JPH06318853A - 低パワー・プッシュ・プル・ドライバ - Google Patents
低パワー・プッシュ・プル・ドライバInfo
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- JPH06318853A JPH06318853A JP3162413A JP16241391A JPH06318853A JP H06318853 A JPH06318853 A JP H06318853A JP 3162413 A JP3162413 A JP 3162413A JP 16241391 A JP16241391 A JP 16241391A JP H06318853 A JPH06318853 A JP H06318853A
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- G06F13/40—Bus structure
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- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/013—Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits
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Abstract
(57)【要約】
【目的】差動カスコード電流回路のための低パワー・プ
ッシュ・プル式オフ・チップ・ドライバを提供する。 【構成】本発明の低パワー・プッシュ・プル・ドライバ
は、共通接続点が出力端子P51に結合されている、直
列に接続されたパワー・トランジスタにT7及びT8/
T9を有する。前記トランジスタのためのプリドライバ
は、1対のトランジスタT3及びT4を含む差動電流ス
イッチ回路から構成され、このトランジスタ対T3及び
T4のコレクタは、直接制御するため、パワー・トラン
ジスタT7及びT8/T9のベースに直接結合される。
ッシュ・プル式オフ・チップ・ドライバを提供する。 【構成】本発明の低パワー・プッシュ・プル・ドライバ
は、共通接続点が出力端子P51に結合されている、直
列に接続されたパワー・トランジスタにT7及びT8/
T9を有する。前記トランジスタのためのプリドライバ
は、1対のトランジスタT3及びT4を含む差動電流ス
イッチ回路から構成され、このトランジスタ対T3及び
T4のコレクタは、直接制御するため、パワー・トラン
ジスタT7及びT8/T9のベースに直接結合される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライバ回路に関する
ものであり、とりわけ、コンピュータ・チップ間のドラ
イバ回路に関するものである。
ものであり、とりわけ、コンピュータ・チップ間のドラ
イバ回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】今日のデータ処理システムにおいて、ほ
とんどの回路、とりわけ、論理回路は、集積回路の形式
をとる。単一の半導体基板すなわちチップ上における回
路コンポーネントの集積密度を高めようとする努力が、
継続して行なわれている。典型的なシステムにおいて
は、1つの熱制御モジュール(TCM)に 100のこうし
たチップが含まれる可能性がある。コンピュータ・シス
テムには、いくつかのTCMが含まれる可能性がある。
今日のバイポーラ論理チップの場合、論理性能(速度)
は、主として、クリティカルな論理経路に利用可能なパ
ワーの関数である。5000以上の論理ゲートを備えたチッ
プの場合、実際のところ、パワーに限りがあるため、そ
れを用いるコンピュータ・システムの速度が低下する。
全てのオフ・チップ用途において、こうした論理チップ
に対してプッシュ・プル・ドライバが広く用いられてい
る。チップ間の信号を駆動するのに効率の良い電流ドラ
イバが必要とされている。
とんどの回路、とりわけ、論理回路は、集積回路の形式
をとる。単一の半導体基板すなわちチップ上における回
路コンポーネントの集積密度を高めようとする努力が、
継続して行なわれている。典型的なシステムにおいて
は、1つの熱制御モジュール(TCM)に 100のこうし
たチップが含まれる可能性がある。コンピュータ・シス
テムには、いくつかのTCMが含まれる可能性がある。
今日のバイポーラ論理チップの場合、論理性能(速度)
は、主として、クリティカルな論理経路に利用可能なパ
ワーの関数である。5000以上の論理ゲートを備えたチッ
プの場合、実際のところ、パワーに限りがあるため、そ
れを用いるコンピュータ・システムの速度が低下する。
全てのオフ・チップ用途において、こうした論理チップ
に対してプッシュ・プル・ドライバが広く用いられてい
る。チップ間の信号を駆動するのに効率の良い電流ドラ
イバが必要とされている。
【0003】従来技術と表示された図1は、“Latch Ci
rcnits with Differential with Cascodes Cunnent Swi
tch Logic”と題する Lininger に対するIBM社の米
国特許第4,513,283号、“Two Level Differential Casc
ode Current Switch Masterslice”と題する Eichelber
ger他に対する米国特許第4,760,289号、及び、Low に対
する米国特許第4,686,392号に一般的な開示がある、差
動カスコード電流スイッチ回路構成を用いたチップ間に
おける駆動を行なうための典型的なプッシュ・プル・ド
ライバ回路である。これらの特許は、参考までに本書に
組み込まれている。このドライバは、ECL回路構成に
比べて、電流が少なくてすみ、パワーが小さい差動カス
コード回路構成に特に用いられる。その論理は、1対の
ワイヤによって得られ、一方のリード線が0.6ボルトの
レベルで、もう一方のリード線が0.4ボルトであれば、
論理“1”とし、レベルが、逆であれば、論理“0”と
する。この差動カスコード電流スイッチを用いることに
より、ECLマスタ・スライス回路が同じパワーで動作
した場合に比べて、性能が20パーセント向上することに
なる。図1に示す先行技術による回路は、プリ・ドライ
バとして差動カスコード電流スイッチ回路構成を利用す
るプッシュ・プル・ドライバである。前述のように、図
1のドライバは、例えば所定のTCMにおけるチップ間
またはTCM間において用いられ、さらに、ケーブル布
線にも、あるいは、アウト・バウンド接続にも用いられ
る。作動カスコード回路は、入力のための2つのワイヤ
を備えており、これらは図1における−A端子及び+A
端子に与えられる。シングル・エンド出力は、端子Bに
発生される。図1の回路には、VCCとVTの間に直列
に接続された高パワー・トランジスタ10及び11が含まれ
ている。トランジスタ10及び11の共通接続点は出力
端子Bに接続されている。VCCとVEEの間には、ト
ランジスタ12及び13を含む差動カスコード電流スイッチ
・プリドライバが、結合されている。+A及び−Aにお
ける差動信号によって、トランジスタ12及び13を通る電
流通路が選択される。トランジスタ12のコレクタ抵抗器
の両端間における電圧降下によって、トランジスタ10の
導通またはカット・オフが制御される。下側のトランジ
スタ11の導通及びカット・オフは、トランジスタ16及び
抵抗器14及び15を含むエミッタ・フォロワ回路によって
行なわれる。このエミッタ・フォロワ回路は、レベル・
シフトを与え、入力段トランジスタ13の飽和を防止す
る。エミッタ・フォロワがなければ、COCは、低い電
圧となり、T13が飽和する。COCにおけるノードが、
あまりに低くなると、ベースがコレクタよりも高くなる
可能性がある。エミッタ・フォロワによって、これが防
止され、さらに、駆動をより有効にする電流利得が得ら
れる。
rcnits with Differential with Cascodes Cunnent Swi
tch Logic”と題する Lininger に対するIBM社の米
国特許第4,513,283号、“Two Level Differential Casc
ode Current Switch Masterslice”と題する Eichelber
ger他に対する米国特許第4,760,289号、及び、Low に対
する米国特許第4,686,392号に一般的な開示がある、差
動カスコード電流スイッチ回路構成を用いたチップ間に
おける駆動を行なうための典型的なプッシュ・プル・ド
ライバ回路である。これらの特許は、参考までに本書に
組み込まれている。このドライバは、ECL回路構成に
比べて、電流が少なくてすみ、パワーが小さい差動カス
コード回路構成に特に用いられる。その論理は、1対の
ワイヤによって得られ、一方のリード線が0.6ボルトの
レベルで、もう一方のリード線が0.4ボルトであれば、
論理“1”とし、レベルが、逆であれば、論理“0”と
する。この差動カスコード電流スイッチを用いることに
より、ECLマスタ・スライス回路が同じパワーで動作
した場合に比べて、性能が20パーセント向上することに
なる。図1に示す先行技術による回路は、プリ・ドライ
バとして差動カスコード電流スイッチ回路構成を利用す
るプッシュ・プル・ドライバである。前述のように、図
1のドライバは、例えば所定のTCMにおけるチップ間
またはTCM間において用いられ、さらに、ケーブル布
線にも、あるいは、アウト・バウンド接続にも用いられ
る。作動カスコード回路は、入力のための2つのワイヤ
を備えており、これらは図1における−A端子及び+A
端子に与えられる。シングル・エンド出力は、端子Bに
発生される。図1の回路には、VCCとVTの間に直列
に接続された高パワー・トランジスタ10及び11が含まれ
ている。トランジスタ10及び11の共通接続点は出力
端子Bに接続されている。VCCとVEEの間には、ト
ランジスタ12及び13を含む差動カスコード電流スイッチ
・プリドライバが、結合されている。+A及び−Aにお
ける差動信号によって、トランジスタ12及び13を通る電
流通路が選択される。トランジスタ12のコレクタ抵抗器
の両端間における電圧降下によって、トランジスタ10の
導通またはカット・オフが制御される。下側のトランジ
スタ11の導通及びカット・オフは、トランジスタ16及び
抵抗器14及び15を含むエミッタ・フォロワ回路によって
行なわれる。このエミッタ・フォロワ回路は、レベル・
シフトを与え、入力段トランジスタ13の飽和を防止す
る。エミッタ・フォロワがなければ、COCは、低い電
圧となり、T13が飽和する。COCにおけるノードが、
あまりに低くなると、ベースがコレクタよりも高くなる
可能性がある。エミッタ・フォロワによって、これが防
止され、さらに、駆動をより有効にする電流利得が得ら
れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなエミッタ
・フォロワ回路は、ドライバ毎に約 3.6ミリワットのパ
ワーを消散する。この結果、多数のドライバを備える典
型的なTCMは、平均17ワットパワーを散逸することに
なる。このため、冷却の強化が必要になり、特に、水冷
システムが必要となり、付随して、コストも増加する。
本発明は低パワーのプッシュ・プル・ドライバを提供す
るものである。
・フォロワ回路は、ドライバ毎に約 3.6ミリワットのパ
ワーを消散する。この結果、多数のドライバを備える典
型的なTCMは、平均17ワットパワーを散逸することに
なる。このため、冷却の強化が必要になり、特に、水冷
システムが必要となり、付随して、コストも増加する。
本発明は低パワーのプッシュ・プル・ドライバを提供す
るものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の低パワー・プッ
シュ・プル・ドライバは、共通接続点が出力端子に結合
されている、直列に接続されたパワー・トランジスタよ
りなるプッシュ・プル段及びプリドライバ段を有し、プ
リドライバ段は、1対のトランジスタを含む差動電流ス
イッチ回路から構成され、電流スイッチ・トランジスタ
のコレクタは、直接制御するため、パワー・トランジス
タのベースに直接結合される。
シュ・プル・ドライバは、共通接続点が出力端子に結合
されている、直列に接続されたパワー・トランジスタよ
りなるプッシュ・プル段及びプリドライバ段を有し、プ
リドライバ段は、1対のトランジスタを含む差動電流ス
イッチ回路から構成され、電流スイッチ・トランジスタ
のコレクタは、直接制御するため、パワー・トランジス
タのベースに直接結合される。
【0006】
【実施例】図2を参照すると、差動カスコード論理値が
示されている。論理“0”の状態の場合、+IN入力
(すなわち+A)は、差動スイッチに対して 0.4ボルト
で、−IN入力のレベルは、0.6ボルトになり、論理
“1”の状態の場合、+IN入力が0.6ボルトで、−I
N入力が、0.4ボルトになる。図3に示すように、内部
論理値は、0.6ボルト及び0.4ボルトであり、これら2つ
の電圧がプッシュ・プル・ドライバの入力に印加され、
チップから他のチップへ移動するドライバからの出力
は、− 0.5ボルトと+ 0.5ボルトの間の単一出力にな
る。
示されている。論理“0”の状態の場合、+IN入力
(すなわち+A)は、差動スイッチに対して 0.4ボルト
で、−IN入力のレベルは、0.6ボルトになり、論理
“1”の状態の場合、+IN入力が0.6ボルトで、−I
N入力が、0.4ボルトになる。図3に示すように、内部
論理値は、0.6ボルト及び0.4ボルトであり、これら2つ
の電圧がプッシュ・プル・ドライバの入力に印加され、
チップから他のチップへ移動するドライバからの出力
は、− 0.5ボルトと+ 0.5ボルトの間の単一出力にな
る。
【0007】図4には、本発明の望ましい実施例が示さ
れている。このプッシュ・プル・ドライバは、PA2及
びPA3に差動入力を、P51にスイッチ出力を備えてい
る。本発明では、余分なレベル・シフト回路構成を用い
ずに、直接、トランジスタの組合せT8、T9のベース
に送られる独立性の高いレベル・シフトされた入力が、
T4(COC)のコレクタ・ノードに加えられる。
れている。このプッシュ・プル・ドライバは、PA2及
びPA3に差動入力を、P51にスイッチ出力を備えてい
る。本発明では、余分なレベル・シフト回路構成を用い
ずに、直接、トランジスタの組合せT8、T9のベース
に送られる独立性の高いレベル・シフトされた入力が、
T4(COC)のコレクタ・ノードに加えられる。
【0008】PA2及びPA3における入力が、それぞ
れ、トランジスタT2及びT1に加えられる。トランジ
スタT1及びT2は、差動カスコード電流スイッチをな
す、トランジスタ対T3及びT4のベースに対する入力
をレベル・シフトさせる。0.6ボルトの入力が、−0.2ボ
ルトにレベル・シフトされ、 0.4ボルトの入力が、−0.
4ボルトにレベル・シフトされる。トランジスタT1及
びT2のコレクタは、コレクタ電圧VCCに結合されて
いる。トランジスタT1のエミッタは、並列抵抗器R4
及びR5を介してVTに、また、トランジスタT3のベ
ースに結合されている。トランジスタT2のエミッタ
は、並列抵抗器R6及びR7を介してVTに、また、ト
ランジスタT4のベースに結合されている。
れ、トランジスタT2及びT1に加えられる。トランジ
スタT1及びT2は、差動カスコード電流スイッチをな
す、トランジスタ対T3及びT4のベースに対する入力
をレベル・シフトさせる。0.6ボルトの入力が、−0.2ボ
ルトにレベル・シフトされ、 0.4ボルトの入力が、−0.
4ボルトにレベル・シフトされる。トランジスタT1及
びT2のコレクタは、コレクタ電圧VCCに結合されて
いる。トランジスタT1のエミッタは、並列抵抗器R4
及びR5を介してVTに、また、トランジスタT3のベ
ースに結合されている。トランジスタT2のエミッタ
は、並列抵抗器R6及びR7を介してVTに、また、ト
ランジスタT4のベースに結合されている。
【0009】差動カスコード電流スイッチのトランジス
タT3、T4のエミッタは、トランジスタT5、及び、
スイッチにパワーを供給する抵抗器R3から構成される
電流源に結合されている。トランジスタT5及び抵抗器
R3は、トランジスタT3及びT4の共通エミッタの接
続点と電位VEEとの間に直列に結合されている。トラ
ンジスタT5のベースには、電流制御電圧VXによって
バイアスが印加される。トランジスタT3のコレクタ
は、負荷抵抗器R1を介して電源電圧VCCに結合され
る。トランジスタT4のコレクタは、負荷抵抗器R2及
びトランジスタT6を介して電圧VCCに結合される。
タT3、T4のエミッタは、トランジスタT5、及び、
スイッチにパワーを供給する抵抗器R3から構成される
電流源に結合されている。トランジスタT5及び抵抗器
R3は、トランジスタT3及びT4の共通エミッタの接
続点と電位VEEとの間に直列に結合されている。トラ
ンジスタT5のベースには、電流制御電圧VXによって
バイアスが印加される。トランジスタT3のコレクタ
は、負荷抵抗器R1を介して電源電圧VCCに結合され
る。トランジスタT4のコレクタは、負荷抵抗器R2及
びトランジスタT6を介して電圧VCCに結合される。
【0010】プッシュ・プル・パワー・トランジスタ・
スイッチT7及びT8/T9は、電圧VCCと電圧VT
の間に直列に接続されている。プッシュ・プル出力は、
パワー・トランジスタ・スイッチT7及びT8/T9の
共通接続点に結合されたP51から取り出される。トラン
ジスタT8及びT9は、並列に接続されて、パワー処理
能力を高めるようになっている。トランジスタT3のコ
レクタ・ノードCOTは、トランジスタT7のベースに
直接結合され、トランジスタT4のコレクタ・ノードC
OCは、トランジスタ・スイッチの組合せT8/T9の
ベースに直接結合される。
スイッチT7及びT8/T9は、電圧VCCと電圧VT
の間に直列に接続されている。プッシュ・プル出力は、
パワー・トランジスタ・スイッチT7及びT8/T9の
共通接続点に結合されたP51から取り出される。トラン
ジスタT8及びT9は、並列に接続されて、パワー処理
能力を高めるようになっている。トランジスタT3のコ
レクタ・ノードCOTは、トランジスタT7のベースに
直接結合され、トランジスタT4のコレクタ・ノードC
OCは、トランジスタ・スイッチの組合せT8/T9の
ベースに直接結合される。
【0011】PA3の入力が高く、PA2の入力が低い
場合、T3のベースが高く、T4のベースが低くなるた
め、T3は導通し、T4はカット・オフされる。COT
は、R1の両端間における電圧降下のために低くなるた
め、トランジスタT7がオフとなり、一方、COCは高
くなるので、トランジスタの組合せT8、T9がオンと
なり、ノードP51が論理“0”の状態になる。PA3が
低く、PA2が高い場合、T3のベースが低く、T4の
ベースが高くなるため、T3はカット・オフされ、T4
は導通する。COTノードが高くなると、トランジスタ
T7がオンになり、COCが低くなって、トランジスタ
T8/T9がオフになる。トランジスタT7によって、
ノードP51は論理“1”のレベルになる。
場合、T3のベースが高く、T4のベースが低くなるた
め、T3は導通し、T4はカット・オフされる。COT
は、R1の両端間における電圧降下のために低くなるた
め、トランジスタT7がオフとなり、一方、COCは高
くなるので、トランジスタの組合せT8、T9がオンと
なり、ノードP51が論理“0”の状態になる。PA3が
低く、PA2が高い場合、T3のベースが低く、T4の
ベースが高くなるため、T3はカット・オフされ、T4
は導通する。COTノードが高くなると、トランジスタ
T7がオンになり、COCが低くなって、トランジスタ
T8/T9がオフになる。トランジスタT7によって、
ノードP51は論理“1”のレベルになる。
【0012】レベル・シフタT1及びT2は、トランジ
スタT4及びT3のベース電圧を低下させ、飽和を防止
する。トランジスタT1及びT2における入力は、図1
の標準的なプッシュ・プル・ドライバに比べて、ベース
負荷が15倍も小さい。ベース負荷が低下することによっ
て、チップ内部における電圧降下の問題が解決され、配
線容易性が増し、ファンアウトの制限が緩和されて、機
能性が増す。さらに、トランジスタT6及び抵抗器R2
が直列に接続されて、回路の利得を減少させ、低い方の
COCノード電圧の変動も減少することになる。抵抗器
R2及びトランジスタT6は、ノードCOCにおけるノ
ード電圧をあまり変化させずに、回路の利得を減少させ
るように選択される。低レベルのCOCノード電圧は、
T4を飽和させないようにしなければならない。回路の
利得が減少すると、COCノード電圧の変動が直接減少
する。トランジスタT6と抵抗器R2が両方ともなけれ
ば、最悪の場合の状況において、トランジスタT4の飽
和を生じる可能性がある。ノードCOTは、一般に、大
きな信号のスイングを必要とせず、トランジスタT3
は、飽和しにくい。トランジスタT4が飽和すると、や
はり、回路に不都合なかなりの遅延が加えられる。抵抗
器R8は、値の小さい電流制限抵抗器である。トランジ
スタの組合せT8及びT9のベース入力とコレクタ入力
の間には、ショットキ障壁(金属・半導体)ダイオード
が結合され、これを飽和から守るようになっている。ま
た、トランジスタT4のベースとコレクタの間には、4
つの並列に接続されたトランジスタT10及びT13が、接
続されている。これらのトランジスタは、トランジスタ
T8及びT9のプル・ダウン時間を遅くすることによっ
て、トランジスタT7がオフになる前に、導通しないよ
うにする手段としての働きをする。
スタT4及びT3のベース電圧を低下させ、飽和を防止
する。トランジスタT1及びT2における入力は、図1
の標準的なプッシュ・プル・ドライバに比べて、ベース
負荷が15倍も小さい。ベース負荷が低下することによっ
て、チップ内部における電圧降下の問題が解決され、配
線容易性が増し、ファンアウトの制限が緩和されて、機
能性が増す。さらに、トランジスタT6及び抵抗器R2
が直列に接続されて、回路の利得を減少させ、低い方の
COCノード電圧の変動も減少することになる。抵抗器
R2及びトランジスタT6は、ノードCOCにおけるノ
ード電圧をあまり変化させずに、回路の利得を減少させ
るように選択される。低レベルのCOCノード電圧は、
T4を飽和させないようにしなければならない。回路の
利得が減少すると、COCノード電圧の変動が直接減少
する。トランジスタT6と抵抗器R2が両方ともなけれ
ば、最悪の場合の状況において、トランジスタT4の飽
和を生じる可能性がある。ノードCOTは、一般に、大
きな信号のスイングを必要とせず、トランジスタT3
は、飽和しにくい。トランジスタT4が飽和すると、や
はり、回路に不都合なかなりの遅延が加えられる。抵抗
器R8は、値の小さい電流制限抵抗器である。トランジ
スタの組合せT8及びT9のベース入力とコレクタ入力
の間には、ショットキ障壁(金属・半導体)ダイオード
が結合され、これを飽和から守るようになっている。ま
た、トランジスタT4のベースとコレクタの間には、4
つの並列に接続されたトランジスタT10及びT13が、接
続されている。これらのトランジスタは、トランジスタ
T8及びT9のプル・ダウン時間を遅くすることによっ
て、トランジスタT7がオフになる前に、導通しないよ
うにする手段としての働きをする。
【0013】上述の回路において、要素の値は、次の通
りである。VCC=1.4V、VEE=2.2V、VT=−0.
7V、VX=0.8V、R1=1420オーム、R2=850オー
ム、R3=580オーム、R4=4.09K、R5=3.04K、
R6=4.09K、R7=3.04K、R8=44オーム
りである。VCC=1.4V、VEE=2.2V、VT=−0.
7V、VX=0.8V、R1=1420オーム、R2=850オー
ム、R3=580オーム、R4=4.09K、R5=3.04K、
R6=4.09K、R7=3.04K、R8=44オーム
【0014】上述の構成は、差動カスコード・スイッチ
回路構成を利用するが、対をなす入力の一方が、基準電
位で、コレクタ出力がプッシュ・プル・ドライバに直接
結合されたECL論理回路にも、この原理を利用するこ
とが可能である。
回路構成を利用するが、対をなす入力の一方が、基準電
位で、コレクタ出力がプッシュ・プル・ドライバに直接
結合されたECL論理回路にも、この原理を利用するこ
とが可能である。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、従来のようなエミッタ
・フォロワ回路が不要になるため、低パワーのプッシュ
・プル・オフ・チップ・ドライバを実現できる。
・フォロワ回路が不要になるため、低パワーのプッシュ
・プル・オフ・チップ・ドライバを実現できる。
【図1】先行技術によるプッシュ・プル・ドライバの概
略図である。
略図である。
【図2】図1の差動カスコード論理における論理“1”
及び論理“0”に対する電圧レベルを表わす図である。
及び論理“0”に対する電圧レベルを表わす図である。
【図3】本発明による内部論理及びプッシュ・プル・ド
ライバの出力論理レベルを表わすブロック図である。
ライバの出力論理レベルを表わすブロック図である。
【図4】本発明の望ましい実施例による低パワー・プッ
シュ・プル・ドライバの差動カスコード回路構成を表わ
す図である。
シュ・プル・ドライバの差動カスコード回路構成を表わ
す図である。
10…パワー・トランジスタ 11…パワー・トランジスタ 12…トランジスタ 13…トランジスタ 14…抵抗器 15…抵抗器 16…トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウイリアム・マン・シュー・チュー アメリカ合衆国ニユーヨーク州ハイドパー ク、ハドソン・ドライブ28番地 (72)発明者 エドワード・バクスタ・アイケルバーガ アメリカ合衆国ニユーヨーク州ハイドパー ク、コビ・ロード8番地 (72)発明者 ドビツド・アラン・キースリング アメリカ合衆国ニユーヨーク州プレザント バレー、グリーンソン・ブールバード24番 地
Claims (5)
- 【請求項1】直列に接続され、それぞれ、制御端子を備
え、電位源の間に直列に接続されるようになっている第
1と第2の導電パワー・デバイスと、 差動対として接続された第3と第4の導電デバイスを含
むプリドライバ手段とを具備し、 前記第3のデバイスの出力端子は前記第1のデバイスの
制御端子に直接結合されると共に第1の抵抗負荷手段を
介して電位源に結合されるようになっており、前記第4
のデバイスの出力端子は前記第2のデバイスの制御端子
に直接結合されると共に第2の抵抗負荷手段を介して電
位源に結合されるようになっており、これによって、前
記第3と第4のデバイスの制御端子間に第1の差動入力
電圧が印加されると、前記第1のデバイスがカット・オ
フされて、前記第2のデバイスが導通し、前記パワー・
デバイスの直列接続点における出力端子に第1の電位を
生じ、前記第3と第4のデバイスの制御端子に第2の電
圧が印加されると、前記第1のデバイスが導通して、前
記第2のデバイスがカット・オフされ、前記出力端子に
第2の異なる電位を生じるようになっていることを特徴
とする低パワー・プッシュ・プル・ドライバ。 - 【請求項2】前記第1及び第2の電位源と、 電位源の間にプッシュ・プル方式で直列に接続された第
1及び第2のパワー・トランジスタと、 差動対として接続された第3及び第4のトランジスタを
含むプリドライバ手段とを具備し、 前記第3及び第4のトランジスタのコレクタは負荷手段
を介して上記第1の電位源に結合され、前記第3及び第
4のトランジスタのコレクタは前記第1及び第2のトラ
ンジスタのベースに直接接続されており、前記第3及び
第4のトランジスタのベース間に第1の差動電圧が加え
られたとき前記第1のトランジスタがカットオフされ、
前記第2のトランジスタが導通して、第1の出力レベル
を生じ、前記第3及び第4のトランジスタのベース間に
第2の異なる差動電圧が加えられたとき、前記第1のト
ランジスタが導通し、前記第2のトランジスタがカット
・オフされて、第2の出力レベルを生じることを特徴と
する低パワー・プッシュ・プル式オフ・チップ・ドライ
バ。 - 【請求項3】前記第3及び第4のトランジスタの入力
に、レベル・シフトによって前記第3及び第4のトラン
ジスタのベース電圧を低下させ、高インピーダンスの入
力が得られるようにするエミッタ・フォロワ手段を有す
ることを特徴とする、請求項2のドライバ。 - 【請求項4】前記第4のトランジスタの前記負荷手段
は、抵抗器と直列をなし、電流利得を減少させて、ノー
ド電圧の変動を減少させる第5のトランジスタを含むこ
とを特徴とする、請求項3のドライバ。 - 【請求項5】第1と第2の端子における第1の対をなす
電圧レベルを論理“0”とし、前記端子における第2の
逆の対をなす電圧レベルを論理“1”とする、差動カス
コード電流スイッチ回路を備えたバイポーラ論理チップ
のための低パワー・プッシュ・プル式オフ・チップ・ド
ライバにおいて、 第1と第2の電位レベルを生じる第1及び第2の手段
と、 それぞれ、エミッタ、コレクタ、及び、ベースを備え、
直列に接続された第1と第2のパワー・トランジスタ・
スイッチと、 それぞれ、エミッタ、コレクタ、及びベースを備えた第
3及び第4のトランジスタを含む低パワー差動カスコー
ド電流プリドライバと、 前記第3及び第4のトランジスタのベースに結合された
第1及び第2のレベル・シフト手段とを有し、 前記第3及び第4のトランジスタは差動対として接続さ
れ、それらのエミッタは互いに結合されて電流源に結合
されており、前記第3及び第4のトランジスタのコレク
タは、第1及び第2の抵抗手段を介して前記第1の手段
に結合されており、前記第3及び第4のトランジスタの
前記コレクタは、前記第1及び第2のトランジスタのそ
れぞれのベースに直接接続されており、 前記第1及び第2のレベル・シフト手段は前記論理
“0”または論理“1”の電圧に応答して、前記第3及
び第4のトランジスタのベースにおける前記電圧レベル
を低下させて、その飽和を防ぐことを特徴とする低パワ
ー・プッシュ・プル式オフ・チップ・ドライバ。
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US577353 | 1990-09-04 | ||
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-
1991
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- 1991-08-07 EP EP91307245A patent/EP0474367A2/en not_active Withdrawn
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