JPH063258A - シリコンウエハの格子間酸素濃度分布の測定方法 - Google Patents
シリコンウエハの格子間酸素濃度分布の測定方法Info
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- JPH063258A JPH063258A JP18745192A JP18745192A JPH063258A JP H063258 A JPH063258 A JP H063258A JP 18745192 A JP18745192 A JP 18745192A JP 18745192 A JP18745192 A JP 18745192A JP H063258 A JPH063258 A JP H063258A
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Abstract
ター角で入射せしめることによりシリコンウエハの光透
過特性を測定するシリコンウエハ格子間酸素濃度分布の
測定方法において、シリコンウエハ表面での入射スポッ
トを細い形にし、かつ、入射スポットをその短軸方向の
領域に移動させることを特徴とするシリコンウエハの格
子間酸素濃度分布の測定方法。
Description
間酸素濃度分布の測定方法に関し、特に、測定対象の引
上シリコンウエハと基準の浮遊帯域シリコンウエハ(酸
素を含まない)を組み合わせた赤外吸収分光法によるシ
リコンウエハの格子間酸素濃度分布の測定方法に関する
ものである。
格子間酸素濃度測定方法として、測定ウエハの赤外光透
過特性および基準ウエハの赤外光透過特性を測定して測
定ウエハの格子間酸素濃度を求めることを提案した(特
願平2−204316号他)。また、本発明者は、さら
に、測定ウエハと基準ウエハが互いに異なる厚みを有す
るときに、測定ウエハの格子間酸素濃度濃度を算出する
にあたって厚さ補正をすることを提案した(特願平4−
75561号)。すなわち、本発明者は、入射平行偏光
強度を測定する第1工程と、基準ウエハに対し平行偏光
をブリュースター角で入射せしめることにより基準ウエ
ハの光透過特性を測定する第2工程と、測定ウエハに対
し平行偏光をブリュースター角で入射せしめることによ
り測定ウエハの光透過特性を測定する第3工程と、第1
工程によって測定された入射平行偏光強度と第2工程に
よって測定された基準ウエハの光透過特性と第3工程に
よって測定された測定ウエハの光透過特性とから測定ウ
エハの格子間酸素濃度濃度を算出する第4工程を含むシ
リコンウエハ格子間酸素濃度測定方法を提案した。
mm以下の厚みだけでなく1mm以上の厚みのものを含
む。
間酸素濃度分布を測定する上でシリコンウエハに対し平
行偏光をブリュースター角で入射せしめることによりシ
リコンウエハの光透過特性を測定する時に、入射光ビー
ムによって形成されるシリコンウエハ表面上での入射ス
ポットの移動をいろいろな方向に変化させてみたとこ
ろ、シリコンウエハの格子間酸素濃度分布の測定上の空
間分解能に著しく差が生じることを発見した。
リコンウエハ表面上での入射スポットの形状によってシ
リコンウエハの格子間酸素濃度分布の測定上の空間分解
能に著しく差が生じることも発見した。
によって形成されるシリコンウエハ表面上での入射スポ
ットの移動方向及び形状について改良して、測定上の空
間分解能が良好となるシリコンウエハの格子間酸素濃度
分布の測定方法を提供することである。
ンウエハに対し平行偏光をブリュースター角で入射せし
めることによりシリコンウエハの光透過特性を測定する
シリコンウエハ格子間酸素濃度分布の測定方法におい
て、シリコンウエハ表面での入射スポットを細い形に
し、かつ、入射スポットをその短軸方向の領域に移動さ
せることを特徴とするシリコンウエハの格子間酸素濃度
分布の測定方法である。
ウエハの格子間酸素濃度分布はシリコンウエハの中心を
基準として点対称になる傾向が強いため、シリコンウエ
ハ表面での入射スポットを細い形にし、かつ、直径にそ
って入射スポットをその短軸方向の領域に移動させる
と、細い形の入射スポットが同一濃度の円周方向に沿う
ことになり、しかも測定間隔を小さくしても多数の入射
スポットが互いにオーバラップすることなく配置される
ことになり、測定上の分解能が向上する。
偏光強度を測定し、基準ウエハに対し平行偏光をブリュ
ースター角で入射せしめることにより基準ウエハの光透
過特性を測定し、測定ウエハに対し平行偏光をブリュー
スター角で入射せしめることにより測定ウエハの光透過
特性を測定し、その様に測定された入射平行偏光強度と
基準ウエハの光透過特性と測定ウエハの光透過特性から
測定ウエハの格子間酸素濃度濃度を算出する。その時
に、シリコンウエハ表面での入射スポットを細い形に
し、かつ、入射スポットをその短軸方向の領域に移動さ
せる。
定すると、入射スポットは長軸と短軸を有する細い形が
分解能の点で効果的である。
る。例えば、入射光ビームの横断面が真円であるとき
は、シリコンウエハのブリュースター角は73.7度に
設定されるので、入射光ビームによって形成されるシリ
コンウエハ表面上での入射スポットは長軸と短軸の比率
が約3.56の楕円になる。また、入射光ビームの横断
面が正方形であるときは、シリコンウエハのブリュース
ター角は73.7度に設定されるので、入射光ビームに
よって形成されるシリコンウエハ表面上での入射スポッ
トは長軸と短軸の比率が約3.56の長方形になる。楕
円や長方形は勿論、他のどの様な細い形であっても、入
射光ビームによって形成されるウエハ表面上での入射ス
ポットの長軸と短軸の比率を約3〜4にするのが好まし
い。
径方向に向けて配置して、入射スポットをその短軸方向
に移動させるのが最適である。ただし、厳密に入射スポ
ットの短軸をシリコンウエハの半径方向に向けて配置し
て入射スポットをその短軸方向に移動させる必要はな
く、入射スポットをその短軸方向の領域に移動させれば
たりる。ここで「短軸方向の領域」とは正確な短軸方向
を基準にして、そこから約45度の両方向の領域(つま
り約90度の範囲)をいう。
2をブリュースター角Bで入射せしめることによりシリ
コンウエハ1の光透過特性を測定する状態を概念的に示
している。
面内に在り、シリコンウエハ1の中心は原点Oに位置し
ている。入射光ビーム2の光路LはYZ平面内にある。
この図示例ではYZ平面が入射光ビーム2の入射面にな
っている。入射光ビーム2によって形成されるシリコン
ウエハ1表面上での入射スポット3は、シリコンウエハ
1のブリュースター角Bが73.7度に設定されている
ので、入射スポット3は長軸と短軸の比率が約3.56
の楕円になる。楕円形状の入射スポット3の長軸はY軸
上にあり、その短軸はX軸上にある。入射スポット3は
その短軸方向つまりX軸方向に移動させてシリコンウエ
ハ格子間酸素濃度分布を測定する。例えば、入射光ビー
ム2の直径が4mmとすると、入射スポット3の長軸長
は約7mmに、短軸長は2mmになる。入射スポット3
をその短軸方向つまりX軸方向に5mm間隔で移動させ
てシリコンウエハ格子間酸素濃度分布を測定する。
素濃度分布の測定手順を概略的に示している。入射スポ
ット3をその短軸方向つまりX軸方向に5mm間隔で移
動させてシリコンウエハ格子間酸素濃度分布を測定す
る。図2には中心位置の入射スポット3以外には、入射
スポット3の短軸方向つまりX軸方向に代表的に2つの
入射スポット3が示されている。
Y軸方向にも2つの入射スポット3が示されているが、
このような入射スポット3のY軸方向の移動は本発明の
範囲外である。
リコンウエハ1の格子間酸素濃度分布は点対称になる傾
向がある。換言すれば、シリコンウエハ1の格子間酸素
濃度分布は中心(原点O)から見て同一半径の円周4上
では実質的に同一になっている。そのため、入射スポッ
ト3を短軸方向(X軸方向)に移動させてシリコンウエ
ハ1の格子間酸素濃度分布を測定する方が、入射スポッ
ト3を長軸方向(Y軸方向)に移動させてシリコンウエ
ハ1の格子間酸素濃度分布を測定するよりも、空間分解
能が各段に優れている。分解能が最も優れているのは、
楕円形状の入射スポット3の長軸が原点Oを中心とした
円4の接線方向に正確に位置するときである。
間酸素濃度の分布測定が理論的に最も高い空間分解能で
行える。
と入射スポットの関係を説明するための模式図。
説明するための模式図。
Claims (1)
- 【請求項1】 シリコンウエハに対し平行偏光をブリュ
ースター角で入射せしめることによりシリコンウエハの
光透過特性を測定するシリコンウエハ格子間酸素濃度分
布の測定方法において、シリコンウエハ表面での入射ス
ポットを細い形にし、かつ、入射スポットをその短軸方
向の領域に移動させることを特徴とするシリコンウエハ
の格子間酸素濃度分布の測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4187451A JP2691663B2 (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | シリコンウエハの格子間酸素濃度分布の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4187451A JP2691663B2 (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | シリコンウエハの格子間酸素濃度分布の測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH063258A true JPH063258A (ja) | 1994-01-11 |
JP2691663B2 JP2691663B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16206310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4187451A Expired - Lifetime JP2691663B2 (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | シリコンウエハの格子間酸素濃度分布の測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2691663B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55123271U (ja) * | 1979-02-24 | 1980-09-01 | ||
JP2002098631A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 小型試料濃度測定装置 |
US6707056B2 (en) * | 2001-06-15 | 2004-03-16 | Therma-Wave, Inc. | Stage rotation system to improve edge measurements |
US8722424B2 (en) | 2000-09-25 | 2014-05-13 | Panasonic Corporation | Chromatography quantitative measuring apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04109648A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP4187451A patent/JP2691663B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04109648A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
Cited By (7)
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JPS55123271U (ja) * | 1979-02-24 | 1980-09-01 | ||
JP2002098631A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 小型試料濃度測定装置 |
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US8822230B2 (en) | 2000-09-25 | 2014-09-02 | Panasonic Healthcare Co., Ltd. | Chromatography quantitative measuring apparatus |
US6707056B2 (en) * | 2001-06-15 | 2004-03-16 | Therma-Wave, Inc. | Stage rotation system to improve edge measurements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2691663B2 (ja) | 1997-12-17 |
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