JPH06311436A - 固体撮像素子及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高輝度の被写体を撮像する際に固体撮像素子
の出力に発生するスミア僞信号のレベルを小さく抑え
る。 【構成】 ＦＩＴ型固体撮像素子において垂直転送レジ
スタ６からのスミア電荷掃出し転送に先立って、イメー
ジ部１及びストレージ部２の垂直転送レジスタ６のポテ
ンシャルレベルを夫々平坦に揃えるスミア電荷の粗掃出
し期間を設ける。多量のスミア電荷は、クロック駆動を
要することなく一度に垂直レジスタ６を移動可能であ
り、その大部分がスミアドレイン部４に向けて粗掃出し
される。これにより、後続する掃出し転送における転送
残りのスミア電荷を少なくし、発生するスミア僞信号の
レベルを抑える。また、要求される垂直転送シフトレジ
スタ６のドライバの駆動能力を小さく抑えることで、消
費電力の低減が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に関し、
更に詳しくは、受光部から読み出された信号電荷を垂直
レジスタでストレージ部に転送して一時的に蓄える形式
のＦＩＴ型（Frame Interline Transfer)固体撮像素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】固体撮像素子は、受光部及び電荷転送部
が２次元的に配列された構造を備え、従来から使用され
ている撮像管に比して、小型軽量であって、高電圧を要
しない低電力消費量、長寿命、高信頼性等の特長を有
し、近年、多用されている。固体撮像素子では、電荷転
送部を成す電荷結合素子の感光によりその部分でも電荷
が生成され、この電荷により出力に偽信号を発生させる
ことが知られている。この電荷及び偽信号は夫々、スミ
ア電荷及びスミア偽信号と呼ばれる。

【０００３】従来の固体撮像素子（イメージセンサ）に
ついて説明する。図１は、一般的なＦＩＴ型イメージセ
ンサの模式的平面図である。図１に示すように、ＦＩＴ
型イメージセンサは、多数の受光部（受光画素）８を有
するイメージ部１、ストレージ部２、水平転送部を成す
水平レジスタ３、スミアドレイン部４及び信号電荷検出
部５から構成されている。イメージ部１及びストレージ
部２には、垂直転送部を成す複数本の垂直レジスタ６が
設けられており、イメージ部１の受光部８で生成された
信号電荷は、垂直レジスタ６及び水平レジスタ３を経由
して順次転送されて、信号電荷検出部５から出力され
る。また、垂直レジスタ６で発生したスミア電荷は、ス
ミアドレイン部４で掃き出される。

【０００４】図７は、図１に示したセンサの垂直レジス
タ６を駆動する転送ドライバを制御する従来の転送クロ
ックのタイミングを示すチャートである。イメージ部１
及びストレージ部２の各垂直レジスタのドライバは、夫
々４相の転送クロックφＩＭ１〜φＩＭ４、φＳＴ１〜
φＳＴ４で駆動される。ストレージ部２に蓄えられてい
る信号電荷がラインシフト転送７１により出力された
後、垂直レジスタ６からスミア電荷を掃き出すためのス
ミア掃出し転送７２が行われる。スミア掃出し転送７２
は、信号電荷の読出しサイクルを高速に行う必要上、極
めて高速に行われる。

【０００５】その後、信号電荷読出し７３により、新た
な信号電荷が受光部８から垂直レジスタ６に読み出さ
れ、この信号電荷は、フレームシフト転送７４によりイ
メージ部１からストレージ部２に転送され、そこで一時
蓄えられる。信号電荷は、次いでラインシフト転送７５
により、水平レジスタから１ライン毎に転送され、信号
電荷検出部５を経由して出力される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のイメー
ジセンサでは、高輝度の被写体を撮像した場合、図９に
示すように、モニター画面の上側にスミア電荷８１（図
８参照）に起因するスミア僞信号９１が現れ、モニター
画面の画質を損うと言う問題が生じていた。それは、従
来のイメージセンサでは、必要にして充分なスミア電荷
の掃出しが困難であったと言うことに起因している。図
８に基づいてこの問題を説明する。同図は、図１におけ
るＹ１−Ｙ２断面の模式的構造を示し、更に、図７の各
タイミングに対応して、従来のイメージセンサにおける
その断面の各位置でのポテンシャルレベルと電荷転送の
状態とを模式的に示すものである。

【０００７】図８において、ラインシフト転送７１が終
了したタイミングｔ１では、高輝度の照明等によって生
成された多量のスミア電荷８１が垂直レジスタ６に蓄積
されている。次に、垂直レジスタ６に蓄積されたスミア
電荷８１を掃き出すために、スミア掃出し転送７２が行
われる。しかし、通常、スミア掃出し転送７２は、極め
て短い時間に高速で行われるので、スミア電荷８１を完
全に掃き出すことが難しく、特に、スミア電荷が多量に
あるときには、その掃出しが完全では無く、掃出し転送
７２が終了した後のタイミングｔ２においても、無視で
きない量のスミア電荷８１がイメージ部１の垂直レジス
タ６に残留する。

【０００８】この状態で受光部８から新たな信号電荷の
読出し７３が行われると（タイミング３）、信号電荷８
３とスミア電荷８１とが混合することとなる。混合した
電荷は、フレームシフト転送７４及びラインシフト転送
７５により、ストレージ部２及び水平レジスタ３を経由
して信号電荷検出部５で出力される。その結果、図９に
示したように、モニター画面の上側にスミア電荷８１に
起因するスミア僞信号９１が現れ、その画質を損うこと
となるのである。しかも、上記スミア電荷は、被写体が
高輝度になるほど多量に生成され、その結果スミア偽信
号を多く発生させる。

【０００９】また、スミア電荷が多いと、特に垂直レジ
スタでの電荷転送に際して大きな駆動力を必要とするた
め、固体撮像素子の消費電力が増大すると言う別の問題
も生じる。

【００１０】本発明は、上記従来の固体撮像素子の問題
に鑑み、高輝度の被写体撮像時においてもスミア僞信号
の発生が抑制され、且つスミア電荷掃き出しのための消
費電力の低減が可能な固体撮像素子を提供することを目
的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、イメージ部
での垂直レジスタのポテンシャルが平坦になるように、
スミア電荷の粗掃き出しをスミア電荷掃出し転送期間の
初期に行うことにより、スミア電荷の掃出しを容易する
ことに着眼し、本発明を完成するに至った。上記目的を
達成するため、本発明の固体撮像素子は、水平及び垂直
方向に配列された複数の受光部と、垂直方向に配列され
た受光部毎に対応して配設され該各受光部から読み出さ
れる信号電荷をポテンシャルの井戸の移動により順次垂
直方向に転送する第一の垂直転送部とを有するイメージ
部と、第一の垂直転送部に対応して配設され夫々が該各
第一の垂直転送部から転送される信号電荷を順次受け取
ってポテンシャルの井戸の移動により順次転送する第二
の垂直転送部を有し、該信号電荷を一時的に蓄えるスト
レージ部と、第二の垂直転送部から夫々転送される信号
電荷を所定のタイミングで読み出して水平方向に転送す
る水平転送部と、水平転送部から順次転送される信号電
荷を読み出す信号読出し部と、第一及び第二の垂直転送
部からの不要電荷を掃き出すためのスミアドレイン部と
を具備し、垂直ゲートのクロック電圧を印加して、第一
及び第二の垂直転送部の少なくとも一方のポテンシャル
レベルを転送方向に平坦に揃える、不要電荷の粗掃出し
期間を設けたことを特徴としている。

【００１２】また、本発明の固体撮像素子の駆動方法
は、ポテンシャルの井戸を移動させて信号電荷の転送と
スミア電荷の掃出し転送とを行う垂直転送部を備えるフ
レーム転送インターライン型固体撮像装置の垂直転送部
を駆動する方法において、掃出し転送に先立って、垂直
ゲートのクロック電圧を印加して垂直転送部のポテンシ
ャルレベルを転送方向に平坦に揃えるスミア電荷の粗掃
出し期間を設けることを特徴とするものである。

【００１３】本発明の固体撮像素子及びその駆動方法で
採用する粗掃出し期間は、一般的にポテンシャルの井戸
を転送方向に移動させて電荷を転送する垂直転送部にお
いて、垂直ゲートのクロック電圧を印加し、垂直転送部
のポテンシャルレベルをその転送方向に平坦に揃えるこ
とにより、転送クロックを必要とすることなく、多量の
スミア電荷の粗掃出しを一度に行うことを可能とするも
のである。なお、本発明の固体撮像素子では、このスミ
ア電荷の粗掃出し期間は、それに後続するスミア電荷の
掃出し転送期間を伴うことが好ましいが、必ずしもこの
掃出し転送期間を伴うことまでを必須とするものではな
い。

【００１４】本発明の好適な実施態様としては、第二の
垂直転送部に隣接してスミアドレイン部を設け、粗掃出
し期間に、第一の垂直転送部のポテンシャルレベルをロ
ーレベルに、第二の垂直転送部のポテンシャルレベルを
ハイレベルに、夫々転送方向に揃え、スミア電荷を第一
の垂直転送部から第二の垂直転送部を経由してスミアド
レイン部に掃き出すことを特徴としている。

【００１５】また、上記に代えて、双方の垂直転送部に
夫々対応する第一及び第二のスミアドレイン部を設け、
粗掃出し期間で、第一の垂直転送部のポテンシャルレベ
ルのみを平坦に揃え、第二の垂直転送部では例えばライ
ンシフト転送を行う構成も考えられる。この場合には、
粗掃出し期間を長く採れるという利点がある。

【００１６】

【作用】本発明に係る固体撮像素子及びその駆動方法で
は、垂直ゲートのクロック電圧を印加し、垂直転送部の
少なくとも一方のポテンシャルレベルを転送方向に平坦
に揃えることにより、垂直転送部に発生したスミア電荷
は、同じポテンシャルレベルにある垂直転送部を自由に
移動できることから、クロック信号による電荷転送を要
することなく、少なくともその一部がスミアドレイン部
に向けて一度に送られ、従ってその速やかな粗掃出しが
可能となる。その後、スミア電荷の掃出し転送が行われ
る場合には、粗掃出しで残された少量のスミア電荷のみ
を転送することで足りるため、高速の掃出し転送によっ
ても、特に大きな駆動能力を要することなく、スミア電
荷の掃出しが可能となる。

【００１７】

【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。本発明の一実施例の固体
撮像素子を成すイメージセンサは、図１に示した構造を
有している。先に記述した如く、このイメージセンサ
は、受光部８を有するイメージ部１、ストレージ部２、
水平レジスタ３、スミアドレイン部４及び信号電荷検出
部５を有する。イメージ部１及びストレージ部２には、
イメージ部１の垂直方向に配列される受光部８毎に夫々
垂直レジスタ６が設けられている。

【００１８】垂直レジスタ６を駆動する図示しない転送
ドライバは、イメージ部１では電荷転送のための４相の
クロック信号φＩＭ１、φＩＭ２、φＩＭ３、φＩＭ４
で駆動され、ストレージ部２では同様に４相のクロック
信号φＳＴ１、φＳＴ２、φＳＴ３、φＳＴ４で駆動さ
れる。水平レジスタ３の転送ドライバは、φＨ１、φＨ
２のクロック信号で駆動される。また、スミアドレイン
部４には、クロック信号φＳＭＧと直流ドレイン電圧Ｖ
SMDとが供給され、クロック信号φＳＭＧの信号レベル
によりドレイン部の開閉が行われる。

【００１９】図２は、上記各クロック信号φＩＭ１〜φ
ＩＭ４、φＳＴ１〜φＳＴ４、並びに垂直ブランキング
信号Ｖ−ＢＬＫを示す。図２のタイミングチャートで
は、図７に示したタイミングチャートにおける各動作期
間７１〜７５と同様な期間、即ち、ラインシフト転送２
１、スミア掃出し転送２２、信号電荷読出し２３、フレ
ームシフト転送２４、ラインシフト転送２５が設けら
れ、それに加えて、スミア電荷粗掃出し期間Ｐ１及びＰ
２が、スミア掃出し転送２２に先立って設けられる旨が
示されている。なお、垂直ブランキング信号Ｖ−ＢＬＫ
は、ローレベル期間にスミア電荷粗掃出し期間Ｐ１、ス
ミア掃出し転送２２、信号電荷読出し２３及びフレーム
シフト転送２４を制御する。

【００２０】図２に示したように、この実施例では、イ
メージ部１の垂直レジスタ６は、期間Ｐ１において全て
のチャネル部分がローレベルに、ストレージ部２の垂直
レジスタ６は、期間Ｐ２において全てのチャネル部分が
ハイレベルに維持される。なお、同図の場合、期間Ｐ１
及びＰ２が同時に進行する例を示した。

【００２１】図３は、上記実施例のイメージセンサにお
いて、図２のタイミングチャートにより行われる電荷転
送の様子を、従来例で説明した図８と同様に示したもの
である。図３に示すように、ラインシフト転送２１が終
了するタイミングＴ１では、高輝度の照明等により発生
した多量のスミア電荷３１が垂直レジスタ６に蓄積され
ている。

【００２２】スミア電荷粗掃出し期間Ｐ１及びＰ２内の
タイミングＴ２において、垂直レジスタ６に印加される
垂直転送クロックφＩＭ１〜φＩＭ４、φＳＴ１〜φＳ
Ｔ４を、イメージ部１では全てローレベルに、ストレー
ジ部２では全てハイレベルに維持する。この構成によ
り、スミア電荷３１は、垂直レジスタ６のチャネル内
を、その平坦なポテンシャルレベルに従って自由に動く
ことが出来る。この期間でスミアドレイン部のクロック
信号φＳＭＧも開とされるので、多量のスミア電荷の大
部分が、イメージ部１からストレージ部２を経由してス
ミアドレイン部４に一度に掃き出される。

【００２３】後続するスミア掃出し転送２２が行われる
タイミングＴ３では、垂直レジスタ６内に残された少量
のスミア電荷３１のみの転送で足りる。従って、タイミ
ングＴ３で示したように、高速の掃出し転送２２におい
ても、大きな駆動能力を有するドライバの採用を必要と
することもなく、殆ど全てのスミア電荷の掃出しが可能
となる。このため、タイミングＴ４において、残存する
スミア電荷３２は、スミア掃出し転送２２における転送
残しの電荷と、掃出し転送２２の後に新たに生成される
スミア電荷とが加算されたものであり、その量は極めて
僅かであって、初めのＴ１時点でのスミア電荷３１の量
に比べてかなり少ない。

【００２４】その後、新たに受光部からの信号電荷の読
出し転送２３が行われ、その終了時点であるタイミング
Ｔ５では、イメージ部１の垂直レジスタ６内には、スミ
ア電荷３２と新たな信号電荷３３とが存在する。しか
し、スミア電荷３２の量は極めて少量であり、殆ど影響
がない。この加算された電荷３２、３３は、次にフレー
ムシフト転送２４及びラインシフト転送２５により、ス
トレージ部２及び水平レジスタ３を経由して信号電荷検
出部５に転送され、その出力がイメージセンサ出力とし
て読み出される。

【００２５】なお、上記実施例では、タイミングＴ２に
おいて、各垂直転送クロックを、イメージ部１では全て
ローレベルに、ストレージ部２では全てハイレベルに、
夫々揃える例を示した。しかし、かかる構成に限定され
るものではなく、例えばイメージ部１とストレージ部２
の垂直レジスタ６のポテンシャルレベルを同じとする構
成も採用でき、同様な効果が得られる。

【００２６】また、イメージ部１及びストレージ部２の
双方の粗掃出し期間Ｐ１及びＰ２を必ずしも同時にする
必要はない。例えば期間Ｐ１の生起を期間Ｐ２の生起よ
りも早める、或いは、期間Ｐ１の長さを期間Ｐ２よりも
長くする等が考えられる。この場合、例えばラインシフ
ト転送と期間Ｐ１とをオーバラップさせることにより、
粗掃出しに必要な時間の全体サイクルに占める比率を実
質的に小さくできる。

【００２７】更に、上記実施例では、イメージ部１及び
ストレージ部２双方の垂直シフトレジスタ６のポテンシ
ャルレベルを平坦にする期間Ｐ１、Ｐ２を設けている
が、これに限るものではなく、例えばイメージ部１のみ
で、或いはその一部のみでポテンシャルレベルを平坦に
揃え、その残余の部分及びストレージ部２では、ライン
シフト転送２１を続ける等の構成を採用することも出来
る。

【００２８】要するに、本実施例の固体撮像素子では、
高速のスミア掃出し転送に先立って、少なくともイメー
ジ部の垂直レジスタの少なくとも一部のポテンシャルレ
ベルを平坦に揃える期間Ｐ１を設定し、イメージ部の垂
直レジスタ内に多量に生じたスミア電荷を予め一度に移
動させる又は掃き出す構成を採用している。これによ
り、スミア電荷３２が極めて僅かの量に抑制されるの
で、高輝度の被写体を撮像した場合でも、図９に示すよ
うな白色のスミア偽信号がモニター画面の上側に発生
し、モニター画面の画質を劣化させると言ったような従
来の問題は、生じない。

【００２９】図４は、本発明の第二の実施例に係るイメ
ージセンサの模式的平面図である。同図の配置は、先の
実施例のスミアドレイン部４に対応する第一のスミアド
レイン部４４に加えて、イメージ部４１の垂直レジスタ
４６の端部に隣接して第二のスミアドレイン部４７を設
けたことにおいて、図１に示したイメージセンサの配置
と異なる。図４中、４２はストレージ部、４３は水平シ
フトレジスタ、４５は信号電荷検出部及び４８は受光部
（受光画素）である。図５は、この実施例のイメージセ
ンサの垂直レジスタを駆動する各クロックのタイミング
チャート及び垂直ブランキング信号Ｖ−ＢＬＫを示す。
同図の各クロックの記号は、理解を容易にするために、
図２と同じ記号を採用した。また、図６は、図４のＹ３
−Ｙ４断面におけるセンサの模式的構造、並びにその部
分におけるポテンシャルレベル及び電荷転送の様子を図
３と同様に示す。

【００３０】第二の実施例では、ラインシフト転送５１
の期間中、イメージ部４１の垂直レジスタ４６の各転送
クロックφＩＭ１〜φＩＭ４を全てハイレベルに維持し
ている。なお、この転送クロックのレベルは、必ずしも
ハイレベルのみに限るものではなく、一定レベルに維持
することでも足りる。また、必ずしもラインシフト転送
５１の期間全体を一定レベルに維持することには限られ
ず、スミア掃出し転送５２に先立って、所定期間一定レ
ベルに維持することでもよい。

【００３１】図６に示されたように、ラインシフト転送
５１が終了する直前のタイミングＴ１′において、以
下、イメージ部１の垂直クロックを全て同じ一定電圧に
揃えることにより、イメージ部４１の垂直レジスタ４６
に発生するスミア電荷６１は、絶えず第二のスミアドレ
イン部４７側に掃き出されており、これはラインシフト
転送５１の期間中行われる。

【００３２】ラインシフト転送５１に後続してスミア掃
出し転送５２が行われる。掃出し転送５２に先立ってタ
イミングＴ２′では、既にラインシフト転送が終了して
双方の垂直転送部のポテンシャルレベルが平坦にされ
る。スミア掃出し転送５２中に生成されるスミア電荷
は、スミア掃出し転送５２により全て第一のスミアドレ
イン側に順次掃き出される。図６のタイミングＴ３′に
この様子が示されている。なお、タイミングＴ３′以降
の転送の様子は、先の実施例に示した図３のＴ３以降の
転送と同様であり、詳細な説明を省略する。この実施例
の場合、スミア電荷の粗掃出し期間を充分に長く採れる
ので、スミア電荷の粗掃出し能力を先の実施例に比して
大幅に向上させることが出来る。

【００３３】上記各実施例では、いずれも掃出し転送終
了後の新たな信号電荷読出し時に、イメージ部の垂直レ
ジスタに残るスミア電荷の量は極めて少量である。従っ
て、スミア電荷に起因するスミア僞信号のレベルを小さ
く抑えることが出来る。また、従来のイメージセンサで
は、垂直レジスタを駆動するための転送ドライバとし
て、多量のスミア電荷を急速に掃き出すために、駆動能
力の高いバイポーラトランジスタを採用する例が多かっ
た。しかし、上記実施例の場合には、転送により掃き出
すべきスミア電荷が少量であるため、バイポーラ型ドラ
イバに代えてＣＭＯＳ型ドライバを採用することも可能
となり、これによって消費電力を大幅に低減することが
できる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
素子は、垂直レジスタの少なくとも一部のポテンシャル
レベルを平坦に揃えるように垂直ゲートのクロック電圧
を印加することによってスミア電荷の粗掃出しを行う構
成を採用したことにより、小さな転送駆動力の場合にも
スミア電荷の確実でほぼ完全な掃出し転送を可能として
いる。これによって、高輝度の被写体の撮像の場合で
も、固体撮像素子の出力に発生するスミア僞信号のレベ
ルを小さく抑えて高品質のイメージ信号を送出できるよ
うになると共に、消費電力の低減を可能としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の固体撮像素子を含む一般的
なＦＩＴ型固体撮像素子の模式的平面図である。

【図２】本発明の一実施例の固体撮像素子における電荷
転送クロックのタイミングを例示するタイミングチャー
トである。

【図３】本発明の一実施例の垂直レジスタの模式的断面
構造、並びにその部分のポテンシャルレベル及びスミア
電荷の転送の様子を示す模式図である。

【図４】本発明の第二の実施例の固体撮像素子における
図１と同様な図である。

【図５】図４の固体撮像素子における図２と同様な図で
ある。

【図６】図４の固体撮像素子における図３と同様な図で
ある。

【図７】従来の固体撮像素子における図２と同様な図で
ある。

【図８】従来の固体撮像素子における図３と同様な図で
ある。

【図９】従来の固体撮像素子の出力から生ずるスミア僞
信号を説明するためのモニターの正面図である。

【符号の説明】

１、４１ イメージ部 ２、４２ ストレージ部 ３、４３ 水平シフトレジスタ ４、４４、４７ スミアドレイン部 ５、４５ 信号電荷検出部 ６、４６ 垂直シフトレジスタ ８、４８ 受光部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水平及び垂直方向に配列された複数の受
   光部と、前記垂直方向に配列された受光部毎に対応して
   配設され、該各受光部から読み出される信号電荷をポテ
   ンシャルの井戸の移動により順次垂直方向に転送する第
   一の垂直転送部とを有するイメージ部と、 前記第一の垂直転送部に対応して配設され、夫々が該各
   第一の垂直転送部から転送される信号電荷を順次受け取
   ってポテンシャルの井戸の移動により順次転送する第二
   の垂直転送部を有し、前記信号電荷を一時的に蓄えるス
   トレージ部と、 前記第二の垂直転送部から夫々転送される信号電荷を所
   定のタイミングで読み出して水平方向に転送する水平転
   送部と、 前記水平転送部から順次転送される信号電荷を読み出す
   信号読出し部と、 前記第一及び第二の垂直転送部からの不要電荷を掃き出
   すためのスミアドレイン部とを具備し、 垂直ゲートのクロック電圧を印加して、前記第一及び第
   二の垂直転送部の少なくとも一方のポテンシャルレベル
   を転送方向に平坦に揃える、前記不要電荷の粗掃出し期
   間を設けたことを特徴とする固体撮像素子。
2. 【請求項２】前記粗掃出し期間に、前記第一の垂直転送
   部のポテンシャルをローレベルに、前記第二の垂直転送
   部のポテンシャルをハイレベルに夫々平坦に揃える、請
   求項１に記載の固体撮像素子。
3. 【請求項３】前記粗掃出し期間に、前記第一及び第二の
   垂直転送部のポテンシャルを相互に同じレベルに平坦に
   揃える、請求項１に記載の固体撮像素子。
4. 【請求項４】前記ポテンシャルレベルを転送方向に平坦
   に揃える期間又は時期が前記第一及び第二の垂直転送部
   で相互に異なる、請求項２又は３に記載の固体撮像素
   子。
5. 【請求項５】前記粗掃出し期間に、前記第一の垂直転送
   部のポテンシャルレベルのみを平坦に揃える、請求項１
   に記載の固体撮像素子。
6. 【請求項６】前記スミアドレイン部が前記第二及び第一
   の垂直転送部の夫々に対応する第一及び第二のスミアド
   レン部から成り、前記粗掃出し期間に不要電荷を前記第
   二のスミアドレン部に掃き出すと共に、該粗掃出し期間
   の後に、前記第一及び第二の垂直転送部が前記第一のス
   ミアドレン部に向けて不要電荷を転送する掃出し転送期
   間を更に設ける、請求項１に記載の固体撮像素子。