JPH06307981A - Package for evaluating semiconductor optical modulator - Google Patents

Package for evaluating semiconductor optical modulator

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JPH06307981A
JPH06307981A JP9596093A JP9596093A JPH06307981A JP H06307981 A JPH06307981 A JP H06307981A JP 9596093 A JP9596093 A JP 9596093A JP 9596093 A JP9596093 A JP 9596093A JP H06307981 A JPH06307981 A JP H06307981A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical modulator
semiconductor optical
ground plane
strip line
package
Prior art date
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Pending
Application number
JP9596093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Kono
実 河野
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To enhance the coupling efficiency between an optical fiber and a semiconductor optical modulator at the time of evaluation thereof. CONSTITUTION:Two alumina substrates 12 are bonded through an entirely metallized ground plane 16. A strip line 13 is made in any aluminum substrate 12 located oppositely to the ground plane 16. The alumina substrate 12 has a thickness (h) set equal to half of the element length of a semiconductor optical modulator 11. The semiconductor optical modulator 11 is bonded in a metal region 17 provided at the edge of the alumina substrate 12 and electrically connected with the ground plane 16 through the metal region 17. It is also connected with the strip line 13 through a bonding wire 14. The semiconductor optical modulator 11 has an edge 35 located substantially in parallel with the ground plane 16. This structure allows close arrangement of an optical fiber to the edge of the semiconductor optical modulator.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は半導体光変調器の評価
を行うパッケージに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for evaluating a semiconductor optical modulator.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は従来の半導体光変調器の評価を行
うパッケージを示す斜視図であり、例えば電子情報通信
学会論文誌C−I,No.11,pp.414−420
(1991年11月)に示されている。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a perspective view showing a package for evaluating a conventional semiconductor optical modulator. For example, the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, CI, No. 11, pp. 414-420
(November 1991).

【0003】コネクタ33の間にアルミナ基板30が設
けられており、アルミナ基板30の上面には信号線31
及びグランド面32が形成されている。信号線31は例
えば10mmの長さに形成される。これらは特性インピ
ーダンス50Ωのコプレーナウェーブガイドを構成す
る。半導体光変調器11はコプレーナウェーブガイドの
ほぼ中央において信号線31上に載置される。
An alumina substrate 30 is provided between the connectors 33, and a signal line 31 is provided on the upper surface of the alumina substrate 30.
And a ground plane 32 is formed. The signal line 31 is formed to have a length of 10 mm, for example. These form a coplanar waveguide with a characteristic impedance of 50Ω. The semiconductor optical modulator 11 is mounted on the signal line 31 at approximately the center of the coplanar waveguide.

【0004】図5は、図4に示された構成の半導体光変
調器11近傍を拡大した斜視図である。半導体光変調器
11のうち、一方のへき開された端面36からレーザ光
38を素子変調層37に入射させ、他方のへき開された
端面35から変調されたレーザ光39が得られる。半導
体光変調器11の端面36へのレーザ光38の入射及び
端面35からのレーザ光39の取り出しは、一般には光
ファイバが用いられる。
FIG. 5 is an enlarged perspective view of the vicinity of the semiconductor optical modulator 11 having the configuration shown in FIG. In the semiconductor optical modulator 11, laser light 38 is made incident on the element modulation layer 37 from one cleaved end face 36, and modulated laser light 39 is obtained from the other cleaved end face 35. An optical fiber is generally used for the incidence of the laser light 38 on the end face 36 of the semiconductor optical modulator 11 and the extraction of the laser light 39 from the end face 35.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体光変調器
評価用パッケージは以上のように構成されており、コプ
レーナウェーブガイドを用いる場合、特性インピーダン
スを50Ωに維持するために信号線31と同一平面上で
その両側にグランド面32が必要であった。
The conventional semiconductor optical modulator evaluation package is constructed as described above, and when the coplanar waveguide is used, it is flush with the signal line 31 in order to maintain the characteristic impedance at 50Ω. Above it was necessary a ground plane 32 on both sides.

【0006】このグランド面32は半導体光変調器11
の載置される領域よりも外側に位置することになり、レ
ーザ光38,39を導く光ファイバーは、半導体光変調
器11の端面35,36に十分近づけることができな
い。かかる位置上の制限は、光ファイバーと半導体光変
調器11との結合効率の低下を招来するという問題点が
あった。かかる問題点は、コプレーナウェーブガイドの
代わりにストリップラインを用いた場合にも生じる。
The ground plane 32 is the semiconductor optical modulator 11
Therefore, the optical fibers for guiding the laser beams 38 and 39 cannot be brought sufficiently close to the end faces 35 and 36 of the semiconductor optical modulator 11 because they are located outside the region where the semiconductor optical modulator 11 is mounted. The restriction on the position causes a problem that the coupling efficiency between the optical fiber and the semiconductor optical modulator 11 is lowered. Such a problem also occurs when a strip line is used instead of the coplanar waveguide.

【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウェーブガイドの特性インピー
ダンスを所定の値に保ちつつ、レーザ光の入出力用の光
ファイバーを半導体光変調器の端面まで近づけることが
できる半導体光変調器評価用パッケージを提供すること
を目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an optical fiber for inputting / outputting laser light is used as an end face of a semiconductor optical modulator while maintaining a characteristic impedance of a waveguide at a predetermined value. It is an object of the present invention to provide a semiconductor optical modulator evaluation package that can be brought even closer.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
光変調器評価用パッケージは、半導体光変調器を評価す
る。そして、第1及び第2の誘電体層と、半導体光変調
器に接続されるべき導電層と、半導体光変調器に接続さ
れるべき第1及び第2の導電帯と、を備える。導電層は
第1及び第2の誘電体層に挟まれる。第1及び第2の導
電帯は、第1及び第2の誘電体層のそれぞれにおいて導
電層と反対側の面において選択的に形成される。
A semiconductor optical modulator evaluation package according to the present invention evaluates a semiconductor optical modulator. The first and second dielectric layers, the conductive layer to be connected to the semiconductor optical modulator, and the first and second conductive bands to be connected to the semiconductor optical modulator are provided. The conductive layer is sandwiched between the first and second dielectric layers. The first and second conductive bands are selectively formed on the surface of each of the first and second dielectric layers opposite to the conductive layer.

【0009】望ましくは、第1及び第2の誘電体層並び
に導電層は、半導体光変調器を載置する切り欠きを有
し、第1及び第2の導電帯は切り欠きの近傍を通る。
Preferably, the first and second dielectric layers and the conductive layer have a notch for mounting the semiconductor optical modulator, and the first and second conductive bands pass in the vicinity of the notch.

【0010】[0010]

【作用】この発明にかかる半導体光変調器評価用パッケ
ージにおいて、評価されるべき半導体光変調器を、その
端面が導電層と概ね平行になるようにして配置させるこ
とにより、半導体光変調器の光入出力用の光ファイバー
を該端面の近傍に配置することができる。しかも導電
層、第1及び第2の誘電体層、第1及び第2の導電帯が
形成する導波路の特性インピーダンスは適切に設計する
ことができる。
In the semiconductor optical modulator evaluation package according to the present invention, the semiconductor optical modulator to be evaluated is arranged so that its end face is substantially parallel to the conductive layer. Optical fibers for input and output can be arranged near the end face. Moreover, the characteristic impedance of the waveguide formed by the conductive layer, the first and second dielectric layers, and the first and second conductive bands can be appropriately designed.

【0011】[0011]

【実施例】【Example】

第1実施例:図1はこの発明の第1実施例にかかる半導
体光変調器評価用パッケージの構造を示す斜視図であ
る。2つのアルミナ基板12は全面がメタライズされた
グランド面16を介して接合されている。アルミナ基板
12のうちグランド面16と反対に位置する面にはいず
れのアルミナ基板12にもストリップライン13が設け
られている。
First Embodiment: FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a semiconductor optical modulator evaluation package according to the first embodiment of the present invention. The two alumina substrates 12 are bonded to each other via a ground surface 16 whose entire surface is metallized. A strip line 13 is provided on any of the alumina substrates 12 on the surface of the alumina substrate 12 opposite to the ground surface 16.

【0012】アルミナ基板12の厚みhは半導体光変調
器11の素子長の半分に設定される。例えば半導体光変
調器11の素子長が300μmであるとすると、アルミ
ナ基板12の厚みhは150μmとされる。また、アル
ミナ基板12の幅ωはストリップライン13の幅dより
も十分大きくとられる。例えばアルミナ基板12の幅ω
はストリップライン13の幅dの6倍よりも十分大きく
とられる。ストリップライン13の幅dは、その特性イ
ンピーダンスが50Ωとなるように決定される。
The thickness h of the alumina substrate 12 is set to half the element length of the semiconductor optical modulator 11. For example, if the element length of the semiconductor optical modulator 11 is 300 μm, the thickness h of the alumina substrate 12 is 150 μm. The width ω of the alumina substrate 12 is set to be sufficiently larger than the width d of the strip line 13. For example, the width ω of the alumina substrate 12
Is set to be sufficiently larger than 6 times the width d of the strip line 13. The width d of the strip line 13 is determined so that its characteristic impedance is 50Ω.

【0013】半導体光変調器11はアルミナ基板12の
端面に設けられたメタル領域17においてボンディング
され、これを介してグランド面16と電気的に接続され
ている。また、ボンディングワイヤ14によってストリ
ップライン13と接続されている。半導体光変調器11
の端面36(図1においては隠れて図示されない),3
5は、グランド面16と概ね平行に位置される。
The semiconductor optical modulator 11 is bonded in the metal region 17 provided on the end face of the alumina substrate 12, and is electrically connected to the ground face 16 via the metal region 17. Further, it is connected to the strip line 13 by a bonding wire 14. Semiconductor optical modulator 11
End face 36 (not shown hidden in FIG. 1), 3
5 is positioned substantially parallel to the ground plane 16.

【0014】このような構成をとる半導体光変調器評価
用パッケージでは、ストリップライン13の特性インピ
ーダンスは半導体光変調器11の近傍まで50Ωに維持
することができる。しかも、半導体光変調器11の素子
長とアルミナ基板12の2枚分の厚み2hとが等しいの
で、レーザ光入出力用の光ファイバー15は半導体光変
調器11の端面35,36の近くに位置させることがで
きる。従って、従来の場合と比較すると、光ファイバー
15と半導体光変調器11との結合効率を向上させるこ
とができる。
In the semiconductor optical modulator evaluation package having such a configuration, the characteristic impedance of the strip line 13 can be maintained at 50Ω up to the vicinity of the semiconductor optical modulator 11. Moreover, since the element length of the semiconductor optical modulator 11 and the thickness 2h of the two alumina substrates 12 are equal, the optical fiber 15 for inputting and outputting the laser light is positioned near the end faces 35 and 36 of the semiconductor optical modulator 11. be able to. Therefore, as compared with the conventional case, the coupling efficiency between the optical fiber 15 and the semiconductor optical modulator 11 can be improved.

【0015】第2実施例:図2はこの発明の第2実施例
にかかる半導体光変調器評価用パッケージの構造を示す
斜視図である。第1実施例と比較すると2つのアルミナ
基板12に半導体光変調器11を載置するための切り欠
き20が設けられている。
Second Embodiment: FIG. 2 is a perspective view showing the structure of a semiconductor optical modulator evaluation package according to the second embodiment of the present invention. Compared with the first embodiment, two alumina substrates 12 are provided with notches 20 for mounting the semiconductor optical modulator 11.

【0016】切り欠き20において半導体光変調器11
を載置することにより、半導体光変調器11とストリッ
プライン13とを接続するボンディングワイヤ14を短
くすることができる可能性が生じる。これは、第1実施
例においてストリップライン13が半導体光変調器11
の下方に位置したが、第2実施例においてストリップラ
イン13が半導体光変調器11の側方に位置することに
起因する。
In the notch 20, the semiconductor optical modulator 11
By mounting, there is a possibility that the bonding wire 14 connecting the semiconductor optical modulator 11 and the strip line 13 can be shortened. This is because the strip line 13 is the semiconductor optical modulator 11 in the first embodiment.
However, the strip line 13 is located on the side of the semiconductor optical modulator 11 in the second embodiment.

【0017】第2実施例では第1実施例と同様の効果を
奏することができ、またボンディングワイヤ14のイン
ダクタンスを低減できる観点からも有効である。
The second embodiment can achieve the same effects as the first embodiment, and is also effective from the viewpoint of reducing the inductance of the bonding wire 14.

【0018】第3実施例:図3はこの発明の第3実施例
にかかる半導体光変調器評価用パッケージの構造を示す
斜視図である。第1実施例と比較すると2つのアルミナ
基板12に半導体光変調器11を載置するための切り欠
き21が設けられている。また、2つのアルミナ基板1
2のそれぞれに設けられたストリップライン13は、第
1及び第2実施例においては半導体光変調器11の上面
に対して垂直方向に配置されていたが、第3実施例にお
いては平行に配置されている。
Third Embodiment: FIG. 3 is a perspective view showing the structure of a semiconductor optical modulator evaluation package according to the third embodiment of the present invention. Compared with the first embodiment, two alumina substrates 12 are provided with a notch 21 for mounting the semiconductor optical modulator 11. Also, two alumina substrates 1
The strip line 13 provided in each of No. 2 is arranged in the direction perpendicular to the upper surface of the semiconductor optical modulator 11 in the first and second embodiments, but is arranged in parallel in the third embodiment. ing.

【0019】しかも、第1及び第2実施例においてはス
トリップライン13は対向していたが、第3実施例にお
いてはこれらは対向していない。これらは導電体である
グランド面16によって隔絶されているので両者の位置
関係は特性インピーダンスに対して殆ど影響を与えず、
このような構成をとっても第1〜第2実施例と同様の効
果が得られる。即ちこの発明においては、ストリップラ
イン13を形成する位置に関して自由度が大きい。
Moreover, although the strip lines 13 are opposed to each other in the first and second embodiments, they are not opposed to each other in the third embodiment. Since these are separated by the ground plane 16 which is a conductor, the positional relationship between the two hardly affects the characteristic impedance,
Even with such a configuration, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained. That is, in the present invention, the degree of freedom with respect to the position where the strip line 13 is formed is large.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
光変調器評価用パッケージによれば、導波路の特性を劣
化させることなく、光入出力用の光ファイバーと半導体
光変調器との間で高い結合効率を得ることができる。
As described above, according to the semiconductor optical modulator evaluation package of the present invention, the semiconductor optical modulator can be provided between the optical fiber for optical input / output and the semiconductor optical modulator without deteriorating the characteristics of the waveguide. High coupling efficiency can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1実施例の構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第2実施例の構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of a second embodiment of the present invention.

【図3】この発明の第3実施例の構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of a third embodiment of the present invention.

【図4】従来の技術を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional technique.

【図5】従来の技術を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 半導体光変調器 12 アルミナ基板 13 ストリップライン 16 グランド面 20,21 切り欠き 11 Semiconductor Optical Modulator 12 Alumina Substrate 13 Stripline 16 Ground Surface 20, 21 Notch

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体光変調器を評価する半導体光変調
器評価用パッケージであって、 第1及び第2の誘電体層と、 前記第1及び第2の誘電体層に挟まれ、前記半導体光変
調器に接続されるべき導電層と、 前記第1及び第2の誘電体層のそれぞれにおいて、前記
導電層と反対側の面において選択的に形成され、前記半
導体光変調器に接続されるべき第1及び第2の導電帯
と、を備える半導体光変調器評価用パッケージ。
1. A semiconductor optical modulator evaluation package for evaluating a semiconductor optical modulator, wherein the semiconductor optical modulator evaluation package is sandwiched between first and second dielectric layers and the first and second dielectric layers. A conductive layer to be connected to the optical modulator, and a conductive layer that is selectively formed on a surface of each of the first and second dielectric layers opposite to the conductive layer and connected to the semiconductor optical modulator. A semiconductor optical modulator evaluation package comprising: a first conductive band and a second conductive band.
【請求項2】 前記第1及び第2の誘電体層並びに前記
導電層は、前記半導体光変調器を載置する切り欠きを有
し、 前記第1及び第2の導電帯は前記切り欠きの近傍を通
る、請求項1記載の半導体光変調器評価用パッケージ。
2. The first and second dielectric layers and the conductive layer have cutouts for mounting the semiconductor optical modulator, and the first and second conductive bands have cutouts. The semiconductor optical modulator evaluation package according to claim 1, which passes through the vicinity.
JP9596093A 1993-04-22 1993-04-22 Package for evaluating semiconductor optical modulator Pending JPH06307981A (en)

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