JPH06314680A - 半導体ウェーハの洗浄液性状評価方法 - Google Patents

半導体ウェーハの洗浄液性状評価方法

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JPH06314680A
JPH06314680A JP10223893A JP10223893A JPH06314680A JP H06314680 A JPH06314680 A JP H06314680A JP 10223893 A JP10223893 A JP 10223893A JP 10223893 A JP10223893 A JP 10223893A JP H06314680 A JPH06314680 A JP H06314680A
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JP
Japan
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gas
cleaning liquid
ammonia
properties
cleaning
Prior art date
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Pending
Application number
JP10223893A
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English (en)
Inventor
Takehiro Ichiishi
武宏 一石
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェーハ洗浄装置の洗浄液性状評価方
法を提供する。 【構成】 洗浄槽1内から側溝2にオーバフローしたア
ンモニアと過酸化水素の混合液からなる洗浄液を抜き出
しパイプ3を介して循環用ポンプ4で抜き出してフィル
タ5を通過させ、循環パイプ6を介して再度洗浄槽1の
底部に戻す循環ろ過式の半導体ウェーハ洗浄装置で半導
体ウェーハを洗浄する際に、フィルタ5に設けられた採
取口7から洗浄液中の気体を採取し、ミストセパレータ
9でミストを分離した後乾燥剤容器10の乾燥剤中を通過
させて乾燥し、アンモニアセンサ11、アンモニア除去装
置12、酸素/窒素センサ13を経由して排出管14から気体
を排出することにより、洗浄液の性状および循環ろ過装
置の運転状況を連続的に監視することを可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの洗浄
液性状評価方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハの洗浄方法では、アンモ
ニアおよび過酸化水素の混合液(アルカリベース)を使
用するSC−1洗浄と称する方法が広く用いられてい
る。また、洗浄液中の微粒子を除去するために、洗浄液
を循環ろ過して使用することが広く行われている。
【0003】この洗浄液の循環ろ過式について簡単に説
明すると、図2に示すように、洗浄槽1内から側溝2に
オーバフローした洗浄液を抜き出しパイプ3を介して循
環用ポンプ4で抜き出してフィルタ5を通過させ、循環
パイプ6を介して再度洗浄槽1の底部に戻すというやり
方である。ここで用いられる循環用ポンプ4としては、
薬液の汚染を防ぐために、たとえば圧縮空気駆動タイプ
のベローズポンプが使用される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の循環ろ過式においては、循環ろ過中に洗
浄液からのアンモニアガスの発生や過酸化水素の分解に
よる酸素ガスの発生などがあり、常に気体が洗浄液中に
相当量存在するため、循環用ポンプ4の本体あるいはそ
の上流でリークが発生し、洗浄液中に汚染された空気が
混入しても外観より判断することが困難であるという欠
点がある。
【0005】また通常、洗浄液に用いられるアンモニア
および過酸化水素の混合液は80℃程度に加熱されるた
め、洗浄中にアンモニア濃度が低下する。また洗浄液は
アルカリ性であるので過酸化水素の分解が促進され、過
酸化水素濃度も洗浄中に低下する。アンモニア濃度が低
下すると洗浄効果が低下し、一方過酸化水素濃度が低下
するとウェーハ表面がエッチングされてしまうことにな
る。
【0006】そこで、洗浄中における薬品濃度を測定す
る方法として、たとえば特開平2−298032号公報には、
クリーニング浴内において基準電極(甘こう電極)に対
するシリコンウェーハの電位を測定し、該電位が一層大
きい負の値に強く移動した際に前記浴中の過酸化水素濃
度を再び増大させるようにした方法が開示されている
が、しかし、この特開平2−298032号の測定方法では、
基準電極を洗浄液中に浸漬する必要があることから、洗
浄液を汚染する恐れがあって実用的ではない。
【0007】本発明は、上記のような従来技術の有する
課題を解決した半導体ウェーハの洗浄液性状評価方法を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、汚染することなく洗浄液および循環ろ過
装置の運転状況に関する情報を得るようにしたものであ
る。すなわち、本発明は、アンモニアと過酸化水素の混
合液からなる洗浄液を循環ろ過させて半導体ウェーハを
洗浄する際の洗浄液の性状を評価する方法であって、循
環ろ過中に発生する気体を採取して分析することを特徴
とする半導体ウェーハの洗浄液性状評価方法である。
【0009】
【作 用】本発明によれば、循環ろ過系に存在する気体
を採取して分析することにより、洗浄液の性状の情報と
循環ろ過系の運転状態の情報の双方の情報を同時にかつ
連続して得ることができる。すなわち、通常の場合に
は、循環ろ過系はクローズドループ系であるので、そこ
に存在する気体はアンモニアガスおよび酸素ガスのみで
ある。ここに挙げた2種類の気体の内どちらかが存在し
なければ、それは洗浄液中にアンモニアあるいは過酸化
水素が存在しないことを意味する。また、循環ろ過系に
存在する気体中に窒素が検出された場合は、これは空気
が外部より混入したことを意味する。
【0010】このように循環ろ過系より洗浄液循環中に
発生した気体を採取して分析することにより、洗浄液お
よび循環ろ過系に関する情報を得ることができ、従来困
難であった洗浄液の性状や循環ろ過系の不具合の状態を
容易に発見することができる。
【0011】
【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図1は本発明の実施例の構成を示す図で
あり、この図中において従来例と同一部材は同一符号を
付して説明を省略する。図において、7はフィルタ5に
設けられた採取口、8はシャットオフバルブ、9はミス
トセパレータ、10は乾燥剤容器、11はアンモニアセン
サ、12はアンモニア除去装置、13は酸素/窒素センサ、
14は排出管、15は表示装置である。
【0012】そして、半導体ウェーハ洗浄装置で洗浄液
を循環ろ過中にシャットオフバルブ8を開放して採取口
7から洗浄液中の気体を採取し、ミストセパレータ9で
ミストを分離した後乾燥剤容器10の乾燥剤中を通過させ
て乾燥し、アンモニアセンサ11、アンモニア除去装置1
2、酸素/窒素センサ13を経由して排出管14から気体を
排出する。
【0013】そこで、アンモニアセンサ11と酸素/窒素
センサ13によって採取された気体中のアンモニアガスお
よび酸素,窒素ガスの濃度を連続的に検出し、それぞれ
表示装置15に記録表示させる。これによって、オペレー
タに洗浄液に関する情報と循環ろ過系に関する情報の提
供を行うことができる。もし、何らかの原因で洗浄液中
に空気が混入するような事態になれば、酸素/窒素セン
サ13によって気体中の窒素ガスを速やかに検出すること
ができるから、オペレータが早急なる対応策を講じるこ
とができることになる。なお、気体中のアンモニアガス
はアンモニア除去装置12で吸着除去されるから、排出管
14から排出されるときには極めてクリーンな状態になっ
ており、人体に悪影響を及ぼすことはない。
【0014】なお、上記実施例において、洗浄液中の気
体をフィルタ5に設けられた採取口7から採取するとし
て説明したが、本発明はこれに限ることなく、たとえば
パイプ6の途中に適当な採取口を設けるようにしてもよ
く、採取方法はどのような手段であっても構わないもの
である。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
洗浄液の循環ろ過系より循環ろ過中に発生する気体を採
取し、アンモニアガスと酸素/窒素ガスを分析するよう
にしたので、簡便な手段で洗浄液を汚染することなく、
洗浄液の性状および循環ろ過装置の運転状況を連続的に
監視することが可能である。
【0016】また、ここで使用するセンサについては洗
浄液に非接触の状態で用いるようにしたので、汚染など
の問題は何ら生じる恐れがなく、したがって、センサに
は特殊な仕様を必要とせずに、通常の型式のものを適用
することができるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の構成を示す図である。
【図2】従来の循環ろ過装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 洗浄槽 4 循環用ポンプ 5 フィルタ 6 循環パイプ 7 採取口 8 シャットオフバルブ 9 ミストセパレータ 10 乾燥剤容器 11 アンモニアセンサ 12 アンモニア除去装置 13 酸素/窒素センサ 14 排出管 15 表示装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アンモニアと過酸化水素の混合液から
    なる洗浄液を循環ろ過させて半導体ウェーハを洗浄する
    際の洗浄液の性状を評価する方法であって、循環ろ過中
    に発生する気体を採取して分析することを特徴とする半
    導体ウェーハの洗浄液性状評価方法。
JP10223893A 1993-04-28 1993-04-28 半導体ウェーハの洗浄液性状評価方法 Pending JPH06314680A (ja)

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JPH06314680A true JPH06314680A (ja) 1994-11-08

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6217633B1 (en) * 1997-12-01 2001-04-17 Nippon Sanso Corporation Method and apparatus for recovering rare gas
CN108775767A (zh) * 2018-07-24 2018-11-09 中铁第四勘察设计院集团有限公司 一种冷库气体监控及清洁系统及方法

Cited By (3)

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