメタライズ層６の寸法は、接合す
るリード材２の寸法（幅３．０５mm×ロー付け部分の奥
行き０．９７５mm）に合わせて、同様に幅３．０５mm×
奥行き０．９７５mmとされている。
ミック基板１のＣ面取部５及びその周囲に、（基板上面
１ｂにおける）スクリーン印刷及び（Ｃ面取部５及び基
板側面１ａにおける）タンポ印刷によってメタライズペ
ーストを塗布し、常法によって加熱してメタライズ層６
を形成する。尚、このメタライズ層６の寸法は、接合す
るリード材２の寸法（幅３．０５mm×ロー付け部分の奥
行き０．９７５mm）に合わせて、同様に幅３．０５mm×
奥行き０．９７５mmとされている。
【００２１】次に、このメタライズ層６の表面にＮｉ
メッキを施して、厚さ１．５μmのＮｉメッキ層（図示
せず）を形成する。 次に、上述したＮｉメッキ層及びメタライズ層６を備
えたセラミック基板１とリード材２との間に、幅３．４
５mm×奥行き１．００mm×厚さ３０μmのロー材３を配
置して治具で固定し、８７０℃で加熱した後に冷却し
て、図２（ｄ）に示す様に、セラミック基板１とリード
材２との接合を完了する。
メッキを施して、厚さ１．５μmのＮｉメッキ層（図示
せず）を形成する。 次に、上述したＮｉメッキ層及びメタライズ層６を備
えたセラミック基板１とリード材２との間に、幅３．４
５mm×奥行き１．００mm×厚さ３０μmのロー材３を配
置して治具で固定し、８７０℃で加熱した後に冷却し
て、図２（ｄ）に示す様に、セラミック基板１とリード
材２との接合を完了する。
【００２２】この様にして形成された本実施例のセラミ
ックと金属リードとの接合構造は、従来のＲ面取加工に
よって形成されたものと比較して、その接合強度が大き
いという顕著な特徴がある。また、接合強度が大きいに
もかかわらず、ロー溜り７の部分が大きいのでメニスカ
ス８を小さくすることができ、よって他の部材を取り付
ける際等の寸法精度を向上することができる。
ックと金属リードとの接合構造は、従来のＲ面取加工に
よって形成されたものと比較して、その接合強度が大き
いという顕著な特徴がある。また、接合強度が大きいに
もかかわらず、ロー溜り７の部分が大きいのでメニスカ
ス８を小さくすることができ、よって他の部材を取り付
ける際等の寸法精度を向上することができる。
【００２３】更に、本実施例では、Ｃ面取加工を施して
Ｃ面取部５を形成しているので、従来のＲ面取加工より
も容易に大きな面取部分を形成でき、しかも加工歩留り
も殆ど１００％と極めて高く、その上面取寸法の自由度
も大きいという利点がある。次に、本実施例の効果を確
認した実験例について説明する。 （実験例）この実験では、上述した実施例の形成方法
で、Ｃ面取寸法を０．１〜０．３mmの範囲で変えてセラ
ミックと金属リードとの接合構造の試料（試料No.１〜
３）を各々２０個形成し、そのリード引張強度（平均，
最小値，最大値）の測定とメニスカスサイズ（図１参
照）の測定と全体的な評価とを行った。また、比較例と
して、面取処理を行わないもの（試料No.４）とＲ面取
加工を行ったもの（試料No.５）とを同じく２０個づつ
形成し、同様な測定と評価を行った。その実験条件と測
定結果とを下記表１に記す。
Ｃ面取部５を形成しているので、従来のＲ面取加工より
も容易に大きな面取部分を形成でき、しかも加工歩留り
も殆ど１００％と極めて高く、その上面取寸法の自由度
も大きいという利点がある。次に、本実施例の効果を確
認した実験例について説明する。 （実験例）この実験では、上述した実施例の形成方法
で、Ｃ面取寸法を０．１〜０．３mmの範囲で変えてセラ
ミックと金属リードとの接合構造の試料（試料No.１〜
３）を各々２０個形成し、そのリード引張強度（平均，
最小値，最大値）の測定とメニスカスサイズ（図１参
照）の測定と全体的な評価とを行った。また、比較例と
して、面取処理を行わないもの（試料No.４）とＲ面取
加工を行ったもの（試料No.５）とを同じく２０個づつ
形成し、同様な測定と評価を行った。その実験条件と測
定結果とを下記表１に記す。
【００２４】尚、リード引張強度は、リード材の先端を
上方に曲げ、その屈曲部分を上方に引張った場合の強度
を測定した。また、評価の◎は良，○はやや良，△は本
実施例のレベルには達しないもの，×は不良を意味す
る。
上方に曲げ、その屈曲部分を上方に引張った場合の強度
を測定した。また、評価の◎は良，○はやや良，△は本
実施例のレベルには達しないもの，×は不良を意味す
る。
【００２５】
【表１】
【００２６】この表１から明かな様に、本実施例の試料
No.１〜３のものは、所定寸法のＣ面取加工を施してい
るので、平均のリード引張強度が２．６４kg以上であ
り、しかもメカニカスサイズは０．１８mm以下であり、
強度及び寸法精度の両方に優れているので好適である。
それに対して、比較例の試料No.４のものは、面取りを
施していないのでメニスカスサイズに関しては良いかも
知れないが、平均のリード引張強度が１．０２kgと小さ
く接合強度が弱いので好ましくない。また、比較例の試
料No.５，６のものは、Ｒ面取加工を施している従来例
であるので、平均のリード引張強度が２．３７kg以下と
やや小さく、しかもメカニカスサイズが０．２mm以上と
大きく、強度及び寸法精度の両方において、本実施例も
のより劣っているので好ましくない。
No.１〜３のものは、所定寸法のＣ面取加工を施してい
るので、平均のリード引張強度が２．６４kg以上であ
り、しかもメカニカスサイズは０．１８mm以下であり、
強度及び寸法精度の両方に優れているので好適である。
それに対して、比較例の試料No.４のものは、面取りを
施していないのでメニスカスサイズに関しては良いかも
知れないが、平均のリード引張強度が１．０２kgと小さ
く接合強度が弱いので好ましくない。また、比較例の試
料No.５，６のものは、Ｒ面取加工を施している従来例
であるので、平均のリード引張強度が２．３７kg以下と
やや小さく、しかもメカニカスサイズが０．２mm以上と
大きく、強度及び寸法精度の両方において、本実施例も
のより劣っているので好ましくない。
【００２７】尚、本発明は、上記実施例に何等限定され
ず、本発明の要旨の範囲内において各種の態様で実施で
きることは勿論である。例えば、前記実施例の様に平面
状のＣ面取部５を形成するのではなく、図３に示す様
に、セラミック基板２０の端部の角部に、内側に凹んだ
面取部２１を形成してもよい。
ず、本発明の要旨の範囲内において各種の態様で実施で
きることは勿論である。例えば、前記実施例の様に平面
状のＣ面取部５を形成するのではなく、図３に示す様
に、セラミック基板２０の端部の角部に、内側に凹んだ
面取部２１を形成してもよい。
【００２８】また、前記Ｃ面取寸法は、通常は縦横の長
さが同じであるが、縦横の長さが違っていてもよい。
さが同じであるが、縦横の長さが違っていてもよい。
【００２９】
【発明の効果】請求項１の発明では、セラミック基板に
金属リードをロー付けする際に使用するセラミック基板
として、傾斜した平面状の面取部又は内側に凹んだ形状
の面取部を設けたセラミック基板を使用している。従っ
て、金属リードを取り付ける際のロー材の溜る部分が大
きくなり、必要な量のロー材を使用することができるの
で、接合強度が向上するという顕著な効果がある。
金属リードをロー付けする際に使用するセラミック基板
として、傾斜した平面状の面取部又は内側に凹んだ形状
の面取部を設けたセラミック基板を使用している。従っ
て、金属リードを取り付ける際のロー材の溜る部分が大
きくなり、必要な量のロー材を使用することができるの
で、接合強度が向上するという顕著な効果がある。
【００３０】しかも、本発明では、ロー材の溜る部分が
大きくなるので、十分な量のロー材を使用して接合強度
を向上させた場合でも、メニスカスを小さくすることが
でき、よって寸法精度を向上することができる。特に、
面取部がＣ面取部である場合には、その加工が容易であ
りしかも歩留りが良いという利点があり、更にそのＣ面
取寸法が０．１〜０．３mmの場合には、十分な接合強度
が得られる。
大きくなるので、十分な量のロー材を使用して接合強度
を向上させた場合でも、メニスカスを小さくすることが
でき、よって寸法精度を向上することができる。特に、
面取部がＣ面取部である場合には、その加工が容易であ
りしかも歩留りが良いという利点があり、更にそのＣ面
取寸法が０．１〜０．３mmの場合には、十分な接合強度
が得られる。
【００３１】また、請求項３の発明では、セラミック基
板の角部にＣ面取加工を施してＣ面取部を形成するの
で、従来のＲ面取加工に比べて、接合強度が向上するだ
けでなく、加工が容易でかつ歩留りも高く、しかも面取
の寸法の自由度が大きくなるという効果が得られる。
板の角部にＣ面取加工を施してＣ面取部を形成するの
で、従来のＲ面取加工に比べて、接合強度が向上するだ
けでなく、加工が容易でかつ歩留りも高く、しかも面取
の寸法の自由度が大きくなるという効果が得られる。
【図１】 実施例のセラミック基板とリード板との接合
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
【図２】 実施例のセラミック基板とリード板との接合
構造の形成手順を示す説明図である。
構造の形成手順を示す説明図である。
【図３】 他の実施例のセラミック基板を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】 従来例のセラミック基板とリード板との接合
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
１，２０…セラミック基板 ２…リード材 ３…ロー材 ５…Ｃ面取部 ６…メタライズ層 ７…ロー溜り ８…メニスカス ２１…面取部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｌ
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック基板に金属リードをロー材を
用いて接合したセラミックと金属リードとの接合構造に
おいて、 セラミック基板の端部の角部にて、平面状に傾斜して面
取された面取部又は内側に凹んだ形状に面取された面取
部と、 該面取部の表面に形成されたメタライズ層と、 該メタライズ層と前記金属リードとの間に設けられたロ
ー溜りのロー材と、 を備えていることを特徴とするセラミックと金属リード
との接合構造。 - 【請求項２】 前記面取部が、Ｃ面取部であることを特
徴とする前記請求項１記載のセラミックと金属リードと
の接合構造。 - 【請求項３】 前記Ｃ面取部の寸法が、０．１〜０．３
mmであることを特徴とする前記請求項２記載のセラミッ
クと金属リードとの接合構造。 - 【請求項４】 前記請求項１ないし請求項３のいずれか
記載のセラミックと金属リードとの接合構造の形成方法
であって、 セラミック基板にＣ面取加工を施してＣ面取部を形成し
た後に、該Ｃ面取部にメタライズを施してメタライズ層
を形成し、次に該Ｃ面取部のメタライズ層と金属リード
との間に加熱溶融したロー材によってロー溜りを形成
し、その後該ロー溜りのロー材を冷却して前記セラミッ
ク基板と金属リードとを接合することを特徴とするセラ
ミックと金属リードとの接合構造の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12610993A JP3153672B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | セラミックと金属リードとの接合構造及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12610993A JP3153672B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | セラミックと金属リードとの接合構造及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334057A true JPH06334057A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3153672B2 JP3153672B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=14926852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12610993A Expired - Lifetime JP3153672B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | セラミックと金属リードとの接合構造及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3153672B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201324A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Denso Corp | 電子装置の実装構造および電子部品の実装方法 |
| JP2008184691A (ja) * | 2008-03-26 | 2008-08-14 | Kyocera Corp | 真空容器の覗き窓および真空容器 |
| JP2010067678A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 接合構造体及び半導体素子収納用パッケージ |
| JP2016126849A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ウシオ電機株式会社 | ショートアーク型放電ランプ |
| JP2019068025A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 現代自動車株式会社Ｈｙｕｎｄａｉ Ｍｏｔｏｒ Ｃｏｍｐａｎｙ | 車両用電力モジュール |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP12610993A patent/JP3153672B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3153672B2 (ja) | 2001-04-09 |
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