JPH06326013A - 電子線描画装置におけるマーク信号レベル調整法 - Google Patents
電子線描画装置におけるマーク信号レベル調整法Info
- Publication number
- JPH06326013A JPH06326013A JP5111379A JP11137993A JPH06326013A JP H06326013 A JPH06326013 A JP H06326013A JP 5111379 A JP5111379 A JP 5111379A JP 11137993 A JP11137993 A JP 11137993A JP H06326013 A JPH06326013 A JP H06326013A
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- JP
- Japan
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- offset
- mark
- signal
- mark signal
- gain
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】マーク検出系を飽和させずに、マーク信号レベ
ル調整を行うこと。 【構成】低倍率のゲインをゲイン調整部に設定し、か
つ、オフセット調整非実施の状態でマーク信号を採集
し、そのマーク信号からオフセット調整量を算出し、以
後、そのオフセット調整量をオフセット調整部に設定し
てマーク信号を採集し、そのマーク信号からオフセット
およびゲイン調整量を詳細に決定していく。
ル調整を行うこと。 【構成】低倍率のゲインをゲイン調整部に設定し、か
つ、オフセット調整非実施の状態でマーク信号を採集
し、そのマーク信号からオフセット調整量を算出し、以
後、そのオフセット調整量をオフセット調整部に設定し
てマーク信号を採集し、そのマーク信号からオフセット
およびゲイン調整量を詳細に決定していく。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子線描画装置に関
し、特に、マーク信号レベル調整法に関する。
し、特に、マーク信号レベル調整法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マーク信号レベル調整を行う場
合、ある程度大きいゲインをゲイン調整部に設定してマ
ーク信号を採集していた。そのため、マーク信号のオフ
セットが大きい場合、マーク検出系が飽和してしまいマ
ーク信号レベル調整が不可となる場合があった。
合、ある程度大きいゲインをゲイン調整部に設定してマ
ーク信号を採集していた。そのため、マーク信号のオフ
セットが大きい場合、マーク検出系が飽和してしまいマ
ーク信号レベル調整が不可となる場合があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、マー
ク信号のオフセットが大きい場合でも、マーク検出系を
飽和させずにマーク信号レベル調整を行うことである。
ク信号のオフセットが大きい場合でも、マーク検出系を
飽和させずにマーク信号レベル調整を行うことである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】低倍率のゲインをゲイン
調整部に設定し、かつ、オフセット調整非実施の状態で
マーク信号を採集し、そのマーク信号からオフセット調
整量を算出し、以後、そのオフセット調整量をオフセッ
ト調整部に設定してマーク信号を採集し、そのマーク信
号からオフセットおよびゲイン調整量を詳細に決定して
いく。
調整部に設定し、かつ、オフセット調整非実施の状態で
マーク信号を採集し、そのマーク信号からオフセット調
整量を算出し、以後、そのオフセット調整量をオフセッ
ト調整部に設定してマーク信号を採集し、そのマーク信
号からオフセットおよびゲイン調整量を詳細に決定して
いく。
【０００５】
【作用】低倍率のゲイン（例えば１倍）をゲイン調整部
に設定してマーク信号を採集すれば、たとえマーク信号
のオフセットが大きい場合でもマーク信号は飽和しな
い。ここで得られる信号は、オフセットが大きく、か
つ、信号強度が小さいものである。次に、本信号から除
去すべきオフセット量を算出し、その量をオフセット調
整部に設定してマーク信号を採集すれば、そのマーク信
号は、オフセットがほとんど除去されていて、かつ、信
号強度が小さいものになる。一旦オフセットが除去され
れば、その後は、ゲインを高倍率にしても、マーク信号
は飽和しない。次に、そのマーク信号から、信号強度を
最適にするゲイン調整量を算出し、その量をゲイン調整
部に設定してマーク信号を採集すれば、オフセットが除
去されていて、かつ、信号強度が最適なマーク信号が得
られる。
に設定してマーク信号を採集すれば、たとえマーク信号
のオフセットが大きい場合でもマーク信号は飽和しな
い。ここで得られる信号は、オフセットが大きく、か
つ、信号強度が小さいものである。次に、本信号から除
去すべきオフセット量を算出し、その量をオフセット調
整部に設定してマーク信号を採集すれば、そのマーク信
号は、オフセットがほとんど除去されていて、かつ、信
号強度が小さいものになる。一旦オフセットが除去され
れば、その後は、ゲインを高倍率にしても、マーク信号
は飽和しない。次に、そのマーク信号から、信号強度を
最適にするゲイン調整量を算出し、その量をゲイン調整
部に設定してマーク信号を採集すれば、オフセットが除
去されていて、かつ、信号強度が最適なマーク信号が得
られる。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を、図２を用いて説明する。
【０００７】（１）ゲイン＝１倍をゲイン調整部に設定
し、オフセット調整量＝０をオフセット調整部に設定す
る。
し、オフセット調整量＝０をオフセット調整部に設定す
る。
【０００８】（２）マーク上を電子ビーム走査して、マ
ーク信号を採集。
ーク信号を採集。
【０００９】（３）採集したマーク信号から、オフセッ
ト調整量を算出。
ト調整量を算出。
【００１０】（４）算出したオフセット調整量を、オフ
セット調整部に設定。
セット調整部に設定。
【００１１】（５）マーク上を電子ビーム走査して、マ
ーク信号を採集。
ーク信号を採集。
【００１２】（６）採集したマーク信号から、ゲイン調
整量を算出。
整量を算出。
【００１３】（７）算出したゲイン調整量を、ゲイン調
整部に設定。
整部に設定。
【００１４】（８）マーク上を電子ビーム走査して、マ
ーク信号を採集。
ーク信号を採集。
【００１５】以上のようにして、オフセットが大きいマ
ーク信号に対しても、レベル調整（信号強度の適正化、
および、オフセットの除去）が実施できる。
ーク信号に対しても、レベル調整（信号強度の適正化、
および、オフセットの除去）が実施できる。
【００１６】上記実施例では、オフセット調整とゲイン
調整を別々に行ったが、同時に行うことも可能であり、
また、上記方法でオフセットが除去しきれない場合には
オフセット除去処理をさらに追加する等も可能である。
調整を別々に行ったが、同時に行うことも可能であり、
また、上記方法でオフセットが除去しきれない場合には
オフセット除去処理をさらに追加する等も可能である。
【００１７】
【発明の効果】本発明により、マーク信号のオフセット
が大きい場合でも、マーク検出系を飽和させずにマーク
信号レベル調整を行うことができるため、電子線描画装
置のプロセス対応能力および生産性が高まる。
が大きい場合でも、マーク検出系を飽和させずにマーク
信号レベル調整を行うことができるため、電子線描画装
置のプロセス対応能力および生産性が高まる。
【図面の簡単な説明】
【図１】マーク信号レベル調整部の構成図である。
【図２】マーク信号レベル調整のフロー図である。
１１…電子ビーム、１２…試料、１３…アライメントマ
ーク、１４…反射電子検出器、１５…オフセット調整
部、１６…ゲイン調整部、１７…Ａ／Ｄ変換部、１８…
制御計算機、２１０〜２１２…マーク信号。
ーク、１４…反射電子検出器、１５…オフセット調整
部、１６…ゲイン調整部、１７…Ａ／Ｄ変換部、１８…
制御計算機、２１０〜２１２…マーク信号。
Claims (2)
- 【請求項１】試料面に形成されたアライメントマークを
電子ビ−ムで走査する手段，アライメントマークを電子
ビーム走査した際の反射電子を検出する手段，アライメ
ントマークからの反射電子信号（以下、本信号をマーク
信号と称する）を制御計算機に取り込む手段，制御計算
機でマーク信号を解析する手段、および、制御計算機か
らの指令に応じて、マーク信号に対してオフセット調整
およびゲイン調整する手段を有する電子線描画装置にお
いて、マーク信号に対して、信号のオフセットを除去
し、かつ、信号強度を適正化するというマーク信号レベ
ル調整を行う場合に、低倍率のゲインをゲイン調整部に
設定し、かつ、オフセット調整非実施の状態でマーク信
号を採集し、そのマーク信号からオフセット調整量を算
出し、以後、そのオフセット調整量をオフセット調整部
に設定してマーク信号を採集し、そのマーク信号からオ
フセットおよびゲイン調整量を詳細に決定していくこと
を特徴とする電子線描画装置におけるマーク信号レベル
調整法。 - 【請求項２】請求項１において、マーク信号に対して、
信号のオフセットを除去し、かつ、信号強度を適正化す
るというマーク信号レベル調整を行う場合に、低倍率の
ゲインをゲイン調整部に設定し、かつ、オフセット調整
非実施の状態でマーク信号を採集し、そのマーク信号か
らオフセット調整量およびゲイン調整量を算出し、以
後、そのオフセット調整量をオフセット調整部に、か
つ、ゲイン調整量をゲイン調整部に設定してマーク信号
を採集し、そのマーク信号からオフセットおよびゲイン
調整量を詳細に決定していくことを特徴とする電子線描
画装置におけるマーク信号レベル調整法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5111379A JPH06326013A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 電子線描画装置におけるマーク信号レベル調整法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5111379A JPH06326013A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 電子線描画装置におけるマーク信号レベル調整法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326013A true JPH06326013A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14559695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5111379A Pending JPH06326013A (ja) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | 電子線描画装置におけるマーク信号レベル調整法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018113371A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1993
- 1993-05-13 JP JP5111379A patent/JPH06326013A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018113371A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| US10325755B2 (en) | 2017-01-12 | 2019-06-18 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method |
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