JPH06322454A - 純Ｎｉ又はＮｉ合金のＶＯＤ精製工程におけるＳｉ脱酸法 - Google Patents
純Ｎｉ又はＮｉ合金のＶＯＤ精製工程におけるＳｉ脱酸法Info
- Publication number
- JPH06322454A JPH06322454A JP13263093A JP13263093A JPH06322454A JP H06322454 A JPH06322454 A JP H06322454A JP 13263093 A JP13263093 A JP 13263093A JP 13263093 A JP13263093 A JP 13263093A JP H06322454 A JPH06322454 A JP H06322454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amount
- deoxidation
- pure
- alloy
- molten metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 純Ni又はNi合金のＶＯＤ精製工程において溶
湯のSi脱酸を行う際の、添加Si量の適正なコントロ−ル
手段を確立する。 【構成】 図１に例示した如く、純Ni又はNi合金のＶＯ
Ｄ精製工程において溶湯のSi脱酸を行う際、溶湯に目的
製品の許容量範囲内でMnを添加し、その後溶湯中の［M
n］量に応じて相応量のSiを添加し脱酸を進めることに
より、製品中に過剰なSiを残留させることなく十分な脱
酸を安定して行う。
湯のSi脱酸を行う際の、添加Si量の適正なコントロ−ル
手段を確立する。 【構成】 図１に例示した如く、純Ni又はNi合金のＶＯ
Ｄ精製工程において溶湯のSi脱酸を行う際、溶湯に目的
製品の許容量範囲内でMnを添加し、その後溶湯中の［M
n］量に応じて相応量のSiを添加し脱酸を進めることに
より、製品中に過剰なSiを残留させることなく十分な脱
酸を安定して行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＶＯＤ法によって純
Ni又はNi合金の精製を行う際の、製品Si含有量を安定し
て脱酸保証極小量にコントロ−ルし得るSi脱酸方法に関
するものである。
Ni又はNi合金の精製を行う際の、製品Si含有量を安定し
て脱酸保証極小量にコントロ−ルし得るSi脱酸方法に関
するものである。
【０００２】
【従来技術とその課題】現在、電子管の陰極用材料等と
して純Niは安定した需要を誇っているが、例えば前記
“電子管用純Ni”では、電気抵抗値及び熱膨張率のバラ
ツキを抑制するために不純物元素の低減が厳しく要求さ
れている。そして、これら不純物元素の中でも“Si”は
表面からの電子放出能力を大きく阻害するため、JIS Ｈ
４５０２の「電子管陰極の電子放出用ニッケル板及び
条」に係る「板・条２種」の規格においては、Si含有量
は『0.05％以下』と明確に規定されている。
して純Niは安定した需要を誇っているが、例えば前記
“電子管用純Ni”では、電気抵抗値及び熱膨張率のバラ
ツキを抑制するために不純物元素の低減が厳しく要求さ
れている。そして、これら不純物元素の中でも“Si”は
表面からの電子放出能力を大きく阻害するため、JIS Ｈ
４５０２の「電子管陰極の電子放出用ニッケル板及び
条」に係る「板・条２種」の規格においては、Si含有量
は『0.05％以下』と明確に規定されている。
【０００３】ところで、一般に電子管等に供される工業
用純Niの原材料には電解Niが用いられるが、電解Niはそ
のままでは板や条への加工が困難なため、通常、これを
再溶解して大きなサイズとしてから板や条に加工するこ
とが行われている。ただ、この際［Ｏ］量（金属中のＯ
含有量）が高くなると熱間加工性や性能等の劣化を招く
ことから、［Ｏ］量の低減には十分な留意が必要とな
る。
用純Niの原材料には電解Niが用いられるが、電解Niはそ
のままでは板や条への加工が困難なため、通常、これを
再溶解して大きなサイズとしてから板や条に加工するこ
とが行われている。ただ、この際［Ｏ］量（金属中のＯ
含有量）が高くなると熱間加工性や性能等の劣化を招く
ことから、［Ｏ］量の低減には十分な留意が必要とな
る。
【０００４】もっとも、電解Niの大サイズ化手段として
ＶＡＣ法（真空ア−ク溶解法）やＥＳＲ法（エレクトロ
スラグ再溶解法）を採用すれば［Ｏ］量の低減は比較的
容易であるが、この場合には製造コストが高騰し、工業
的に不利であるという問題があった。そこで、Fe汚染を
極力抑えながら通常の電気炉を用い、図２に示す工程で
純Ni鋳片を溶製することが行われている。
ＶＡＣ法（真空ア−ク溶解法）やＥＳＲ法（エレクトロ
スラグ再溶解法）を採用すれば［Ｏ］量の低減は比較的
容易であるが、この場合には製造コストが高騰し、工業
的に不利であるという問題があった。そこで、Fe汚染を
極力抑えながら通常の電気炉を用い、図２に示す工程で
純Ni鋳片を溶製することが行われている。
【０００５】ところが、この方法には次のような問題が
指摘されていた。即ち、純Ni中の酸素溶解度は極めて大
きく、例えば Chipmanの報告では log[％Ｏ] ＝−10270/Ｔ＋5.40 とされ、また Bowerの報告では log[％Ｏ] ＝−12830/Ｔ＋6.90 とされていて、Ｏ2 吹込みを行って精錬するＶＯＤ（精
錬温度：通常は１７００℃程度）の際には酸素溶解度は
1.5％（以降、 組成割合を表す％は重量％）にも達す
る。しかるに、ＶＯＤ後の［Ｏ］量はオンラインでの分
析が実際上不可能であることから、還元（脱酸）用Siは
従来の実績に基づく見込み量で投入されるのが実情であ
ったが、精錬条件のバラツキによりＶＯＤ後の［Ｏ］量
は必ずしも一定ではなく、そのため投入Siの過不足が生
じるという不都合を免れ得なかった。
指摘されていた。即ち、純Ni中の酸素溶解度は極めて大
きく、例えば Chipmanの報告では log[％Ｏ] ＝−10270/Ｔ＋5.40 とされ、また Bowerの報告では log[％Ｏ] ＝−12830/Ｔ＋6.90 とされていて、Ｏ2 吹込みを行って精錬するＶＯＤ（精
錬温度：通常は１７００℃程度）の際には酸素溶解度は
1.5％（以降、 組成割合を表す％は重量％）にも達す
る。しかるに、ＶＯＤ後の［Ｏ］量はオンラインでの分
析が実際上不可能であることから、還元（脱酸）用Siは
従来の実績に基づく見込み量で投入されるのが実情であ
ったが、精錬条件のバラツキによりＶＯＤ後の［Ｏ］量
は必ずしも一定ではなく、そのため投入Siの過不足が生
じるという不都合を免れ得なかった。
【０００６】ここで、投入Siが多過ぎると、製品のSi含
有量が規格の上限（前記電子管用の場合には0.05％）を
超えて性能劣化を招くので再操業が必要となり、大幅な
操業時間延長を余儀無くされる。一方、投入Siが不足不
足すると脱酸不良で［Ｏ］量が高くなり、加工性が劣化
して圧延板製造時の手入れロスが増大するほか、性能劣
化を招くことにもなる。そして、これらの問題は純Niを
溶製する場合のみならず、高純度を必要とするNi合金
（例えばNi−Cu合金やNi−Mo合金等）を溶製する場合に
も同様に指摘された。
有量が規格の上限（前記電子管用の場合には0.05％）を
超えて性能劣化を招くので再操業が必要となり、大幅な
操業時間延長を余儀無くされる。一方、投入Siが不足不
足すると脱酸不良で［Ｏ］量が高くなり、加工性が劣化
して圧延板製造時の手入れロスが増大するほか、性能劣
化を招くことにもなる。そして、これらの問題は純Niを
溶製する場合のみならず、高純度を必要とするNi合金
（例えばNi−Cu合金やNi−Mo合金等）を溶製する場合に
も同様に指摘された。
【０００７】このようなことから、本発明が目的とした
のは、純Ni又はNi合金のＶＯＤ精製工程において溶湯の
Si脱酸を行う際の、添加Si量の適正なコントロ−ル手段
を確立することである。
のは、純Ni又はNi合金のＶＯＤ精製工程において溶湯の
Si脱酸を行う際の、添加Si量の適正なコントロ−ル手段
を確立することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上
記目的を達成すべく鋭意研究を行ったところ、次のよう
な知見を得ることができた。 a) 溶融Ni中に、比較的酸化されやすい元素の１つであ
り、かつオンラインでの分析が十分に可能であるMnを含
有させると、このMnは溶融Ni中［Ｏ］量のトレ−サ−と
して十分な役割を果たし、スラグ中へ移行していない溶
融Ni中［Mn］量を分析しつつこれに応じた量で“脱酸剤
としてのSi”を添加してやれば、Si量の過不足なく適正
なNiの脱酸が叶う。 b) しかも、電子管を始めとする純Niや高純度Ni合金の
用途では、混入するSiやFeについては極力厳密な抑制が
必要であるがMnについては抑制要求レベルがそれほど高
くはなく、そのため［Ｏ］量のトレ−サ−としても格別
な障害はない。
記目的を達成すべく鋭意研究を行ったところ、次のよう
な知見を得ることができた。 a) 溶融Ni中に、比較的酸化されやすい元素の１つであ
り、かつオンラインでの分析が十分に可能であるMnを含
有させると、このMnは溶融Ni中［Ｏ］量のトレ−サ−と
して十分な役割を果たし、スラグ中へ移行していない溶
融Ni中［Mn］量を分析しつつこれに応じた量で“脱酸剤
としてのSi”を添加してやれば、Si量の過不足なく適正
なNiの脱酸が叶う。 b) しかも、電子管を始めとする純Niや高純度Ni合金の
用途では、混入するSiやFeについては極力厳密な抑制が
必要であるがMnについては抑制要求レベルがそれほど高
くはなく、そのため［Ｏ］量のトレ−サ−としても格別
な障害はない。
【０００９】本発明は、上記知見事項等に基づいて完成
されたものであり、「純Ni又はNi合金のＶＯＤ精製工程
において溶湯のSi脱酸を行う際、 溶湯に目的製品の許容
量範囲内でMnを添加し、 その後溶湯中の［Mn］量に応じ
て相応量のSiを添加し脱酸を進めることにより、 製品中
に過剰なSiを残留させることなく十分な脱酸を安定して
行えるようにした点」に大きな特徴を有している。
されたものであり、「純Ni又はNi合金のＶＯＤ精製工程
において溶湯のSi脱酸を行う際、 溶湯に目的製品の許容
量範囲内でMnを添加し、 その後溶湯中の［Mn］量に応じ
て相応量のSiを添加し脱酸を進めることにより、 製品中
に過剰なSiを残留させることなく十分な脱酸を安定して
行えるようにした点」に大きな特徴を有している。
【００１０】
【作用】さて、不純物たる［Ｏ］量が問題となるNi系材
料では脱酸の程度を推測するのに“残留［Si］量”を目
安とすることが良く行われており、［Ｏ］量規制の厳し
い電子管用途等では「0.03％のSiが残留しておれば酸素
レベルの保証ができる」とされている。なお、図３は、
溶融Ni中における各種元素の脱酸力を示したグラフであ
るが、「Si＝0.03％」のときの平衡［Ｏ］は約４０ppm
である。
料では脱酸の程度を推測するのに“残留［Si］量”を目
安とすることが良く行われており、［Ｏ］量規制の厳し
い電子管用途等では「0.03％のSiが残留しておれば酸素
レベルの保証ができる」とされている。なお、図３は、
溶融Ni中における各種元素の脱酸力を示したグラフであ
るが、「Si＝0.03％」のときの平衡［Ｏ］は約４０ppm
である。
【００１１】脱酸元素としてはSiの他にAl，Ti，Mn等が
考えられるが、Al及びTiは介在物が生成するという問題
があるため不適当である。これに対して、介在物生成が
問題とならないMnは、例えば電子管用純Niの場合で含有
量の上限が0.30％乃至は0.15％とされており、このレベ
ルでの平衡［Ｏ］は「Si＝0.03％」の場合のそれと同程
度である。
考えられるが、Al及びTiは介在物が生成するという問題
があるため不適当である。これに対して、介在物生成が
問題とならないMnは、例えば電子管用純Niの場合で含有
量の上限が0.30％乃至は0.15％とされており、このレベ
ルでの平衡［Ｏ］は「Si＝0.03％」の場合のそれと同程
度である。
【００１２】そこで、ＶＯＤ後のNi溶湯中に特定量（上
記許容範囲内の量）のMnを添加してやれば、そのMnの酸
化程度によって“その後のSi脱酸”での必要Si量を知る
ことができる。つまり、Mnは溶融Niの "［Ｏ］量", "脱
酸程度" を知るためのトレ−サ−となり得、ＶＯＤ後に
Ni溶湯中へ特定量のMnを添加し、その酸化の程度（溶湯
中［Mn］量の値）に応じて“添加する脱酸用Siの量”を
調整することにより、Siの的中率（例えば酸素レベルの
保証値とされる「Si＝0.03％」への的中率）を向上する
ことができる訳である。なお、溶湯中［Mn］量の測定
は、常法に従えば迅速かつ容易に行うことができる。従
って、製品に残留するSi量に過不足を生じさせることな
く十分な脱酸を行うことが可能となる。
記許容範囲内の量）のMnを添加してやれば、そのMnの酸
化程度によって“その後のSi脱酸”での必要Si量を知る
ことができる。つまり、Mnは溶融Niの "［Ｏ］量", "脱
酸程度" を知るためのトレ−サ−となり得、ＶＯＤ後に
Ni溶湯中へ特定量のMnを添加し、その酸化の程度（溶湯
中［Mn］量の値）に応じて“添加する脱酸用Siの量”を
調整することにより、Siの的中率（例えば酸素レベルの
保証値とされる「Si＝0.03％」への的中率）を向上する
ことができる訳である。なお、溶湯中［Mn］量の測定
は、常法に従えば迅速かつ容易に行うことができる。従
って、製品に残留するSi量に過不足を生じさせることな
く十分な脱酸を行うことが可能となる。
【００１３】上述のように、本発明は低Ｏ・低Siレベル
のNi系大サイズ製品を低コストにて安定して製造できる
ようにしたものであるが、図１は、この本発明法を適用
した純Ni鋳片の製造工程例に関する説明図である。
のNi系大サイズ製品を低コストにて安定して製造できる
ようにしたものであるが、図１は、この本発明法を適用
した純Ni鋳片の製造工程例に関する説明図である。
【００１４】この場合、ＶＯＤ後の脱酸の第１工程とし
て、例えば0.15〜0.30％のMnが脱酸及び［Ｏ］量のトレ
−サ−として添加される。続くＶＤ1 後の溶湯中［Mn］
量は“ＶＯＤ後溶湯の［Ｏ］レベル”によって変化する
が、ＶＤ1 後の［Mn］量が添加量に満たない場合には、
その満たない分はMnＯとなってスラグ中に存在すること
になる。そのため、ＶＤ1 後には、［Mn］分析値に従い
「〔前記MnＯを還元する分〕＋〔目標Si値（例えば0.03
％）に達するための分〕」の脱酸用Siを添加する。この
ような工程で、酸素レベルが保証できる極小量のSiを残
留する純Ni（或いはNi合金）鋳片を安定して溶製するこ
とができる。
て、例えば0.15〜0.30％のMnが脱酸及び［Ｏ］量のトレ
−サ−として添加される。続くＶＤ1 後の溶湯中［Mn］
量は“ＶＯＤ後溶湯の［Ｏ］レベル”によって変化する
が、ＶＤ1 後の［Mn］量が添加量に満たない場合には、
その満たない分はMnＯとなってスラグ中に存在すること
になる。そのため、ＶＤ1 後には、［Mn］分析値に従い
「〔前記MnＯを還元する分〕＋〔目標Si値（例えば0.03
％）に達するための分〕」の脱酸用Siを添加する。この
ような工程で、酸素レベルが保証できる極小量のSiを残
留する純Ni（或いはNi合金）鋳片を安定して溶製するこ
とができる。
【００１５】続いて、本発明を実施例に基づいて説明す
る。
る。
【実施例】まず、図１に示した工程に従って工業用純Ni
（電解Ni：純度99.9％）を電気炉で溶解した後、３８トン
の溶湯をＶＯＤにて吹込みＯ2 量：３６０ｍ3 で脱炭精
錬した。
（電解Ni：純度99.9％）を電気炉で溶解した後、３８トン
の溶湯をＶＯＤにて吹込みＯ2 量：３６０ｍ3 で脱炭精
錬した。
【００１６】このＶＯＤ後、Mnを“溶湯中Mn濃度が0.25
％となる分”に相当する９０kg添加し（ＶＯＤ出湯時に
［Mn］量は0.01％だったので実際添加量は0.24％分に相
当する量であった）、ＶＤ1 脱酸を行った。このＶＤ1
後の溶湯中［Si］量及び［Mn］量を、ＶＤ2 後並びに製
品（鋳片）におけるその分析値と共に表１に示す。
％となる分”に相当する９０kg添加し（ＶＯＤ出湯時に
［Mn］量は0.01％だったので実際添加量は0.24％分に相
当する量であった）、ＶＤ1 脱酸を行った。このＶＤ1
後の溶湯中［Si］量及び［Mn］量を、ＶＤ2 後並びに製
品（鋳片）におけるその分析値と共に表１に示す。
【００１７】
【００１８】ここで、ＶＤ1 後に「［Mn］＝0.11％」で
あったことより、0.14％分はMnＯとなってスラグ中に存
在していることになる。従って、下記の数式１より、Ｖ
Ｄ1 後に投入する脱酸用Siの量は下記の数式２で算出さ
れる２１kgということになるので、２１kgのSiを投入し
てＶＤ2 脱酸を行った。
あったことより、0.14％分はMnＯとなってスラグ中に存
在していることになる。従って、下記の数式１より、Ｖ
Ｄ1 後に投入する脱酸用Siの量は下記の数式２で算出さ
れる２１kgということになるので、２１kgのSiを投入し
てＶＤ2 脱酸を行った。
【００１９】
【数１】
【００２０】
【数２】
【００２１】しかし、ＶＤ2 後の［Mn］分析値は0.21％
であり、ＶＯＤ後に調整した「Mn含有量：0.25％」から
見てまだ完全に還元し切っていないので、溶湯の脱酸が
十分に行われていないと判断される。従って、「0.25−
0.21＝0.04％」の分を還元するのに相応したSiの追加添
加が必要であり、この量は下記の数式３より４kgと算出
されるので、ＶＤ2 後に４kgのSiを追加投入してから連
続鋳造を行った。
であり、ＶＯＤ後に調整した「Mn含有量：0.25％」から
見てまだ完全に還元し切っていないので、溶湯の脱酸が
十分に行われていないと判断される。従って、「0.25−
0.21＝0.04％」の分を還元するのに相応したSiの追加添
加が必要であり、この量は下記の数式３より４kgと算出
されるので、ＶＤ2 後に４kgのSiを追加投入してから連
続鋳造を行った。
【００２２】
【数３】
【００２３】この結果、得られた製品（Ni鋳片）の［S
i］量は狙い通りの0.03％となり、かつ製品［Ｏ］＝32p
pm とSi及びMn脱酸平衡に近い値が得られ、低Si残留量
で良好な脱酸が達成されたことを確認した。
i］量は狙い通りの0.03％となり、かつ製品［Ｏ］＝32p
pm とSi及びMn脱酸平衡に近い値が得られ、低Si残留量
で良好な脱酸が達成されたことを確認した。
【００２４】なお、図４は、本発明に係る脱酸法と従来
の脱酸法（図２の方法）とについてＶＤ1 後の［Si］量
と製品［Ｏ］量との関係を比較して示すグラフである
が、この図４からも、本発明法によると従来法に比べて
ＶＤ1 後の［Si］量バラツキは小さくなり、［Ｏ］レベ
ルも低目にコントロ−ルすることが可能となることが分
かる。
の脱酸法（図２の方法）とについてＶＤ1 後の［Si］量
と製品［Ｏ］量との関係を比較して示すグラフである
が、この図４からも、本発明法によると従来法に比べて
ＶＤ1 後の［Si］量バラツキは小さくなり、［Ｏ］レベ
ルも低目にコントロ−ルすることが可能となることが分
かる。
【００２５】
【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、ＶＯＤ工程を取り入れた純Ni又はNi合金溶製時の十
分な脱酸を極小量のSi添加でもって的確に実施すること
が可能となるなど、産業上極めて有用な効果がもたらさ
れる。
ば、ＶＯＤ工程を取り入れた純Ni又はNi合金溶製時の十
分な脱酸を極小量のSi添加でもって的確に実施すること
が可能となるなど、産業上極めて有用な効果がもたらさ
れる。
【図１】本発明法を適用した純Ni鋳片の製造工程例に関
する説明図である。
する説明図である。
【図２】従来の純Ni鋳片の製造工程例に関する説明図で
ある。
ある。
【図３】溶融Ni中における各種元素の脱酸力を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図４】本発明脱酸法と従来脱酸法とについてＶＤ1 後
の［Si］量と製品［Ｏ］量との関係を比較して示すグラ
フである。
の［Si］量と製品［Ｏ］量との関係を比較して示すグラ
フである。
Claims (1)
- 【請求項１】 純Ni又はNi合金のＶＯＤ精製工程におい
て溶湯のSi脱酸を行う際、溶湯に目的製品の許容量範囲
内でMnを添加し、その後溶湯中の［Mn］量に応じて相応
量のSiを添加し脱酸を進めることを特徴とする、純Ni又
はNi合金の脱酸方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13263093A JPH06322454A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 純Ｎｉ又はＮｉ合金のＶＯＤ精製工程におけるＳｉ脱酸法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13263093A JPH06322454A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 純Ｎｉ又はＮｉ合金のＶＯＤ精製工程におけるＳｉ脱酸法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06322454A true JPH06322454A (ja) | 1994-11-22 |
Family
ID=15085823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13263093A Pending JPH06322454A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 純Ｎｉ又はＮｉ合金のＶＯＤ精製工程におけるＳｉ脱酸法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06322454A (ja) |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP13263093A patent/JPH06322454A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5529341B2 (ja) | 超低炭素，極低Ｔｉのアルミニウムシリコンキルド鋼の制御方法 | |
| US10400317B2 (en) | Fe—Cr—Ni—Mo alloy and method for producing the same | |
| CN104962800A (zh) | 一种不锈钢材料的冶炼方法 | |
| CN105088094A (zh) | 一种控氮奥氏体不锈钢大锻件的制造方法 | |
| CN101205586A (zh) | 高温合金钢p91的冶炼方法 | |
| CN110565012A (zh) | 一种超高铬铁素体不锈钢连铸制造方法 | |
| JP6937190B2 (ja) | Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ−Ｎｂ合金およびその製造方法 | |
| CN112813285A (zh) | 一种含钼耐蚀钛合金短流程制备方法 | |
| CN117230360B (zh) | 一种单真空300m钢的制备方法 | |
| WO2016027765A1 (ja) | 鋼中Ｔｉ濃度の制御方法およびシリコン脱酸鋼の製造方法 | |
| JPS63100150A (ja) | チタン合金製造用マスター合金とこのマスター合金の製造方法 | |
| US20230257858A1 (en) | Silicon based alloy, method for the production thereof and use of such alloy | |
| JPH11315354A (ja) | 高Ｎｉ合金とその製造方法 | |
| JP2003027188A (ja) | シャド−マスク用インバ−合金とその製造法 | |
| JPH06322454A (ja) | 純Ｎｉ又はＮｉ合金のＶＯＤ精製工程におけるＳｉ脱酸法 | |
| JP3499349B2 (ja) | 表面性状に優れたＦｅ−Ｎｉ合金冷延板及びその製造方法 | |
| JP6982795B2 (ja) | ボロン含有ステンレス鋼の製造方法 | |
| WO2022039036A1 (ja) | 高マンガン鋼の溶製方法 | |
| JPS6263626A (ja) | 低酸素Ｔｉ合金の製造方法 | |
| JPH08225820A (ja) | 高炭素Ｓｉキルド鋼の製造方法 | |
| CN110951940A (zh) | 一种大规格圆坯连铸镍基合金的方法 | |
| EP3802899B1 (en) | Silicon based alloy, method for the production thereof and use of such alloy | |
| CN110016625B (zh) | 高纯净耐腐蚀合金材料 | |
| JP3099152B2 (ja) | 含クロム溶鋼の原料配合方法および溶製方法 | |
| JP2023176305A (ja) | インゴットの製造方法 |