JP3366777B2 - Optical waveguide device - Google Patents

Optical waveguide device

Info

Publication number
JP3366777B2
JP3366777B2 JP16167395A JP16167395A JP3366777B2 JP 3366777 B2 JP3366777 B2 JP 3366777B2 JP 16167395 A JP16167395 A JP 16167395A JP 16167395 A JP16167395 A JP 16167395A JP 3366777 B2 JP3366777 B2 JP 3366777B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
waveguide device
housing
chip
waveguide chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP16167395A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0915437A (en
Inventor
嘉伸 久保田
實 清野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP16167395A priority Critical patent/JP3366777B2/en
Publication of JPH0915437A publication Critical patent/JPH0915437A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3366777B2 publication Critical patent/JP3366777B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光導波路が形成された
基板に電極が設けられてなる光導波路チップとその光導
波路チップを収納する金属製の筐体とからなる光導波路
デバイスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical waveguide device comprising an optical waveguide chip having electrodes provided on a substrate on which an optical waveguide is formed, and a metal casing for housing the optical waveguide chip.

【0002】近年において、データ伝送の高速化、大容
量化、長距離化、高品質化などの要求に応えて、光通信
の普及が目覚ましい。しかも、光通信のさらなる高速化
が進められており、例えば10Gbps程度の実用化が
進められている。このような高速化に適用可能な光導波
路デバイスが望まれている。
In recent years, the spread of optical communication has been remarkable in response to demands for high speed, large capacity, long distance and high quality of data transmission. Moreover, further speeding up of optical communication is being promoted, and practical application of, for example, about 10 Gbps is being promoted. There is a demand for an optical waveguide device applicable to such high speed.

【0003】[0003]

【従来の技術】一般的な光導波路デバイスの概略の構成
について、本発明に係る光導波路デバイス1の外観を示
す図1によって説明する。
2. Description of the Related Art A schematic structure of a general optical waveguide device will be described with reference to FIG. 1 showing the appearance of an optical waveguide device 1 according to the present invention.

【0004】図1において、光導波路デバイス1は、金
属製の筐体11、光導波路チップ12、及びコネクタ1
3,13から構成されている。光導波路チップ12は、
断面が1×1mm程度であり長さが数cm程度の大きさ
の基板31の表面付近に光導波路を形成し、さらにその
表面に光導波路を通過する光を制御するための進行波電
極34を設けて構成されている。
In FIG. 1, an optical waveguide device 1 comprises a metal casing 11, an optical waveguide chip 12, and a connector 1.
It is composed of 3,13. The optical waveguide chip 12 is
An optical waveguide is formed near the surface of a substrate 31 having a cross section of about 1 × 1 mm and a length of about several cm, and a traveling wave electrode 34 for controlling light passing through the optical waveguide is further formed on the surface. It is provided and configured.

【0005】図10は従来の光導波路デバイス80にお
ける筐体81と光導波路チップ82との取り付け状態を
示す断面図である。図10において、筐体81は、底面
部91、及び底面部91と直交しそれに連続する側面部
92を有している。筐体81は、尨の金属材料から切削
加工によってくり抜いて形成されているため、底面部9
1と側面部92との境界部分であるコーナー部93に
は、アール面が切削されずに残ってしまう。光導波路チ
ップ82は、その底面82aに接着剤が塗布され、底面
部91の内側の表面(底面)91aに接着されて取り付
けられている。
FIG. 10 is a sectional view showing a state in which a housing 81 and an optical waveguide chip 82 in a conventional optical waveguide device 80 are attached. In FIG. 10, the housing 81 has a bottom surface portion 91 and a side surface portion 92 that is orthogonal to and continuous with the bottom surface portion 91. Since the housing 81 is formed by cutting a metal material of a small size by cutting, the bottom surface 9
In the corner portion 93, which is the boundary portion between 1 and the side surface portion 92, the rounded surface remains without being cut. An adhesive is applied to the bottom surface 82a of the optical waveguide chip 82, and the optical waveguide chip 82 is attached by being adhered to the inner surface (bottom surface) 91a of the bottom surface portion 91.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図10に示されている
ように、従来においては、アール面と光導波路チップ8
2の角縁部との干渉のため、光導波路82の側面82b
と筐体81の側面部92の表面(側面)92aとを密着
させることができず、それらの間に間隙94ができてし
まっていた。また、底面82aに塗布した接着剤AHが
両側にはみ出し、はみ出した接着剤AHによっても間隙
94ができてしまっていた。
As shown in FIG. 10, in the conventional case, the rounded surface and the optical waveguide chip 8 are used.
The side surface 82b of the optical waveguide 82 due to interference with the corner edge of
The surface (side surface) 92a of the side surface portion 92 of the housing 81 could not be brought into close contact with each other, and a gap 94 was formed between them. In addition, the adhesive AH applied to the bottom surface 82a protruded on both sides, and the protruding adhesive AH also formed a gap 94.

【0007】そのため、間隙94によって定在波が生
じ、これによって光導波路デバイス80のマイクロ波の
特性に乱れが生じていた。また、底面82aに付着した
余分な接着剤AHやはみ出した接着剤AHがマイクロ波
の特性に影響を与えていた。
Therefore, a standing wave is generated by the gap 94, which disturbs the microwave characteristics of the optical waveguide device 80. Further, the excess adhesive AH attached to the bottom surface 82a and the protruding adhesive AH have an influence on the microwave characteristics.

【0008】そのため、光導波路デバイス80の使用周
波数の上限に限界があり、数Gbps以上の高速に使用
することができなかった。本発明は、上述の問題に鑑み
てなされたもので、マイクロ波の特性を改善することに
よって使用周波数の上限をさらに引き上げることがで
き、さらに高速化を図ることの可能な光導波路デバイス
を提供することを目的とする。
Therefore, the upper limit of the operating frequency of the optical waveguide device 80 is limited, and it is not possible to use it at a high speed of several Gbps or more. The present invention has been made in view of the above problems, and provides an optical waveguide device capable of further increasing the upper limit of the operating frequency by improving the characteristics of microwaves and further increasing the speed. The purpose is to

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る光
導波路デバイスは、光導波路が形成された基板に、マイ
クロ波による駆動電圧を印加することにより前記光導波
路の屈折率を変化させて前記光導波路を通過する光を制
御するための電極が設けられてなる光導波路チップと、
前記光導波路チップを収納する金属製の筐体とからなる
光導波路デバイスであって、前記筐体には、その内側の
底面とそれに連続する一側面との境界部分であるコーナ
ー部に、前記光導波路チップの角縁部との干渉を避ける
ための凹溝が設けられており、前記光導波路デバイスに
は、前記底面及び前記一側面に対して、前記光導波路チ
ップの底面及びそれに連続する一側面が、それぞれ密着
した状態で取り付けられており、前記凹溝の存在で生ず
る定在波による前記光導波路チップの光導波路に対して
垂直な断面内での共振周波数が光導波路デバイスの前記
マイクロ波の使用周波数帯域よりも高域側となるよう
に、前記凹溝の寸法が選定されてなる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical waveguide device, wherein a refractive index of the optical waveguide is changed by applying a microwave drive voltage to a substrate on which the optical waveguide is formed. An optical waveguide chip provided with an electrode for controlling light passing through the optical waveguide,
An optical waveguide device comprising a metal casing for accommodating the optical waveguide chip, wherein the casing is provided with the optical waveguide at a corner portion which is a boundary portion between the inner bottom surface and one side surface continuous with the bottom surface. A groove is provided to avoid interference with the corner edge of the waveguide chip, and the optical waveguide device has a bottom surface and one side surface with respect to the bottom surface and one side surface continuous with the bottom surface of the optical waveguide chip. Are attached in close contact with each other, with respect to the optical waveguide of the optical waveguide chip by the standing wave generated by the presence of the groove
The dimensions of the groove are selected so that the resonance frequency in the vertical cross section is on the higher frequency side of the microwave use frequency band of the optical waveguide device.

【0010】[0010]

【0011】請求項の発明に係る光導波路デバイス
は、前記凹溝は、前記筐体の前記底面に対してほぼ45
度の角度をなすように、放電加工によって形成されてな
る。請求項の発明に係る光導波路デバイスでは、前記
筐体の前記底面と前記光導波路チップの前記底面との間
が接着剤で接着されることによって、前記光導波路チッ
プが前記筐体に取り付けられてなる。
In the optical waveguide device according to a second aspect of the present invention, the concave groove is substantially 45 with respect to the bottom surface of the housing.
It is formed by electrical discharge machining so as to form an angle of degrees. In the optical waveguide device according to the invention of claim 3, the optical waveguide chip is attached to the housing by bonding the bottom surface of the housing and the bottom surface of the optical waveguide chip with an adhesive. It becomes.

【0012】[0012]

【作用】コーナー部に形成された凹溝によって、筐体と
光導波路チップの角縁部との干渉が避けられ、光導波路
チップの底面及び側面を筐体の底面及び側面に密着させ
ることができる。光導波路チップの表面に塗布した接着
剤の余分が凹溝に流れ込み、接着面の密着性が損なわれ
ない。
With the groove formed in the corner portion, interference between the housing and the corner edge portion of the optical waveguide chip can be avoided, and the bottom surface and side surface of the optical waveguide chip can be brought into close contact with the bottom surface and side surface of the housing. . Excess adhesive applied to the surface of the optical waveguide chip flows into the groove, and the adhesiveness of the adhesive surface is not impaired.

【0013】凹溝の存在による定在波によって光導波路
チップの断面内での共振周波数が低下するが、その幅又
は深さ寸法が適当に選定されることにより、共振周波数
が使用周波数帯域よりも高域側となり、必要な使用周波
数帯域が確保される。
The resonance frequency in the cross section of the optical waveguide chip is lowered by the standing wave due to the presence of the groove, but the resonance frequency is lower than the operating frequency band by properly selecting the width or depth dimension. It becomes the high frequency side, and the required frequency band is secured.

【0014】[0014]

【実施例】図1は本発明に係る光導波路デバイス1の外
観を示す斜視図、図2は光導波路デバイス1の断面図、
図3は光導波路デバイス1の断面の一部を拡大して示す
図、図4は光導波路デバイス1の断面の一部をさらに拡
大して示す図、図5は光導波路デバイス1の一部を拡大
して示す平面図である。なお、図1ではカバーが省略さ
れている。また、図1についての説明は従来の技術の項
で述べたので、ここでは簡略化する。
1 is a perspective view showing the appearance of an optical waveguide device 1 according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of the optical waveguide device 1.
3 is an enlarged view showing a part of the cross section of the optical waveguide device 1, FIG. 4 is a further enlarged view showing a part of the cross section of the optical waveguide device 1, and FIG. 5 is a part of the optical waveguide device 1. It is a top view which expands and shows. The cover is omitted in FIG. Also, the description of FIG. 1 has been given in the section of the prior art, and therefore will be simplified here.

【0015】本実施例の光導波路デバイス1は、光通信
に用いられる光変調器である。図2によく示されている
ように、筐体11は、底面部21、側面部22,23、
及び端面部24,25からなる箱状を呈しており、上面
にはカバー14が取り付けられている。なお、筐体11
及びカバー14は、光導波路チップ12の基板31と同
じ線膨張係数を有する金属材料が用いられている。
The optical waveguide device 1 of this embodiment is an optical modulator used for optical communication. As shown in FIG. 2, the housing 11 includes a bottom surface portion 21, side surface portions 22, 23,
It has a box-like shape including the end surfaces 24 and 25, and the cover 14 is attached to the upper surface. The housing 11
The cover 14 and the cover 14 are made of a metal material having the same linear expansion coefficient as that of the substrate 31 of the optical waveguide chip 12.

【0016】図2乃至図5を参照して、一方の側面部2
2の内面には、光導波路チップ12の電極34への結線
のための段部51が設けられている。底面部21の内側
の表面(底面)21aと、底面部21に連続する側面部
22の段部51の内側の表面(側面)22aとの境界部
分であるコーナー部26には、光導波路チップ12の角
縁部との干渉を避けるための凹溝27が設けられてい
る。
2 to 5, one side surface portion 2
On the inner surface of 2, a step portion 51 for connecting the optical waveguide chip 12 to the electrode 34 is provided. The optical waveguide chip 12 is provided in the corner portion 26 which is a boundary portion between the inner surface (bottom surface) 21a of the bottom surface portion 21 and the inner surface (side surface) 22a of the step portion 51 of the side surface portion 22 continuous with the bottom surface portion 21. A concave groove 27 is provided to avoid interference with the corner edge of the.

【0017】凹溝27は、光導波路チップ12の全長を
カバーするように形成され、しかも、底面部21の表面
21aに対する角度θが45度となるように、且つ幅が
約300μm、深さが約500μmとなるように、放電
加工によって形成されている。角度θを45度とするこ
とによって、定在波が単純となり特性への影響が少な
く、また加工が容易である。なお、凹溝27は接着剤A
Hの逃げ溝としての役目も果たす。
The concave groove 27 is formed so as to cover the entire length of the optical waveguide chip 12, and has a width of about 300 μm and a depth so that the angle θ of the bottom surface portion 21 with respect to the surface 21a is 45 degrees. It is formed by electrical discharge machining so as to have a thickness of about 500 μm. By setting the angle θ to 45 degrees, the standing wave becomes simple, the characteristic is less affected, and the processing is easy. The concave groove 27 is formed by the adhesive A.
It also serves as an escape groove for H.

【0018】図4及び図5によく示されているように、
光導波路チップ12は、基板31、基板31の表層部に
形成されたマッハツェンダ型の光導波路32a,32
b、バッファ層33、光導波路32a,32bの上方に
配置された電極34a,34bからなっている。
As best shown in FIGS. 4 and 5,
The optical waveguide chip 12 includes a substrate 31 and Mach-Zehnder type optical waveguides 32 a and 32 formed on the surface layer of the substrate 31.
b, the buffer layer 33, and electrodes 34a and 34b arranged above the optical waveguides 32a and 32b.

【0019】基板31は、Z板のLiNbO3 結晶から
なる。基板31の大きさは、例えば断面の縦と横が10
mm×11mm、長さが60mmである。光導波路32
a,32bは、チタンの熱拡散によって形成されてい
る。すなわち、基板31の表面に1000Å程度の厚さ
のチタン膜を設け、数μm程度の幅の帯状にパターニン
グする。そして、湿潤酸素雰囲気中で基板31を105
0℃に加熱し、その状態を10時間にわたって保持す
る。この一連の処理により光導波路32a,32bが形
成される。
The substrate 31 is made of a Z plate LiNbO 3 crystal. The size of the substrate 31 is, for example, 10 in the vertical and horizontal sections.
The size is mm × 11 mm and the length is 60 mm. Optical waveguide 32
The a and 32b are formed by thermal diffusion of titanium. That is, a titanium film having a thickness of about 1000 Å is provided on the surface of the substrate 31 and patterned into a strip shape having a width of about several μm. Then, the substrate 31 is removed in a wet oxygen atmosphere.
Heat to 0 ° C. and hold for 10 hours. The optical waveguides 32a and 32b are formed by this series of processes.

【0020】バッファ層33は、厚さ0.5μm程度の
二酸化珪素層であり、主に電極34a,34bによる光
吸収を防止するために設けられている。電極34a,3
4bは、バッファ層33を設けた後に、金を蒸着してパ
ターニングする薄膜工程によって形成されている。光導
波路チップ12への給電のために、電極34bと段部5
1の上面との間でストレスリリーフコンタクトとAuリ
ボン35が用いられて接続されている。電極34aはA
uリボン36によってコネクタ13,13の中央ピンに
接続されている。なお、コネクタ13,13の接地側は
筐体11つまり段部51に接続されている。
The buffer layer 33 is a silicon dioxide layer having a thickness of about 0.5 μm, and is provided mainly for preventing light absorption by the electrodes 34a and 34b. Electrodes 34a, 3
4b is formed by a thin film process of depositing and patterning gold after providing the buffer layer 33. In order to supply power to the optical waveguide chip 12, the electrode 34b and the step 5
The stress relief contact and the Au ribbon 35 are connected to the upper surface of the No. 1 unit. Electrode 34a is A
It is connected to the center pin of the connectors 13, 13 by the u ribbon 36. The ground side of the connectors 13 and 13 is connected to the housing 11, that is, the step portion 51.

【0021】光導波路チップ12は、その底面12aに
エポキシ系の接着剤AHが塗布され、底面12a及び側
面12bが筐体11の表面21a及び表面22aに対し
てそれぞれ密着した状態で接着剤AHにより接着されて
取り付けられている。塗布された接着剤AHの余分は、
凹溝27に流れ込み、これによって余分の接着剤AHが
接着面に残ったり接着面から側面にはみ出すことが防止
されている。
The bottom surface 12a of the optical waveguide chip 12 is coated with an epoxy adhesive AH, and the bottom surface 12a and the side surface 12b are in close contact with the front surface 21a and the front surface 22a of the housing 11, respectively. It is glued and attached. The excess of the applied adhesive AH is
The excess adhesive AH is prevented from remaining in the adhesive surface or protruding from the adhesive surface to the side surface by flowing into the concave groove 27.

【0022】上述のように構成された光導波路デバイス
1は、光導波路チップ12の断面内での定在波(図3を
参照)による共振周波数が使用周波数帯域よりも高域側
となっている。次に凹溝27の寸法と共振周波数との関
係について説明する。
In the optical waveguide device 1 configured as described above, the resonance frequency due to the standing wave (see FIG. 3) in the cross section of the optical waveguide chip 12 is higher than the operating frequency band. . Next, the relationship between the size of the groove 27 and the resonance frequency will be described.

【0023】図7は凹溝27の幅wに対する周波数依存
性を示すグラフ、図8は光導波路デバイス1のマイクロ
波透過特性S21を示すグラフである。図7において、プ
ロットされた各点は、凹溝27の深さを500μmとし
たときの幅wに対するマイクロ波透過特性S21の周波数
の落ち込み点(共振周波数)の実測値である。
FIG. 7 is a graph showing the frequency dependence with respect to the width w of the groove 27, and FIG. 8 is a graph showing the microwave transmission characteristic S 21 of the optical waveguide device 1. In FIG. 7, each plotted point is an actual measurement value of the frequency drop point (resonance frequency) of the microwave transmission characteristic S 21 with respect to the width w when the depth of the concave groove 27 is 500 μm.

【0024】図7から理解されるように、共振周波数は
凹溝27の幅wの大きさに反比例している。幅wを大き
くすると、それだけ凹溝27の影響が強くなって共振周
波数が低下するので、余り大きくできない。本実施例の
凹溝27では、上述したように幅wを300μmとした
ので、その共振周波数の実測値は13.8GHzであっ
た。
As can be seen from FIG. 7, the resonance frequency is inversely proportional to the size of the width w of the groove 27. When the width w is increased, the influence of the concave groove 27 becomes stronger and the resonance frequency is lowered, so that the width w cannot be increased so much. In the concave groove 27 of the present embodiment, the width w was set to 300 μm as described above, so the measured value of the resonance frequency was 13.8 GHz.

【0025】図8に示されるように、最初の共振周波数
である13.8GHzにおいては利得が激減している
が、それまではなだらかな特性となっている。したがっ
て、光導波路デバイス1は、13GHz程度までの使用
が可能であるといえる。
As shown in FIG. 8, the gain is drastically reduced at the first resonance frequency of 13.8 GHz, but the characteristics are gentle until then. Therefore, it can be said that the optical waveguide device 1 can be used up to about 13 GHz.

【0026】因みに、従来の光導波路デバイスでは、図
9に一例が示されるように、8.5GHz近辺において
最初の共振周波数があり、使用周波数の上限が低かった
が、本実施例の光導波路デバイス1ではそれが改善され
ていることが理解される。
Incidentally, in the conventional optical waveguide device, as shown in an example in FIG. 9, there was the first resonance frequency in the vicinity of 8.5 GHz, and the upper limit of the used frequency was low, but the optical waveguide device of the present embodiment. It is understood that in No. 1, it is improved.

【0027】光導波路デバイス1の使用に際しては、2
つの電極34a,34b間にマイクロ波の駆動電圧を印
加する。駆動電圧の印加によって、光導波路32a,3
2bに対して電界が加わり、屈折率が変化して光導波路
32a,32b内を伝播する光の偏光面が回転する。
When using the optical waveguide device 1, 2
A microwave drive voltage is applied between the two electrodes 34a and 34b. By applying the drive voltage, the optical waveguides 32a, 3a
An electric field is applied to 2b, the refractive index changes, and the polarization plane of the light propagating in the optical waveguides 32a and 32b rotates.

【0028】上述の実施例によると、凹溝27の存在に
よって、従来のように筐体11のアール面と光導波路チ
ップ12の角縁部とが干渉することが無くなり、底面1
2a及び側面12bを筐体11の表面21a,22aに
密着させることができる。また、余分な接着剤AHが接
着面に残ることがなく、しかも光導波路チップ12の側
面にはみ出すこともないので、接着面の密着性が損なわ
れることがない。
According to the above-described embodiment, the presence of the concave groove 27 eliminates the interference between the rounded surface of the housing 11 and the corner edge of the optical waveguide chip 12 unlike the conventional case, and the bottom surface 1
The surface 2a and the side surface 12b can be brought into close contact with the surfaces 21a and 22a of the housing 11. Moreover, since the excess adhesive AH does not remain on the adhesive surface and does not protrude to the side surface of the optical waveguide chip 12, the adhesiveness of the adhesive surface is not impaired.

【0029】さらに、凹溝27の幅wを適当に選定し、
図3に示すように光導波路チップ12の断面内での定在
波による共振周波数が大きく低下しないようにされてい
る。例えば使用周波数が10GHzである場合に、共振
周波数が10GHzよりも充分に高域側となるように凹
溝27の幅wが選定されている。
Further, the width w of the concave groove 27 is appropriately selected,
As shown in FIG. 3, the resonance frequency due to the standing wave in the cross section of the optical waveguide chip 12 is prevented from being greatly reduced. For example, when the operating frequency is 10 GHz, the width w of the concave groove 27 is selected so that the resonance frequency is sufficiently higher than 10 GHz.

【0030】このように、マイクロ波の特性が改善され
ることによって、光導波路デバイス1の使用周波数の上
限が引き上げられ、通信速度の一層の高速化を図ること
が可能となっている。
By thus improving the microwave characteristics, the upper limit of the operating frequency of the optical waveguide device 1 is raised, and the communication speed can be further increased.

【0031】上述の実施例においては、筐体11を尨の
材料から切削加工によって形成したが、複数の部材を銀
ろう付けなどで接合して構成することもできる。図6は
他の実施例の筐体11aの一部断面図である。
In the above-mentioned embodiment, the housing 11 is formed by cutting from the material of 尨, but it may be constructed by joining a plurality of members by silver brazing or the like. FIG. 6 is a partial sectional view of a housing 11a according to another embodiment.

【0032】図6において、筐体11aは、底面部材6
1、側面部材62などを銀ろう付け68により接合して
形成されている。底面部材61と側面部材62の接合部
分であるコーナー部65には、それぞれの部材が切削加
工されることによって凹溝67が形成されており、凹溝
67の内部において銀ろう付け68が行われ、且つ、光
導波路チップ12の底面に塗布された接着剤AHの余分
が凹溝67内に流れ込むようになっている。
In FIG. 6, the housing 11a is a bottom member 6
1, the side surface member 62 and the like are joined by silver brazing 68. A groove 67 is formed in the corner portion 65, which is a joining portion of the bottom member 61 and the side member 62, by cutting each member, and silver brazing 68 is performed inside the groove 67. In addition, the surplus of the adhesive AH applied to the bottom surface of the optical waveguide chip 12 flows into the concave groove 67.

【0033】このような筐体11aを用いた場合にも、
筐体11と光導波路チップ12との干渉が無くなり、光
導波路チップ12を筐体11aの表面61a,62aに
密着させることができ、また、凹溝67の幅w及び深さ
を適当に選定することによって共振周波数が大きく低下
しないようにし、マイクロ波の特性を改善することがで
きる。
Even when such a casing 11a is used,
The interference between the housing 11 and the optical waveguide chip 12 is eliminated, the optical waveguide chip 12 can be brought into close contact with the surfaces 61a and 62a of the housing 11a, and the width w and the depth of the concave groove 67 are appropriately selected. As a result, the resonance frequency is prevented from being greatly reduced, and the microwave characteristics can be improved.

【0034】上述の実施例において、凹溝27の深さを
変更することも可能である。光導波路チップ12への給
電をストリップ線路を介して行うことも可能である。光
導波路チップ12として種々のものを適用することがで
きる。その他、光導波路デバイス1の全体又は各部の構
成、寸法、形状、材質などは、本発明の主旨に沿って適
宜変更することができる。
In the above embodiment, the depth of the groove 27 can be changed. It is also possible to supply power to the optical waveguide chip 12 via a strip line. Various types can be applied as the optical waveguide chip 12. In addition, the configuration, dimensions, shape, material, etc. of the entire or each part of the optical waveguide device 1 can be appropriately changed in accordance with the gist of the present invention.

【0035】[0035]

【発明の効果】請求項1乃至請求項の発明によると、
マイクロ波の特性を改善することによって使用周波数の
上限をさらに引き上げることができ、通信速度の一層の
高速化を図ることが可能となる。
According to the inventions of claims 1 to 3 ,
By improving the characteristics of the microwave, the upper limit of the used frequency can be further raised, and the communication speed can be further increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る光導波路デバイスの外観を示す斜
視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of an optical waveguide device according to the present invention.

【図2】光導波路デバイスの断面図である。FIG. 2 is a sectional view of an optical waveguide device.

【図3】光導波路デバイスの断面の一部を拡大して示す
図である。
FIG. 3 is an enlarged view showing a part of the cross section of the optical waveguide device.

【図4】光導波路デバイスの断面の一部をさらに拡大し
て示す図である。
FIG. 4 is a view further enlarging a part of the cross section of the optical waveguide device.

【図5】光導波路デバイスの一部を拡大して示す平面図
である。
FIG. 5 is a plan view showing an enlarged part of the optical waveguide device.

【図6】他の実施例の筐体の一部断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a housing of another embodiment.

【図7】凹溝の幅wに対する周波数依存性を示すグラフ
である。
FIG. 7 is a graph showing frequency dependence with respect to the width w of the groove.

【図8】本発明に係る光導波路デバイスのマイクロ波透
過特性を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing microwave transmission characteristics of the optical waveguide device according to the present invention.

【図9】従来の光導波路デバイスのマイクロ波透過特性
の一例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of microwave transmission characteristics of a conventional optical waveguide device.

【図10】従来の光導波路デバイスにおける筐体と光導
波路チップとの取り付け状態を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a mounting state of a housing and an optical waveguide chip in a conventional optical waveguide device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光導波路デバイス 11,11a 筐体 12 光導波路チップ 21a,61a 表面(底面) 22a,62a 表面(側面) 26,65 コーナー部 27,67 凹溝 31 基板 32a,32b 光導波路 34a,34b 電極 1 Optical waveguide device 11,11a housing 12 Optical waveguide chip 21a, 61a Surface (bottom surface) 22a, 62a Surface (side surface) 26,65 Corner 27,67 concave groove 31 substrate 32a, 32b optical waveguide 34a, 34b electrodes

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/03 505 G02B 6/122 G02B 6/13 JICSTファイル(JOIS)─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/03 505 G02B 6/122 G02B 6/13 JISST file (JOIS)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光導波路が形成された基板に、マイクロ波
による駆動電圧を印加することにより前記光導波路の屈
折率を変化させて前記光導波路を通過する光を制御する
ための電極が設けられてなる光導波路チップと、前記光
導波路チップを収納する金属製の筐体とからなる光導波
路デバイスであって、 前記筐体には、その内側の底面とそれに連続する一側面
との境界部分であるコーナー部に、前記光導波路チップ
の角縁部との干渉を避けるための凹溝が設けられてお
り、 前記光導波路デバイスには、前記底面及び前記一側面に
対して、前記光導波路チップの底面及びそれに連続する
一側面が、それぞれ密着した状態で取り付けられてお
り、 前記凹溝の存在で生ずる定在波による前記光導波路チッ
プの光導波路に対して垂直な断面内での共振周波数が光
導波路デバイスの前記マイクロ波の使用周波数帯域より
も高域側となるように、前記凹溝の寸法が選定されてな
る、 ことを特徴とする光導波路デバイス。
1. An electrode for controlling light passing through the optical waveguide by changing a refractive index of the optical waveguide by applying a driving voltage by a microwave to a substrate on which the optical waveguide is formed. An optical waveguide device comprising an optical waveguide chip formed by: and a metal housing for accommodating the optical waveguide chip, wherein the housing has a boundary portion between the inner bottom surface and one side surface continuous with the bottom surface. A certain corner portion is provided with a concave groove for avoiding interference with a corner edge portion of the optical waveguide chip, and the optical waveguide device has the optical waveguide chip with respect to the bottom surface and the one side surface. bottom and one side continuous to it, mounted in close contact each resonance in the cross section perpendicular to the optical waveguide of the optical waveguide chip according to the standing wave occurring in the presence of the groove Optical waveguide device wave number so that a high-frequency side than the frequency band of the microwave of the optical waveguide device, the size of the concave groove is formed by selecting, characterized in that.
【請求項2】前記凹溝は、前記筐体の前記底面に対して
ほぼ45度の角度をなすように、放電加工によって形成
されてなる、 請求項1記載の光導波路デバイス。
2. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the groove is formed by electrical discharge machining so as to form an angle of about 45 degrees with the bottom surface of the housing.
【請求項3】前記筐体の前記底面と前記光導波路チップ
の前記底面との間が接着剤で接着されることによって、
前記光導波路チップが前記筐体に取り付けられてなる、 請求項1または請求項2に記載の光導波路デバイス。
3. The adhesive is applied between the bottom surface of the housing and the bottom surface of the optical waveguide chip,
The optical waveguide device according to claim 1, wherein the optical waveguide chip is attached to the housing.
JP16167395A 1995-06-28 1995-06-28 Optical waveguide device Expired - Lifetime JP3366777B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16167395A JP3366777B2 (en) 1995-06-28 1995-06-28 Optical waveguide device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16167395A JP3366777B2 (en) 1995-06-28 1995-06-28 Optical waveguide device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0915437A JPH0915437A (en) 1997-01-17
JP3366777B2 true JP3366777B2 (en) 2003-01-14

Family

ID=15739674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16167395A Expired - Lifetime JP3366777B2 (en) 1995-06-28 1995-06-28 Optical waveguide device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3366777B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8305680B2 (en) * 2010-08-11 2012-11-06 Disco Corporation Stable mounting of non-linear optical crystal
WO2023053402A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 住友大阪セメント株式会社 Optical device, optical modulation device, and optical transmission apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0915437A (en) 1997-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1291706B1 (en) An optical waveguide device, an optical modulator, a mounting structure for an optical waveguide device and a supporting member for an optical waveguide substrate
JP4375597B2 (en) Optical waveguide device and traveling wave optical modulator
EP1722266B1 (en) A travelling wave-type optical modulator
US6741378B2 (en) Optical modulator having element for varying optical phase by electrooptic effect
EP1335237B1 (en) Electrical connection of an electro-optic element
JPWO2005019913A1 (en) Optical waveguide device and traveling wave optical modulator
JP2004157500A (en) Optical modulator
JP2758538B2 (en) Light modulation element, light modulation device, and driving method thereof
US7002731B2 (en) Optical modulators
JP3366777B2 (en) Optical waveguide device
JP2919132B2 (en) Light modulator
US6768570B2 (en) Optical modulator
US6950218B2 (en) Optical modulator
JP4453894B2 (en) Optical waveguide device and traveling wave optical modulator
JP2004294918A (en) Optical device
JPH05173099A (en) Optical control element
JP2004219600A (en) Electrode for optical modulation and optical modulator
JPH10260383A (en) Optical waveguide device
JPH10213784A (en) Integration type optical modulator
KR100765346B1 (en) Electrooptic modulation element
JPH10239648A (en) Waveguide type optical element and optical device
JP2821349B2 (en) Optical waveguide device
JP3731622B2 (en) Optical waveguide device
JP2004245991A (en) Optical waveguide device and structure combining the same and optical transmission member
JP2758540B2 (en) Light modulation element and light modulation device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20021022

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081101

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081101

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091101

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101101

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101101

Year of fee payment: 8

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101101

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101101

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111101

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111101

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121101

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121101

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131101

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term