JPH06310653A - 樹脂モールド型半導体装置の製造方法とその方法により製造される樹脂モールド型半導体装置、及びそれらに使用される樹脂モールド型半導体装置用リードフレーム部材 - Google Patents

樹脂モールド型半導体装置の製造方法とその方法により製造される樹脂モールド型半導体装置、及びそれらに使用される樹脂モールド型半導体装置用リードフレーム部材

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JPH06310653A
JPH06310653A JP12219093A JP12219093A JPH06310653A JP H06310653 A JPH06310653 A JP H06310653A JP 12219093 A JP12219093 A JP 12219093A JP 12219093 A JP12219093 A JP 12219093A JP H06310653 A JPH06310653 A JP H06310653A
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thickness
insulating film
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Hideo Hotta
堀田日出男
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂モールド型半導体装置におけるフアイン
ピッチ化、低価格化等要求に対応する半導体装置、製造
方法、及びそれらに使用するためのリードフレーム部材
の提供 【構成】 ダムバーレスのアウターリード上に、熱可塑
性基材上に熱硬化型接着材を塗布した絶縁性フイルムを
所定形状に打ち抜いた後に、熱硬化型接着材側がリード
フレームに対するように、ダムバー部領域を跨ぐように
して熱圧着し、樹脂モールド時にモールド金型によりリ
ード間に絶縁性フイルムを充填する方式の樹脂モールド
型半導体装置の製造方法と、該製造方法により作製され
る絶縁性フイルムをアウターリードピン間に充填して樹
脂モールド時のダムバーとする半導体装置、及びこれら
の製造方法、装置に使用されるダムバーレスのリードフ
レームのアウターリードの所定領域に絶縁性のフイルム
を圧着させた樹脂モールド型半導体装置用リードフレー
ム部材。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はダムバーレスのリードフ
レームを用い、アウターリード間に絶縁性のフイルムを
充填し、樹脂モールド時のダムバーとする樹脂モールド
型半導体装置の製造方法と、その方法により作製される
樹脂モールド型半導体装置、及び該製造方法、装置に使
用されるためのリードフレーム材に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、樹脂モールド型パッケージの分野
では、モールド時の樹脂を堰き止めるダムとして、リー
ドフレームをエッチングやプレスにより作製する際に、
アウターリード間の所定の箇所にリードフレーム自体の
素材で、連結部 (ダムバー) を設けており、樹脂モール
ドの後にこれをプレス金型により除去していた。しかし
ながら、樹脂モールド型パッケージでの、フアインピッ
チ要求、パッケージの小型化要求がますます盛んで、Q
FPアウターリードのピッチにおいては、0.40mm、0.30
mmピッチのものが量産化されるようになってきており、
0.30mm以下のピッチのものも実用化されつつあるが、実
用、量産化されているダムバーのカット法はプレスによ
る機械加工法であることから、カット精度はもはや限界
に近くなってきている。使用するプレス金型はコストが
高いにもかかわらず、カット時の磨耗による交換やリー
ドフレームの品種毎の対応を余儀なくされていた。この
ような状況のもと、さらなるフアインピッチ化への対
応、価格への対応が望まれるようになってきて、対応す
る方法として第一に、特開平4-336459号に記載のよう
な、従来のリードフレームのダムバー部に相当する位置
にペースト状またはクリーム状の紫外線硬化型の樹脂材
料を塗布し硬化させて樹脂ダム部を形成する方式が試み
られるようになり、ダムバーレスリードフレームにダム
バーの機能をもたせた樹脂モールド用半導体装置用部材
が開発されてきた。しかしながら、特開平4-336459号の
場合には、印刷法、デイスペンサー法による塗布の為、
ダムバー部領域でのペーストの盛り上がりを防止するこ
とはできず、樹脂モールド時には、この方式にあった、
盛り上がった樹脂材料の逃げ部を設けた、モールド金型
を必要とし、従来のモールド金型とは別に金型を作製す
る必要があった。対応する方法として第二に、従来のダ
ムバー部領域に相当する位置にポリイミド系樹脂製テー
プをリードフレームの表あるいは裏から貼付し、モール
ド時の樹脂を堰き止める方式も試みられるようになって
きた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
リードフレーム自体の素材でダムバーを設けたものを使
用した場合には、樹脂モールド型パッケージでの、アウ
ターリードのフアインピッチ要求、パッケージの小型化
要求、低価格化要求には対応できなく、その対応が求め
られてきた。この対応の第一の方法として、上記の特開
平4-336459号に記載のような、ダムバーレスのリードフ
レームを用い、従来のダムバー部領域に相当する位置に
樹脂材料を充填する方式が開発されてきたが、この方式
には、ダムバー部領域での樹脂材料の盛り上がりからく
るモールド金型への制約があり、従来のモールド金型と
の汎用性がなく問題となっており、樹脂材料が充填され
るアウターリード間またはその近傍に盛り上がりがな
い、良い状態で充填することが課題となっていた。又、
第二の方法として、従来のダムバー部領域に相当する位
置にポリイミド系樹脂製テープをリードフレームの表あ
るいは裏から貼付し、モールド時の樹脂を堰き止める方
式も知られているが、この方式には高価なポリイミド樹
脂製テープが使用されており、価格の面で問題があり、
品質的にも、リードピン間を表あるいは裏のテープで充
分に埋めることが難しく、モールド時モールド樹脂がア
ウターリード側に洩れ出てバリを発生させるという問題
がある。本発明は、従来の方式ではできない樹脂モール
ド型パッケージでの、アウターリードのフアインピッチ
化要求、パッケージの小型化要求、低価格化要求に対応
するものとし、上記の第一の方法のようなモールド金型
への制約を必要としなく、第二の方法のような品質面、
価格面での問題のない量産性にも優れた方式を提供しよ
うとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、このように、
フアインピッチ化要求、パッケージの小型化要求、低価
格化要求に対応しようとするものであり、ダムバーレス
リードフレームを用い、ダムバーの代替として絶縁性の
フイルムをアウターリード間に盛り上がりない良い状態
で充填する品質面にも問題のない量産性にも優れた方式
を提供しようとするものである。本発明の製造方法は、
ダムバーレスのリードフレーム上に熱可塑性基材と熱硬
化性接着剤とからなる絶縁性フイルムをダムバー部領域
に合わせ所定の形状に打抜き、接着剤面をリードフレー
ム側にして、熱圧着してリーフレーム部材を作成した
後、樹脂モールド時に、モールド金型により、リードフ
レームに接着されている所定形状の絶縁性フイルムをリ
ード間に押し込み充填するもので、絶縁性フイルム素材
を選択することにより、ダムバー部領域に盛り上がりの
ない品質面で優れた樹脂モールド型半導体装置用リード
フレームの製造を可能にしている。
【0005】絶縁性フイルムは、接着剤を固定する基材
部と、リード間に充填された後に硬化される熱硬化型の
接着剤部とからなり、ダムバー部領域に合わせ所定の形
状に打ち抜かれてリードフレームに熱圧着された絶縁性
フイルムをモールド時、モールド温度(約175 °c)の
状態で、モールド金型にて充填するものであり、絶縁性
フイルムのベースとなる熱可塑性基材に求められるもの
は、フイルムの打ち抜き加熱ツールにより圧着した後の
モールド時に、モールド金型によりリード間に押し込む
際、充分に押し込めることができるほど柔軟化するもの
が好ましく、モールド金型治具等にタック力がないこと
が必要である。そのことによりダムバー部領域での充填
材の盛り上がりをなくしている。熱硬化型接着剤として
は、打ち抜き金型(テーピング金型)に接着性がなく、
充填時にもモールド金型に接着性の少ないものが好まし
い。
【0006】したがって、基材としてはガラス転移温度
が150 ℃以上で、モールド時における引張強度が 8Kg/m
m2以下である熱可塑性樹脂が適当で、例えば熱可塑性ポ
リイミド、熱可塑性シリコン変性ポリイミド、熱可塑性
ポリエーテルアミドが好ましい。インナーリード固定用
等に使用されている非熱可塑性のポリイミドフイルムを
基材とした場合には、モールド温度(約175°c)に
おける引張強度が12Kg/mm2以上であり、リード間にこ
れを充填することはきわめて難しい。尚、ここでのガラ
ス転移温度の測定は、TMA(熱機械分析装置)にて昇
温速度10°c/min、荷重10gの条件下であり、
引張強度についてはASTM D−882条件である。
又、テーピング機械 (打ち抜き機と貼り付け機の機能を
兼ね備えた機械) への適応性性から、適当なテンシヨン
をかけることができ、金型で打ち抜くことができる等を
考慮すると基材の厚さは25μm 以上が必要である。熱硬
化型接着剤としては、B ステージ化(一旦熱をかけ半硬
化にした状態)にしたもので、常温では粘着性をもたな
いものが適当で、例えばNBRのフエノール変性品やエ
ポキシが挙げられる。接着剤の板厚は打ち抜き性からは
60μm 以下が適当で、接着強度の面からは10μm 以上は
必要である。又、基材と接着剤との総厚はリードフレー
ムダム部のリードピッチ、リードピン幅、リードフレー
ム板厚により決定されるが、絶縁性フイルムがリード間
に充填され、モールド時にダムバーとして機能するため
の十分量は、リードフレーム板厚の60〜100 %が必要で
あり、且つ、打ち抜き性を考慮すると150 μm 以下が適
当である。
【0007】本発明の樹脂モールド型半導体装置は、上
記の製造方法により作製されるもので、ダムバーレスの
リードフレームのアウターリード間に絶縁性フイルムを
充填してダムバーとするもので、絶縁性フイルムは、熱
可塑性基材と熱硬化性接着剤とからなることを特徴とし
ている。又、本発明の樹脂モールド型半導体装置用部材
は、上記の製造方法に使用されるためのリードフレーム
部材で、ダムバーレスリードフレームに熱可塑性基材上
に熱硬化性接着剤を塗布した絶縁性フイルムを圧着した
もので、絶縁性フイルムによりダムバーが形成されるべ
き、ダムバー部領域を跨ぐようにリードフレームのアウ
ターリード部に熱硬化性接着剤側が対するようにして絶
縁性フイルムを圧着されているものである。
【0008】
【作用】上記のような構成にすることによって、本発明
は以下のような作用を奏するものである。本発明の樹脂
モールド型半導体装置の製造方法においては、絶縁性の
フイルムをを所定の形状に打ち抜き、リードフレームに
熱圧着した後、樹脂モールド時に、モールド金型により
リード間に充填することにより、高価なダムバーカット
用プレス金型も必要とせず、リードフレームの各品種毎
に対応した金型を用意する必要性もなくし、リードフレ
ームの各種品種に対応できるものとしている。そして、
リードピッチフアイン化要求、低価格化要求、量産化要
求にも充分対応できる簡単な製造方法としている。本発
明の樹脂モールド型半導体装置においては、ダムバーレ
スのリードフレームのリード間に絶縁性フイルムを充填
してダムバーとすることにより、プレスによるダムバー
部のカットすることからの制限によるアウターリード間
ピッチの限界がなくなる為、さらなるフアインピッチ化
にも対応できるものとしている。本発明の樹脂モールド
型半導体装置用リードフレーム部材においては、絶縁性
フイルムを熱可塑性基材と熱硬化性接着剤とからなる2
層構造とすることにより、ベースとなる基材部により、
テーピング機械(打ち抜き機)への適応性(適当なテン
シヨンをかけることができ、打ち抜き金型で打ち抜くこ
とができる)をもたせることが容易で、熱硬化性接着剤
を配していることにより、打ち抜きした後に加熱ツール
により、リードフレームに容易に熱圧着でき、且つモー
ルド時には、リード間に容易に充填され、熱硬化される
ものとしている。特に、熱可塑性基材のガラス転移温度
を150℃以上に選ぶことにより、モールド時、通常モ
ールド温度約175℃においても絶縁性フイルムがモー
ルド金型にくっつきを生じることはない。そして、熱可
塑性基材については、モールド温度(約175℃)にけ
る引張強度が 8 Kg/mm2 以下にすることにより、モール
ド時の絶縁性フイルムのリード間への充填をスムーズに
している。
【0009】
【実施例】以下、図にそって本発明の半導体装置の製造
方法の一実施例を説明する。厚さ150 μm のエッチング
加工されたダムバーレスのフラットタイプのリードフレ
ームを用い、ダムバーが形成されるべきダムバー部領域
を、跨ぐようにして、厚さ50μm の熱可塑性ポリエーテ
ルアミド基材上に、厚さ50μm のNBRのフエノール変
性品からなる熱硬化性接着剤を塗布した絶縁性フイルム
を接着剤側がリードフレームのアウターリードに対する
ようにし、図6記載の打ち抜き貼付機により、110℃
で加熱し圧着して図3に記載のリードフレーム部材を作
製した。図4はこのリードフレーム部材のダムバー部領
域の拡大斜視図である。次いで、該リードフレーム部材
を用い、ダイパッド部に半導体素子を搭載した後図5に
記載のように、リードフレーム部材のダムバー部領域上
の絶縁性フイルムをモールド金型により、基材、接着剤
ともダムバー部に押し込み、リード間に充填させて、接
着剤を熱硬化させて、この状態で、エポキシ樹脂をモー
ルド金型内に封入し、樹脂モールド型半導体装置を作製
した。図1はこの半導体装置の一部拡大図斜視図で、図
2はそのダムバー部の拡大断面図である。モールド結果
としては、半導体装置のアウターリード側へのエポキシ
樹脂の洩れはみられず、品質面でも問題はなかった。こ
こでダムバーとして使用されている絶縁性フイルムはリ
ードフレーム素材と異なり、言葉通り絶縁性であるか
ら、モールド後に除去する必要もないが、必要な場合
は、一部除去することも簡単である。尚、ここで使用さ
れた絶縁性フイルムの総厚は100 μm とエッチング加工
されたリードフレームの板厚150 μm と比較した場合、
50μm 薄いが、ダムバー部以外のアウターリード上にあ
る絶縁性フイルムの一部がダムバー部に充填され、結果
として、ダムバー部は図5のように十分な量の基材と接
着剤で充填され、モールド時に樹脂洩れを起こさないも
のと思われる。又、ダムバー部に充填されない絶縁性フ
イルムの大半はリードピン上に固着されるが、固着され
たままでも、半導体装置としては問題とならない。ここ
では、基材、接着剤ともダムバー部に押し込み、リード
間に充填させて、接着剤を熱硬化させているが、この熱
硬化が必要でない場合には省略しても良い。
【0010】
【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法によれ
ば、高価なダムバーカット用プレス金型を必要とせず、
フアインピッチ化要求、量産化要求にも対応でき、品質
面でも樹脂洩れによるモールド樹脂バリの問題もない樹
脂モールド型半導体装置の製造を可能としている。ま
た、リード間に充填されてダムバーとなる絶縁性の基材
材質は、ポリイミド系樹脂に限定されることなく、この
点でも低価格化に対応できるものである。又、樹脂モー
ルドに使用するモールド金型は従来のものでよく、特に
モールド時にダムバーに充填する樹脂の逃げ部を形成し
ておく必要もなくなった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体装置のダムバー部の一部拡
大斜視図
【図2】本発明による半導体装置のダムバー部の一部拡
大断面図
【図3】本発明による半導体装置用リードフレーム部材
の図
【図4】本発明による半導体装置用リードフレーム部材
のダムバー部領域の一部拡大斜視図
【図5】本発明の半導体装置の製造方法の樹脂モールド
工程を説明するための図
【図6】実施例にて使用された絶縁性フイルムの打ち抜
き貼付機の概要図
【符号の説明】
1、 1, 絶縁性樹脂フイルム 2 熱可塑性基材 3 熱硬化性接着剤 4 アウターリード 5 ダムバー部 6 モールド樹脂部 7 インナーリード 8、 8, リードフレーム 9 モールド金型 10 樹脂モールド部 11 ポンチ 12 ダイ 13 ヒータブロック
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年10月27日
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 樹脂モールド型半導体装置の製造方
法とその方法により製造される樹脂モールド型半導体装
置、及びそれらに使用される樹脂モールド型半導体装置
用リードフレーム部材

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダムバーレスのリードフレームのリード
    間に絶縁性フイルムを充填してダムバーとする樹脂モー
    ルド型半導体装置の製造方法であって、ダムバーレスリ
    ードフレーム上に熱可塑性基材と熱硬化性接着剤とから
    なる絶縁性フイルムを所定の形状に打抜き、接着剤面を
    リードフレーム側にして、熱圧着した後、樹脂モールド
    時に、モールド金型により、リードフレームに接着され
    ている所定形状の絶縁性フイルムをリード間に押し込み
    充填することを特徴とする樹脂モールド型半導体装置の
    製造方法
  2. 【請求項2】 請求項1において、基材はガラス転移温
    度が150°c以上で、樹脂モールド時における引張強
    度が 8 Kg/mm2 以下の熱可塑性樹脂であり、接着剤は B
    ステージ化された熱硬化性樹脂であることを特徴とする
    樹脂モールド型半導体装置の製造方法
  3. 【請求項3】 請求項1ないし2において、熱可塑性基
    材の厚みは25μm 以上で、熱硬化性接着剤の厚みが10〜
    60μm であり、総厚が150 μm 以下で、且つリードフレ
    ーム厚の60〜100 %であることを特徴とする樹脂モール
    ド型半導体装置の製造方法
  4. 【請求項4】 ダムバーレスのリードフレームのリード
    間に絶縁性フイルムを充填してダムバーとする樹脂モー
    ルド型半導体装置であって、絶縁性フイルムは、熱可塑
    性基材と熱硬化性接着剤とからなることを特徴とする樹
    脂モールド型半導体装置
  5. 【請求項5】 請求項4において、基材はガラス転移温
    度が150°c以上で、樹脂モールド時における引張強
    度が 8 Kg/mm2 以下の熱可塑性樹脂であり、接着剤は B
    ステージ化された熱硬化性樹脂であることを特徴とする
    樹脂モールド型半導体装置
  6. 【請求項6】 請求項4ないし5において、熱可塑性基
    材の厚みは25μm 以上で、熱硬化性接着剤の厚みが10〜
    60μm であり、総厚が150 μm 以下で、且つリードフレ
    ーム厚の60〜100 %であることを特徴とする樹脂モール
    ド型半導体装置
  7. 【請求項7】 ダムバーレスのリードフレームのリード
    間に絶縁性フイルムを充填してダムバーとする樹脂モー
    ルド型半導体装置に使用するためのリードフレーム部材
    であって、該絶縁性フイルムは、熱可塑性基材上に熱硬
    化性接着剤を配設しており、熱硬化性接着剤側は、ダム
    バー部領域を跨ぐようにリードフレームのアウターリー
    ドに圧着されていることを特徴とする樹脂モールド型半
    導体装置用リードフレーム部材
  8. 【請求項8】 請求項1において、基材はガラス転移温
    度が150°c以上で、樹脂モールド時における引張強
    度が 8 Kg/mm2 以下の熱可塑性樹脂であり、接着剤は B
    ステージ化された熱硬化性樹脂であることを特徴とする
    樹脂モールド型半導体装置リードフレーム部材
  9. 【請求項9】 請求項1ないし2において、熱可塑性基
    材の厚みは25μm 以上で、熱硬化性接着剤の厚みが10〜
    60μm であり、総厚が150 μm 以下で、且つリードフレ
    ーム厚の60〜100 %であることを特徴とする樹脂モール
    ド型半導体装用リードフレーム部材
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5969412A (en) * 1997-04-09 1999-10-19 Nec Corporation Tape-fixed leadframe
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