JPH06310695A - レンズ領域及び非レンズ領域を有する開口を有するフォトダイオード装置用レンズ配列 - Google Patents
レンズ領域及び非レンズ領域を有する開口を有するフォトダイオード装置用レンズ配列Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 その中でフォトダイオードがより多くの光を
受ける改善された効率を有するレンズ配列を提供する。 【構成】 フォトダイオードを用いた画像センサーにお
いて、各フォトダイオードのレンズはフォトダイオード
の第一部分上に光を合焦させるように構成される。シー
ンからの光は直接フォトダイオードの第二部分へ照射す
る。
受ける改善された効率を有するレンズ配列を提供する。 【構成】 フォトダイオードを用いた画像センサーにお
いて、各フォトダイオードのレンズはフォトダイオード
の第一部分上に光を合焦させるように構成される。シー
ンからの光は直接フォトダイオードの第二部分へ照射す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光感応性装置用のレンズ
配列に係わる。
配列に係わる。
【0002】
【従来の技術】横方向に区切られた配列から構成される
画像感知装置は良く知られており、様々な形態を取りう
る。配列は、一般にピクセル又はセンシング要素と呼ば
れる、多数の横方向のオフセット領域で構成される。技
術的にはセンシングの利点は各ピクセルに対する凸レン
ズ表面を有するレンズ配列を形成することにより実現可
能であると認識されている。図1にレンズ16の下の中
心に位置する光遮蔽開口14を通してフォトダイオード
12がその上に見られる、単一のピクセル10を示す。
画像感知装置は良く知られており、様々な形態を取りう
る。配列は、一般にピクセル又はセンシング要素と呼ば
れる、多数の横方向のオフセット領域で構成される。技
術的にはセンシングの利点は各ピクセルに対する凸レン
ズ表面を有するレンズ配列を形成することにより実現可
能であると認識されている。図1にレンズ16の下の中
心に位置する光遮蔽開口14を通してフォトダイオード
12がその上に見られる、単一のピクセル10を示す。
【0003】装置に整合されて設けられたレンズ配列は
フォトダイオード上への入射光を合焦するために供され
る。これはフォトダイオードの集光エリアを増加し、そ
の故に信号を改善する効果を有する。装置は、フォトダ
イオード中の集光を最大化するためにフォトダイオード
からレンズをオフセットするレンズ支持層を有する。レ
ンズ配列の組み立ては従来技術の正作用(positi
ve−working)のフォトレジストの使用に基づ
く。フォトレジストのコーティングはレジストの島の配
列を生成するために露光され、現像される。レジストパ
ターンは残存するフォトケミストリイを漂白するために
フラッド露光され、それに続いてレンズ物質がレンズを
形成するのに充分かつ隣接するレンズが流れて一緒にな
らない程度に流れるまで加熱される。故に、レンズ間に
は或る間隔がある。
フォトダイオード上への入射光を合焦するために供され
る。これはフォトダイオードの集光エリアを増加し、そ
の故に信号を改善する効果を有する。装置は、フォトダ
イオード中の集光を最大化するためにフォトダイオード
からレンズをオフセットするレンズ支持層を有する。レ
ンズ配列の組み立ては従来技術の正作用(positi
ve−working)のフォトレジストの使用に基づ
く。フォトレジストのコーティングはレジストの島の配
列を生成するために露光され、現像される。レジストパ
ターンは残存するフォトケミストリイを漂白するために
フラッド露光され、それに続いてレンズ物質がレンズを
形成するのに充分かつ隣接するレンズが流れて一緒にな
らない程度に流れるまで加熱される。故に、レンズ間に
は或る間隔がある。
【0004】フォトダイオードの機能は良く知られてお
り、露光で受けた光の量に比例した電子を生成する。こ
の配列での問題は、光がフォトダイオードの中心領域1
7上に合焦されることである。光遮蔽開口及びフォトダ
イオードは細長く、レンズベースはピクセル形状に適合
させるために本質的に正方形である故に、レンズは光遮
蔽開口の最も狭い側を通った光を合焦させるように設計
しなくてはならない。故に、フォトダイオードの一部分
のみが光を受けるのに用いられる。故に、この型の配列
の効率は最適化されていない。
り、露光で受けた光の量に比例した電子を生成する。こ
の配列での問題は、光がフォトダイオードの中心領域1
7上に合焦されることである。光遮蔽開口及びフォトダ
イオードは細長く、レンズベースはピクセル形状に適合
させるために本質的に正方形である故に、レンズは光遮
蔽開口の最も狭い側を通った光を合焦させるように設計
しなくてはならない。故に、フォトダイオードの一部分
のみが光を受けるのに用いられる。故に、この型の配列
の効率は最適化されていない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はその中
でフォトダイオードがより多くの光を受ける改善された
効率を有するレンズ配列を提供することにある。
でフォトダイオードがより多くの光を受ける改善された
効率を有するレンズ配列を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本目的は、複数の光感応
性装置及び特定の光感応性装置上に配置された個別のレ
ンズを有するレンズ配列を有する画像センサーにおい
て、 (a) 各装置に対して設けられ、細長い、第一及び第
二の光受容部分を有する開口を有する光遮蔽を有し; (b) 各レンズはシーンからの光がまた第二部分を通
して装置を直接照らすように装置上にシーンからの光を
合焦させるために開口の第一部分上に設けられてなる画
像センサーにより達成される。
性装置及び特定の光感応性装置上に配置された個別のレ
ンズを有するレンズ配列を有する画像センサーにおい
て、 (a) 各装置に対して設けられ、細長い、第一及び第
二の光受容部分を有する開口を有する光遮蔽を有し; (b) 各レンズはシーンからの光がまた第二部分を通
して装置を直接照らすように装置上にシーンからの光を
合焦させるために開口の第一部分上に設けられてなる画
像センサーにより達成される。
【0007】
【実施例】図1と対応する番号の部分には、同じ構造を
用いる。図2にサブストレート内に形成された複数の横
に区切られたフォトダイオード12を含むマルチピクセ
ル半導体配列18を示す。サブストレートの配列は複数
のセンシング要素又はピクセル10からなる。各センシ
ング要素はその上面に隣接し中央に位置し、破線20に
よって表される直線の多角形境界により周囲に輪郭を示
されたフォトダイオードセンサー12を含む。
用いる。図2にサブストレート内に形成された複数の横
に区切られたフォトダイオード12を含むマルチピクセ
ル半導体配列18を示す。サブストレートの配列は複数
のセンシング要素又はピクセル10からなる。各センシ
ング要素はその上面に隣接し中央に位置し、破線20に
よって表される直線の多角形境界により周囲に輪郭を示
されたフォトダイオードセンサー12を含む。
【0008】図3に、図2の線4ー4に沿って表示され
たピクセル10の概略断面図を示し、これには形成され
たレンズを含む。本実施例を簡略化するために、本質的
な要素のみを示した。レンズを有するフォトダイオード
装置の構成のより完全な記述のために、アメリカ特許第
4、966、831号を参考に挙げる。。半導体サブス
トレートはN導電性領域22及びサブストレート表面を
通して拡散によって形成されるP導電性井戸24を有す
る。フォトダイオードセンサー12はN拡散によりピク
セル内の中心に形成される。
たピクセル10の概略断面図を示し、これには形成され
たレンズを含む。本実施例を簡略化するために、本質的
な要素のみを示した。レンズを有するフォトダイオード
装置の構成のより完全な記述のために、アメリカ特許第
4、966、831号を参考に挙げる。。半導体サブス
トレートはN導電性領域22及びサブストレート表面を
通して拡散によって形成されるP導電性井戸24を有す
る。フォトダイオードセンサー12はN拡散によりピク
セル内の中心に形成される。
【0009】光遮蔽26は、細長い光遮蔽開口14がパ
ターン化された部分のフォトダイオード以外のピクセル
領域へかぶせられる。この開口は好ましくは長方形の形
状である。透明な絶縁体28は光遮蔽26を電気的に絶
縁し、また光遮蔽上に保護環境的障壁を形成する。ユニ
ットとして存在するが、絶縁体は典型的には幾つかの組
み立て段階により形成される。透明なプラナー化物質3
0は平滑な表面32を提供するために位置する。この表
面上に、ピクセル又はセンサー要素の境界と同一の広が
りを有する、付加的な主要なカラーフィルター要素の様
な、要素36を有するカラーフィルター配列34が位置
する。このようなカラーフィルター配列は従来技術にお
いて良く知られている。スペーサー及びプラナー化層3
8はフィルター34上に形成される。
ターン化された部分のフォトダイオード以外のピクセル
領域へかぶせられる。この開口は好ましくは長方形の形
状である。透明な絶縁体28は光遮蔽26を電気的に絶
縁し、また光遮蔽上に保護環境的障壁を形成する。ユニ
ットとして存在するが、絶縁体は典型的には幾つかの組
み立て段階により形成される。透明なプラナー化物質3
0は平滑な表面32を提供するために位置する。この表
面上に、ピクセル又はセンサー要素の境界と同一の広が
りを有する、付加的な主要なカラーフィルター要素の様
な、要素36を有するカラーフィルター配列34が位置
する。このようなカラーフィルター配列は従来技術にお
いて良く知られている。スペーサー及びプラナー化層3
8はフィルター34上に形成される。
【0010】レンズ配列40はアメリカ特許第4、69
4、185号に詳細に記述されているような方法でフォ
トレジストを用いて形成される。DoMinh等による
アメリカ特許第4、684、599号は、重合バインダ
ーとしてポリスルホンアミド及び、活性化放射に曝され
た場合、組成物にアルカリ溶解性を与えるキノン感光剤
を有する正作用のフォトレジスト組成物を開示してい
る。
4、185号に詳細に記述されているような方法でフォ
トレジストを用いて形成される。DoMinh等による
アメリカ特許第4、684、599号は、重合バインダ
ーとしてポリスルホンアミド及び、活性化放射に曝され
た場合、組成物にアルカリ溶解性を与えるキノン感光剤
を有する正作用のフォトレジスト組成物を開示してい
る。
【0011】レンズ配列40は、層38上へ予め適用さ
れたスピンコートされた光感応性ポリマーとして始ま
る。ポリマーは350乃至450nmの間のスペクトル
レンジの光でパターンワイズに露光される。この後で、
露光領域を除去するために水ベースの溶液中で現像され
る。現像後、残存するレジストは残存するフォトケミス
トリイを破壊するように設定された「フラッド」又はパ
ターン化されない露光を受け、斯くして、400nmか
ら1000nmまでの波長レンジにわたる光に透過性の
パターンができる。凸レンズの整形は、160度C以下
の温度で、パターンが丸くすなわちレンズを形成するの
に充分な時間パターンレジスト層を加熱することにより
達成される。各レンズの上面42は凸である。レンズ配
列を形成するためにフォトレジストを流すことについて
のより完全な開示は、アメリカ特許第4、694、18
5号に記載されている。
れたスピンコートされた光感応性ポリマーとして始ま
る。ポリマーは350乃至450nmの間のスペクトル
レンジの光でパターンワイズに露光される。この後で、
露光領域を除去するために水ベースの溶液中で現像され
る。現像後、残存するレジストは残存するフォトケミス
トリイを破壊するように設定された「フラッド」又はパ
ターン化されない露光を受け、斯くして、400nmか
ら1000nmまでの波長レンジにわたる光に透過性の
パターンができる。凸レンズの整形は、160度C以下
の温度で、パターンが丸くすなわちレンズを形成するの
に充分な時間パターンレジスト層を加熱することにより
達成される。各レンズの上面42は凸である。レンズ配
列を形成するためにフォトレジストを流すことについて
のより完全な開示は、アメリカ特許第4、694、18
5号に記載されている。
【0012】ピクセルを照射する入射光は矢印44で示
される。レンズ40は、矢印46で示されるようにレン
ズにより集められた光は光遮蔽を通して合焦され、フォ
トダイオード12の第一部分48により受けられる様
に、フォトダイオード12に整列される。このレンズ配
列の整列はまた、隣接レンズ間の空間が、矢印50で示
され、フォトダイオード12の第二部分52により直接
集められる、シーンからの付加的な入射光を許容するよ
うに光遮蔽上に位置するようにさせる。故に、レンズに
より合焦された光及び隣接レンズ間の空間により供給さ
れた光はフォトダイオードにより受けられる。
される。レンズ40は、矢印46で示されるようにレン
ズにより集められた光は光遮蔽を通して合焦され、フォ
トダイオード12の第一部分48により受けられる様
に、フォトダイオード12に整列される。このレンズ配
列の整列はまた、隣接レンズ間の空間が、矢印50で示
され、フォトダイオード12の第二部分52により直接
集められる、シーンからの付加的な入射光を許容するよ
うに光遮蔽上に位置するようにさせる。故に、レンズに
より合焦された光及び隣接レンズ間の空間により供給さ
れた光はフォトダイオードにより受けられる。
【0013】図4に2つの隣接するピクセル10の平面
図を示す。レンズパターン40は下方にシフトされたの
で、それによってその焦点の中心は光遮蔽開口14の底
辺に向かってシフトする。レンズによって合焦された光
はフォトダイオードの大きな部分48へ入射する。レン
ズパターン内のシフトはフォトダイオードの第二部分5
2がシーンから光を直接に受けることを可能にすること
に注目すべきである。
図を示す。レンズパターン40は下方にシフトされたの
で、それによってその焦点の中心は光遮蔽開口14の底
辺に向かってシフトする。レンズによって合焦された光
はフォトダイオードの大きな部分48へ入射する。レン
ズパターン内のシフトはフォトダイオードの第二部分5
2がシーンから光を直接に受けることを可能にすること
に注目すべきである。
【0014】
【発明の効果】本発明の利点は次の通りである。各ピク
セルの集光エリアの増加、それによる装置の信号の増
加;及び隣接レンズ間の要求された空間の利用の改善。
セルの集光エリアの増加、それによる装置の信号の増
加;及び隣接レンズ間の要求された空間の利用の改善。
【図1】単一ピクセル上の光遮蔽、フォトダイオード、
及びレンズ内の開口の従来技術での構成を示す概略平面
図である。
及びレンズ内の開口の従来技術での構成を示す概略平面
図である。
【図2】マルチピクセル半導体配列の平面図である。
【図3】線4ー4に沿った図2の概略側面図であり、レ
ンズ形成後の本発明の配列を示す図である。
ンズ形成後の本発明の配列を示す図である。
【図4】図1と同様であるが、本発明によって構成され
たピクセルを示す図である。
たピクセルを示す図である。
10 ピクセル 12 フォトダイオード 14 光遮蔽開口 16 レンズ 17 フォトダイオードの中心領域 18 マルチピクセル半導体配列 22 N導電性領域 24 P導電性井戸 26 光遮蔽 28 透明な絶縁体 30 透明なプラナー化物質 34 カラーフィルター配列 38 スペーサー及びプラナー化層 40 レンズ配列 42 レンズの上面 44 入射光 48 第一部分 52 第二部分
Claims (2)
- 【請求項1】 複数のフォトダイオード及び個別のレン
ズを有するレンズ配列を有し、該各レンズは特定のフォ
トダイオード上に配置された画像センサーにおいて、 (a) 各フォトダイオードに対して設けられ、開口を
有する光遮蔽を有し; (b) 各レンズはフォトダイオードの第一部分上にシ
ーンからの光を合焦させるために開口のレンズ領域上に
設けられ、シーンからの光がまた開口の非レンズ領域を
通してフォトダイオードの第二部分を直接照らすように
整列されている画像センサー。 - 【請求項2】 レンズ配列と光遮蔽の間に位置するカラ
ーフィルター配列を更に含む請求項1記載の画像センサ
ー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US043678 | 1993-04-08 | ||
US08/043,678 US5324930A (en) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | Lens array for photodiode device with an aperture having a lens region and a non-lens region |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06310695A true JPH06310695A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=21928334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6067306A Pending JPH06310695A (ja) | 1993-04-08 | 1994-04-05 | レンズ領域及び非レンズ領域を有する開口を有するフォトダイオード装置用レンズ配列 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5324930A (ja) |
EP (1) | EP0619614B1 (ja) |
JP (1) | JPH06310695A (ja) |
DE (1) | DE69410155T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011506066A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | ベスト 2 エヌヴェ | 選別装置用のセンサ素子、及び製品を選別するための方法 |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9301405D0 (en) * | 1993-01-25 | 1993-03-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An image sensor |
GB9314402D0 (en) * | 1993-07-12 | 1993-08-25 | Philips Electronics Uk Ltd | An imaging device |
JPH08107194A (ja) * | 1994-10-03 | 1996-04-23 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
DE19545484C2 (de) * | 1995-12-06 | 2002-06-20 | Deutsche Telekom Ag | Bildaufnahmeeinrichtung |
US5835228A (en) * | 1996-01-19 | 1998-11-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Image pickup apparatus, density measuring optical system and scanning optical microscope |
US5734190A (en) * | 1996-03-11 | 1998-03-31 | Eastman Kodak Company | Imager having a plurality of cylindrical lenses |
US5824236A (en) * | 1996-03-11 | 1998-10-20 | Eastman Kodak Company | Method for forming inorganic lens array for solid state imager |
US5711890A (en) * | 1996-03-11 | 1998-01-27 | Eastman Kodak Company | Method for forming cylindrical lens arrays for solid state imager |
US6211916B1 (en) | 1996-03-11 | 2001-04-03 | Eastman Kodak Company | Solid state imager with inorganic lens array |
US5986297A (en) * | 1996-05-22 | 1999-11-16 | Eastman Kodak Company | Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross-talk |
US5696371A (en) * | 1996-05-23 | 1997-12-09 | Eastman Kodak Company | Diffractive/refractive lenslet array |
JP3674209B2 (ja) * | 1997-01-23 | 2005-07-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
EP0948059A1 (fr) * | 1998-02-05 | 1999-10-06 | Asulab S.A. | Moyens de positionnement pour un dispositif microélectronique et appareil de prise de vues muni d'un tel dispositif |
US6733130B2 (en) | 1999-07-02 | 2004-05-11 | E-Vision, Llc | Method for refracting and dispensing electro-active spectacles |
US6491391B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-12-10 | E-Vision Llc | System, apparatus, and method for reducing birefringence |
US6871951B2 (en) * | 2000-06-23 | 2005-03-29 | E-Vision, Llc | Electro-optic lens with integrated components |
US6986579B2 (en) * | 1999-07-02 | 2006-01-17 | E-Vision, Llc | Method of manufacturing an electro-active lens |
US6517203B1 (en) | 1999-07-02 | 2003-02-11 | E-Vision, Llc | System, apparatus, and method for correcting vision using electro-active spectacles |
US7023594B2 (en) * | 2000-06-23 | 2006-04-04 | E-Vision, Llc | Electro-optic lens with integrated components |
US6619799B1 (en) * | 1999-07-02 | 2003-09-16 | E-Vision, Llc | Optical lens system with electro-active lens having alterably different focal lengths |
US6491394B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-12-10 | E-Vision, Llc | Method for refracting and dispensing electro-active spectacles |
US6857741B2 (en) * | 2002-01-16 | 2005-02-22 | E-Vision, Llc | Electro-active multi-focal spectacle lens |
US20070258039A1 (en) * | 1999-07-02 | 2007-11-08 | Duston Dwight P | Spectacle frame bridge housing electronics for electro-active spectacle lenses |
US7775660B2 (en) * | 1999-07-02 | 2010-08-17 | E-Vision Llc | Electro-active ophthalmic lens having an optical power blending region |
US7264354B2 (en) | 1999-07-02 | 2007-09-04 | E-Vision, Llc | Method and apparatus for correcting vision using an electro-active phoropter |
US7290876B2 (en) * | 1999-07-02 | 2007-11-06 | E-Vision, Llc | Method and system for electro-active spectacle lens design |
US7404636B2 (en) | 1999-07-02 | 2008-07-29 | E-Vision, Llc | Electro-active spectacle employing modal liquid crystal lenses |
US6851805B2 (en) * | 1999-07-02 | 2005-02-08 | E-Vision, Llc | Stabilized electro-active contact lens |
US7988286B2 (en) | 1999-07-02 | 2011-08-02 | E-Vision Llc | Static progressive surface region in optical communication with a dynamic optic |
US20090103044A1 (en) * | 1999-07-02 | 2009-04-23 | Duston Dwight P | Spectacle frame bridge housing electronics for electro-active spectacle lenses |
US7604349B2 (en) * | 1999-07-02 | 2009-10-20 | E-Vision, Llc | Static progressive surface region in optical communication with a dynamic optic |
US7290875B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-06 | Blum Ronald D | Electro-active spectacles and method of fabricating same |
JP4947841B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
JP2001284230A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP4947842B2 (ja) | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
JP4585661B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001283756A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
US6545258B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-04-08 | Pixim, Inc. | Photo-sensor cross-section for increased quantum efficiency |
KR20040053147A (ko) * | 2001-10-05 | 2004-06-23 | 이-비젼 엘엘씨 | 하이브리드 전기-활성 렌즈 |
US20080106633A1 (en) * | 2002-03-13 | 2008-05-08 | Blum Ronald D | Electro-optic lens with integrated components for varying refractive properties |
US20050133879A1 (en) * | 2003-04-07 | 2005-06-23 | Takumi Yamaguti | Solid-state imaging device, signal processing device, camera, and spectral device |
AU2004266005A1 (en) | 2003-08-15 | 2005-02-24 | E-Vision, Llc | Enhanced electro-active lens system |
US20050237485A1 (en) * | 2004-04-21 | 2005-10-27 | Blum Ronald D | Method and apparatus for correcting vision |
US8931896B2 (en) | 2004-11-02 | 2015-01-13 | E-Vision Smart Optics Inc. | Eyewear including a docking station |
US8778022B2 (en) | 2004-11-02 | 2014-07-15 | E-Vision Smart Optics Inc. | Electro-active intraocular lenses |
US9801709B2 (en) | 2004-11-02 | 2017-10-31 | E-Vision Smart Optics, Inc. | Electro-active intraocular lenses |
AU2005302202B2 (en) * | 2004-11-02 | 2012-04-05 | E-Vision, Llc | Electro-active spectacles and method of fabricating same |
US7564629B1 (en) | 2004-12-02 | 2009-07-21 | Crosstek Capital, LLC | Microlens alignment procedures in CMOS image sensor design |
US7450161B1 (en) | 2004-12-02 | 2008-11-11 | Magnachip Semiconductor Ltd. | System and method to enhance the uniformity of intensity distribution on digital imaging sensors |
US7763918B1 (en) * | 2004-12-02 | 2010-07-27 | Chen Feng | Image pixel design to enhance the uniformity of intensity distribution on digital image sensors |
US8104892B2 (en) * | 2004-12-03 | 2012-01-31 | The Invention Science Fund I, Llc | Vision modification with reflected image |
US7344244B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-03-18 | Searete, Llc | Adjustable lens system with neural-based control |
US7594727B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-09-29 | Searete Llc | Vision modification with reflected image |
US7656569B2 (en) * | 2004-12-03 | 2010-02-02 | Searete Llc | Vision modification with reflected image |
US8244342B2 (en) * | 2004-12-03 | 2012-08-14 | The Invention Science Fund I, Llc | Method and system for adaptive vision modification |
US7390088B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-06-24 | Searete Llc | Adjustable lens system with neural-based control |
US7350919B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-04-01 | Searete Llc | Vision modification with reflected image |
US7486988B2 (en) * | 2004-12-03 | 2009-02-03 | Searete Llc | Method and system for adaptive vision modification |
US7334892B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-02-26 | Searete Llc | Method and system for vision enhancement |
US9155483B2 (en) | 2004-12-03 | 2015-10-13 | The Invention Science Fund I, Llc | Vision modification with reflected image |
US7931373B2 (en) * | 2004-12-03 | 2011-04-26 | The Invention Science Fund I, Llc | Vision modification with reflected image |
US7470027B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-12-30 | Searete Llc | Temporal vision modification |
US7334894B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-02-26 | Searete, Llc | Temporal vision modification |
US7375312B2 (en) * | 2005-01-26 | 2008-05-20 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Planar fly's eye detector |
JP4720508B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
US20070159562A1 (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-12 | Haddock Joshua N | Device and method for manufacturing an electro-active spectacle lens involving a mechanically flexible integration insert |
US20070205354A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Micron Technology, Inc. | Image sensor light shield |
US20080273166A1 (en) * | 2007-05-04 | 2008-11-06 | William Kokonaski | Electronic eyeglass frame |
WO2008105780A2 (en) | 2006-05-24 | 2008-09-04 | Pixeloptics, Inc. | Optical rangefinder for an electro-active lens |
CN101479644B (zh) * | 2006-06-23 | 2012-05-02 | 像素光学公司 | 用于电活性眼镜镜片的电子适配器 |
US20080106694A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Blum Ronald D | Spectacle hinge for providing on off power |
AR064985A1 (es) | 2007-01-22 | 2009-05-06 | E Vision Llc | Lente electroactivo flexible |
WO2008103906A2 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Pixeloptics, Inc. | Ophthalmic dynamic aperture |
US20080273169A1 (en) | 2007-03-29 | 2008-11-06 | Blum Ronald D | Multifocal Lens Having a Progressive Optical Power Region and a Discontinuity |
US7883207B2 (en) * | 2007-12-14 | 2011-02-08 | Pixeloptics, Inc. | Refractive-diffractive multifocal lens |
EP2130090A4 (en) * | 2007-03-07 | 2011-11-02 | Pixeloptics Inc | MULTIFOKALLINSE WITH A REGION WITH PROGRESSIVE OPTICAL STRENGTH AND A DISCONTINUITY |
US20090091818A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Haddock Joshua N | Electro-active insert |
US11061252B2 (en) | 2007-05-04 | 2021-07-13 | E-Vision, Llc | Hinge for electronic spectacles |
US10613355B2 (en) | 2007-05-04 | 2020-04-07 | E-Vision, Llc | Moisture-resistant eye wear |
US8317321B2 (en) | 2007-07-03 | 2012-11-27 | Pixeloptics, Inc. | Multifocal lens with a diffractive optical power region |
KR20100114133A (ko) | 2008-03-18 | 2010-10-22 | 픽셀옵틱스, 인크. | 진보한 전기-활성 광학 장치 |
US8154804B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-04-10 | E-Vision Smart Optics, Inc. | Electro-optic lenses for correction of higher order aberrations |
DE102011083137A1 (de) | 2011-09-21 | 2013-03-21 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Optischer Detektor |
KR102060784B1 (ko) | 2012-01-06 | 2019-12-30 | 에이치피오 애셋츠 엘엘씨 | 안경류 도킹 스테이션 및 전자 모듈 |
CN104535052B (zh) * | 2014-12-11 | 2017-02-22 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种透镜阵列和光电二极管阵列对准贴片装置及对准方法 |
KR20180127509A (ko) | 2016-04-12 | 2018-11-28 | 이-비전 스마트 옵틱스, 아이엔씨. | 융기 저항 브릿지를 가지는 전기-활성 렌즈 |
US10599006B2 (en) | 2016-04-12 | 2020-03-24 | E-Vision Smart Optics, Inc. | Electro-active lenses with raised resistive bridges |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4667092A (en) * | 1982-12-28 | 1987-05-19 | Nec Corporation | Solid-state image device with resin lens and resin contact layer |
US4694185A (en) * | 1986-04-18 | 1987-09-15 | Eastman Kodak Company | Light sensing devices with lenticular pixels |
US4684599A (en) * | 1986-07-14 | 1987-08-04 | Eastman Kodak Company | Photoresist compositions containing quinone sensitizer |
US4966831A (en) * | 1989-04-20 | 1990-10-30 | Eastman Kodak Company | Lens arrays for light sensitive devices |
JPH0485960A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH0488672A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-23 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
KR920013734A (ko) * | 1990-12-31 | 1992-07-29 | 김광호 | 칼라필터의 제조방법 |
JP3200856B2 (ja) * | 1991-02-12 | 2001-08-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1993
- 1993-04-08 US US08/043,678 patent/US5324930A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-30 DE DE69410155T patent/DE69410155T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-30 EP EP94105050A patent/EP0619614B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-05 JP JP6067306A patent/JPH06310695A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011506066A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | ベスト 2 エヌヴェ | 選別装置用のセンサ素子、及び製品を選別するための方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0619614B1 (en) | 1998-05-13 |
DE69410155T2 (de) | 1998-09-03 |
US5324930A (en) | 1994-06-28 |
EP0619614A1 (en) | 1994-10-12 |
DE69410155D1 (de) | 1998-06-18 |
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