JPH0632372Y2 - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH0632372Y2 JPH0632372Y2 JP1991007929U JP792991U JPH0632372Y2 JP H0632372 Y2 JPH0632372 Y2 JP H0632372Y2 JP 1991007929 U JP1991007929 U JP 1991007929U JP 792991 U JP792991 U JP 792991U JP H0632372 Y2 JPH0632372 Y2 JP H0632372Y2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、レーザービームにより
ヒートモード記録が行なえる光ディスクに関する。
ヒートモード記録が行なえる光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、用いられているメモリ用光ディス
クの記録形態は、図１〜図３に示す３種のタイプに分類
される。
クの記録形態は、図１〜図３に示す３種のタイプに分類
される。
【０００３】図１に示すタイプは、基板１上に形成した
低融点材料の薄膜２をレーザービームのスポットで照射
することにより、薄膜の局部に融解・蒸発を生じさせ、
微小な穴３として記録させるものである。
低融点材料の薄膜２をレーザービームのスポットで照射
することにより、薄膜の局部に融解・蒸発を生じさせ、
微小な穴３として記録させるものである。
【０００４】また、図２に示すタイプは基板４に２層の
薄膜５，６を形成し、レーザービームのスポットで照射
したとき、温度が上昇した下地層としての薄膜５から気
泡を発生させ、上の薄膜６にふくらみ７として記録させ
るものである。
薄膜５，６を形成し、レーザービームのスポットで照射
したとき、温度が上昇した下地層としての薄膜５から気
泡を発生させ、上の薄膜６にふくらみ７として記録させ
るものである。
【０００５】また、図３に示すタイプは基板８上に温度
変化で組織の変化する薄膜９を形成し、レーザービーム
のスポットで照射した薄膜９の局部１０を例えば結晶質
から非結晶質へと反射率のことなる組織に変化させるこ
とで記録させるものである。なお、これらの他にも公知
例として関連あるものに、特公昭５４−２０１３６号と
特公昭５４−２０１３７号およびＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．３９ ９２７（１９８１）等がある。
変化で組織の変化する薄膜９を形成し、レーザービーム
のスポットで照射した薄膜９の局部１０を例えば結晶質
から非結晶質へと反射率のことなる組織に変化させるこ
とで記録させるものである。なお、これらの他にも公知
例として関連あるものに、特公昭５４−２０１３６号と
特公昭５４−２０１３７号およびＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．３９ ９２７（１９８１）等がある。
【０００６】これらの記録部は、いずれも無記録部との
間に光の透過または反射の特性に違いを生じることか
ら、レーザービームを用い記録の有無を検出することで
読み出される。
間に光の透過または反射の特性に違いを生じることか
ら、レーザービームを用い記録の有無を検出することで
読み出される。
【０００７】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来技術のうち、図１および図２に示すタイプは、記
録に際して記録膜の蒸発や形状変化を伴うので、記録膜
の上に保護膜を直接形成すると記録感度が大きく低下す
るという欠点があり、実用するには記録膜から離して保
護板を設けた、いわゆるエヤーサンドイッチ構造にしな
ければならないという欠点があった。
の従来技術のうち、図１および図２に示すタイプは、記
録に際して記録膜の蒸発や形状変化を伴うので、記録膜
の上に保護膜を直接形成すると記録感度が大きく低下す
るという欠点があり、実用するには記録膜から離して保
護板を設けた、いわゆるエヤーサンドイッチ構造にしな
ければならないという欠点があった。
【０００８】また、図３に示すタイプは、保護膜を記録
膜上に形成しても大きな感度低下はないが、薄膜の組織
変化を利用しているため、記録部と無記録部との協力が
不安定であり、記録寿命が短いという欠点があった。
膜上に形成しても大きな感度低下はないが、薄膜の組織
変化を利用しているため、記録部と無記録部との協力が
不安定であり、記録寿命が短いという欠点があった。
【０００９】本考案は、上記実情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、ビームの照射部に形状
変化を生じせしめることなく、光学特性の顕著な変化を
作り出して情報の記録が行なえる光ディスクを提供する
ことである。
ので、その目的とするところは、ビームの照射部に形状
変化を生じせしめることなく、光学特性の顕著な変化を
作り出して情報の記録が行なえる光ディスクを提供する
ことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本考案は、上記課題を解
決するために、基体と、この基体上に第１の光学的消衰
係数を有し第１の反射率で光を反射するＧｅ，Ｔｅ，Ｂ
ｉ，Ｔｌ，Ｔｉおよびこれらを主成分とする合金から構
成される第１の記録層と、この第１の記録層上に前記第
１の光学的消衰係数より大なる第２の光学的消衰係数を
有し前記第１の反射率より大なる第２の反射率で光を反
射するＴｅ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ａｕ，Ｓｂ，Ａｇ，Ａｌ，Ｉ
ｎおよびこれらを主成分とする合金から構成され前記第
１の記録層を構成する材料の１種と共通する材料を含む
第２の記録層とを具備してなり、光が照射されることに
より前記第１の記録層と第２の記録層とが相互拡散し単
一層に変化するようにしたものである。
決するために、基体と、この基体上に第１の光学的消衰
係数を有し第１の反射率で光を反射するＧｅ，Ｔｅ，Ｂ
ｉ，Ｔｌ，Ｔｉおよびこれらを主成分とする合金から構
成される第１の記録層と、この第１の記録層上に前記第
１の光学的消衰係数より大なる第２の光学的消衰係数を
有し前記第１の反射率より大なる第２の反射率で光を反
射するＴｅ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ａｕ，Ｓｂ，Ａｇ，Ａｌ，Ｉ
ｎおよびこれらを主成分とする合金から構成され前記第
１の記録層を構成する材料の１種と共通する材料を含む
第２の記録層とを具備してなり、光が照射されることに
より前記第１の記録層と第２の記録層とが相互拡散し単
一層に変化するようにしたものである。
【００１１】
【作用】上記構成とすることにより、光学的消衰係数に
基づいて第１および第２の記録層を選択することによ
り、光を照射した後の記録層部の反射率を設定すること
ができ、ビームの照射部に形状変化を生じせしめること
なく、光学特性の顕著な変化を作り出して情報の記録が
行なえるものである。
基づいて第１および第２の記録層を選択することによ
り、光を照射した後の記録層部の反射率を設定すること
ができ、ビームの照射部に形状変化を生じせしめること
なく、光学特性の顕著な変化を作り出して情報の記録が
行なえるものである。
【００１２】
【実施例】以下、本考案の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図４において、１１は例えば透明の基体と
しての基板であり、この基板１１上には記録層部１２が
設けられている。
ら説明する。図４において、１１は例えば透明の基体と
しての基板であり、この基板１１上には記録層部１２が
設けられている。
【００１３】そして、この記録層部１２は光学的消衰係
数の異なる第１，第２の記録層としての２種の薄膜１
３，１４からなる記録層１５で構成されている。すなわ
ち、この記録層１５は複素屈折率ｎ1 −ｉｋ1 を有する
第１の薄膜１３および複素屈折率ｎ2 −ｉｋ2 を有する
第２の薄膜１４で構成される。
数の異なる第１，第２の記録層としての２種の薄膜１
３，１４からなる記録層１５で構成されている。すなわ
ち、この記録層１５は複素屈折率ｎ1 −ｉｋ1 を有する
第１の薄膜１３および複素屈折率ｎ2 −ｉｋ2 を有する
第２の薄膜１４で構成される。
【００１４】しかして、記録のスレッショルド値以上の
強度を持ったレーザービーム１６を照射する前の、この
ような記録層１５（記録層部１２）の初期率Ｒi は、図
５に示すように、基板１１と第１の薄膜１３との境界、
第１の薄膜１３と第２の薄膜１４との境界および第２の
薄膜１４と外界１７との境界の３つの境界で生じるフレ
ネル反射係数ｒ1 ，ｒ2 およびｒ3 のベクトル和で算出
される。
強度を持ったレーザービーム１６を照射する前の、この
ような記録層１５（記録層部１２）の初期率Ｒi は、図
５に示すように、基板１１と第１の薄膜１３との境界、
第１の薄膜１３と第２の薄膜１４との境界および第２の
薄膜１４と外界１７との境界の３つの境界で生じるフレ
ネル反射係数ｒ1 ，ｒ2 およびｒ3 のベクトル和で算出
される。
【００１５】それぞれフレネル反射係数のベクトル長
と、それらの間に生じる位相差は第１の薄膜１３および
第２の薄膜１４の複素屈折率とそれらの厚さｄ1 および
ｄ2 によって主に決められる。したがって、初期反射率
Ｒi は第１と第２の薄膜１３，１４の材料とその厚さｄ
1 およびｄ2 を選定することにより所望する値にするこ
とができる。
と、それらの間に生じる位相差は第１の薄膜１３および
第２の薄膜１４の複素屈折率とそれらの厚さｄ1 および
ｄ2 によって主に決められる。したがって、初期反射率
Ｒi は第１と第２の薄膜１３，１４の材料とその厚さｄ
1 およびｄ2 を選定することにより所望する値にするこ
とができる。
【００１６】このように選定した初期反射率Ｒi をもつ
記録層１５は、第１と第２の薄膜１３，１４の材料の加
熱された時の相互拡散係数で決まる記録のスレッショル
ド値以上の強度をもったレーザービーム１６でスポット
照射すると、その部分の第１と第２の薄膜１３，１４は
相互に拡散してその境界を消滅し新しい単一薄膜１８を
生成する。
記録層１５は、第１と第２の薄膜１３，１４の材料の加
熱された時の相互拡散係数で決まる記録のスレッショル
ド値以上の強度をもったレーザービーム１６でスポット
照射すると、その部分の第１と第２の薄膜１３，１４は
相互に拡散してその境界を消滅し新しい単一薄膜１８を
生成する。
【００１７】その結果、フレネル反射係数ｒ2 は失わ
れ、その記録を行なった部分の反射率Ｒr は生成された
単一薄膜１８の複素屈折率による両境界でのフレネル反
射係数ｒ′1 とｒ′3 だけのベクトル合成された値に非
可逆的に変化する。すなわち、本考案のメモリ用光ディ
スクの記録は、上記の機構に基づき記録層１５の反射率
をＲi からＲr に変換することで行なうものである。
れ、その記録を行なった部分の反射率Ｒr は生成された
単一薄膜１８の複素屈折率による両境界でのフレネル反
射係数ｒ′1 とｒ′3 だけのベクトル合成された値に非
可逆的に変化する。すなわち、本考案のメモリ用光ディ
スクの記録は、上記の機構に基づき記録層１５の反射率
をＲi からＲr に変換することで行なうものである。
【００１８】ところで、このような記録層１５には記録
に要するレーザービームのスレッショルド値が低いこ
と、反射率Ｒi とＲr の比が大きいこと、および室温で
第１と第２の薄膜１３，１４間に相互拡散が生じないこ
と、言い換えるならば記録層１５として高感度であり、
読み出し信号が大きく、しかも長期に亘って安定である
ことが要求される。
に要するレーザービームのスレッショルド値が低いこ
と、反射率Ｒi とＲr の比が大きいこと、および室温で
第１と第２の薄膜１３，１４間に相互拡散が生じないこ
と、言い換えるならば記録層１５として高感度であり、
読み出し信号が大きく、しかも長期に亘って安定である
ことが要求される。
【００１９】それらの要求を満たす膜構成の一例とし
て、複素屈折率が５．３−ｉ０．８のＧｅと２．１−ｉ
７．１のＡｌを用いた場合のｄ1 と反射率Ｒi との関係
を図６と図７に示す。
て、複素屈折率が５．３−ｉ０．８のＧｅと２．１−ｉ
７．１のＡｌを用いた場合のｄ1 と反射率Ｒi との関係
を図６と図７に示す。
【００２０】図６は反射率Ｒi ＜ｒr とするためにそれ
らの複素屈折率の虚数項である消衰係数ｋの関係をｋ1
＜ｋ2 とした場合で、第１の薄膜１３をＧｅ、第２の薄
膜１４をＡｌで構成した記録層１５であり、実線および
点線はＡｌ膜（第２の薄膜１４）の厚さをそれぞれ４０
ｎｍおよび２０ｎｍとしたときのＧｅ膜厚（第１の薄膜
１３）と反射率Ｒi の関係を示す。
らの複素屈折率の虚数項である消衰係数ｋの関係をｋ1
＜ｋ2 とした場合で、第１の薄膜１３をＧｅ、第２の薄
膜１４をＡｌで構成した記録層１５であり、実線および
点線はＡｌ膜（第２の薄膜１４）の厚さをそれぞれ４０
ｎｍおよび２０ｎｍとしたときのＧｅ膜厚（第１の薄膜
１３）と反射率Ｒi の関係を示す。
【００２１】なお、実線にはＧｅ膜の厚さを１７．５ｎ
ｍにしたときの反射率Ｒi からＲrへの変化の例を矢印
で印してある。図７は反射率Ｒ′i ＞Ｒ′r とするため
にｋ1 ＞ｋ2 の関係とした場合で、第１の薄膜１３をＡ
ｌ、第２の薄膜１４をＧｅで構成した記録層１５のＡｌ
膜（第１の薄膜１３）の厚さと反射率Ｒ′i の関係を示
した。
ｍにしたときの反射率Ｒi からＲrへの変化の例を矢印
で印してある。図７は反射率Ｒ′i ＞Ｒ′r とするため
にｋ1 ＞ｋ2 の関係とした場合で、第１の薄膜１３をＡ
ｌ、第２の薄膜１４をＧｅで構成した記録層１５のＡｌ
膜（第１の薄膜１３）の厚さと反射率Ｒ′i の関係を示
した。
【００２２】図中の実践と点線はそれぞれＧｅ膜（第２
の薄膜１４）の厚さを８０ｎｍと４０ｎｍにした場合で
あり、実線にはＡｌ膜の厚さを３０ｎｍとしたときの反
射率Ｒ′i からＲ′r への変化の例を示してある。
の薄膜１４）の厚さを８０ｎｍと４０ｎｍにした場合で
あり、実線にはＡｌ膜の厚さを３０ｎｍとしたときの反
射率Ｒ′i からＲ′r への変化の例を示してある。
【００２３】なお、本考案は上記実施例に限定されず、
例えば図８〜図１０に示すように構成してもよい。
例えば図８〜図１０に示すように構成してもよい。
【００２４】すなわち、図８に示す実施例では、基板１
１は中心穴１９を有する円板上に形成され、また、記録
層部１２は記録層１５を保護するためにその記録層１５
上に保護層２０を形成して構成されている。
１は中心穴１９を有する円板上に形成され、また、記録
層部１２は記録層１５を保護するためにその記録層１５
上に保護層２０を形成して構成されている。
【００２５】そして、記録は基板１１側から情報を持っ
たスレッショルド値以上の強度のレーザービーム１６で
記録層１５にスポット照射し、その局部の温度を上昇さ
せ、第１と第２の薄膜１３，１４が相互に拡散しその局
部を２層膜の記録層１５と大きく反射率のちがう単一薄
膜１８に非可逆的に変換することで行なわれる。この記
録した情報はその反射率のちがうスレッショルド以下の
強度にしたレーザービームのスポットで検出することに
より読み出される。
たスレッショルド値以上の強度のレーザービーム１６で
記録層１５にスポット照射し、その局部の温度を上昇さ
せ、第１と第２の薄膜１３，１４が相互に拡散しその局
部を２層膜の記録層１５と大きく反射率のちがう単一薄
膜１８に非可逆的に変換することで行なわれる。この記
録した情報はその反射率のちがうスレッショルド以下の
強度にしたレーザービームのスポットで検出することに
より読み出される。
【００２６】また、図９に示す実施例では、基板１１上
に薄膜１３，１４からなる記録層１５（記録層部１２）
を形成した２枚の片面型メモリ用光ディスク２０を接着
剤２１により接着して両面型メモリ用様光ディスクとし
た構成となっている。
に薄膜１３，１４からなる記録層１５（記録層部１２）
を形成した２枚の片面型メモリ用光ディスク２０を接着
剤２１により接着して両面型メモリ用様光ディスクとし
た構成となっている。
【００２７】さらに、図１０に示す実施例では、基板１
１の表面欠陥を改質するために先ず下地層２２を形成し
てから記録層１５を形成し、ついで接着工程における記
録層１５の損傷を防止するため記録層２０上に表面保護
コーティング２３を形成して記録層部１２を構成したの
ち、それらの２枚を接着剤２１で接着して両面型メモリ
用光ディスクとした構成となっている。
１の表面欠陥を改質するために先ず下地層２２を形成し
てから記録層１５を形成し、ついで接着工程における記
録層１５の損傷を防止するため記録層２０上に表面保護
コーティング２３を形成して記録層部１２を構成したの
ち、それらの２枚を接着剤２１で接着して両面型メモリ
用光ディスクとした構成となっている。
【００２８】以上のように、記録層１５を２種の薄膜１
３，１４で構成し、レーザービーム１６のスポットで加
熱したときその局部に膜材料の相互拡散を生じせしめ単
一薄膜（単一層）１８に変換することで記録を可能とし
たため、記録に際して穴をあけたり、ふくらみを作るな
どの形状変化を生じることがない。
３，１４で構成し、レーザービーム１６のスポットで加
熱したときその局部に膜材料の相互拡散を生じせしめ単
一薄膜（単一層）１８に変換することで記録を可能とし
たため、記録に際して穴をあけたり、ふくらみを作るな
どの形状変化を生じることがない。
【００２９】したがって、記録層１５上に密着させて保
護層２０，２３を形成したり、接着剤２１で貼り合わせ
ても記録感度のほとんど低下しない効果があり、安価で
取り扱いの便利な形状のメモリ用光ディスクを提供でき
る。さらに、記録は２層膜を単一層に非可逆的に変換す
ることで達成するため、記録形態は非常に安定であり、
長期保存に十分耐えることができる。
護層２０，２３を形成したり、接着剤２１で貼り合わせ
ても記録感度のほとんど低下しない効果があり、安価で
取り扱いの便利な形状のメモリ用光ディスクを提供でき
る。さらに、記録は２層膜を単一層に非可逆的に変換す
ることで達成するため、記録形態は非常に安定であり、
長期保存に十分耐えることができる。
【００３０】また、図６のような初期反射率の低い膜構
成はレーザービームの利用効率が高く、さらに明るいス
ポットとして記録されるため、読み出し動作のとき記録
層１５のピンホールや基板１１の傷など暗い欠陥から発
生するパルス雑音と記録スポットからの信号を分離する
ことが容易で、信号と雑音の比を高くできる効果があ
る。
成はレーザービームの利用効率が高く、さらに明るいス
ポットとして記録されるため、読み出し動作のとき記録
層１５のピンホールや基板１１の傷など暗い欠陥から発
生するパルス雑音と記録スポットからの信号を分離する
ことが容易で、信号と雑音の比を高くできる効果があ
る。
【００３１】なお、上記実施例においては、小さな消衰
係数をもった材料としてＧｅを、大きな消衰係数をもつ
材料としてＡｌを用いた場合について記述したが、本考
案の作用・効果はこれらの材料だけに限定されるもので
はない。本考案のような作用・効果が十分に得られる材
料の組み合わせは、消衰係数ｋの比が１．５以上で高温
での相互拡散係数の大きな少なくとも２種以上の材料を
薄膜として用いた多くの場合について可能である。
係数をもった材料としてＧｅを、大きな消衰係数をもつ
材料としてＡｌを用いた場合について記述したが、本考
案の作用・効果はこれらの材料だけに限定されるもので
はない。本考案のような作用・効果が十分に得られる材
料の組み合わせは、消衰係数ｋの比が１．５以上で高温
での相互拡散係数の大きな少なくとも２種以上の材料を
薄膜として用いた多くの場合について可能である。
【００３２】すなわち、ｋの小さな材料には、Ｇｅ，Ｔ
ｅ，Ｂｉ，Ｔｌ，Ｔｉおよびそれらを主成分とする合金
などが用いられ。これらにｋの大きな材料としてＴｅ，
Ｂｉ，Ｓｎ，Ａｕ，Ｓｂ，Ａｇ，Ａｌ，Ｉｎおよびそれ
らを主成分とする合金などがあり、これらを組み合わせ
て少なくとも２層以上の膜としてもよい。
ｅ，Ｂｉ，Ｔｌ，Ｔｉおよびそれらを主成分とする合金
などが用いられ。これらにｋの大きな材料としてＴｅ，
Ｂｉ，Ｓｎ，Ａｕ，Ｓｂ，Ａｇ，Ａｌ，Ｉｎおよびそれ
らを主成分とする合金などがあり、これらを組み合わせ
て少なくとも２層以上の膜としてもよい。
【００３３】
【考案の効果】以上説明したように本考案は、基体と、
この基体上に第１の光学的消衰係数を有し第１の反射率
で光を反射するＧｅ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｔｌ，Ｔｉおよびこ
れらを主成分とする合金から構成される第１の記録層
と、この第１の記録層上に前記第１の光学的消衰係数よ
り大なる第２の光学的消衰係数を有し前記第１の反射率
より大なる第２の反射率で光を反射するＴｅ，Ｂｉ，Ｓ
ｎ，Ａｕ，Ｓｂ，Ａｇ，Ａｌ，Ｉｎおよびこれらを主成
分とする合金から構成され前記第１の記録層を構成する
材料の１種と共通する材料を含む第２の記録層とを具備
してなり、光が照射されることにより前記第１の記録層
と第２の記録層とが相互拡散し単一層に変化するように
したものである。
この基体上に第１の光学的消衰係数を有し第１の反射率
で光を反射するＧｅ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｔｌ，Ｔｉおよびこ
れらを主成分とする合金から構成される第１の記録層
と、この第１の記録層上に前記第１の光学的消衰係数よ
り大なる第２の光学的消衰係数を有し前記第１の反射率
より大なる第２の反射率で光を反射するＴｅ，Ｂｉ，Ｓ
ｎ，Ａｕ，Ｓｂ，Ａｇ，Ａｌ，Ｉｎおよびこれらを主成
分とする合金から構成され前記第１の記録層を構成する
材料の１種と共通する材料を含む第２の記録層とを具備
してなり、光が照射されることにより前記第１の記録層
と第２の記録層とが相互拡散し単一層に変化するように
したものである。
【００３４】したがって、光学的消衰係数に基づいて第
１および第２の記録層を選択することにより、光を照射
した後の記録層部の反射率を設定することができ、ビー
ムの照射部に形状変化を生じせしめることなく、光学特
性の顕著な変化を作り出して情報の記録が行なえる等の
優れた効果を奏する。
１および第２の記録層を選択することにより、光を照射
した後の記録層部の反射率を設定することができ、ビー
ムの照射部に形状変化を生じせしめることなく、光学特
性の顕著な変化を作り出して情報の記録が行なえる等の
優れた効果を奏する。
【図１】第１の従来例を示す説明図。
【図２】第２の従来例を示す説明図。
【図３】第３の従来例を示す説明図。
【図４】本考案の一実施例を示す断面図。
【図５】同実施例の要部を示す作用説明図。
【図６】記録層の構成の相違による記録効果を説明する
ための光学特性図。
ための光学特性図。
【図７】記録層の構成の相違による記録効果を説明する
ための光学特性図。
ための光学特性図。
【図８】第１の他の実施例のを示す断面図。
【図９】第２の他の実施例のを示す断面図。
【図１０】第３の他の実施例のを示す断面図。
１１…基板（基体）、１２…記録層部、１３…第１の薄
膜（第１の記録層）、１４…第２の薄膜（第２の記録
層）、１６…レーザービーム、１８…単一薄膜、１４，
２３…保護層、２１…接着剤、２２…下地層。
膜（第１の記録層）、１４…第２の薄膜（第２の記録
層）、１６…レーザービーム、１８…単一薄膜、１４，
２３…保護層、２１…接着剤、２２…下地層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 斉藤 哲男 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (56)参考文献 特開 昭58−220794（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−22095（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−7928（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 基体と、この基体上に第１の光学的消衰
係数を有し第１の反射率で光を反射するＧｅ，Ｔｅ，Ｂ
ｉ，Ｔｌ，Ｔｉおよびこれらを主成分とする合金から構
成される第１の記録層と、この第１の記録層上に前記第
１の光学的消衰係数より大なる第２の光学的消衰係数を
有し前記第１の反射率より大なる第２の反射率で光を反
射するＴｅ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ａｕ，Ｓｂ，Ａｇ，Ａｌ，Ｉ
ｎおよびこれらを主成分とする合金から構成され前記第
１の記録層を構成する材料の１種と共通する材料を含む
第２の記録層と、を具備してなり、光が照射されること
により前記第１の記録層と第２の記録層とが相互拡散し
単一層に変化することを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991007929U JPH0632372Y2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991007929U JPH0632372Y2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0489374U JPH0489374U (ja) | 1992-08-04 |
| JPH0632372Y2 true JPH0632372Y2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=31740027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991007929U Expired - Lifetime JPH0632372Y2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632372Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1426941A4 (en) * | 2001-09-13 | 2008-08-27 | Tdk Corp | OPTICAL RECORDING MEDIUM |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP1991007929U patent/JPH0632372Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0489374U (ja) | 1992-08-04 |
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