JPH06334035A - ウエハのダイシング方法 - Google Patents
ウエハのダイシング方法Info
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- JPH06334035A JPH06334035A JP12112193A JP12112193A JPH06334035A JP H06334035 A JPH06334035 A JP H06334035A JP 12112193 A JP12112193 A JP 12112193A JP 12112193 A JP12112193 A JP 12112193A JP H06334035 A JPH06334035 A JP H06334035A
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- Japan
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- wafer
- scribe line
- pattern
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 工程数を増加することなく、ウエハのカッテ
ィング時における汚染を防止することが可能なウエハの
ダイシング方法を提供する。 【構成】 ウエハ１の能動素子面に配設されたスクライ
ブライン９上にスクライブライン感知用パターン６を形
成した後、パターン６をウエハ１の裏面から感知してス
クライブライン９を検出し、検出したスクライブライン
９に基づいてウエハ１を裏面からカッティングする。
ィング時における汚染を防止することが可能なウエハの
ダイシング方法を提供する。 【構成】 ウエハ１の能動素子面に配設されたスクライ
ブライン９上にスクライブライン感知用パターン６を形
成した後、パターン６をウエハ１の裏面から感知してス
クライブライン９を検出し、検出したスクライブライン
９に基づいてウエハ１を裏面からカッティングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハのダイシング方
法に係り、特に、ウエハの切削粉が能動素子面に付着す
ることを防止するウエハのダイシング方法に関する。
法に係り、特に、ウエハの切削粉が能動素子面に付着す
ることを防止するウエハのダイシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウエハのダイシング方法として
は、能動素子面にスクライブラインが配設されたウエハ
の裏面をステージ上に真空吸着させて固定し、当該スク
ライブラインに切削水をかけながら、スクライブ装置の
ブレードを高速回転させ、該ブレードがスクライブライ
ンに当たるように調整し、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ
決められたピッチで前記ステージを送り、ウエハをカッ
ティング（切断）する方法がある。
は、能動素子面にスクライブラインが配設されたウエハ
の裏面をステージ上に真空吸着させて固定し、当該スク
ライブラインに切削水をかけながら、スクライブ装置の
ブレードを高速回転させ、該ブレードがスクライブライ
ンに当たるように調整し、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ
決められたピッチで前記ステージを送り、ウエハをカッ
ティング（切断）する方法がある。
【０００３】しかしながら、この従来方法では、ウエハ
の能動素子形成面側からスクライブラインをカッティン
グするため、切削水がウエハ上に十分にかからないと、
カッティング時に発生するシリコンの粉がウエハの能動
素子面に付着し、ウエハが汚染されるという問題があっ
た。そこで、このウエハのカッティング時における汚染
を防止する方法として、特開平２−８９３３８号公報に
開示されているように、ウエハの能動素子面に配設され
ているスクライブラインまたはこれと同程度の効果を有
するパターンを、当該ウエハの裏面に配設し、このパタ
ーンをスクライブラインに見立て、ウエハの裏面からカ
ッティングする従来例が紹介されている。
の能動素子形成面側からスクライブラインをカッティン
グするため、切削水がウエハ上に十分にかからないと、
カッティング時に発生するシリコンの粉がウエハの能動
素子面に付着し、ウエハが汚染されるという問題があっ
た。そこで、このウエハのカッティング時における汚染
を防止する方法として、特開平２−８９３３８号公報に
開示されているように、ウエハの能動素子面に配設され
ているスクライブラインまたはこれと同程度の効果を有
するパターンを、当該ウエハの裏面に配設し、このパタ
ーンをスクライブラインに見立て、ウエハの裏面からカ
ッティングする従来例が紹介されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平２−８９３３８号公報に開示されている従来例は、
ウエハに所望の能動素子を形成した後、当該ウエハの裏
面にスクライブラインに相当するパターンを形成するた
めの工程が必要である。従って、工程数が増加して生産
性を低下すると共に、製造コストも増加するという問題
があった。
開平２−８９３３８号公報に開示されている従来例は、
ウエハに所望の能動素子を形成した後、当該ウエハの裏
面にスクライブラインに相当するパターンを形成するた
めの工程が必要である。従って、工程数が増加して生産
性を低下すると共に、製造コストも増加するという問題
があった。
【０００５】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題とするものであり、工程数を増加するこ
となく、ウエハのカッティング時における汚染を防止す
ることが可能なウエハのダイシング方法を提供すること
を目的とする。
することを課題とするものであり、工程数を増加するこ
となく、ウエハのカッティング時における汚染を防止す
ることが可能なウエハのダイシング方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、ウエハの能動素子面に配設
されたスクライブラインをカッティングし、半導体チッ
プを形成するウエハのダイシング方法において、前記ス
クライブライン上に、スクライブライン感知用パターン
を形成する第１工程と、当該パターンをウエハの裏面か
ら感知してスクライブラインを検出する第２工程と、検
出したスクライブラインに基づいてウエハを裏面からカ
ッティングする第３工程と、を含むことを特徴とするウ
エハのダイシング方法を提供するものである。
に、請求項１記載の発明は、ウエハの能動素子面に配設
されたスクライブラインをカッティングし、半導体チッ
プを形成するウエハのダイシング方法において、前記ス
クライブライン上に、スクライブライン感知用パターン
を形成する第１工程と、当該パターンをウエハの裏面か
ら感知してスクライブラインを検出する第２工程と、検
出したスクライブラインに基づいてウエハを裏面からカ
ッティングする第３工程と、を含むことを特徴とするウ
エハのダイシング方法を提供するものである。
【０００７】そして、請求項２記載の発明は、前記請求
項１記載のスクライブライン感知用パターンが、超音波
を反射する部材またはＸ線を反射もしくは吸収する部材
からなることを特徴とするウエハのダイシング方法を提
供するものである。また、請求項３記載の発明は、前記
請求項１または請求項２に記載のスクライブラインパタ
ーンが、アルミニウム膜からなることを特徴とするウエ
ハのダイシング方法を提供するものである。
項１記載のスクライブライン感知用パターンが、超音波
を反射する部材またはＸ線を反射もしくは吸収する部材
からなることを特徴とするウエハのダイシング方法を提
供するものである。また、請求項３記載の発明は、前記
請求項１または請求項２に記載のスクライブラインパタ
ーンが、アルミニウム膜からなることを特徴とするウエ
ハのダイシング方法を提供するものである。
【０００８】
【作用】請求項１記載の発明によれば、ウエハの能動素
子面に配設されたスクライブライン上に、スクライブラ
イン感知用パターンを形成するため、能動素子の形成と
当該パターンの形成とを同時に行うことができる。即
ち、能動素子形成工程とスクライブライン感知用パター
ン形成工程とを兼用することができる。このため、前記
パターンは、これを形成するための工程を新たに行うこ
となく形成される。また、前記パターンをウエハの裏面
から感知してスクライブラインを検出し、これに基づい
てウエハを裏面からカッティングするため、当該カッテ
ィング時に、ウエハの能動素子面にシリコン粉が付着す
ることがない。
子面に配設されたスクライブライン上に、スクライブラ
イン感知用パターンを形成するため、能動素子の形成と
当該パターンの形成とを同時に行うことができる。即
ち、能動素子形成工程とスクライブライン感知用パター
ン形成工程とを兼用することができる。このため、前記
パターンは、これを形成するための工程を新たに行うこ
となく形成される。また、前記パターンをウエハの裏面
から感知してスクライブラインを検出し、これに基づい
てウエハを裏面からカッティングするため、当該カッテ
ィング時に、ウエハの能動素子面にシリコン粉が付着す
ることがない。
【０００９】そして、請求項２記載の発明によれば、超
音波を反射する部材またはＸ線を反射もしくは吸収する
部材により前記スクライブライン感知用パターンを形成
することで、当該パターンは、ウエハの裏面から当てた
超音波またはＸ線により、簡単に感知される。また、請
求項３記載の発明によれば、アルミニウム膜により前記
スクライブライン感知用パターンを形成することで、ア
ルミニウム配線の形成と同時に、当該パターンを形成す
ることができる。
音波を反射する部材またはＸ線を反射もしくは吸収する
部材により前記スクライブライン感知用パターンを形成
することで、当該パターンは、ウエハの裏面から当てた
超音波またはＸ線により、簡単に感知される。また、請
求項３記載の発明によれば、アルミニウム膜により前記
スクライブライン感知用パターンを形成することで、ア
ルミニウム配線の形成と同時に、当該パターンを形成す
ることができる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について図面を参
照して説明する。図１ないし図５は、本発明の実施例に
係るウエハのスクライブライン上に、スクライブライン
感知用パターンを形成する工程を示す一部断面図、図６
は、図５の能動素子面側から見た平面図、図７は、スク
ライブライン感知用パターンをウエハの裏面から感知す
る方法を示す模式図である。
照して説明する。図１ないし図５は、本発明の実施例に
係るウエハのスクライブライン上に、スクライブライン
感知用パターンを形成する工程を示す一部断面図、図６
は、図５の能動素子面側から見た平面図、図７は、スク
ライブライン感知用パターンをウエハの裏面から感知す
る方法を示す模式図である。
【００１１】図１に示す工程では、所望の処理を行った
ウエハ１上に、配線形成材料であるアルミニウム膜２を
形成する。次に、図２に示す工程では、図１に示す工程
で得たアルミニウム膜２上に、レジストを塗布した後、
これをパターニングして、配線形成領域、パッド形成領
域及びスクライブライン感知用パターン形成領域上に、
レジストパターン３を形成する。
ウエハ１上に、配線形成材料であるアルミニウム膜２を
形成する。次に、図２に示す工程では、図１に示す工程
で得たアルミニウム膜２上に、レジストを塗布した後、
これをパターニングして、配線形成領域、パッド形成領
域及びスクライブライン感知用パターン形成領域上に、
レジストパターン３を形成する。
【００１２】次いで、図３に示す工程では、図２に示す
工程で得たレジストパターン３をマスクとして、アルミ
ニウム膜２にエッチングを行い、アルミニウム配線４、
アルミニウム膜からなるパッド５及びアルミニウム膜か
らなるスクライブライン感知用パターン６を形成する。
次に、図４に示す工程では、図３に示す工程で得たウエ
ハ１の全面に、シリコン酸化膜からなる保護膜７を形成
する。次いで、保護膜７上に、レジストを塗布した後、
これをパターニングして、スクライブライン形成領域及
びパッド形成領域上に形成されたレジスト膜を除去し、
レジストパターン８を形成する。
工程で得たレジストパターン３をマスクとして、アルミ
ニウム膜２にエッチングを行い、アルミニウム配線４、
アルミニウム膜からなるパッド５及びアルミニウム膜か
らなるスクライブライン感知用パターン６を形成する。
次に、図４に示す工程では、図３に示す工程で得たウエ
ハ１の全面に、シリコン酸化膜からなる保護膜７を形成
する。次いで、保護膜７上に、レジストを塗布した後、
これをパターニングして、スクライブライン形成領域及
びパッド形成領域上に形成されたレジスト膜を除去し、
レジストパターン８を形成する。
【００１３】次いで、図５に示す工程では、図４に示す
工程で得たレジストパターン８をマスクとして保護膜７
にエッチングを行い、スクライブラインを形成すると共
に、パッド開口を行う。このようにして、図５及び図６
に示すように、アルミニウム配線４、パッド５の形成と
同時に、スクライブライン９上にアルミニウム膜からな
るスクライブライン感知用パターン６を形成した。
工程で得たレジストパターン８をマスクとして保護膜７
にエッチングを行い、スクライブラインを形成すると共
に、パッド開口を行う。このようにして、図５及び図６
に示すように、アルミニウム配線４、パッド５の形成と
同時に、スクライブライン９上にアルミニウム膜からな
るスクライブライン感知用パターン６を形成した。
【００１４】次に、図７に示す工程では、図５に示す工
程で得たウエハ１の能動素子面に、ダイシングテープ１
０を付着する。この時、テープ１０は、その外周が図示
しないフレームにより固定された状態で、ウエハ１に付
着される。次いで、前記ウエハ１に固定したテープ１０
をフレームごとダイシング装置のステージ１１の所定位
置にセットし、ウエハ１の能動素子面がステージ１１と
対面するように（ウエハ１の能動素子面を下にして）テ
ープ１０を介してウエハ１をステージ１１上に固定す
る。
程で得たウエハ１の能動素子面に、ダイシングテープ１
０を付着する。この時、テープ１０は、その外周が図示
しないフレームにより固定された状態で、ウエハ１に付
着される。次いで、前記ウエハ１に固定したテープ１０
をフレームごとダイシング装置のステージ１１の所定位
置にセットし、ウエハ１の能動素子面がステージ１１と
対面するように（ウエハ１の能動素子面を下にして）テ
ープ１０を介してウエハ１をステージ１１上に固定す
る。
【００１５】次に、図７に示すパターン感知装置２０を
用いて、以下の方法によりウエハ１の裏面からスクライ
ブライン感知用パターン８を感知し、スクライブライン
９を検出して、ウエハ１の裏面からダイシングを行う。
このパターン感知装置２０は、被照射体上（本実施例で
は、ウエハ１の裏面）に超音波を発振照射するパルス発
振器２６と、被照射体上をスキャンするセンサ部２５
と、センサ部２５を駆動する駆動装置２４と、駆動装置
２４の制御を行う制御装置２３と、センサ部２５にて感
知した超音波の反射エコーを受信する受信器２１と、受
信器２１にて受信した反射エコーを予め入力しておいた
データに基づいて分析処理し、この結果からスクライブ
ライン９を検出し、このデータを図示しないスクライブ
装置に送信するデータ処理装置２２と、を備えた構造を
有している。
用いて、以下の方法によりウエハ１の裏面からスクライ
ブライン感知用パターン８を感知し、スクライブライン
９を検出して、ウエハ１の裏面からダイシングを行う。
このパターン感知装置２０は、被照射体上（本実施例で
は、ウエハ１の裏面）に超音波を発振照射するパルス発
振器２６と、被照射体上をスキャンするセンサ部２５
と、センサ部２５を駆動する駆動装置２４と、駆動装置
２４の制御を行う制御装置２３と、センサ部２５にて感
知した超音波の反射エコーを受信する受信器２１と、受
信器２１にて受信した反射エコーを予め入力しておいた
データに基づいて分析処理し、この結果からスクライブ
ライン９を検出し、このデータを図示しないスクライブ
装置に送信するデータ処理装置２２と、を備えた構造を
有している。
【００１６】パルス発振器２６によりウエハ１の裏面に
超音波を発振照射しながら、駆動装置２４を作動してセ
ンサ部２５によりウエハ１の裏面をスキャンする。この
時、スクライブライン感知用パターン６上に発振された
超音波は、スクライブライン感知用パターン６により反
射されてエコーとなり、この反射エコーが受信器２１に
て受信される。一方、スクライブライン９上であって、
スクライブライン感知用パターン６以外の領域に発振さ
れた超音波も反射エコーとなり、受信器２１にて受信さ
れる。ここで、受信器２１にて受信した反射エコーは、
データ処理装置２２にて分析が行われるが、この時、ス
クライブライン感知用パターン６から得られた反射エコ
ーの大きさと、それ以外の領域から得られた反射エコー
の大きさとの差異により、スクライブライン９が検出さ
れる。そして、このデータ処理装置２２にて検出された
スクライブライン９のデータが、図示しないスクライブ
装置に送信され、このデータに基づいてスクライブ装置
のブレードによりウエハ１の裏面から、スクライブライ
ン９がカッティングされる。このようにして、ウエハ１
の能動素子面にシリコン粉等が付着することなく、ダイ
シングを行った。
超音波を発振照射しながら、駆動装置２４を作動してセ
ンサ部２５によりウエハ１の裏面をスキャンする。この
時、スクライブライン感知用パターン６上に発振された
超音波は、スクライブライン感知用パターン６により反
射されてエコーとなり、この反射エコーが受信器２１に
て受信される。一方、スクライブライン９上であって、
スクライブライン感知用パターン６以外の領域に発振さ
れた超音波も反射エコーとなり、受信器２１にて受信さ
れる。ここで、受信器２１にて受信した反射エコーは、
データ処理装置２２にて分析が行われるが、この時、ス
クライブライン感知用パターン６から得られた反射エコ
ーの大きさと、それ以外の領域から得られた反射エコー
の大きさとの差異により、スクライブライン９が検出さ
れる。そして、このデータ処理装置２２にて検出された
スクライブライン９のデータが、図示しないスクライブ
装置に送信され、このデータに基づいてスクライブ装置
のブレードによりウエハ１の裏面から、スクライブライ
ン９がカッティングされる。このようにして、ウエハ１
の能動素子面にシリコン粉等が付着することなく、ダイ
シングを行った。
【００１７】なお、本実施例では、アルミニウム配線４
及びパッド５の形成と同時に、スクライブライン感知用
パターン６を形成したため、アルミニウム膜からなるス
クライブライン感知用パターン６を得たが、これに限ら
ず、スクライブライン感知用パターン６は、ウエハ１の
裏面から感知されることが可能であれば、Ｘ線を反射す
る物質やＸ線を吸収する物質等、他の物質により形成し
てもよく、また、溝等を形成することで、スクライブラ
イン感知用パターン６に代用してもよい。
及びパッド５の形成と同時に、スクライブライン感知用
パターン６を形成したため、アルミニウム膜からなるス
クライブライン感知用パターン６を得たが、これに限ら
ず、スクライブライン感知用パターン６は、ウエハ１の
裏面から感知されることが可能であれば、Ｘ線を反射す
る物質やＸ線を吸収する物質等、他の物質により形成し
てもよく、また、溝等を形成することで、スクライブラ
イン感知用パターン６に代用してもよい。
【００１８】そして、本実施例では、スクライブライン
感知用パターン６に超音波を発振照射することで、スク
ライブライン感知用パターン６を感知する方法について
説明したが、これに限らず、スクライブライン感知用パ
ターン６は、Ｘ線で感知する等、他の方法により感知し
てもよい。さらに、本発明に係るスクライブライン感知
用パターン６は、ウエハの裏面からスクライブラインを
感知することが可能であれば、直線で構成しても破線で
構成してもよい。
感知用パターン６に超音波を発振照射することで、スク
ライブライン感知用パターン６を感知する方法について
説明したが、これに限らず、スクライブライン感知用パ
ターン６は、Ｘ線で感知する等、他の方法により感知し
てもよい。さらに、本発明に係るスクライブライン感知
用パターン６は、ウエハの裏面からスクライブラインを
感知することが可能であれば、直線で構成しても破線で
構成してもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載のウ
エハのダイシング方法は、ウエハの能動素子面に配設さ
れたスクライブライン上に、スクライブライン感知用パ
ターンを形成するため、能動素子の形成と当該パターン
の形成とを同時に行うことができる。また、前記パター
ンをウエハの裏面から感知してスクライブラインを検出
し、これに基づいてウエハを裏面からカッティングする
ため、当該カッティング時に、ウエハの能動素子面にシ
リコン粉が付着することがない。この結果、工程数を増
加することなく、ウエハのカッティング時における汚染
を防止することが可能となる。
エハのダイシング方法は、ウエハの能動素子面に配設さ
れたスクライブライン上に、スクライブライン感知用パ
ターンを形成するため、能動素子の形成と当該パターン
の形成とを同時に行うことができる。また、前記パター
ンをウエハの裏面から感知してスクライブラインを検出
し、これに基づいてウエハを裏面からカッティングする
ため、当該カッティング時に、ウエハの能動素子面にシ
リコン粉が付着することがない。この結果、工程数を増
加することなく、ウエハのカッティング時における汚染
を防止することが可能となる。
【００２０】そして、請求項２記載の発明では、前記ス
スライブライン感知用パターンを超音波を反射する部材
またはＸ線を吸収する部材により形成するため、前記効
果に加え、ウエハの裏面から照射した超音波またはＸ線
により、当該パターンを一層簡単に感知することができ
る。また、請求項３記載の発明では、アルミニウム膜に
より前記スクライブライン感知用パターンを形成するた
め、アルミニウム配線の形成と同時に、当該パターンを
形成することができる。この結果、工程数を増加するこ
となく、ウエハのカッティング時における汚染を防止す
ることが可能となる。
スライブライン感知用パターンを超音波を反射する部材
またはＸ線を吸収する部材により形成するため、前記効
果に加え、ウエハの裏面から照射した超音波またはＸ線
により、当該パターンを一層簡単に感知することができ
る。また、請求項３記載の発明では、アルミニウム膜に
より前記スクライブライン感知用パターンを形成するた
め、アルミニウム配線の形成と同時に、当該パターンを
形成することができる。この結果、工程数を増加するこ
となく、ウエハのカッティング時における汚染を防止す
ることが可能となる。
【図１】本発明の実施例に係るウエハのスクライブライ
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るウエハのスクライブライ
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るウエハのスクライブライ
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るウエハのスクライブライ
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るウエハのスクライブライ
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
ン上に、スクライブライン感知用パターンを形成する工
程を示す一部断面図である。
【図６】図５の能動素子面側から見た平面図である。
【図７】スクライブライン感知用パターンをウエハの裏
面から感知する方法を示す模式図である。
面から感知する方法を示す模式図である。
１ ウエハ ２ アルミニウム膜 ３ レジストパターン ４ アルミニウム配線 ５ パッド ６ スクライブライン感知用パターン ７ 保護膜 ８ レジストパターン ９ スクライブライン １０ テープ １１ ステージ ２０ パターン感知装置 ２１ 受信器 ２２ データ処理装置 ２３ 制御装置 ２４ 駆動装置 ２５ センサ部 ２６ パルス発振器
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエハの能動素子面に配設されたスクラ
イブラインをカッティングし、半導体チップを形成する
ウエハのダイシング方法において、 前記スクライブライン上に、スクライブライン感知用パ
ターンを形成する第１工程と、当該パターンをウエハの
裏面から感知してスクライブラインを検出する第２工程
と、検出したスクライブラインに基づいてウエハを裏面
からカッティングする第３工程と、を含むことを特徴と
するウエハのダイシング方法。 - 【請求項２】 前記スクライブライン感知用パターン
が、超音波を反射する部材またはＸ線を反射もしくは吸
収する部材からなることを特徴とする請求項１記載のウ
エハのダイシング方法。 - 【請求項３】 前記スクライブライン感知用パターン
が、アルミニウム膜からなることを特徴とする請求項１
または請求項２に記載のウエハのダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12112193A JPH06334035A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | ウエハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12112193A JPH06334035A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | ウエハのダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334035A true JPH06334035A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14803408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12112193A Pending JPH06334035A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | ウエハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334035A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566234B1 (en) * | 1997-07-21 | 2003-05-20 | Aguila Technologies, Inc. | Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof |
| US6893943B2 (en) | 1999-03-11 | 2005-05-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of dividing a semiconductor wafer |
| JP2005340431A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP12112193A patent/JPH06334035A/ja active Pending
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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