JPH06310436A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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JPH06310436A
JPH06310436A JP5092655A JP9265593A JPH06310436A JP H06310436 A JPH06310436 A JP H06310436A JP 5092655 A JP5092655 A JP 5092655A JP 9265593 A JP9265593 A JP 9265593A JP H06310436 A JPH06310436 A JP H06310436A
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JP
Japan
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thin film
pressing member
window
insulator
plate electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP5092655A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Dejima
寛之 出島
Masayuki Enomoto
正幸 榎本
Shigeki Kobayashi
茂樹 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Industries Ltd filed Critical Sumitomo Metal Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 開口部21を封止する窓材23に高周波印加
用平板電極24を押し付ける押圧部材40がマイクロ波
を吸収しにくい弾力性を有する誘電体材料を用いて形成
されている薄膜形成装置。 【効果】 平板電極24に高周波電圧を印加しても押圧
部材40が昇温しなくなり、絶縁体25の焼損による絶
縁破壊を防止することができ、したがって窓材23への
薄膜の付着を防止することができ、試料16に薄膜を安
定して形成することができる。また熱による押圧力の低
下がなくなるため、冷却不良による窓材23の破損やプ
ラズマ生成室11の気密性低下を防止することができ、
装置の稼動率の向上やメンテナンス費用の削減を図るこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜形成装置に関し、よ
り詳細には半導体ウエハ上にチタン等の金属薄膜等を形
成する場合に用いられる薄膜形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】大規模集積回路の製作には半導体ウエハ
に微細パターンを形成する必要があり、高精細な薄膜形
成のため、プラズマを用いた薄膜形成装置が盛んに使用
されている。プラズマを用いた薄膜形成装置のひとつと
して、電子サイクロトロン共鳴(ECR)励起を利用し
た薄膜形成装置があり、この装置は真空中において活性
度の高いプラズマを生成させることができる等の利点を
有しているため、薄膜形成に欠かせないものとしてその
研究開発が進められている。
【0003】図4は従来のECR励起を利用した薄膜形
成装置を模式的に示した断面図であり、図中10はステ
ンレス等を用いて形成された反応容器を示している。反
応容器10によりプラズマ生成室11と反応室12とが
構成されており、プラズマ生成室11は略円筒形形状に
形成されている。プラズマ生成室11の上部壁11aの
中央には開口部21が形成され、プラズマ生成室11の
上部壁11aには第1のガス導入管19aが接続されて
いる。プラズマ生成室11の下側には反応室12が連設
され、プラズマ生成室11と反応室12とは仕切り板1
3により仕切られており、仕切り板13の中央部には開
口部21と対向する箇所にプラズマ引き出し窓14が形
成されている。反応室12にはプラズマ引き出し窓14
と対向する箇所に試料台15が配設されており、試料台
15上には試料16が載置されている。試料台15はマ
ッチングボックス17を介して高周波発生器18に接続
され、高周波発生器18の一端と反応室12の下部壁1
2bとはそれぞれ接地されており、試料16に所定の高
周波を印加してバイアス電圧を発生させることにより、
段差被覆性に優れた薄膜が形成されるようになってい
る。また反応室12の側壁12aには第2のガス導入管
19bが接続され、反応室12の下部壁12bには排気
管19cが接続されている。
【0004】一方、開口部21上にはOリング22を介
して石英ガラス等で略円板形状に形成された窓材23が
配設され、窓材23上にはこれと同一外径を有する平板
電極24が配設されており、平板電極24内部には冷却
水が循環する通水路24aが形成され、通水路24aに
は冷却水配管24bが接続されている。平板電極24及
び窓材23の周囲にはPTFE(ポリテトラフルオロエ
チレン)を用いて略有蓋円筒形形状に形成された絶縁体
25が配設されている。絶縁体25と平板電極24との
間にはステンレス(SUS304)製のコイルバネを用
いて形成された押圧部材26が介装されており、絶縁体
25及び平板電極24における押圧部材26の装填箇所
にはそれぞれ装填穴25a、24cが形成されている。
さらに絶縁体25外周側面にはステンレスを用い、略円
筒形形状に形成された枠体27が配設されており、枠体
27は反応器10上に連設され、枠体27上には略円板
形状の蓋体28が絶縁体25を押さえ付けるように配設
されている。蓋体28が枠体27に装着された状態で
は、平板電極24と窓材23とが押圧部材26により押
し下げられ、窓材23と冷却機構を有する平板電極24
とが密接するとともに、開口部21がOリング22と窓
材23とにより封止されるようになっている。さらに蓋
体28上には導波管32の一端が接続され、導波管32
の他端にはマイクロ波発振器34が接続され、蓋体2
8、絶縁体25及び平板電極24には導波管32の内周
形状と略同一形状を有する孔32aがそれぞれ形成さ
れ、マイクロ発振器34で発生したマイクロ波が導波管
32を通り、窓材23を透過してプラズマ生成室11に
導入されるようになっている。また平板電極24はRF
ケーブル29、マッチングボックス30を介して高周波
発生器31に接続されており、高周波発生器31の一端
と反応室12の側壁12aとはそれぞれ接地されてい
る。またプラズマ生成室11及び導波管32の一端部に
わたってこれらを囲繞する態様で、かつこれらと同心状
に励磁コイル33が配設されており、励磁コイル33は
直流電源(図示せず)に接続されている。
【0005】このように構成された装置を用い、例えば
試料16表面にTi薄膜を形成する場合、まず排気系を
操作して反応容器10内を減圧した後、第1のガス導入
管19aからAr、H2 等を供給し、第2のガス導入管
19bからTiCl4 等を供給し、反応容器10内を所
定圧力に設定する。また冷却水配管24bに通水して平
板電極24と窓材23とを冷却するとともに、高周波発
生器31を接続し、高周波を平板電極24に印加して窓
材23にセルフバイアスを印加する。また高周波発生器
18を接続し、試料16にバイアスを印加する。次にマ
イクロ波発振器34で発生させたマイクロ波を開口部2
1よりプラズマ生成室11に導入するとともに、励磁コ
イル33に直流電流を供給して磁場を発生させ、高エネ
ルギ電子とガスとを衝突させ、ガスを分解してイオン化
し、プラズマを生成させる。すると、このプラズマはプ
ラズマ引き出し窓14を通過し、発散磁界により矢印A
方向に加速されて反応室12に導かれ、試料台15に載
置された試料16表面に段差被覆性に優れたTi薄膜を
形成する。また窓材23下面に付着するTi薄膜はセル
フバイアスによるArイオンにスパッタされ、Ti薄膜
が窓材23に付着するのが防止され、窓材23における
マイクロ波の透過性が保持され、試料16に薄膜が安定
して形成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記した薄膜形成装置
においては、平板電極24に高周波が印加されるとコイ
ル状の押圧部材26に高周波が局部的に集中して誘導加
熱され、次第に絶縁体25が焼損して絶縁性が低下する
という課題があった。絶縁体25の絶縁性が低下すると
高周波がアースされて窓材23には印加されず、したが
ってTi薄膜が窓材23に付着して窓材23におけるマ
イクロ波の透過性が低下し、試料16にTi薄膜が安定
して形成されなくなるいう課題があった。また押圧部材
26が昇温するとばね性が低下し、あるいは絶縁体25
が焼損すると強度が低下して押圧力が弱まるため、平板
電極24と窓材23との間に空隙が生じて熱伝導率が悪
くなり、窓材23が高温になって破損するおそれがある
という課題があった。また押圧力の低下により窓材23
によるシーリング性が弱まり、反応容器10の気密性が
悪くなるおそれがあるという課題があった。また絶縁体
25等の取り替えのため、メンテナンス費用が嵩み、装
置の稼動率も低下するという課題があった。
【0007】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、平板電極に高周波を印加した場合における絶
縁体の焼損を防止することができ、したがって窓材への
薄膜の付着を防止して試料に薄膜を安定して形成させる
ことができ、窓材の破損や反応容器の気密性低下を防止
することができ、装置の稼動率の向上やメンテナンス費
用の削減を図ることができる薄膜形成装置を提供するこ
とを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る薄膜形成装置は、マイクロ波導入用の開
口部を有し、マイクロ波の導入によりプラズマを生成さ
せるプラズマ生成室と、前記プラズマを利用して試料に
薄膜を形成する反応室とを備えた薄膜形成装置におい
て、前記開口部を封止する窓材に高周波印加用平板電極
を押し付ける押圧部材がマイクロ波を吸収しにくい弾力
性を有する誘電体材料を用いて形成されていることを特
徴としている。
【0009】
【作用】電波の入射エネルギが半減する深さ(浸透深
さ)Dは下記の数1式で表されることが知られている。
【0010】
【数1】
【0011】この式より明らかなように、電波エネルギ
にさらされた場合、誘電体損失係数(比誘電率と損失係
数との積)が大きい非誘電体材料では浸透深さDが浅く
なり、表面が加熱されて高温になるが、誘電体損失係数
が小さい誘電体材料では浸透深さDが深くなり、全体的
に昇温し難くなる。
【0012】弾力性と耐熱性とを有し、かつ高周波によ
り加熱され難い誘電体材料として弾力性のあるPTFE
(以下、ソフトPTFEと記す)、弾力性のあるポリス
チレン(以下、ソフトポリスチレンと記す)等があり、
これらのシート状のものを平板電極と絶縁体との間に配
設するか、あるいはこれらを用いて絶縁体を形成するこ
とにより、押圧部材としての適用が可能となる。
【0013】本発明に係る薄膜形成装置によれば、開口
部を封止する窓材に高周波印加用平板電極を押し付ける
押圧部材がマイクロ波を吸収しにくい弾力性を有する誘
電体材料を用いて形成されているので、前記平板電極に
高周波を印加しても前記押圧部材が昇温しなくなり、絶
縁体の焼損による絶縁破壊が防止され、したがって前記
窓材への薄膜の付着が防止され、試料に薄膜が安定して
形成されることとなる。また熱による押圧力の低下がな
くなるため、冷却不良による前記窓材の破損や前記プラ
ズマ生成室の気密性低下が防止され、装置の稼動率の向
上やメンテナンス費用の削減が図れることとなる。
【0014】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る薄膜形成装置
の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同
一機能を有する構成部品には同一の符号を付すこととす
る。図1は本発明に係る薄膜形成装置の実施例を模式的
に示した断面図であり、図中40は押圧部材を示してい
る。押圧部材40は弾性を有する誘電体材料であるソフ
トPTFEシートを用い、平板電極24及び窓材23と
同一外径を有して略円板形状に形成されており、押圧部
材40中央部には孔32aが形成され、押圧部材40外
周近傍には通水路24aが形成されている。その他の構
成は図4に示した従来の装置と同様であるため、ここで
はその説明を省略する。
【0015】次に図1に示した実施例に係る装置を用
い、試料16にTi薄膜を形成した場合について説明す
る。押圧部材40の形成に用いられるソフトPTFEシ
ートとしては、ジャパンゴアテックス(株)社製HYP
ER−SHEET GASKET(以下、ゴアテックス
と記す)を使用した。ゴアテックスは使用温度範囲が−
240〜+260℃であり、また締め付け圧力と厚みの
変化との関係を示した曲線図(図2)より明らかなよう
に、弾力性は従来のコイルばねより少ないが、十分な変
形性能を有している。また、比較例として図4に示した
従来の装置を用いた。薄膜形成条件を下記の表1に示
す。
【0016】
【表1】
【0017】絶縁体25が焼損して絶縁破壊を起こすま
での使用回数を測定した結果、従来の装置を用いた場
合、約80枚の試料に薄膜を形成(使用時間160分
間)すると絶縁破壊が生じたが、実施例の装置を用いた
場合、約900枚の試料に薄膜を形成(使用時間180
0分間)しても絶縁破壊は発生しなかった。
【0018】また実施例の装置の場合、窓材23への薄
膜の付着、窓材23の破損、反応容器10における気密
性の低下は見られなかった。
【0019】また押圧部材40を成形する場合、カッタ
ー等を用いて簡単に加工を施すことができた。また押圧
部材40を用いてプラズマ生成室11の開口部21を封
止する場合、平板電極24上に押圧部材40を置き、次
に絶縁体25を被せ、蓋体28を枠体27に締めつける
ことにより、容易に取り付け作業を行なうことができ
た。
【0020】実施例に係る薄膜形成装置では、平板電極
24と窓材23とをプラズマ生成室11の開口部21に
押しつけ保持する押圧部材40が、弾性を有する誘電体
材料を用いて形成されているので、平板電極24に高周
波電圧を印加しても押圧部材40が昇温しなくなり、絶
縁体25の焼損による絶縁破壊を防止することができ、
したがって窓材23への薄膜の付着を防止することがで
き、試料16に薄膜を安定して形成することができる。
また熱による押圧力の低下がなくなるため、冷却不良に
よる窓材23の破損やプラズマ生成室11の気密性低下
を防止することができ、装置の稼動率の向上やメンテナ
ンス費用の削減を図ることができる。
【0021】図3は別の実施例に係る薄膜形成装置を模
式的に示した部分拡大断面図であり、図中41は押圧部
材を示している。押圧部材41は図1に示した装置にお
ける押圧部材40と絶縁体25とが一体形成されたもの
であり、弾性を有する誘電体材料であるソフトポリスチ
レンを用いて形成されている。その他の構成は上記実施
例のものと同様であるため、ここではその説明を省略す
る。
【0022】別の実施例に係る装置では、上記実施例の
ものと同様の効果を得ることができるとともに、押圧部
材41は押圧部材40と絶縁体25とが弾性を有する誘
電体材料を用いて一体形成された構成となっているた
め、構造を簡単にすることができるとともに厚みが増す
分押圧力をさらに高めることができる。
【0023】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る薄膜形
成装置にあっては、開口部を封止する窓材に高周波印加
用平板電極を押し付ける押圧部材がマイクロ波を吸収し
にくい弾力性を有する誘電体材料を用いて形成されてい
るので、前記平板電極に高周波を印加しても前記押圧部
材が昇温しなくなり、絶縁体の焼損による絶縁破壊を防
止することができ、したがって前記窓材への薄膜の付着
を防止することができ、試料に薄膜を安定して形成する
ことができる。また熱による押圧力の低下がなくなるた
め、冷却不良による前記窓材の破損や前記プラズマ生成
室の気密性低下を防止することができ、装置の稼動率の
向上やメンテナンス費用の削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る薄膜形成装置の実施例を模式的に
示した断面図である。
【図2】実施例に係る薄膜形成装置の押圧部材に用いら
れる誘電体材料に関し、厚みと締め付け圧力との関係を
示した曲線図である。
【図3】別の実施例に係る薄膜形成装置を模式的に示し
た部分拡大断面図である。
【図4】従来のECR励起を利用した薄膜形成装置を模
式的に示した断面図である。
【符号の説明】
11 プラズマ生成室 21 開口部 23 窓材 24 平板電極 40、41 押圧部材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マイクロ波導入用の開口部を有し、マイ
    クロ波の導入によりプラズマを生成させるプラズマ生成
    室と、前記プラズマを利用して試料に薄膜を形成する反
    応室とを備えた薄膜形成装置において、前記開口部を封
    止する窓材に高周波印加用平板電極を押し付ける押圧部
    材がマイクロ波を吸収しにくい弾力性を有する誘電体材
    料を用いて形成されていることを特徴とする薄膜形成装
    置。
JP5092655A 1993-04-20 1993-04-20 薄膜形成装置 Pending JPH06310436A (ja)

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