JPH06325328A - 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドInfo
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- JPH06325328A JPH06325328A JP11555293A JP11555293A JPH06325328A JP H06325328 A JPH06325328 A JP H06325328A JP 11555293 A JP11555293 A JP 11555293A JP 11555293 A JP11555293 A JP 11555293A JP H06325328 A JPH06325328 A JP H06325328A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いる再生専
用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに関し、磁区制御用磁性
膜の配設によりＭＲ素子の信号検出領域に印加される異
方性磁界を減少させて記録媒体からの信号磁界による磁
化回転を円滑化して抵抗の変化率を急峻にし、再生感度
を向上させることを目的とする。 【構成】 両端部に磁区制御用の磁性膜12a, 12bが結合
され、かつその磁区制御用の磁性膜12a, 12b上を含む両
端部に設けた一対の引出し導体13a, 13bにより中央部に
画定された信号検出領域11a を有する磁気抵抗効果素子
11と、それの両側に非磁性絶縁膜14を介して設けられた
シールド磁性体15, 16とを備える磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子11の記録媒体対向
面17側とは反対側に、該磁気抵抗効果素子11と磁気的に
結合された磁界制御用の磁性膜21を配置した構成とす
る。
用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに関し、磁区制御用磁性
膜の配設によりＭＲ素子の信号検出領域に印加される異
方性磁界を減少させて記録媒体からの信号磁界による磁
化回転を円滑化して抵抗の変化率を急峻にし、再生感度
を向上させることを目的とする。 【構成】 両端部に磁区制御用の磁性膜12a, 12bが結合
され、かつその磁区制御用の磁性膜12a, 12b上を含む両
端部に設けた一対の引出し導体13a, 13bにより中央部に
画定された信号検出領域11a を有する磁気抵抗効果素子
11と、それの両側に非磁性絶縁膜14を介して設けられた
シールド磁性体15, 16とを備える磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子11の記録媒体対向
面17側とは反対側に、該磁気抵抗効果素子11と磁気的に
結合された磁界制御用の磁性膜21を配置した構成とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或い
は磁気テープ装置等に用いられる再生専用の磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドに関するものである。
は磁気テープ装置等に用いられる再生専用の磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドに関するものである。
【０００２】近年、磁気ディスク装置等においては、小
型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高
密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求さ
れている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生
出力が磁気記録媒体の移動速度に依存せず、しかも大き
な再生出力が得られる磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと略称する）が提案されているが、更に
再生特性が良好で、信頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッドが必要とされている。
型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高
密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求さ
れている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生
出力が磁気記録媒体の移動速度に依存せず、しかも大き
な再生出力が得られる磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと略称する）が提案されているが、更に
再生特性が良好で、信頼性の高い磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッドが必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと称する）は図６の概略斜視図及び図７
の要部側断面図に示すように、長手方向の中央部に信号
検出領域11a を画定するようにその両端部にそれぞれ磁
区制御用磁性膜12a と12b 及びAl膜等からなる引出し導
体13a と13b とが積層配置された磁気抵抗効果素子 (以
下、ＭＲ素子と称する）11の両側に、それぞれ Al2O3等
からなる非磁性絶縁膜14を介してNiFe膜等からなる第１
シールド磁性体15と第２シールド磁性体16とが配置され
た構成からなっている。
下、ＭＲヘッドと称する）は図６の概略斜視図及び図７
の要部側断面図に示すように、長手方向の中央部に信号
検出領域11a を画定するようにその両端部にそれぞれ磁
区制御用磁性膜12a と12b 及びAl膜等からなる引出し導
体13a と13b とが積層配置された磁気抵抗効果素子 (以
下、ＭＲ素子と称する）11の両側に、それぞれ Al2O3等
からなる非磁性絶縁膜14を介してNiFe膜等からなる第１
シールド磁性体15と第２シールド磁性体16とが配置され
た構成からなっている。
【０００４】なお、前記磁区制御用磁性膜12a, 12bはFe
Mn膜からなり、この磁区制御用磁性膜12a, 12bの配置に
よりＭＲ素子11の長手方向に異方性磁界が印加されて該
ＭＲ素子11の磁区構造を単磁区化し、再生時に磁壁の不
規則な移動に起因するバルクハウゼン雑音の発生により
再生信号が劣化することを防止している。
Mn膜からなり、この磁区制御用磁性膜12a, 12bの配置に
よりＭＲ素子11の長手方向に異方性磁界が印加されて該
ＭＲ素子11の磁区構造を単磁区化し、再生時に磁壁の不
規則な移動に起因するバルクハウゼン雑音の発生により
再生信号が劣化することを防止している。
【０００５】そしてかかるＭＲヘッドを矢印Ａの方向に
移動する磁気記録媒体18上に所定間隔をもって浮上動作
させた状態で、前記ＭＲ素子11にその両端の各引出し導
体13a と13b を通してセンス電流Isを供給することによ
り発生する磁界によって前記第１シールド磁性体15が磁
化され、その磁化により該ＭＲ素子11にバイアス磁界が
印加される。
移動する磁気記録媒体18上に所定間隔をもって浮上動作
させた状態で、前記ＭＲ素子11にその両端の各引出し導
体13a と13b を通してセンス電流Isを供給することによ
り発生する磁界によって前記第１シールド磁性体15が磁
化され、その磁化により該ＭＲ素子11にバイアス磁界が
印加される。
【０００６】このバイアス磁界の印加によるＭＲ素子11
での信号検出領域11a の磁化は、前記磁気記録媒体18か
らの信号磁界により変化され、それに対応して磁気抵抗
効果により生じる信号検出領域11a の電気抵抗値の変化
を前記引出し導体13a, 13bより電圧の変化として出力す
ることによって再生を行っている。
での信号検出領域11a の磁化は、前記磁気記録媒体18か
らの信号磁界により変化され、それに対応して磁気抵抗
効果により生じる信号検出領域11a の電気抵抗値の変化
を前記引出し導体13a, 13bより電圧の変化として出力す
ることによって再生を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した構
成の従来のＭＲヘッドにおいては、再生時にＭＲ素子11
の多磁区化による磁壁の不規則な移動により発生するバ
ルクハウゼンノイズを低減するために、長手方向に長い
アスペクト比の大きい矩形形状のＭＲ素子11を用いると
共に、その長手方向の両端部に反強磁性膜であるFeMn膜
からなる磁区制御用磁性膜12a, 12bを配置することによ
り該ＭＲ素子11の信号検出領域11a の長手方向に大きな
異方性磁界が印加されてその磁区構造を単磁区化してい
ることから、その印加された大きな異方性磁界のため
に、再生時におけるＭＲ素子11の信号検出領域11a の長
手方向への磁化が対向する磁気記録媒体18からの信号磁
界により直交する方向に回転する、所謂、磁化回転が抑
制されてスムーズに行われないので該ＭＲ素子11での抵
抗変化が緩慢になる。
成の従来のＭＲヘッドにおいては、再生時にＭＲ素子11
の多磁区化による磁壁の不規則な移動により発生するバ
ルクハウゼンノイズを低減するために、長手方向に長い
アスペクト比の大きい矩形形状のＭＲ素子11を用いると
共に、その長手方向の両端部に反強磁性膜であるFeMn膜
からなる磁区制御用磁性膜12a, 12bを配置することによ
り該ＭＲ素子11の信号検出領域11a の長手方向に大きな
異方性磁界が印加されてその磁区構造を単磁区化してい
ることから、その印加された大きな異方性磁界のため
に、再生時におけるＭＲ素子11の信号検出領域11a の長
手方向への磁化が対向する磁気記録媒体18からの信号磁
界により直交する方向に回転する、所謂、磁化回転が抑
制されてスムーズに行われないので該ＭＲ素子11での抵
抗変化が緩慢になる。
【０００８】従って、磁気記録媒体18からの微弱な記録
磁界信号に対して再生感度が十分に得られないという問
題と、そのような再生感度の低下により磁気記録媒体18
の高密度記録の再生に対処できないといった問題があっ
た。
磁界信号に対して再生感度が十分に得られないという問
題と、そのような再生感度の低下により磁気記録媒体18
の高密度記録の再生に対処できないといった問題があっ
た。
【０００９】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、磁
区制御用磁性膜の配置により印加されるＭＲ素子の信号
検出領域への異方性磁界を減少させて磁気記録媒体から
の信号磁界による磁化回転を円滑化して抵抗の変化率を
急峻にし、再生感度の向上を図った新規な磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドを提供することを目的とするものである。
区制御用磁性膜の配置により印加されるＭＲ素子の信号
検出領域への異方性磁界を減少させて磁気記録媒体から
の信号磁界による磁化回転を円滑化して抵抗の変化率を
急峻にし、再生感度の向上を図った新規な磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、両端部に磁区制御用の磁性膜が接合さ
れ、かつその磁区制御用の磁性膜上を含む両端部に設け
た一対の引出し導体により中央部に画定された信号検出
領域を有する磁気抵抗効果素子と、それの両側に非磁性
絶縁膜を介してシールド磁性体とを備える磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子の記録媒
体対向面側とは反対側に該磁気抵抗効果素子と磁気的に
結合された磁界制御用の磁性膜を配置した構成とする。
達成するため、両端部に磁区制御用の磁性膜が接合さ
れ、かつその磁区制御用の磁性膜上を含む両端部に設け
た一対の引出し導体により中央部に画定された信号検出
領域を有する磁気抵抗効果素子と、それの両側に非磁性
絶縁膜を介してシールド磁性体とを備える磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子の記録媒
体対向面側とは反対側に該磁気抵抗効果素子と磁気的に
結合された磁界制御用の磁性膜を配置した構成とする。
【００１１】また、矩形形状の磁界制御用の磁性膜が磁
気抵抗効果素子に平行して配設され、該磁性膜の記録媒
体対向側端部を非磁性絶縁膜を介して該磁気抵抗効果素
子に重ね合わせた構成とする。
気抵抗効果素子に平行して配設され、該磁性膜の記録媒
体対向側端部を非磁性絶縁膜を介して該磁気抵抗効果素
子に重ね合わせた構成とする。
【００１２】また、矩形形状の磁界制御用の磁性膜が磁
気抵抗効果素子に平行して配設され、該磁性膜の記録媒
体対向面端部を部分的に突出させ、該突出部を前記磁気
抵抗効果素子の信号検出領域の縁端部に非磁性絶縁膜を
介して重ね合わせた構成とする。
気抵抗効果素子に平行して配設され、該磁性膜の記録媒
体対向面端部を部分的に突出させ、該突出部を前記磁気
抵抗効果素子の信号検出領域の縁端部に非磁性絶縁膜を
介して重ね合わせた構成とする。
【００１３】また、前記磁界制御用の磁性膜が前記一対
の引出し導体間に配設され、該磁性膜の記録媒体対向側
端部を磁気抵抗効果素子の信号検出領域の縁端部に非磁
性絶縁膜を介して重ね合わせた構成とする。
の引出し導体間に配設され、該磁性膜の記録媒体対向側
端部を磁気抵抗効果素子の信号検出領域の縁端部に非磁
性絶縁膜を介して重ね合わせた構成とする。
【００１４】また、矩形形状の磁界制御用の磁性膜が、
記録媒体対向側端部を磁気抵抗効果素子の記録媒体対向
側とは反対側の端部と微小間隔を隔てて突き合わせて配
置された構成とする。
記録媒体対向側端部を磁気抵抗効果素子の記録媒体対向
側とは反対側の端部と微小間隔を隔てて突き合わせて配
置された構成とする。
【００１５】更に、前記した磁界制御用の磁性膜の全表
面に磁区制御用の磁性膜を接合した構成とする。更に、
前記磁気抵抗効果素子の長手方向に沿って長い矩形形状
からなる磁界制御用の磁性膜の両端部に磁区制御用の磁
性膜を接合した構成とする。
面に磁区制御用の磁性膜を接合した構成とする。更に、
前記磁気抵抗効果素子の長手方向に沿って長い矩形形状
からなる磁界制御用の磁性膜の両端部に磁区制御用の磁
性膜を接合した構成とする。
【００１６】
【作用】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッ
ド）では、本来のアスペクト比を変えることなく両端部
に磁区制御用の磁性膜が接合された磁気抵抗効果素子
（ＭＲ素子）の記録媒体対向面側とは反対側の全縁端
部、或いは信号検出領域の縁端部に非磁性絶縁膜を介し
て磁界制御用の磁性膜を磁気的に結合配置した構成とす
ることにより、ＭＲ素子の長手方向に対する高さを恰も
高くしたことと同様な形状的な作用効果によって該ＭＲ
素子の信号検出領域に印加される異方性磁界を減少させ
ることが可能となり、再生時におけるＭＲ素子の信号検
出領域の長手方向への磁化が対向する磁気記録媒体から
の信号磁界により回転する、所謂、磁化回転がスムーズ
に行われる。その結果、該ＭＲ素子での抵抗の変化が急
峻になり、再生感度が向上する。
ド）では、本来のアスペクト比を変えることなく両端部
に磁区制御用の磁性膜が接合された磁気抵抗効果素子
（ＭＲ素子）の記録媒体対向面側とは反対側の全縁端
部、或いは信号検出領域の縁端部に非磁性絶縁膜を介し
て磁界制御用の磁性膜を磁気的に結合配置した構成とす
ることにより、ＭＲ素子の長手方向に対する高さを恰も
高くしたことと同様な形状的な作用効果によって該ＭＲ
素子の信号検出領域に印加される異方性磁界を減少させ
ることが可能となり、再生時におけるＭＲ素子の信号検
出領域の長手方向への磁化が対向する磁気記録媒体から
の信号磁界により回転する、所謂、磁化回転がスムーズ
に行われる。その結果、該ＭＲ素子での抵抗の変化が急
峻になり、再生感度が向上する。
【００１７】また、前記ＭＲ素子の記録媒体対向面側と
は反対側に磁界制御用の磁性膜を磁気的に結合配置する
ことにより、再生時にバルクハウゼンノイズが発生する
恐れがある場合には、該磁界制御用の磁性膜の長手方向
の両端部上、または該磁性膜全面に磁区制御用の磁性膜
を結合配置することで前記バルクハウゼンノイズの発生
を防止することができる。
は反対側に磁界制御用の磁性膜を磁気的に結合配置する
ことにより、再生時にバルクハウゼンノイズが発生する
恐れがある場合には、該磁界制御用の磁性膜の長手方向
の両端部上、または該磁性膜全面に磁区制御用の磁性膜
を結合配置することで前記バルクハウゼンノイズの発生
を防止することができる。
【００１８】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドの第１実施例を示す図であり、図(a) は
要部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平
面図である。なお、図６及び図７と同等部分には同一符
号を付している。
細に説明する。図１(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドの第１実施例を示す図であり、図(a) は
要部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平
面図である。なお、図６及び図７と同等部分には同一符
号を付している。
【００１９】これら両図に示すように本実施例では、Ni
Fe軟磁性膜等からなる第１シールド磁性体15と第２シー
ルド磁性体16との間に、 Al2O3等からなる非磁性絶縁膜
14をそれぞれ介在して磁気記録媒体18と対向するヘッド
の先端面、即ち、記録媒体対向面に先端面が露出するよ
うに配置したNiFe膜からなる磁気抵抗効果素子 (ＭＲ素
子)11 としては、その一方の面の中央部に信号検出領域
11a を画定するようにその両端部にそれぞれ約 200Åの
膜厚のFeMn膜等からなる磁区制御用磁性膜12aと12b 及
びAu膜、或いはＷ膜等からなる引出し導体13a と13b と
が積層配置されている。
Fe軟磁性膜等からなる第１シールド磁性体15と第２シー
ルド磁性体16との間に、 Al2O3等からなる非磁性絶縁膜
14をそれぞれ介在して磁気記録媒体18と対向するヘッド
の先端面、即ち、記録媒体対向面に先端面が露出するよ
うに配置したNiFe膜からなる磁気抵抗効果素子 (ＭＲ素
子)11 としては、その一方の面の中央部に信号検出領域
11a を画定するようにその両端部にそれぞれ約 200Åの
膜厚のFeMn膜等からなる磁区制御用磁性膜12aと12b 及
びAu膜、或いはＷ膜等からなる引出し導体13a と13b と
が積層配置されている。
【００２０】そして、そのような構成のＭＲ素子11の記
録媒体対向面17側とは反対側の前記一対の引出し導体13
a と13b 上を含む全縁端部上に、約1000Åの膜厚のAl2O
3 等からなる図示しない非磁性絶縁膜を介して該ＭＲ素
子11の長手方向に沿って平行に長い矩形形状で 500〜20
00Åの膜厚のNiFe膜からなる磁界制御用磁性膜21を１μ
ｍ程度重ね合わせて磁気的に結合した状態で配置した構
成とされている。
録媒体対向面17側とは反対側の前記一対の引出し導体13
a と13b 上を含む全縁端部上に、約1000Åの膜厚のAl2O
3 等からなる図示しない非磁性絶縁膜を介して該ＭＲ素
子11の長手方向に沿って平行に長い矩形形状で 500〜20
00Åの膜厚のNiFe膜からなる磁界制御用磁性膜21を１μ
ｍ程度重ね合わせて磁気的に結合した状態で配置した構
成とされている。
【００２１】このような第１実施例のヘッド構成では、
前記ＭＲ素子11に磁気的に結合配置された磁界制御用磁
性膜21により、該ＭＲ素子11の長さ方向に対する高さを
恰も高くしたのと同様な形状的な作用効果によってその
ＭＲ素子11の信号検出領域11a に印加される異方性磁界
を、該ＭＲ素子11の単磁区化を妨げない程度に減少させ
ることが可能となる。
前記ＭＲ素子11に磁気的に結合配置された磁界制御用磁
性膜21により、該ＭＲ素子11の長さ方向に対する高さを
恰も高くしたのと同様な形状的な作用効果によってその
ＭＲ素子11の信号検出領域11a に印加される異方性磁界
を、該ＭＲ素子11の単磁区化を妨げない程度に減少させ
ることが可能となる。
【００２２】従って、再生時においてＭＲ素子11の信号
検出領域11a での長手方向への磁化が対向する磁気記録
媒体18からの信号磁界により円滑に磁化回転が行われる
ので、該ＭＲ素子11での抵抗の変化が急峻となり、再生
感度が向上する。
検出領域11a での長手方向への磁化が対向する磁気記録
媒体18からの信号磁界により円滑に磁化回転が行われる
ので、該ＭＲ素子11での抵抗の変化が急峻となり、再生
感度が向上する。
【００２３】図２(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドの第２実施例を示す図であり、図(a) は要
部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平面
図であり、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付し
ている。
型薄膜ヘッドの第２実施例を示す図であり、図(a) は要
部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平面
図であり、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付し
ている。
【００２４】これら両図で示す実施例が図１(a),(b) で
示す第１実施例と異なる点は、前記ＭＲ素子11の記録媒
体対向面17側とは反対側の前記一対の引出し導体13a と
13b上を含む全縁端部に沿って0.5 〜1.0 μｍの間隙を
介して該ＭＲ素子11の長手方向に沿って平行に長い矩形
形状で 500〜2000Åの膜厚のNiFe膜からなる磁界制御用
磁性膜31を配置すると共に、その磁性膜31の記録媒体対
向面側の端部を部分的に突出させ、その突出部分を図示
のようにＭＲ素子11の信号検出領域11a の縁端部上に約
1000Åの膜厚のAl2O3 等からなる図示しない非磁性絶縁
膜を介して１μｍ程度重ね合わせて磁気的に結合した構
成とした点にある。
示す第１実施例と異なる点は、前記ＭＲ素子11の記録媒
体対向面17側とは反対側の前記一対の引出し導体13a と
13b上を含む全縁端部に沿って0.5 〜1.0 μｍの間隙を
介して該ＭＲ素子11の長手方向に沿って平行に長い矩形
形状で 500〜2000Åの膜厚のNiFe膜からなる磁界制御用
磁性膜31を配置すると共に、その磁性膜31の記録媒体対
向面側の端部を部分的に突出させ、その突出部分を図示
のようにＭＲ素子11の信号検出領域11a の縁端部上に約
1000Åの膜厚のAl2O3 等からなる図示しない非磁性絶縁
膜を介して１μｍ程度重ね合わせて磁気的に結合した構
成とした点にある。
【００２５】このような第２実施例のヘッド構成によっ
ても図１(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11
の信号検出領域11a に印加される異方性磁界を、該ＭＲ
素子11の単磁区化を妨げない程度に減少させることが可
能となり、それによって再生時におけるＭＲ素子11の信
号検出領域11a での磁化回転が円滑に行われるので、該
ＭＲ素子11での抵抗の変化が急峻となり、再生感度が向
上する。
ても図１(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11
の信号検出領域11a に印加される異方性磁界を、該ＭＲ
素子11の単磁区化を妨げない程度に減少させることが可
能となり、それによって再生時におけるＭＲ素子11の信
号検出領域11a での磁化回転が円滑に行われるので、該
ＭＲ素子11での抵抗の変化が急峻となり、再生感度が向
上する。
【００２６】図３(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドの第３実施例を示す図であり、図(a) は要
部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平面
図であり、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付し
ている。
型薄膜ヘッドの第３実施例を示す図であり、図(a) は要
部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平面
図であり、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付し
ている。
【００２７】これら両図で示す実施例が図１(a),(b) で
示す第１実施例と異なる点は、前記ＭＲ素子11の記録媒
体対向面17側とは反対側の前記一対の引出し導体13a と
13bとの間に 500〜2000Åの膜厚のNiFe膜からなる磁界
制御用磁性膜41を、その一部が図示のようにＭＲ素子11
の信号検出領域11a の縁端部上に約1000Åの膜厚のAl 2O
3 等からなる図示しない非磁性絶縁膜を介して１μｍ程
度重ね合わせて磁気的に結合配置した構成としたことで
ある。
示す第１実施例と異なる点は、前記ＭＲ素子11の記録媒
体対向面17側とは反対側の前記一対の引出し導体13a と
13bとの間に 500〜2000Åの膜厚のNiFe膜からなる磁界
制御用磁性膜41を、その一部が図示のようにＭＲ素子11
の信号検出領域11a の縁端部上に約1000Åの膜厚のAl 2O
3 等からなる図示しない非磁性絶縁膜を介して１μｍ程
度重ね合わせて磁気的に結合配置した構成としたことで
ある。
【００２８】このような第３実施例のヘッド構成によっ
ても図１(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11
の信号検出領域11a に印加される異方性磁界を減少させ
ることが可能となり、それによって再生時におけるＭＲ
素子11の信号検出領域11a での磁化回転が円滑に行われ
るので、該ＭＲ素子11での抵抗の変化が急峻となり、再
生感度が向上する。また、前記ＭＲ素子11に対する磁界
制御用磁性膜41の配設構造により両者がショートする確
率も低減することができる。
ても図１(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11
の信号検出領域11a に印加される異方性磁界を減少させ
ることが可能となり、それによって再生時におけるＭＲ
素子11の信号検出領域11a での磁化回転が円滑に行われ
るので、該ＭＲ素子11での抵抗の変化が急峻となり、再
生感度が向上する。また、前記ＭＲ素子11に対する磁界
制御用磁性膜41の配設構造により両者がショートする確
率も低減することができる。
【００２９】図４(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドの第４実施例を示す図であり、図(a) は要
部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平面
図であり、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付し
ている。
型薄膜ヘッドの第４実施例を示す図であり、図(a) は要
部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平面
図であり、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付し
ている。
【００３０】これら両図で示す実施例が図１(a),(b) で
示す第１実施例と異なる点は、前記ＭＲ素子11の記録媒
体対向面17側とは反対側の端部に対して 0.5〜1.0 μｍ
の間隙を隔てて同一平面となるように該ＭＲ素子11の長
手方向に沿った長い矩形形状で 500〜2000Åの膜厚のNi
Fe膜からなる磁界制御用磁性膜21を平行に配置して磁気
的に結合した構成としたことである。
示す第１実施例と異なる点は、前記ＭＲ素子11の記録媒
体対向面17側とは反対側の端部に対して 0.5〜1.0 μｍ
の間隙を隔てて同一平面となるように該ＭＲ素子11の長
手方向に沿った長い矩形形状で 500〜2000Åの膜厚のNi
Fe膜からなる磁界制御用磁性膜21を平行に配置して磁気
的に結合した構成としたことである。
【００３１】このような第４実施例のヘッド構成によっ
ても図１(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11
の信号検出領域11a に印加される異方性磁界を減少させ
ることができ、しかも、それによって再生時におけるＭ
Ｒ素子11の信号検出領域11aでの磁化回転が円滑化さ
れ、再生感度を向上させることができる。
ても図１(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11
の信号検出領域11a に印加される異方性磁界を減少させ
ることができ、しかも、それによって再生時におけるＭ
Ｒ素子11の信号検出領域11aでの磁化回転が円滑化さ
れ、再生感度を向上させることができる。
【００３２】図５(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドの第５実施例を示す図であり、図(a) は要
部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平面
図であり、図３(a),(b) と同等部分には同一符号を付し
ている。
型薄膜ヘッドの第５実施例を示す図であり、図(a) は要
部側断面図、図(b) はその磁気抵抗効果素子の要部平面
図であり、図３(a),(b) と同等部分には同一符号を付し
ている。
【００３３】これら両図で示す実施例が図３(a),(b) で
示す第３実施例と異なる点は、前記ＭＲ素子11の記録媒
体対向面17側とは反対側の前記一対の引出し導体13a と
13bとの間に、ＭＲ素子11の信号検出領域11a の縁端部
に対して図示のように 0.5〜1.0 μｍの間隙を隔てて同
一平面となるように 500〜2000Åの膜厚のNiFe膜からな
る磁界制御用磁性膜41を平行に配置して磁気的に結合し
た構成としたことである。
示す第３実施例と異なる点は、前記ＭＲ素子11の記録媒
体対向面17側とは反対側の前記一対の引出し導体13a と
13bとの間に、ＭＲ素子11の信号検出領域11a の縁端部
に対して図示のように 0.5〜1.0 μｍの間隙を隔てて同
一平面となるように 500〜2000Åの膜厚のNiFe膜からな
る磁界制御用磁性膜41を平行に配置して磁気的に結合し
た構成としたことである。
【００３４】このような第５実施例のヘッド構成によっ
ても図３(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11
の信号検出領域11a に印加される異方性磁界を減少させ
ることができ、しかも、それによって再生時におけるＭ
Ｒ素子11の信号検出領域11aでの磁化回転が円滑化さ
れ、再生感度を向上させることができる。
ても図３(a),(b) による実施例と同様に前記ＭＲ素子11
の信号検出領域11a に印加される異方性磁界を減少させ
ることができ、しかも、それによって再生時におけるＭ
Ｒ素子11の信号検出領域11aでの磁化回転が円滑化さ
れ、再生感度を向上させることができる。
【００３５】なお、以上の第１実施例〜第５実施例にお
いてＭＲ素子11の記録媒体対向面17側とは反対側に前記
した種々の配設構造により磁界制御用磁性膜を磁気的に
結合配置した場合、再生時に該磁界制御用磁性膜の多磁
区化による磁壁の不規則な移動によりバルクハウゼンノ
イズが発生する恐れがあるので、その磁界制御用磁性膜
の全面にFeMn膜等からなる磁区制御用磁性膜を結合配置
する、或いは第１実施例、第２実施例及び第４実施例に
おける磁界制御用磁性膜の長手方向の両端部上にFeMn膜
等からなる磁区制御用磁性膜を結合配置することにより
前記バルクハウゼンノイズの発生を防止することがで
き、このようなノイズ防止構成を適用することが望まし
い。
いてＭＲ素子11の記録媒体対向面17側とは反対側に前記
した種々の配設構造により磁界制御用磁性膜を磁気的に
結合配置した場合、再生時に該磁界制御用磁性膜の多磁
区化による磁壁の不規則な移動によりバルクハウゼンノ
イズが発生する恐れがあるので、その磁界制御用磁性膜
の全面にFeMn膜等からなる磁区制御用磁性膜を結合配置
する、或いは第１実施例、第２実施例及び第４実施例に
おける磁界制御用磁性膜の長手方向の両端部上にFeMn膜
等からなる磁区制御用磁性膜を結合配置することにより
前記バルクハウゼンノイズの発生を防止することがで
き、このようなノイズ防止構成を適用することが望まし
い。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、本来のアス
ペクト比を変えることなく両端部に磁区制御用磁性膜を
接合した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の信号検出領域
に印加される異方性磁界を減少させることが可能とな
り、再生時におけるＭＲ素子の信号検出領域での磁化回
転が円滑化されて該ＭＲ素子での抵抗の変化が急峻にな
り、再生感度を向上させることができるなど高密度記録
用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに適用して極めて有利で
あり、実用上優れた効果を奏する。
に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、本来のアス
ペクト比を変えることなく両端部に磁区制御用磁性膜を
接合した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の信号検出領域
に印加される異方性磁界を減少させることが可能とな
り、再生時におけるＭＲ素子の信号検出領域での磁化回
転が円滑化されて該ＭＲ素子での抵抗の変化が急峻にな
り、再生感度を向上させることができるなど高密度記録
用の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに適用して極めて有利で
あり、実用上優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘ
ッド）の第１実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
ッド）の第１実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
【図２】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘ
ッド）の第２実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
ッド）の第２実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
【図３】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘ
ッド）の第３実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
ッド）の第３実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
【図４】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘ
ッド）の第４実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
ッド）の第４実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
【図５】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘ
ッド）の第５実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
ッド）の第５実施例を示す要部側断面図及びその磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）の要部平面図である。
【図６】 従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッ
ド）を説明するための概略斜視図である。
ド）を説明するための概略斜視図である。
【図７】 従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッ
ド）を説明するための要部側断面図である。
ド）を説明するための要部側断面図である。
１１ ＭＲ素子 １２ａ，１２ｂ 磁区制御用磁性膜 １３ａ，１３ｂ 引出し導体 １４ 非磁性絶縁膜 １５ 第１シールド磁性体 １６ 第２シールド磁性体 １７ 記録媒体対向面 １８ 磁気記録媒体 ２１，３１，４１ 磁界制御用磁性膜
Claims (7)
- 【請求項１】 両端部に磁区制御用の磁性膜(12a, 12b)
が接合され、かつその磁区制御用の磁性膜(12a, 12b)上
を含む両端部に設けた一対の引出し導体(13a, 13b)によ
り中央部に画定された信号検出領域(11a) を有する磁気
抵抗効果素子(11)と、それの両側に非磁性絶縁膜(14)を
介して設けられたシールド磁性体(15,16)とを備える磁
気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子(11)の記録媒体対向面(17)側とは
反対側に該磁気抵抗効果素子(11)に磁気的に結合された
磁界制御用の磁性膜(21)を配置したことを特徴とする磁
気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項２】 矩形形状の磁界制御用の磁性膜(21)が磁
気抵抗効果素子(11)に平行して配設され、該磁性膜(21)
の記録媒体対向側端部を非磁性絶縁膜を介して該磁気抵
抗効果素子(11)に重ね合わせたことを特徴とする請求項
１の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項３】 矩形形状の磁界制御用の磁性膜(31)が磁
気抵抗効果素子(11)に平行して配設され、該磁性膜(31)
の記録媒体対向面端部を部分的に突出させ、該突出部を
前記磁気抵抗効果素子(11)の信号検出領域(11a) の縁端
部に非磁性絶縁膜を介して重ね合わせたことを特徴とす
る請求項１の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項４】 前記磁界制御用の磁性膜(21)が、前記一
対の引出し導体(13a, 13b)間に配設され、該磁性膜(21)
の記録媒体対向側端部を磁気抵抗効果素子(11)の信号検
出領域(11a) の縁端部に非磁性絶縁膜を介して重ね合わ
せたことを特徴とする請求項１の磁気抵抗効果型薄膜ヘ
ッド。 - 【請求項５】 矩形形状の磁界制御用の磁性膜(41)が、
該磁性膜(41)の記録媒体対向側端部を磁気抵抗効果素子
(11)の記録媒体側とは反対側の端部と微小間隔を隔てて
突き合わせて配置されてなることを特徴とする請求項１
の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項６】 請求項１〜請求項５の磁界制御用の磁性
膜(21,31,41)の表面に磁区制御用の磁性膜を接合してな
ることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項７】 請求項２、または請求項３の磁界制御用
の磁性膜(21, 31)の長手方向の両端部に磁区制御用の磁
性膜を接合してなることを特徴とする磁気抵抗効果型薄
膜ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11555293A JP3609104B2 (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11555293A JP3609104B2 (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325328A true JPH06325328A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3609104B2 JP3609104B2 (ja) | 2005-01-12 |
Family
ID=14665372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11555293A Expired - Fee Related JP3609104B2 (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3609104B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597545B2 (en) * | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP11555293A patent/JP3609104B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597545B2 (en) * | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3609104B2 (ja) | 2005-01-12 |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030715 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040827 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041013 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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