JPH06313164A - 研磨用組成物 - Google Patents
研磨用組成物Info
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- JPH06313164A JPH06313164A JP10305993A JP10305993A JPH06313164A JP H06313164 A JPH06313164 A JP H06313164A JP 10305993 A JP10305993 A JP 10305993A JP 10305993 A JP10305993 A JP 10305993A JP H06313164 A JPH06313164 A JP H06313164A
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- polishing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 タングステン等の金属材料にも適用可能で金
属材料の研磨速度を高め、かつ表面欠陥を生じさせない
研磨用組成物であり、かつ上述のシリコン基板上に形成
された各種の配線金属パタ−ンの平坦化に用いられ得る
優れた研磨用組成物を提供することを目的とする。 【構成】 水性コロイダルシリカゾル又はゲルの研磨剤
と過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリ
ウムから選ばれた１種である過硫酸塩又は過硫酸塩の１
種と過酸化水素の研磨促進剤からなる研磨用組成物であ
る。
属材料の研磨速度を高め、かつ表面欠陥を生じさせない
研磨用組成物であり、かつ上述のシリコン基板上に形成
された各種の配線金属パタ−ンの平坦化に用いられ得る
優れた研磨用組成物を提供することを目的とする。 【構成】 水性コロイダルシリカゾル又はゲルの研磨剤
と過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリ
ウムから選ばれた１種である過硫酸塩又は過硫酸塩の１
種と過酸化水素の研磨促進剤からなる研磨用組成物であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属材料、例えばタン
グステンＷ、アルミニウムＡｌ、銅Ｃｕ等を迅速かつ高
品質に研磨する特にシリコン基板上に形成された各種の
配線金属パタ−ンの平坦化に用いられている化学的・機
械的研磨技術に応用できる研磨用組成物に関する。
グステンＷ、アルミニウムＡｌ、銅Ｃｕ等を迅速かつ高
品質に研磨する特にシリコン基板上に形成された各種の
配線金属パタ−ンの平坦化に用いられている化学的・機
械的研磨技術に応用できる研磨用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般金属材料の超仕上鏡面加工に対し、
従来使用されている研磨用組成物は、研磨剤、例えば酸
化セリウム、酸化アルミニウム、二酸化クロム、酸化ジ
ルコニウム、酸化スズ、二酸化ケイ素、二酸化チタンを
水でスラリ−状にしたものや、これらの研磨剤を砥石状
にしたものである。しかしながら、これらの研磨剤を用
いた場合は、研磨表面にマイクロスクラッチ或いは完全
に解明されていない各種の要因によって起こると言われ
ている結晶表面の欠陥であるオレンジピ−ルが発生しや
すい。マイクロスクラッチやオレンジピ−ルが発生しな
いようにするには、研磨剤中の研磨粒子の濃度、研磨時
間、研磨圧力、及びその他の研磨要因を精密に調節する
ことが必要で、高度の熟練と相当の時間を要し、技術的
及び経済的に困難であった。
従来使用されている研磨用組成物は、研磨剤、例えば酸
化セリウム、酸化アルミニウム、二酸化クロム、酸化ジ
ルコニウム、酸化スズ、二酸化ケイ素、二酸化チタンを
水でスラリ−状にしたものや、これらの研磨剤を砥石状
にしたものである。しかしながら、これらの研磨剤を用
いた場合は、研磨表面にマイクロスクラッチ或いは完全
に解明されていない各種の要因によって起こると言われ
ている結晶表面の欠陥であるオレンジピ−ルが発生しや
すい。マイクロスクラッチやオレンジピ−ルが発生しな
いようにするには、研磨剤中の研磨粒子の濃度、研磨時
間、研磨圧力、及びその他の研磨要因を精密に調節する
ことが必要で、高度の熟練と相当の時間を要し、技術的
及び経済的に困難であった。
【０００３】上記の欠点を解消するために、本出願人
は、先に特公昭５３−４４２７３号公報にて次のような
一般金属材料の研磨用組成物を開示した。即ち「シリカ
ゾルの研磨剤と過酸化水素水、過酸化ナトリウム、過ホ
ウ酸ナトリウム等の酸化性化合物からなることを特徴と
する一般金属材料の研磨用組成物。」である。この研磨
用組成物は、一般金属材料例えば銅、アルミニウム、
鉄、ステンレススチ−ル、チタニウム等の研磨用組成物
として優れたものであるが、タングステン等の金属材料
には有効でない欠点があった。さらに最近注目されてい
る高性能ＶＬＳＩ半導体チップ（多層デバイス）の製造
工程において、シリコン基板上に形成された各種の配線
金属パタ−ンの平坦化に用いられている化学的・機械的
研磨技術に応用できる研磨用組成物の開発が要望され
た。
は、先に特公昭５３−４４２７３号公報にて次のような
一般金属材料の研磨用組成物を開示した。即ち「シリカ
ゾルの研磨剤と過酸化水素水、過酸化ナトリウム、過ホ
ウ酸ナトリウム等の酸化性化合物からなることを特徴と
する一般金属材料の研磨用組成物。」である。この研磨
用組成物は、一般金属材料例えば銅、アルミニウム、
鉄、ステンレススチ−ル、チタニウム等の研磨用組成物
として優れたものであるが、タングステン等の金属材料
には有効でない欠点があった。さらに最近注目されてい
る高性能ＶＬＳＩ半導体チップ（多層デバイス）の製造
工程において、シリコン基板上に形成された各種の配線
金属パタ−ンの平坦化に用いられている化学的・機械的
研磨技術に応用できる研磨用組成物の開発が要望され
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、タングステ
ン等の金属材料にも適用可能な金属材料の研磨速度を高
め、かつ表面欠陥を生じさせない研磨用組成物であり、
かつ上述のシリコン基板上に形成された各種の配線金属
パタ−ンの平坦化に用いられ得る優れた研磨用組成物を
提供することを目的とする。
ン等の金属材料にも適用可能な金属材料の研磨速度を高
め、かつ表面欠陥を生じさせない研磨用組成物であり、
かつ上述のシリコン基板上に形成された各種の配線金属
パタ−ンの平坦化に用いられ得る優れた研磨用組成物を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述のシ
リカゾルの研磨剤と過酸化水素水、過酸化ナトリウム、
過ホウ酸ナトリウム等の酸化性化合物からなる研磨用組
成物を更に改良すべく鋭意研究した結果、本発明は開発
されたものである。本発明は、水性コロイダルシリカゾ
ル又はゲルの研磨剤と過硫酸アンモニウム、過硫酸ナト
リウム、過硫酸カリウムから選ばれた１種である過硫酸
塩又は前記過硫酸塩の１種と過酸化水素の研磨促進剤か
らなることを特徴とする研磨用組成物である。
リカゾルの研磨剤と過酸化水素水、過酸化ナトリウム、
過ホウ酸ナトリウム等の酸化性化合物からなる研磨用組
成物を更に改良すべく鋭意研究した結果、本発明は開発
されたものである。本発明は、水性コロイダルシリカゾ
ル又はゲルの研磨剤と過硫酸アンモニウム、過硫酸ナト
リウム、過硫酸カリウムから選ばれた１種である過硫酸
塩又は前記過硫酸塩の１種と過酸化水素の研磨促進剤か
らなることを特徴とする研磨用組成物である。
【０００６】
【作用】本発明の研磨用組成物を用いると、金属材料の
研磨速度が著しく増加し、かつ表面欠陥を生じさせない
効果がある。本発明の研磨用組成物は、水性コロイダル
シリカゾル又はゲルの研磨剤と、過硫酸アンモニウム、
過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムから選ばれた１種で
ある過硫酸塩又は前記過硫酸塩の１種と過酸化水素を研
磨促進剤として用いるものであるが、これらの過硫酸塩
の研磨促進剤は水性コロイダルシリカゾル又はゲルの研
磨速度を促進する効果がある。単位時間に対する金属材
料の研磨量を測定してみると、過硫酸塩は研磨用組成物
の約１重量％程度の少量でも研磨能率を著しく増進する
ことが判る。特に、高性能ＶＬＳＩ半導体チップ（多層
デバイス）の製造工程において、シリコン基板上に形成
された各種の配線金属パタ−ンの平坦化に用いられる研
磨用組成物として好適で有ることが判った。
研磨速度が著しく増加し、かつ表面欠陥を生じさせない
効果がある。本発明の研磨用組成物は、水性コロイダル
シリカゾル又はゲルの研磨剤と、過硫酸アンモニウム、
過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムから選ばれた１種で
ある過硫酸塩又は前記過硫酸塩の１種と過酸化水素を研
磨促進剤として用いるものであるが、これらの過硫酸塩
の研磨促進剤は水性コロイダルシリカゾル又はゲルの研
磨速度を促進する効果がある。単位時間に対する金属材
料の研磨量を測定してみると、過硫酸塩は研磨用組成物
の約１重量％程度の少量でも研磨能率を著しく増進する
ことが判る。特に、高性能ＶＬＳＩ半導体チップ（多層
デバイス）の製造工程において、シリコン基板上に形成
された各種の配線金属パタ−ンの平坦化に用いられる研
磨用組成物として好適で有ることが判った。
【０００７】本発明において、各構成研磨剤の限定した
理由について、次に述べる。 (1)水性コロイダルシリカゾル又はゲルの研磨剤 研磨剤としての有用な水性コロイダルシリカゾル又はゲ
ルは液中にある無定形シリカの安定な分散体の全てを包
括し、それらの製法は、湿式法シリカゲルの解膠法、イ
オン交換法、或いは有機ケイ素化合物の加水分解法等い
ずれの方法にて得られるものでもよく、その液中におい
てシリカ粒子は約２乃至５００ｍμの究極粒子を持って
いる。研磨剤としての用途に対するシリカの濃度はシリ
カ固形分重量で約２％から５０％に変更することが出来
る。多くの用途に対してはシリカ固形分１０乃至３０％
の範囲が満足すべき範囲である。この組成物は水性スラ
リ−として安定化することが出来、かつこの様な形で通
常使用される。使用に当たっては、上記スラリ−を稀釈
して所望の濃度と粘度とを有する研磨用スラリ−を生成
することが出来、このスラリ−は通常５乃至５０重量％
のシリカを含有することが望ましい。
理由について、次に述べる。 (1)水性コロイダルシリカゾル又はゲルの研磨剤 研磨剤としての有用な水性コロイダルシリカゾル又はゲ
ルは液中にある無定形シリカの安定な分散体の全てを包
括し、それらの製法は、湿式法シリカゲルの解膠法、イ
オン交換法、或いは有機ケイ素化合物の加水分解法等い
ずれの方法にて得られるものでもよく、その液中におい
てシリカ粒子は約２乃至５００ｍμの究極粒子を持って
いる。研磨剤としての用途に対するシリカの濃度はシリ
カ固形分重量で約２％から５０％に変更することが出来
る。多くの用途に対してはシリカ固形分１０乃至３０％
の範囲が満足すべき範囲である。この組成物は水性スラ
リ−として安定化することが出来、かつこの様な形で通
常使用される。使用に当たっては、上記スラリ−を稀釈
して所望の濃度と粘度とを有する研磨用スラリ−を生成
することが出来、このスラリ−は通常５乃至５０重量％
のシリカを含有することが望ましい。
【０００８】(2)研磨促進剤の過硫酸塩 過硫酸塩は、通常スラリ−に混合すると酸素を除々に放
出して、前述の特公昭５３−４４２７３号公報に開示し
た一般金属材料の研磨用組成物の酸化性化合物と同様な
作用をするものであり、上述の研磨剤の研磨有効度を増
進するのに効果がある。その量は、２ｇ／リットル未満
では研磨の増進効果は不十分であり、８０ｇ／リットル
を越えて含有させてもその効果は横ばいであり、経済的
でないから１０〜８０ｇ／リットルが望ましい。過硫酸
塩としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、
過硫酸カリウムから選ばれた１種であることが好まし
い。しかしながら、研磨促進剤として用いるに当たって
は、予め過硫酸塩を研磨剤として調製しておくと、酸素
を放出するので研磨用組成物使用時に、上記の過硫酸塩
を添加することが必要である。更に、上記の過硫酸塩に
研磨促進剤として酸性化合物の過酸化水素などを添加し
ても良い。
出して、前述の特公昭５３−４４２７３号公報に開示し
た一般金属材料の研磨用組成物の酸化性化合物と同様な
作用をするものであり、上述の研磨剤の研磨有効度を増
進するのに効果がある。その量は、２ｇ／リットル未満
では研磨の増進効果は不十分であり、８０ｇ／リットル
を越えて含有させてもその効果は横ばいであり、経済的
でないから１０〜８０ｇ／リットルが望ましい。過硫酸
塩としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、
過硫酸カリウムから選ばれた１種であることが好まし
い。しかしながら、研磨促進剤として用いるに当たって
は、予め過硫酸塩を研磨剤として調製しておくと、酸素
を放出するので研磨用組成物使用時に、上記の過硫酸塩
を添加することが必要である。更に、上記の過硫酸塩に
研磨促進剤として酸性化合物の過酸化水素などを添加し
ても良い。
【０００９】また、金属材料の研磨に当たっては、前記
水性コロイダルシリカゾル又はゲルの水性スラリ−に過
硫酸塩を添加し研磨用組成物を調製し、この水性スラリ
−化研磨用組成物を金属材料の表面に通常室温において
適用し、次いで不織布タイプ、スウェ−ドタイプ又は硬
質ウレタンパッド上で研磨する。
水性コロイダルシリカゾル又はゲルの水性スラリ−に過
硫酸塩を添加し研磨用組成物を調製し、この水性スラリ
−化研磨用組成物を金属材料の表面に通常室温において
適用し、次いで不織布タイプ、スウェ−ドタイプ又は硬
質ウレタンパッド上で研磨する。
【００１０】
【実施例】次に本発明の好ましい実施例について述べ
る。 実施例１ 通常市販されているシリカ粒子径３０ｎｍで、ＳｉＯ2
濃度が３０重量％のコロイダルシリカスラリ−をＳｉＯ
2 が１０重量％になるように稀釈し、得られた水性スラ
リ−１リットルに過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウ
ム、過硫酸カリウム、過酸化水素等の研磨促進剤を添加
し、表１に示すような組成の研磨用組成物を調製した。
なお、過酸化水素の添加量は、市販の３０重量％濃度の
過酸化水素水を使用して、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）濃度
に換算した値である。この研磨用組成物を用いてタング
ステン金属板を、所定の研磨条件にて研磨し、研磨後、
研磨能率及びオレンジピ−ル、スクラッチ等の表面欠陥
の有無を視覚的観察によって調べ、その結果を表１に示
す。
る。 実施例１ 通常市販されているシリカ粒子径３０ｎｍで、ＳｉＯ2
濃度が３０重量％のコロイダルシリカスラリ−をＳｉＯ
2 が１０重量％になるように稀釈し、得られた水性スラ
リ−１リットルに過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウ
ム、過硫酸カリウム、過酸化水素等の研磨促進剤を添加
し、表１に示すような組成の研磨用組成物を調製した。
なお、過酸化水素の添加量は、市販の３０重量％濃度の
過酸化水素水を使用して、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）濃度
に換算した値である。この研磨用組成物を用いてタング
ステン金属板を、所定の研磨条件にて研磨し、研磨後、
研磨能率及びオレンジピ−ル、スクラッチ等の表面欠陥
の有無を視覚的観察によって調べ、その結果を表１に示
す。
【００１１】
【表１】
【００１２】（研磨条件） 研磨機 ： レンズ研磨機 研磨圧力 ： １６０ｇ／ｃｍ2 回転数 ： １３０ｒｐｍ 研磨パッド ： 不織布タイプポリシングパッド 研磨時間 ： ３０分 スラリ−供給量： ２０ｃｃ／分 ワ−ク ： タングステン（１８ｍｍφ、１ｍｍ
ｔ、５枚）
ｔ、５枚）
【００１３】表１に示すように、研磨促進剤として、過
硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウ
ム、又は、これら過硫酸塩の１種に過酸化水素を添加
し、研磨能率及び表面欠陥を調べた結果、これらの研磨
促進剤を添加することによって研磨能率が著しく向上
し、表面欠陥のオレンジピ−ルの発生は無いことが分か
る。これに対して、研磨促進剤を添加しない場合は研磨
能率も低く、オレンジピ−ルの発生が有り、過酸化水素
のみの添加では、表面欠陥はないものの、研磨能率が低
い。また同じ過硫酸塩の中でも過硫酸アンモニウムを添
加した場合が最も研磨能率が良く、添加量との関係では
４０ｇ／リットル程度が最も研磨能率が良い結果となっ
た。従って、タングステン金属の研磨に対して、本発明
の研磨用組成物は研磨能率を著しく向上せしめ、かつ研
磨面の品質を良くすることが分かる。又、水性シリカゲ
ルを用いても同様な効果が得られることは云うまでもな
い。
硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウ
ム、又は、これら過硫酸塩の１種に過酸化水素を添加
し、研磨能率及び表面欠陥を調べた結果、これらの研磨
促進剤を添加することによって研磨能率が著しく向上
し、表面欠陥のオレンジピ−ルの発生は無いことが分か
る。これに対して、研磨促進剤を添加しない場合は研磨
能率も低く、オレンジピ−ルの発生が有り、過酸化水素
のみの添加では、表面欠陥はないものの、研磨能率が低
い。また同じ過硫酸塩の中でも過硫酸アンモニウムを添
加した場合が最も研磨能率が良く、添加量との関係では
４０ｇ／リットル程度が最も研磨能率が良い結果となっ
た。従って、タングステン金属の研磨に対して、本発明
の研磨用組成物は研磨能率を著しく向上せしめ、かつ研
磨面の品質を良くすることが分かる。又、水性シリカゲ
ルを用いても同様な効果が得られることは云うまでもな
い。
【００１４】実施例２ 実施例１と同様の方法にて、今度は、アルミニウム金属
及び銅金属基板を研磨した。その結果を表２及び表３に
示す。
及び銅金属基板を研磨した。その結果を表２及び表３に
示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】
【表３】
【００１７】表２及び表３に示すように、アルミニウム
金属及び銅金属基板に対しても、従来の研磨促進剤であ
る過酸化水素よりも研磨能率が良く有効であることが分
かった。さらにチタン金属やその他の合金金属に対して
も、同様の効果が得られる。本発明に用いられる研磨促
進剤を用いて、さらに特公昭５３−４４２７３号公報に
記載の酸性化合物を添加してもその効果は向上するもの
である。
金属及び銅金属基板に対しても、従来の研磨促進剤であ
る過酸化水素よりも研磨能率が良く有効であることが分
かった。さらにチタン金属やその他の合金金属に対して
も、同様の効果が得られる。本発明に用いられる研磨促
進剤を用いて、さらに特公昭５３−４４２７３号公報に
記載の酸性化合物を添加してもその効果は向上するもの
である。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明の研磨用組成物
は、従来有効な研磨用組成物が無かったタングステン等
の金属に対して研磨能率及び研磨面の品質を著しく向上
させるものである。これにより、最近注目されている高
性能ＶＬＳＩ半導体チップ（多層デバイス）の製造工程
において、シリコン基板上に形成された各種の配線金属
パタ−ンの平坦化に用いられている化学的・機械的研磨
技術に応用できる研磨用組成物としての適用が解決され
る等の効果を奏する。
は、従来有効な研磨用組成物が無かったタングステン等
の金属に対して研磨能率及び研磨面の品質を著しく向上
させるものである。これにより、最近注目されている高
性能ＶＬＳＩ半導体チップ（多層デバイス）の製造工程
において、シリコン基板上に形成された各種の配線金属
パタ−ンの平坦化に用いられている化学的・機械的研磨
技術に応用できる研磨用組成物としての適用が解決され
る等の効果を奏する。
Claims (3)
- 【請求項１】 水性コロイダルシリカゾル又はゲルの研
磨剤と過硫酸塩の研磨促進剤からなることを特徴とする
研磨用組成物。 - 【請求項２】 前記研磨促進剤が過硫酸アンモニウム、
過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムから選ばれた１種で
あることを特徴とする請求項１記載の研磨用組成物。 - 【請求項３】 前記研磨促進剤が過硫酸アンモニウム、
過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウムから選ばれた１種と
過酸化水素であることを特徴とする請求項１記載の研磨
用組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10305993A JPH06313164A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 研磨用組成物 |
| US08/539,502 US5575837A (en) | 1993-04-28 | 1995-10-06 | Polishing composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10305993A JPH06313164A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 研磨用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06313164A true JPH06313164A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14344111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10305993A Pending JPH06313164A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 研磨用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06313164A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0811665A2 (en) * | 1996-05-10 | 1997-12-10 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films |
| KR100366304B1 (ko) * | 2000-07-28 | 2003-01-09 | 제일모직주식회사 | 반도체 웨이퍼 절연층의 화학적 기계적 연마용 조성물 |
| US6527818B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-03-04 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| EP1520892A2 (en) | 2003-09-30 | 2005-04-06 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| KR100495975B1 (ko) * | 2002-09-25 | 2005-06-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 텅스텐 금속막 연마용 화학-기계적 연마 슬러리 조성물 |
| CN101208178A (zh) * | 2005-06-30 | 2008-06-25 | 卡伯特微电子公司 | 化学机械抛光在制造铝镜和太阳能电池中的用途 |
| JP2014504441A (ja) * | 2011-08-16 | 2014-02-20 | ユービーマテリアルズ インコーポレイティッド | タングステン研磨用ｃｍｐスラリー組成物 |
| WO2016051636A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10305993A patent/JPH06313164A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0811665A3 (en) * | 1996-05-10 | 1998-10-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films |
| EP0811665A2 (en) * | 1996-05-10 | 1997-12-10 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films |
| US6527818B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-03-04 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| KR100366304B1 (ko) * | 2000-07-28 | 2003-01-09 | 제일모직주식회사 | 반도체 웨이퍼 절연층의 화학적 기계적 연마용 조성물 |
| KR100495975B1 (ko) * | 2002-09-25 | 2005-06-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 텅스텐 금속막 연마용 화학-기계적 연마 슬러리 조성물 |
| EP2418260A1 (en) | 2003-09-30 | 2012-02-15 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US7485162B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-02-03 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| EP2418259A1 (en) | 2003-09-30 | 2012-02-15 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| EP1520892A2 (en) | 2003-09-30 | 2005-04-06 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| CN101208178A (zh) * | 2005-06-30 | 2008-06-25 | 卡伯特微电子公司 | 化学机械抛光在制造铝镜和太阳能电池中的用途 |
| JP2014504441A (ja) * | 2011-08-16 | 2014-02-20 | ユービーマテリアルズ インコーポレイティッド | タングステン研磨用ｃｍｐスラリー組成物 |
| US9163314B2 (en) | 2011-08-16 | 2015-10-20 | Industrial Bank Of Korea | CMP slurry composition for tungsten |
| WO2016051636A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法 |
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