JPH0632219B2 - 記憶装置回路 - Google Patents
記憶装置回路Info
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- JPH0632219B2 JPH0632219B2 JP1014246A JP1424689A JPH0632219B2 JP H0632219 B2 JPH0632219 B2 JP H0632219B2 JP 1014246 A JP1014246 A JP 1014246A JP 1424689 A JP1424689 A JP 1424689A JP H0632219 B2 JPH0632219 B2 JP H0632219B2
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- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
- H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
- H03K5/2436—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using a combination of bipolar and field-effect transistors
- H03K5/2445—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using a combination of bipolar and field-effect transistors with at least one differential stage
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
- G11C7/062—Differential amplifiers of non-latching type, e.g. comparators, long-tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
- H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
- H03K5/2436—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using a combination of bipolar and field-effect transistors
- H03K5/2454—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using a combination of bipolar and field-effect transistors using clock signals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、一般に、開ループゲインが高くかつ入力イン
ピーダンスが低いフィードバック増幅器に関するもので
あり、更に詳細には、増幅器の入力を所定の電圧にクラ
ンプするフィードバックを備え、これにより大きなキャ
パシタンスが存在するときの入力信号電圧の変動を極力
小さくし、入力信号に対する応答を速くするバイMOS（B
IMOS）トランスインピーダンス増幅器に関するものであ
る。
ピーダンスが低いフィードバック増幅器に関するもので
あり、更に詳細には、増幅器の入力を所定の電圧にクラ
ンプするフィードバックを備え、これにより大きなキャ
パシタンスが存在するときの入力信号電圧の変動を極力
小さくし、入力信号に対する応答を速くするバイMOS（B
IMOS）トランスインピーダンス増幅器に関するものであ
る。
［従来の技術］ 増幅器の使用は電子産業において思い通りにならないも
のである。このような使用の一つは記憶装置アレイのセ
ンス増幅器である。メモリセルは情報を低電流スタンバ
イモードで格納することができ、高電流モードで書込み
または読出しができる回路である。所定数のセルが複数
の上部語線（word lines）と下部語線の各々の間に行を
なして設置され、他の所定数のセルが複数のビット線の
間に列をなして設置されている。換言すれば、各セルは
語線とビット線との組合せの間に一義的に結合してい
る。
のである。このような使用の一つは記憶装置アレイのセ
ンス増幅器である。メモリセルは情報を低電流スタンバ
イモードで格納することができ、高電流モードで書込み
または読出しができる回路である。所定数のセルが複数
の上部語線（word lines）と下部語線の各々の間に行を
なして設置され、他の所定数のセルが複数のビット線の
間に列をなして設置されている。換言すれば、各セルは
語線とビット線との組合せの間に一義的に結合してい
る。
セルの行（row）は高電圧が該当する語線に供給される
と選択される。その行の特定のセルがビット線と結合し
ているセンス増幅器により読出される。一方のビット線
を通る第１の読出し電流が直接センス増幅器に流れる。
他のビット線を通る第２の読出し電流がメモリセルの一
方の側を通って流れる。セルが書込まれるときは、第１
の書込み電流がセルの一方の側に導入され、第２の書込
み電流がセルの一方の側に導入され、第２の書込み電流
がセルから導出される。
と選択される。その行の特定のセルがビット線と結合し
ているセンス増幅器により読出される。一方のビット線
を通る第１の読出し電流が直接センス増幅器に流れる。
他のビット線を通る第２の読出し電流がメモリセルの一
方の側を通って流れる。セルが書込まれるときは、第１
の書込み電流がセルの一方の側に導入され、第２の書込
み電流がセルの一方の側に導入され、第２の書込み電流
がセルから導出される。
［発明が解決しようとする課題］ NMOSまたはCMOSメモリセルを使用するほとんどの記憶装
置アレイでは共通ビット線ノードに関連する大きなキャ
パシタンスのため急速にデータを検出することが困難に
なる。高速検出を行うには、このキャパシタンスを急速
に充電または放電させて共通ビット線での電圧差を充分
大きくするか、あるいはセンス増幅器のゲインを充分大
きくするかして、共通ビット線ノードでの小さな電圧変
化を検知しなければならない。
置アレイでは共通ビット線ノードに関連する大きなキャ
パシタンスのため急速にデータを検出することが困難に
なる。高速検出を行うには、このキャパシタンスを急速
に充電または放電させて共通ビット線での電圧差を充分
大きくするか、あるいはセンス増幅器のゲインを充分大
きくするかして、共通ビット線ノードでの小さな電圧変
化を検知しなければならない。
検知の速さを充分速くするのに利用されている普通の手
法には、共通ビット線のキャパシタンスを減らす多数ブ
ロック記憶装置アレイとセンス増幅器回路の全体ゲイン
を大きくする多数センス増幅器とがある。しかしなが
ら、多数ブロック記憶装置アレイはチップ上の面積や回
路の複雑さが増し、多段センス増幅器では読出しアクセ
スの遅れが大きくなる。
法には、共通ビット線のキャパシタンスを減らす多数ブ
ロック記憶装置アレイとセンス増幅器回路の全体ゲイン
を大きくする多数センス増幅器とがある。しかしなが
ら、多数ブロック記憶装置アレイはチップ上の面積や回
路の複雑さが増し、多段センス増幅器では読出しアクセ
スの遅れが大きくなる。
従って、必要なのは開ループゲインが高く、入力インピ
ーダンスが低く、かつ大きなキャパシタンスの存在のも
とで入力信号電圧の変動を極力小さくするフィードバッ
クによりクランプされる入力を備えたトランスインピー
ダンス増幅器である。
ーダンスが低く、かつ大きなキャパシタンスの存在のも
とで入力信号電圧の変動を極力小さくするフィードバッ
クによりクランプされる入力を備えたトランスインピー
ダンス増幅器である。
従って、改良された増幅器回路を提供するのが本発明の
目的である。
目的である。
本発明の他の目的は、開ループゲインが高くかつ入力イ
ンピーダンスが低い増幅器回路を提供することである。
ンピーダンスが低い増幅器回路を提供することである。
本発明の更に他の目的は、フィードバックにより入力電
圧がクランプされ、これにより関連する入力キャパシタ
ンスの充電または放電を防止する増幅器回路を提供する
ことである。
圧がクランプされ、これにより関連する入力キャパシタ
ンスの充電または放電を防止する増幅器回路を提供する
ことである。
本発明の更に他の目的は、読出しアクセスおよび回復時
間が速い記憶装置アレイ用センス増幅器を提供すること
である。
間が速い記憶装置アレイ用センス増幅器を提供すること
である。
本発明の上記のおよび他の目的を一つの形態で実施する
にあたり、複数の語線と、複数のビット線対と、複数の
メモリセルであって、各々のメモリセルは前記ビット線
対の１つと前記複数の語線の１つとの間に一義的に結合
されており、書込みモードにおいて、前記ビット線対に
おける差動的電気信号で表わされる情報を受け入れて記
憶可能であり、かつ読出しモードにおいて前記記憶した
情報を前記ビット線対上の差動的電気信号として読出し
可能なものと、前記複数の語線に結合され該語線の１つ
を選択する第１の手段（４９，５３）と、前記複数のビ
ット線対に結合され該ビット線対の１つを選択する第２
の手段（５５，５６）と、複数の第３の手段（１１）で
あって、該第３の手段の各々はビット線対の１つに結合
され、該ビット線対の電圧を検知するもの、を具備し、 前記第３の手段の各々は、第１の出力端子（２５）と、
第２の出力端子（３１）と、前記ビット線対に結合され
第１および第２の信号を差動的に発生する第４の手段
（１２，１３，１６，１８）と、前記第４の手段の１つ
の出力端子と前記第１の出力端子との間に結合され、前
記第４の手段からの前記第１の信号に応じて前記第１の
出力端子に第１の出力を発生する第５の手段（２３）
と、前記第４の手段の他の出力端子と前記第２の出力端
子との間に結合され、前記第４の手段からの前記第２の
信号に応じて前記第２の出力端子に第２の出力を発生す
る第６の手段（２４）と、前記ビット線の一方と前記第
１の出力端子との間に結合され、前記読出しモード中に
該一方のビット線の電圧をクランプする第７の手段（２
６）と、前記ビット線の他方と前記第２の出力端子との
間に結合され、前記読出しモード中に該他方のビット線
の電圧をクランプする第８の手段（３２）と、を具備す
ることを特徴とする記憶装置回路が提供される。
にあたり、複数の語線と、複数のビット線対と、複数の
メモリセルであって、各々のメモリセルは前記ビット線
対の１つと前記複数の語線の１つとの間に一義的に結合
されており、書込みモードにおいて、前記ビット線対に
おける差動的電気信号で表わされる情報を受け入れて記
憶可能であり、かつ読出しモードにおいて前記記憶した
情報を前記ビット線対上の差動的電気信号として読出し
可能なものと、前記複数の語線に結合され該語線の１つ
を選択する第１の手段（４９，５３）と、前記複数のビ
ット線対に結合され該ビット線対の１つを選択する第２
の手段（５５，５６）と、複数の第３の手段（１１）で
あって、該第３の手段の各々はビット線対の１つに結合
され、該ビット線対の電圧を検知するもの、を具備し、 前記第３の手段の各々は、第１の出力端子（２５）と、
第２の出力端子（３１）と、前記ビット線対に結合され
第１および第２の信号を差動的に発生する第４の手段
（１２，１３，１６，１８）と、前記第４の手段の１つ
の出力端子と前記第１の出力端子との間に結合され、前
記第４の手段からの前記第１の信号に応じて前記第１の
出力端子に第１の出力を発生する第５の手段（２３）
と、前記第４の手段の他の出力端子と前記第２の出力端
子との間に結合され、前記第４の手段からの前記第２の
信号に応じて前記第２の出力端子に第２の出力を発生す
る第６の手段（２４）と、前記ビット線の一方と前記第
１の出力端子との間に結合され、前記読出しモード中に
該一方のビット線の電圧をクランプする第７の手段（２
６）と、前記ビット線の他方と前記第２の出力端子との
間に結合され、前記読出しモード中に該他方のビット線
の電圧をクランプする第８の手段（３２）と、を具備す
ることを特徴とする記憶装置回路が提供される。
本発明の上述のおよび他の目的、特徴、および利点は付
図と関連して行う以下の詳細な説明から一層よく理解さ
れるであろう。
図と関連して行う以下の詳細な説明から一層よく理解さ
れるであろう。
［実施例］ 第１図を参照して、抵抗器27と33とは代りに能動抵抗と
なるMOSトランジスタとすることができる。トランジス
タ32のゲートは読出し信号Ｒを受ける端子34に結合して
おり、ソースはトランジスタ13のベースに結合してい
る。増幅器11の差動開ループゲインは抵抗21と抵抗器18
を通って供給される電流とにより次の式によって決ま
る。
なるMOSトランジスタとすることができる。トランジス
タ32のゲートは読出し信号Ｒを受ける端子34に結合して
おり、ソースはトランジスタ13のベースに結合してい
る。増幅器11の差動開ループゲインは抵抗21と抵抗器18
を通って供給される電流とにより次の式によって決ま
る。
Ａ＝Ｒ21（Ｉ18）／［２（KT／ｑ）］ ここで、Ａ＝差動開ループゲイン、 Ｒ21＝抵抗器21または22の抵抗値、 Ｉ18＝抵抗器18を通る電流、 Ｋ＝ボルツマン常数、 Ｔ＝絶対温度、 ｑ＝電子の電荷。
増幅器11の差動開ループゲインは、入力ベース電流を無
視し得る（ベータが１より充分大きい）と仮定して、フ
ィードバック抵抗とソース抵抗の値により決まり、次の
式に従う。
視し得る（ベータが１より充分大きい）と仮定して、フ
ィードバック抵抗とソース抵抗の値により決まり、次の
式に従う。
Ｇ＝−Ｒｆ／Ｒ14 ここで、Ｇ＝閉ループゲイン、 Ｒｆ＝トランジスタ26または32の「オン」抵抗（フィー
ドバック抵抗）、 Ｒ14＝信号ソース抵抗（ソース抵抗は第２図の抵抗器49
と55とのオン抵抗の和である。ただし、Ｒ49またはＲ52
がＲ55またはＲ56より充分大きいこと） トランジスタ26と49、および32と53は同じ極性（この実
施例ではNMOS、ただしPMOSとすることができる）であ
る。それ故、差動入力インピーダンスは入力抵抗Ｒ14ま
たはＲ15とで決まる。
ドバック抵抗）、 Ｒ14＝信号ソース抵抗（ソース抵抗は第２図の抵抗器49
と55とのオン抵抗の和である。ただし、Ｒ49またはＲ52
がＲ55またはＲ56より充分大きいこと） トランジスタ26と49、および32と53は同じ極性（この実
施例ではNMOS、ただしPMOSとすることができる）であ
る。それ故、差動入力インピーダンスは入力抵抗Ｒ14ま
たはＲ15とで決まる。
増幅器11の差動入力インピーダンスはフィードバック抵
抗と開ループゲインとにより次の方程式に従って決ま
る。
抗と開ループゲインとにより次の方程式に従って決ま
る。
Ｚ＝２Ｒｆ／（1+A） ただし、Ｚ＝差動入力インピーダンス、 増幅器の出力電圧はECLに適合するレベルであることが
望ましい。それ故、閉ループ差動電圧ゲインＧの大きさ
は入力回路に加わる差動電圧が、ＶDD、すなわち5.0ボ
ルトであれば約0.1に設定される。こうすればトランジ
スタ26および32の「オン」状態での抵抗が差動駆動ソー
ス抵抗Ｒ14およびＲ15に対して小さく設定される。開ル
ープゲインが大きくフィードバック抵抗の値が小さけれ
ば入力インピーダンスが非常に小さくなる。この小さい
入力インピーダンスにより増幅器の入力端子で電圧クラ
ンプが行われる。
望ましい。それ故、閉ループ差動電圧ゲインＧの大きさ
は入力回路に加わる差動電圧が、ＶDD、すなわち5.0ボ
ルトであれば約0.1に設定される。こうすればトランジ
スタ26および32の「オン」状態での抵抗が差動駆動ソー
ス抵抗Ｒ14およびＲ15に対して小さく設定される。開ル
ープゲインが大きくフィードバック抵抗の値が小さけれ
ば入力インピーダンスが非常に小さくなる。この小さい
入力インピーダンスにより増幅器の入力端子で電圧クラ
ンプが行われる。
第２図はメモリセル41のアレイに結合している増幅器11
を示す。メモリセル41のアレイは語線51とビット線52お
よび54との中に破線で示した行および列に配置された複
数のセルを有するが、一つのメモリセル41だけを示して
ある。センス増幅器11はメモリセル41の複数の列に結合
されている。センス増幅器11は以前から知られたセンス
増幅器より大きな数のメモリセル41に結合することがで
きる。ただし、もっと大きな記憶装置アレイについては
複数のセンス増幅器11が望ましいことがある。メモリセ
ル41は当業界で既知の従来のセルとして示してある。本
発明は他の形式のメモリセルについても同様に良く動作
する。
を示す。メモリセル41のアレイは語線51とビット線52お
よび54との中に破線で示した行および列に配置された複
数のセルを有するが、一つのメモリセル41だけを示して
ある。センス増幅器11はメモリセル41の複数の列に結合
されている。センス増幅器11は以前から知られたセンス
増幅器より大きな数のメモリセル41に結合することがで
きる。ただし、もっと大きな記憶装置アレイについては
複数のセンス増幅器11が望ましいことがある。メモリセ
ル41は当業界で既知の従来のセルとして示してある。本
発明は他の形式のメモリセルについても同様に良く動作
する。
ノード14と15との間の電圧差がゼロであるときは、Vdd
（１−Ｋ）、トランジスタ16、および抵抗器18で決ま
る、抵抗器18を通して供給される電流はトランジスタ12
および13を通して平均に分割される。それ故、負荷抵抗
21および22にかかる電圧は、Ｖ21またはＶ22＝（Ｒ21）
×（Ｉ18／２）となる。電流Ｉ18を負荷抵抗21または22
にかかる電圧が電圧ＫＶdd−（ベース・エミッタ間電
圧）に等しいように設定した場合、端子25および31にお
ける電圧（それぞれ、トランジスタ23および24のエミッ
タにおける出力）はＫＶDDに等しいレベルにクランプさ
れる。ただし、0.5＋（φＥ）／２ＶDD＜Ｋ＜（ＶGS−
ＶTN）／ＶDDであり、ＶGSおよびＶTNはそれぞれトラン
ジスタ32のゲート・ソース間電圧およびしきい電圧であ
る。フィードバックトランジスタ26および32にかかる電
圧降下が非常に少い場合には、ノード14および15におけ
る電圧もＫＶDDにクランプされる。従って、Ｋの値は、
チップ温度の変動を補償するように設計することができ
るが、外部バイアス回路網により設定され、メモリセル
41の要求事項に従ってノード14および15における電圧の
制御を可能にする。
（１−Ｋ）、トランジスタ16、および抵抗器18で決ま
る、抵抗器18を通して供給される電流はトランジスタ12
および13を通して平均に分割される。それ故、負荷抵抗
21および22にかかる電圧は、Ｖ21またはＶ22＝（Ｒ21）
×（Ｉ18／２）となる。電流Ｉ18を負荷抵抗21または22
にかかる電圧が電圧ＫＶdd−（ベース・エミッタ間電
圧）に等しいように設定した場合、端子25および31にお
ける電圧（それぞれ、トランジスタ23および24のエミッ
タにおける出力）はＫＶDDに等しいレベルにクランプさ
れる。ただし、0.5＋（φＥ）／２ＶDD＜Ｋ＜（ＶGS−
ＶTN）／ＶDDであり、ＶGSおよびＶTNはそれぞれトラン
ジスタ32のゲート・ソース間電圧およびしきい電圧であ
る。フィードバックトランジスタ26および32にかかる電
圧降下が非常に少い場合には、ノード14および15におけ
る電圧もＫＶDDにクランプされる。従って、Ｋの値は、
チップ温度の変動を補償するように設計することができ
るが、外部バイアス回路網により設定され、メモリセル
41の要求事項に従ってノード14および15における電圧の
制御を可能にする。
図示していない外部バイアス回路網により設定されるＫ
の値により共通ビット線ノードをメモリセルの必要性を
満たすように設計されたレベルに設定することができ
る。たとえば、電気的に釣合っている６個のトランジス
タセルを使用すれば、Ｋの値は0.5＋（φＥ）／２ＶDD
となり、共通ビット線ノードをＶdd（１−Ｋ）にクラン
プすることができる。このレベルによりセルを妨害せず
に高速読出しが可能になる。明らかに、メモリセルのＰ
チャンネルの幅を減らすか、ポリ負荷抵抗器を使用する
かすれば、Ｋの値は0.5＋（φＥ）／２ＶDDより大きく
設計されることになるから共通ビット線はＶDDにより近
い電圧レベルにクランプされることになる。
の値により共通ビット線ノードをメモリセルの必要性を
満たすように設計されたレベルに設定することができ
る。たとえば、電気的に釣合っている６個のトランジス
タセルを使用すれば、Ｋの値は0.5＋（φＥ）／２ＶDD
となり、共通ビット線ノードをＶdd（１−Ｋ）にクラン
プすることができる。このレベルによりセルを妨害せず
に高速読出しが可能になる。明らかに、メモリセルのＰ
チャンネルの幅を減らすか、ポリ負荷抵抗器を使用する
かすれば、Ｋの値は0.5＋（φＥ）／２ＶDDより大きく
設計されることになるから共通ビット線はＶDDにより近
い電圧レベルにクランプされることになる。
メモリセルを端子57と語線51に適切な信号を加えて復号
し、これによりトランジスタ55と56およびトランジスタ
49と53を導通させれば、ノード44と45に蓄積された電圧
はメモリセル41に対して流入および流出する電流を発生
する電圧源として働く。たとえば、電流ＩＨはノード45
にあるメモリセルから入力ノード15に流れ、電流ＩＬは
入力ノード14からノード44にあるメモリセルに流れる。
ノード45における電圧はトランジスタ53および56の「オ
ン」抵抗と増幅器11の入力インピーダンスＺとを見る。
トランジスタ56の抵抗はトランジスタ53に比較して無視
することができ、入力インピーダンスＺは非常に小さ
い。入力インピーダンスが小さいためのノード14と15と
がクランプされ、結果としてノード15での電圧変化が非
常に少なくなる。ノード15での電圧変化が小さいと、無
視できる量の電流ＩＨが負荷キャパシタンスに流入する
に過ぎない。これにより、これまで通常共通ビット線ノ
ードに関連する大きなキャパシタンスＣＬを充電および
放電ることに浪費されていた時間が無くなる。
し、これによりトランジスタ55と56およびトランジスタ
49と53を導通させれば、ノード44と45に蓄積された電圧
はメモリセル41に対して流入および流出する電流を発生
する電圧源として働く。たとえば、電流ＩＨはノード45
にあるメモリセルから入力ノード15に流れ、電流ＩＬは
入力ノード14からノード44にあるメモリセルに流れる。
ノード45における電圧はトランジスタ53および56の「オ
ン」抵抗と増幅器11の入力インピーダンスＺとを見る。
トランジスタ56の抵抗はトランジスタ53に比較して無視
することができ、入力インピーダンスＺは非常に小さ
い。入力インピーダンスが小さいためのノード14と15と
がクランプされ、結果としてノード15での電圧変化が非
常に少なくなる。ノード15での電圧変化が小さいと、無
視できる量の電流ＩＨが負荷キャパシタンスに流入する
に過ぎない。これにより、これまで通常共通ビット線ノ
ードに関連する大きなキャパシタンスＣＬを充電および
放電ることに浪費されていた時間が無くなる。
電流ＩＨの大部分は増幅器11の低インピーダンス経路に
流入する。この電流は、実質上ＩＨであるが、低入力イ
ンピーダンスＺを掛けると小さな電圧を生じ、これにゲ
インＡを掛けると、抵抗器22にかける出力電圧の増大を
生じる。
流入する。この電流は、実質上ＩＨであるが、低入力イ
ンピーダンスＺを掛けると小さな電圧を生じ、これにゲ
インＡを掛けると、抵抗器22にかける出力電圧の増大を
生じる。
増幅器11の他の側については、ノード14からの電流が少
いので抵抗器21における電圧降下が減少する。結果とし
て得られる抵抗器21と22とにかかる差電圧は、トランジ
スタ23と24とによりベース・エミッタ間電圧分のレベル
シフトがあるが、端子25および31における増幅器の出力
である。増幅器11のトランスインピーダンスは出力電圧
の変化分を入力電流の変化分で割ったものである。
いので抵抗器21における電圧降下が減少する。結果とし
て得られる抵抗器21と22とにかかる差電圧は、トランジ
スタ23と24とによりベース・エミッタ間電圧分のレベル
シフトがあるが、端子25および31における増幅器の出力
である。増幅器11のトランスインピーダンスは出力電圧
の変化分を入力電流の変化分で割ったものである。
列選択応答時間はそれぞれビット線52および54と電圧Ｋ
Ｖddとの間にトランジスタ58および59を結合させること
により改善される。トランジスタ58と59とのゲートは端
子57に結合されて逆列選択信号を受取る。従って、列が
選択されないときは、ビット線52と54とは電圧ＫＶddと
なり、前に選択されなかった列が選択されると読出しモ
ード中共通ビット線に乗る雑音が極小になる。
Ｖddとの間にトランジスタ58および59を結合させること
により改善される。トランジスタ58と59とのゲートは端
子57に結合されて逆列選択信号を受取る。従って、列が
選択されないときは、ビット線52と54とは電圧ＫＶddと
なり、前に選択されなかった列が選択されると読出しモ
ード中共通ビット線に乗る雑音が極小になる。
第３図は、メモリセル41の状態を検知する増幅器11の第
２の実施例を示している。第１図の増幅器11含まれてい
る要素は説明しやすくするための同一番号を付けてあ
る。第３図の実施例に含まれる追加要素には、それぞ
れ、ノード10と端子14との間、およびノード20と端子15
との間に結合しており、そのゲートが読出し信号Ｒおよ
び相補信号Ｒバーを受けるように結合しており、トラン
ジスタ12と13とのベースが書込みサイクル中に書込みド
ライバにより駆動されないようにしている伝送ゲート61
と62とがある。トランジスタ63と64とのドレインは、そ
れぞれ、ノード10と20とに結合しており、ゲートは読出
し信号Ｒバーを受取るように結合しており、ソースはノ
ード65に接続されてトランジスタ12と13とのベースを書
込みサイクル中クランプ回路66の出力にクランプしてい
る。バイアス回路67はトランジスタ16のベースに結合さ
れて端子14および15における電圧がＫＶddになるように
するためトランジスタのベースをＶdd（１−Ｋ）にバイ
アスしている。
２の実施例を示している。第１図の増幅器11含まれてい
る要素は説明しやすくするための同一番号を付けてあ
る。第３図の実施例に含まれる追加要素には、それぞ
れ、ノード10と端子14との間、およびノード20と端子15
との間に結合しており、そのゲートが読出し信号Ｒおよ
び相補信号Ｒバーを受けるように結合しており、トラン
ジスタ12と13とのベースが書込みサイクル中に書込みド
ライバにより駆動されないようにしている伝送ゲート61
と62とがある。トランジスタ63と64とのドレインは、そ
れぞれ、ノード10と20とに結合しており、ゲートは読出
し信号Ｒバーを受取るように結合しており、ソースはノ
ード65に接続されてトランジスタ12と13とのベースを書
込みサイクル中クランプ回路66の出力にクランプしてい
る。バイアス回路67はトランジスタ16のベースに結合さ
れて端子14および15における電圧がＫＶddになるように
するためトランジスタのベースをＶdd（１−Ｋ）にバイ
アスしている。
［発明の効果］ これまで述べたところにより増幅器の入力をクランプす
るフィードバックを備え、これにより関連する大きなキ
ャパシタンスを充電または放電しないようにして、入力
信号に一層速く応答するバイMOSトランスインピーダン
ス増幅器が提供されることがわかるはずである。
るフィードバックを備え、これにより関連する大きなキ
ャパシタンスを充電または放電しないようにして、入力
信号に一層速く応答するバイMOSトランスインピーダン
ス増幅器が提供されることがわかるはずである。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す電気回路図であ
る。 第２図は、記憶装置アレイに結合した第１の実施例を示
す電気回路図である。 第３図は、本発明の第２の実施例を示す部分的ブロック
回路図である。 １１…センス増幅器、 １２，１３…トランジスタ、 １４、１５…ノード、１８…抵抗器、 ２１，２２…負荷抵抗器、４１…メモリセル、 ５１…語線、５２，５４…ビット線。
る。 第２図は、記憶装置アレイに結合した第１の実施例を示
す電気回路図である。 第３図は、本発明の第２の実施例を示す部分的ブロック
回路図である。 １１…センス増幅器、 １２，１３…トランジスタ、 １４、１５…ノード、１８…抵抗器、 ２１，２２…負荷抵抗器、４１…メモリセル、 ５１…語線、５２，５４…ビット線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニー・ジェイ・モールゾイン アメリカ合衆国ジョージア州 30092、ノ ークロス、ノーブル・フォレスト・ドライ ブ 811
Claims (9)
- 【請求項１】複数の語線と、 複数のビット線対と、 複数のメモリセルであって、各々のメモリセルは前記ビ
ット線対の１つと前記複数の語線の１つとの間に一義的
に結合されており、書込みモードにおいて、前記ビット
線対における差動的電気信号で表わされる情報を受け入
れて記憶可能であり、かつ読出しモードにおいて前記記
憶した情報を前記ビット線対上の差動的電気信号として
読出し可能なものと、 前記複数の語線に結合され該語線の１つを選択する第１
の手段（４９，５３）と、 前記複数のビット線対に結合され該ビット線対の１つを
選択する第２の手段（５５，５６）と、 複数の第３の手段（１１）であって、該第３の手段の各
々はビット線対の１つに結合され、該ビット線対の電圧
を検知するもの、 を具備し、 前記第３の手段の各々は、 第１の出力端子（２５）と、 第２の出力端子（３１）と、 前記ビット線対に結合され第１および第２の信号を差動
的に発生する第４の手段（１２，１３，１６，１８）
と、 前記第４の手段の１つの出力端子と前記第１の出力端子
との間に結合され、前記第４の手段からの前記第１の信
号に応じて前記第１の出力端子に第１の出力を発生する
第５の手段（２３）と、 前記第４の手段の他の出力端子と前記第２の出力端子と
の間に結合され、前記第４の手段からの前記第２の信号
に応じて前記第２の出力端子に第２の出力を発生する第
６の手段（２４）と、 前記ビット線の一方と前記第１の出力端子との間に結合
され、前記読出しモード中に該一方のビット線の電圧を
クランプする第７の手段（２６）と、 前記ビット線の他方と前記第２の出力端子との間に結合
され、前記読出しモード中に該他方のビット線の電圧を
クランプする第８の手段（３２）と、 を具備することを特徴とする記憶装置回路。 - 【請求項２】更に、前記ビット線対の間に結合され、前
記ビット線が選択されないとき該ビット線をクランプ電
圧にクランプする第９の手段を備えている特許請求の範
囲第１項に記載の回路。 - 【請求項３】前記第９の手段は、 前記クランプ電圧を受取る電圧端子と、 前記ビット線の一方と前記電圧端子との間に結合されて
おり、前記第２の手段に結合されたゲートを備えてお
り、列選択信号に応答する、第１のトランジスタ（５
８）と、 前記ビット線の他方と前記電圧端子との間に結合されて
おり、前記第２の手段に結合されたゲートを備えてお
り、前記列選択信号に応答する、第２のトランジスタ
（５９）と、 を具備する特許請求の範囲第２項に記載の回路。 - 【請求項４】前記第４の手段は、 第１の抵抗器（２１）と、 第２の抵抗器（２２）と、 電流源（１６，１８）と、 前記第１の抵抗器により第１の電圧に結合されかつ前記
第５の手段に結合されているコレクタ、前記ビット線の
一方に結合されているベース、及び前記電流源により第
２の電圧に結合されているエミッタを有する第３のトラ
ンジスタ（１２）と、 前記第２の抵抗器により前記第１の電圧に結合されかつ
前記第６の手段に結合されているコレクタ、前記ビット
線の他方に結合されているベース、及び前記電流源によ
り前記第２の電圧端子に結合されているエミッタを有す
る第４のトランジスタ（１３）と、 を具備する特許請求の範囲第１項に記載の回路。 - 【請求項５】前記第５の手段は、前記第１の電圧に結合
されてているコレクタ、前記第３のトランジスタの前記
コレクタに結合されているベース、前記第１の出力端子
および前記第７の手段に結合されているエミッタを有す
る第５のトランジスタ（２３）を有する特許請求の範囲
第４項に記載の回路。 - 【請求項６】前記第７の手段は、前記第５のトランジス
タの前記エミッタに結合されているドレイン、第１のイ
ネーブル信号を受けるように結合されているゲート、前
記第３のトランジスタの前記ベースに結合されているソ
ースを有する第６のトランジスタ（２６）を具備する特
許請求の範囲第５項に記載の回路。 - 【請求項７】前記第６の手段は、前記第１の電圧に結合
されているコレクタ、前記第４のトランジスタの前記コ
レクタに結合されているベース、前記第２の出力端子お
よび第８の手段に結合されているエミッタを有する第７
のトランジスタ（２４）を具備する特許請求の範囲第５
項に記載の回路。 - 【請求項８】前記第８の手段は、前記第７のトランジス
タの前記エミッタに結合しているソース、第２のイネー
ブル信号を受けるように結合されているゲート、前記第
４のトランジスタの前記ベースに結合されているドレイ
ンを有する第８のトランジスタ（３２）を具備する特許
請求の範囲第７項に記載の回路。 - 【請求項９】前記第７の手段は、前記第５のトランジス
タの前記エミッタに結合されているソース、第１のイネ
ーブル信号を受けるように結合されているゲート、前記
第３のトランジスタの前記ベースに結合されているドレ
インを有する第６のトランジスタ（２６）を有する特許
請求の範囲第８項に記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US150,607 | 1988-02-01 | ||
| US07/150,607 US4785259A (en) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | BIMOS memory sense amplifier system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029089A JPH029089A (ja) | 1990-01-12 |
| JPH0632219B2 true JPH0632219B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=22535276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1014246A Expired - Lifetime JPH0632219B2 (ja) | 1988-02-01 | 1989-01-25 | 記憶装置回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4785259A (ja) |
| EP (1) | EP0326695B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0632219B2 (ja) |
| DE (1) | DE3871937T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4881044A (en) * | 1987-01-16 | 1989-11-14 | Hitachi, Ltd. | Amplifying circuit |
| DE3919217A1 (de) * | 1989-05-26 | 1991-02-07 | Teves Gmbh Alfred | Betaetigungseinheit fuer eine blockiergeschuetzte kraftfahrzeugbremsanlage |
| JP2504571B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1996-06-05 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| JP2771858B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1998-07-02 | 富士通株式会社 | 多画面合成装置 |
| DE3943306C1 (en) * | 1989-12-29 | 1991-07-18 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | Sense amplifier for complex logic gates - has drain-source path of FET connected to potential source and base of bipolar transistor |
| US4991141A (en) * | 1990-02-08 | 1991-02-05 | Texas Instruments Incorporated | Sense amplifier and method for sensing the outputs of static random access memory cells |
| US5046050A (en) * | 1990-04-10 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corporation | Shared BiCMOS sense amplifier |
| US5101126A (en) * | 1990-10-15 | 1992-03-31 | Analog Devices, Inc. | Wide dynamic range transconductance stage |
| US5144171A (en) * | 1990-11-15 | 1992-09-01 | National Semiconductor Corporation | High-speed differential-feedback cascode sense amplifier |
| US5287231A (en) * | 1992-10-06 | 1994-02-15 | Vtc Inc. | Write circuit having current mirrors between predriver and write driver circuits for maximum head voltage swing |
| US6326846B1 (en) * | 2000-04-11 | 2001-12-04 | National Semiconductor Corporation | Low voltage fet differential amplifier and method |
| FR2823031B1 (fr) * | 2001-03-27 | 2003-07-04 | St Microelectronics Sa | Dispositif amplificateur a commutation de gain, en particulier pour un telephone mobile cellulaire |
| US7636264B2 (en) * | 2007-02-09 | 2009-12-22 | Atmel Corporation | Single-ended sense amplifier for very low voltage applications |
| US7642815B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-01-05 | Atmel Corporation | Sense amplifier |
| US7813201B2 (en) * | 2008-07-08 | 2010-10-12 | Atmel Corporation | Differential sense amplifier |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3760194A (en) * | 1972-01-31 | 1973-09-18 | Advanced Mamory Systems | High speed sense amplifier |
| DE2460146C3 (de) * | 1974-12-19 | 1981-11-05 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Bipolare Leseschaltung für integrierte Speichermatrix |
| US4393473A (en) * | 1981-07-13 | 1983-07-12 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Random access memory preset circuitry |
| US4577162A (en) * | 1985-04-29 | 1986-03-18 | Motorola, Inc. | Clocked gain stage having differential inputs and outputs |
| US4713797A (en) * | 1985-11-25 | 1987-12-15 | Motorola Inc. | Current mirror sense amplifier for a non-volatile memory |
-
1988
- 1988-02-01 US US07/150,607 patent/US4785259A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-16 EP EP88121082A patent/EP0326695B1/en not_active Expired
- 1988-12-16 DE DE8888121082T patent/DE3871937T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1014246A patent/JPH0632219B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3871937T2 (de) | 1993-05-13 |
| US4785259A (en) | 1988-11-15 |
| EP0326695B1 (en) | 1992-06-10 |
| EP0326695A3 (en) | 1990-03-14 |
| JPH029089A (ja) | 1990-01-12 |
| DE3871937D1 (de) | 1992-07-16 |
| EP0326695A2 (en) | 1989-08-09 |
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