JPH06298971A - フッ素樹脂成形品の表面処理方法 - Google Patents
フッ素樹脂成形品の表面処理方法Info
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- JPH06298971A JPH06298971A JP10734093A JP10734093A JPH06298971A JP H06298971 A JPH06298971 A JP H06298971A JP 10734093 A JP10734093 A JP 10734093A JP 10734093 A JP10734093 A JP 10734093A JP H06298971 A JPH06298971 A JP H06298971A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フッ素樹脂成形品の表面を化学的に改質する
とともに、物理的にも改質し、その接着性を著しく向上
させ、接着時の引張り強度が材料破壊を生じる強さとな
るようにする。 【構成】 フッ素樹脂成形品１を高周波（ＲＦ）スパッ
タリング装置のターゲット２上に設置し、真空槽３を５
×１０-3Ｐａ以下に減圧する。その後、Ａｒガスを４〜
１０Ｐａ導入して真空槽無いにガスを充填させ、高周波
発生器（１３．５６ＭＨｚ）およびマッチングユニット
から成る高周波電源４を用いて高周波放電を起こす。こ
のとき、高周波発振器への投入電力が１００Ｗ未満では
高周波放電が安定しないため、投入電力を１００Ｗ以上
として高周波放電を生じさせ、この放電により生成され
るＡｒイオンをフッ素樹脂成形品１の表面に１０分以上
衝突させる。
とともに、物理的にも改質し、その接着性を著しく向上
させ、接着時の引張り強度が材料破壊を生じる強さとな
るようにする。 【構成】 フッ素樹脂成形品１を高周波（ＲＦ）スパッ
タリング装置のターゲット２上に設置し、真空槽３を５
×１０-3Ｐａ以下に減圧する。その後、Ａｒガスを４〜
１０Ｐａ導入して真空槽無いにガスを充填させ、高周波
発生器（１３．５６ＭＨｚ）およびマッチングユニット
から成る高周波電源４を用いて高周波放電を起こす。こ
のとき、高周波発振器への投入電力が１００Ｗ未満では
高周波放電が安定しないため、投入電力を１００Ｗ以上
として高周波放電を生じさせ、この放電により生成され
るＡｒイオンをフッ素樹脂成形品１の表面に１０分以上
衝突させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フッ素樹脂成形品の表
面処理方法に関する。
面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フッ素樹脂成形品は、耐薬品性、耐熱性
等に優れている反面、表面エネルギーが低く、他の材料
との接着が困難である等の問題がある。このために、フ
ッ素樹脂成形品の表面を改質することが行われている。
従来、特開平３−２６９０２４号公報に開示されるよう
に、フッ素樹脂成形品に１８００Å以下の紫外線を照射
して、フッ素樹脂成形品表面のＣ−Ｆ結合を切断し、化
学的に表面を改質する方法がある。
等に優れている反面、表面エネルギーが低く、他の材料
との接着が困難である等の問題がある。このために、フ
ッ素樹脂成形品の表面を改質することが行われている。
従来、特開平３−２６９０２４号公報に開示されるよう
に、フッ素樹脂成形品に１８００Å以下の紫外線を照射
して、フッ素樹脂成形品表面のＣ−Ｆ結合を切断し、化
学的に表面を改質する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の表
面改質方法では、フッ素樹脂成形品表面の粗さは、紫外
線照射前後で変化が無い。つまり、このような表面処理
を施したフッ素樹脂成形品は、その表面のＣ−Ｆ結合の
一部を改質してＣ−Ｏ結合にし、このＣ−Ｏ結合と接着
剤の成分との間に働く分子間力や水素結合力により接着
性が向上するのみで、投錨効果のような物理的な接着性
の向上効果は得られない。したがって、従来の方法で表
面改質したフッ素樹脂成形品を接着する場合、接着力の
不足、すなわち接着部の界面破壊を生じることがあっ
た。
面改質方法では、フッ素樹脂成形品表面の粗さは、紫外
線照射前後で変化が無い。つまり、このような表面処理
を施したフッ素樹脂成形品は、その表面のＣ−Ｆ結合の
一部を改質してＣ−Ｏ結合にし、このＣ−Ｏ結合と接着
剤の成分との間に働く分子間力や水素結合力により接着
性が向上するのみで、投錨効果のような物理的な接着性
の向上効果は得られない。したがって、従来の方法で表
面改質したフッ素樹脂成形品を接着する場合、接着力の
不足、すなわち接着部の界面破壊を生じることがあっ
た。
【０００４】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、フッ素樹脂成形品の表面を化学的に改質
するとともに、物理的にも改質し、その接着性を著しく
向上させ、接着時の引張り強度が材料破壊を生じる強さ
となるようにしたフッ素樹脂成形品の表面処理方法を提
供することを目的とする。
されたもので、フッ素樹脂成形品の表面を化学的に改質
するとともに、物理的にも改質し、その接着性を著しく
向上させ、接着時の引張り強度が材料破壊を生じる強さ
となるようにしたフッ素樹脂成形品の表面処理方法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、フッ素樹脂成形品の表面処理を行うにあ
たり、高周波スパッタリング装置のターゲット位置にＳ
ｉＯ2 ターゲットを設置し、その上にフッ素樹脂成形品
を載せた後、該スパッタリング装置の真空槽内にアルゴ
ンガスを４〜１０Ｐａ導入し、高周波発振器への投入電
力を４０Ｗ以上に設定して高周波放電を起こし、該フッ
素樹脂成形品の表面にアルゴンイオンを１０分以上衝突
させることとした。
に、本発明は、フッ素樹脂成形品の表面処理を行うにあ
たり、高周波スパッタリング装置のターゲット位置にＳ
ｉＯ2 ターゲットを設置し、その上にフッ素樹脂成形品
を載せた後、該スパッタリング装置の真空槽内にアルゴ
ンガスを４〜１０Ｐａ導入し、高周波発振器への投入電
力を４０Ｗ以上に設定して高周波放電を起こし、該フッ
素樹脂成形品の表面にアルゴンイオンを１０分以上衝突
させることとした。
【０００６】すなわち、本発明は、プラズマ雰囲気中で
フッ素樹脂成形品の表面にＡｒイオンを衝突させ、フッ
素樹脂成形品の表面を物理的に荒らすとともに、化学的
な改質も行うことを特徴とする。
フッ素樹脂成形品の表面にＡｒイオンを衝突させ、フッ
素樹脂成形品の表面を物理的に荒らすとともに、化学的
な改質も行うことを特徴とする。
【０００７】本発明に用いるフッ素樹脂成形品は、板
状、棒状、シート状の形状でＣ−Ｆ結合を有するもので
あれば良く、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキル
ビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラ
フルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）等の材料があ
る。
状、棒状、シート状の形状でＣ−Ｆ結合を有するもので
あれば良く、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦ
Ｅ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキル
ビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラ
フルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）等の材料があ
る。
【０００８】図１に示したように、こうしたフッ素樹脂
成形品１を高周波（ＲＦ）スパッタリング装置のターゲ
ット２上に設置し、真空槽３を５×１０-3Ｐａ以下に減
圧し、Ａｒガスを４〜１０Ｐａ導入して真空槽内にガス
を充満させ、高周波発生器（１３．５６ＭＨｚ）および
マッチングユニットから成る高周波電源４を用いて高周
波放電を起こす。このとき、高周波発振器への投入電力
が１００Ｗ未満では高周波放電が安定しないため、投入
電力を１００Ｗ以上として高周波放電を生じさせ、この
放電により生成されるＡｒイオンをフッ素樹脂成形品１
の表面に１０分以上衝突させる。
成形品１を高周波（ＲＦ）スパッタリング装置のターゲ
ット２上に設置し、真空槽３を５×１０-3Ｐａ以下に減
圧し、Ａｒガスを４〜１０Ｐａ導入して真空槽内にガス
を充満させ、高周波発生器（１３．５６ＭＨｚ）および
マッチングユニットから成る高周波電源４を用いて高周
波放電を起こす。このとき、高周波発振器への投入電力
が１００Ｗ未満では高周波放電が安定しないため、投入
電力を１００Ｗ以上として高周波放電を生じさせ、この
放電により生成されるＡｒイオンをフッ素樹脂成形品１
の表面に１０分以上衝突させる。
【０００９】ここで、ターゲット２の設置位置に直接フ
ッ素樹脂成形品１を設置すると、高周波放電が安定しな
いが、ターゲット２を設置して、その上にフッ素樹脂成
形品１を載せると高周波放電が安定するため、本発明の
方法では市販のターゲット２を設置して、その上にフッ
素樹脂成形品１を載せる。また、ＳｉＯ2 以外のターゲ
ット材料では前記条件において、Ａｒイオンがターゲッ
ト２に衝突する際にターゲット２自身がスパッタリング
され、表面改質を行うべきフッ素樹脂成形品１の表面に
付着して薄膜を形成するので好ましくない。
ッ素樹脂成形品１を設置すると、高周波放電が安定しな
いが、ターゲット２を設置して、その上にフッ素樹脂成
形品１を載せると高周波放電が安定するため、本発明の
方法では市販のターゲット２を設置して、その上にフッ
素樹脂成形品１を載せる。また、ＳｉＯ2 以外のターゲ
ット材料では前記条件において、Ａｒイオンがターゲッ
ト２に衝突する際にターゲット２自身がスパッタリング
され、表面改質を行うべきフッ素樹脂成形品１の表面に
付着して薄膜を形成するので好ましくない。
【００１０】
【作用】高周波放電発生中にフッ素樹脂成形品１の表面
にＡｒイオンを衝突させると、フッ素樹脂成形品の表面
がＡｒイオンによってスパッタリングされ、物理的に荒
らされる。さらに、衝突するＡｒイオンのエネルギーに
よりフッ素樹脂成形品１の表面のＣ−Ｆ結合が切断さ
れ、真空槽３内に微量に存在する酸素イオンにより、フ
ッ素樹脂成形品１の表面にＣ−Ｏ結合やＣ−Ｃ結合が導
入されるので、フッ素樹脂成形品１の表面接着性を効果
的に改質できる。こうして得られる表面改質を行ったフ
ッ素樹脂成形品１を接着する場合、表面改質によって導
入されたＣ−Ｏ結合やＣ−Ｃ結合と接着剤の成分との間
に働く分子間力や水素結合力による化学的な結合力と共
に、フッ素樹脂成形品１の表面が荒れたことにより生じ
る微小な凹凸に接着剤が入り込む、いわゆる投錨効果に
よる接着性の向上効果も得られるので、本発明の方法で
処理したフッ素樹脂成形品１の接着性は著しく改善され
る。
にＡｒイオンを衝突させると、フッ素樹脂成形品の表面
がＡｒイオンによってスパッタリングされ、物理的に荒
らされる。さらに、衝突するＡｒイオンのエネルギーに
よりフッ素樹脂成形品１の表面のＣ−Ｆ結合が切断さ
れ、真空槽３内に微量に存在する酸素イオンにより、フ
ッ素樹脂成形品１の表面にＣ−Ｏ結合やＣ−Ｃ結合が導
入されるので、フッ素樹脂成形品１の表面接着性を効果
的に改質できる。こうして得られる表面改質を行ったフ
ッ素樹脂成形品１を接着する場合、表面改質によって導
入されたＣ−Ｏ結合やＣ−Ｃ結合と接着剤の成分との間
に働く分子間力や水素結合力による化学的な結合力と共
に、フッ素樹脂成形品１の表面が荒れたことにより生じ
る微小な凹凸に接着剤が入り込む、いわゆる投錨効果に
よる接着性の向上効果も得られるので、本発明の方法で
処理したフッ素樹脂成形品１の接着性は著しく改善され
る。
【００１１】
【実施例】図１に示すように、高周波スパッタリング装
置の下部電極面上に直径１５０ｍｍのＳｉＯ2 からなる
ターゲット２を取り付け、そのＳｉＯ2 ターゲット２の
上に長さ１００ｍｍ、幅１５ｍｍ、厚さ４ｍｍのＰＴＦ
Ｅ板からなるフッ素樹脂成形品１を載せ、真空槽３を閉
じる。次に、５×１０-3Ｐａ程度に真空槽３内を減圧し
た後、真空槽３内にＡｒガスを導入し、高周波発生器
（１３．５６ＭＨｚ）およびマッチングユニットから成
る高周波電源４を用いて高周波放電を起こし、Ａｒイオ
ンとＯイオンを発生させて、フッ素樹脂成形品１表面に
衝突させた。なお、５はマグネット、６はターゲット支
持体を示し、７は高周波電源４とマグネット５とを接続
するリード線である。
置の下部電極面上に直径１５０ｍｍのＳｉＯ2 からなる
ターゲット２を取り付け、そのＳｉＯ2 ターゲット２の
上に長さ１００ｍｍ、幅１５ｍｍ、厚さ４ｍｍのＰＴＦ
Ｅ板からなるフッ素樹脂成形品１を載せ、真空槽３を閉
じる。次に、５×１０-3Ｐａ程度に真空槽３内を減圧し
た後、真空槽３内にＡｒガスを導入し、高周波発生器
（１３．５６ＭＨｚ）およびマッチングユニットから成
る高周波電源４を用いて高周波放電を起こし、Ａｒイオ
ンとＯイオンを発生させて、フッ素樹脂成形品１表面に
衝突させた。なお、５はマグネット、６はターゲット支
持体を示し、７は高周波電源４とマグネット５とを接続
するリード線である。
【００１２】このようにして処理した、フッ素樹脂成形
品（ＰＴＦＥ板）１を２枚用意し、これらを長さ方向に
１０ｍｍ重ね合わせ、エポキシ系接着剤（Ｔ−Ｅ−ＫＬ
ＥＢＥＴＥＣＨＮＩＫ社製、商品名「アゴメットＰ７
６」のＡとＢを１対１に混合したもの）を介して接着
し、オーブンに入れて８０℃、２時間で接着剤を硬化さ
せた後、万能引張り試験機で引張り剪断強度を測定する
ことで、２枚のフッ素樹脂成形品１を張り合わせた試験
片の接着性を調べた。以下の表１〜３にＰＴＦＥ板表面
にＡｒイオンを照射する（衝突させる）条件と、その条
件で得られるＰＴＦＥ板の接着性（引張り剪断応力）を
各条件とそのときの引張り強度で示す。
品（ＰＴＦＥ板）１を２枚用意し、これらを長さ方向に
１０ｍｍ重ね合わせ、エポキシ系接着剤（Ｔ−Ｅ−ＫＬ
ＥＢＥＴＥＣＨＮＩＫ社製、商品名「アゴメットＰ７
６」のＡとＢを１対１に混合したもの）を介して接着
し、オーブンに入れて８０℃、２時間で接着剤を硬化さ
せた後、万能引張り試験機で引張り剪断強度を測定する
ことで、２枚のフッ素樹脂成形品１を張り合わせた試験
片の接着性を調べた。以下の表１〜３にＰＴＦＥ板表面
にＡｒイオンを照射する（衝突させる）条件と、その条
件で得られるＰＴＦＥ板の接着性（引張り剪断応力）を
各条件とそのときの引張り強度で示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】また、図２および図３には、表面処理無し
のＰＴＦＥ板と高周波発振器への投入電力１００Ｗ、Ａ
ｒ導入圧力４Ｗ、Ａｒイオン照射時間１０分で表面処理
をしたＰＴＦＥ板表面のＳＥＭによる外観写真の結果お
よびＸＰＳによる表面分析結果（ＣＩＳのナロースペク
トル）をそれぞれ対比して示した。
のＰＴＦＥ板と高周波発振器への投入電力１００Ｗ、Ａ
ｒ導入圧力４Ｗ、Ａｒイオン照射時間１０分で表面処理
をしたＰＴＦＥ板表面のＳＥＭによる外観写真の結果お
よびＸＰＳによる表面分析結果（ＣＩＳのナロースペク
トル）をそれぞれ対比して示した。
【００１７】ここで、図３においては、（ａ），（ｂ）
ともに横軸が電子の結合エネルギー、縦軸が光電子の強
度を示す。なお、横軸の結合エネルギーは、結合エネル
ギーが、２７６ｅＶ〜２９７ｅＶの炭素原子（Ｃ）の結
合エネルギーを示す範囲を載せてある。さらに、図３
（ａ），（ｂ）において、左側のピークはＣ−Ｆの結合
を示し、右側のピークはＣ−Ｃの結合を示す（（ｂ）は
ピークの左側が拡がっており、Ｃ−Ｏ結合（２８６．７
ｅＶ付近にピークが存在する）存在を示唆している）。
ともに横軸が電子の結合エネルギー、縦軸が光電子の強
度を示す。なお、横軸の結合エネルギーは、結合エネル
ギーが、２７６ｅＶ〜２９７ｅＶの炭素原子（Ｃ）の結
合エネルギーを示す範囲を載せてある。さらに、図３
（ａ），（ｂ）において、左側のピークはＣ−Ｆの結合
を示し、右側のピークはＣ−Ｃの結合を示す（（ｂ）は
ピークの左側が拡がっており、Ｃ−Ｏ結合（２８６．７
ｅＶ付近にピークが存在する）存在を示唆している）。
【００１８】これから明らかなように、Ａｒイオンを照
射したＰＴＦＥ板表面は、Ｃ−Ｆ結合が減少し、Ｃ−Ｃ
結合が大幅に増加していることがわかる。なお、表面処
理無しのＰＴＦＥ板２枚を同様の接着剤を用いて同様に
試験した場合、５ｋｇｆ／ｃｍ2 以下の接着強度しか得
られず、界面破壊を生じてしまった。
射したＰＴＦＥ板表面は、Ｃ−Ｆ結合が減少し、Ｃ−Ｃ
結合が大幅に増加していることがわかる。なお、表面処
理無しのＰＴＦＥ板２枚を同様の接着剤を用いて同様に
試験した場合、５ｋｇｆ／ｃｍ2 以下の接着強度しか得
られず、界面破壊を生じてしまった。
【００１９】以上述べたように、表１〜３は本発明の方
法により、得られる結果をまとめたものである。すなわ
ち、表１では圧力と照射時間を一定とし、投入電力を変
化させたときに得られるＰＴＦＥ板を前記接着剤を用い
て接着したときの接着強度示しており、圧力５Ｐａ、照
射時間１０分の条件では投入電力を１００Ｗ以上にする
と材料破壊を起こすような強力な接着強度が得られるこ
とがわかる。
法により、得られる結果をまとめたものである。すなわ
ち、表１では圧力と照射時間を一定とし、投入電力を変
化させたときに得られるＰＴＦＥ板を前記接着剤を用い
て接着したときの接着強度示しており、圧力５Ｐａ、照
射時間１０分の条件では投入電力を１００Ｗ以上にする
と材料破壊を起こすような強力な接着強度が得られるこ
とがわかる。
【００２０】また、表２は、投入電力を１００Ｗ、照射
時間を１０分とした際に圧力を変化させると、圧力４Ｐ
ａ以上のときに材料破壊を生じる接着強度が得られるこ
とを示しており、表３は、圧力を１０Ｐａ、投入電力を
１００Ｗとした際に照射時間を変化させると、照射時間
１０分以上のときに材料破壊が生ずる接着強度が得られ
ることを示している。
時間を１０分とした際に圧力を変化させると、圧力４Ｐ
ａ以上のときに材料破壊を生じる接着強度が得られるこ
とを示しており、表３は、圧力を１０Ｐａ、投入電力を
１００Ｗとした際に照射時間を変化させると、照射時間
１０分以上のときに材料破壊が生ずる接着強度が得られ
ることを示している。
【００２１】本実施例では、フッ素樹脂成形品１として
ＰＴＦＥ板を挙げたが、本発明の方法は他のＣ−Ｆ結合
を有するフッ素樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレ
ン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）等に
対しても同等の効果を挙げることが可能であるし、その
形状も、板に限らず棒やシート状のものでも何等その接
着性向上効果に影響を与えない。
ＰＴＦＥ板を挙げたが、本発明の方法は他のＣ−Ｆ結合
を有するフッ素樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレ
ン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）等に
対しても同等の効果を挙げることが可能であるし、その
形状も、板に限らず棒やシート状のものでも何等その接
着性向上効果に影響を与えない。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明のフッ素樹脂成形
品の表面処理方法によれば、フッ素樹脂成形品の表面を
効率よく化学的に改質するとともに、物理的に改質でき
るので、その接着時の強度を著しく向上させ、引張り試
験した場合に材料破壊を生じる程度の接着強度を得るこ
とができる。
品の表面処理方法によれば、フッ素樹脂成形品の表面を
効率よく化学的に改質するとともに、物理的に改質でき
るので、その接着時の強度を著しく向上させ、引張り試
験した場合に材料破壊を生じる程度の接着強度を得るこ
とができる。
【図１】本発明の実施例で用いた高周波スパッタリング
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図２】表面処理無しのＰＴＦＥ板（ａ）と本発明の表
面処理をしたＰＴＦＥ板（ｂ）との表面のＳＥＭによる
外観写真の結果を示す図である。
面処理をしたＰＴＦＥ板（ｂ）との表面のＳＥＭによる
外観写真の結果を示す図である。
【図３】表面処理無しのＰＴＦＥ板（ａ）と本発明の表
面処理をしたＰＴＦＥ板（ｂ）とのＸＰＳによる表面分
析結果を示すグラフである。
面処理をしたＰＴＦＥ板（ｂ）とのＸＰＳによる表面分
析結果を示すグラフである。
１ フッ素樹脂成形品 ２ ターゲット ３ 真空槽 ４ 高周波電源
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】ここで、ターゲット２の設置位置に直接フ
ッ素樹脂成形品１を設置すると、高周波放電が安定しな
いが、ターゲット２を設置して、その上にフッ素樹脂成
形品１を載せると高周波放電が安定するため、本発明の
方法では市販のターゲット２を設置して、その上にフッ
素樹脂成形品１を載せる。ここで、ＳｉＯ２ 以外のター
ゲット材料では前記条件において、Ａｒイオンがターゲ
ット２に衝突する際にターゲット２自身がスパッタリン
グされ、表面改質を行うべきフッ素樹脂成形品１の表面
に付着して薄膜を形成するので好ましくない。
ッ素樹脂成形品１を設置すると、高周波放電が安定しな
いが、ターゲット２を設置して、その上にフッ素樹脂成
形品１を載せると高周波放電が安定するため、本発明の
方法では市販のターゲット２を設置して、その上にフッ
素樹脂成形品１を載せる。ここで、ＳｉＯ２ 以外のター
ゲット材料では前記条件において、Ａｒイオンがターゲ
ット２に衝突する際にターゲット２自身がスパッタリン
グされ、表面改質を行うべきフッ素樹脂成形品１の表面
に付着して薄膜を形成するので好ましくない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】ここで、図３においては、（ａ），（ｂ）
ともに横軸が電子の結合エネルギー、縦軸が光電子の強
度を示す。なお、横軸の結合エネルギーは、結合エネル
ギーが、２７６ｅＶ〜２９７ｅＶの炭素原子（Ｃ）の結
合エネルギーを示す範囲を載せてある。さらに、図３
（ａ），（ｂ）において、左側のピークはＣ−Ｆの結合
を示し、右側のピークはＣ−Ｃの結合を示す（（ｂ）は
Ｃ−Ｃ結合を示すピークの左側が拡がっており、Ｃ−Ｏ
結合（２８６．７ｅＶ付近にピークが存在する）存在を
示唆している）。
ともに横軸が電子の結合エネルギー、縦軸が光電子の強
度を示す。なお、横軸の結合エネルギーは、結合エネル
ギーが、２７６ｅＶ〜２９７ｅＶの炭素原子（Ｃ）の結
合エネルギーを示す範囲を載せてある。さらに、図３
（ａ），（ｂ）において、左側のピークはＣ−Ｆの結合
を示し、右側のピークはＣ−Ｃの結合を示す（（ｂ）は
Ｃ−Ｃ結合を示すピークの左側が拡がっており、Ｃ−Ｏ
結合（２８６．７ｅＶ付近にピークが存在する）存在を
示唆している）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【表２】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】
【表３】
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波スパッタリング装置のターゲット
位置にＳｉＯ2 ターゲットを設置し、その上にフッ素樹
脂成形品を載せた後、該スパッタリング装置の真空槽内
にアルゴンガスを４〜１０Ｐａ導入し、高周波発振器へ
の投入電力を１００Ｗ以上に設定して高周波放電を起こ
し、該フッ素樹脂成形品の表面にアルゴンイオンを１０
分以上衝突させることを特徴とするフッ素樹脂成形品の
表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10734093A JPH06298971A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | フッ素樹脂成形品の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10734093A JPH06298971A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | フッ素樹脂成形品の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06298971A true JPH06298971A (ja) | 1994-10-25 |
Family
ID=14456576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10734093A Withdrawn JPH06298971A (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | フッ素樹脂成形品の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06298971A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997008229A1 (fr) * | 1995-08-24 | 1997-03-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Film fluore, stratifie fabrique avec ce film et procede de production du stratifie |
| WO1998044026A1 (fr) * | 1997-03-28 | 1998-10-08 | Asahi Glass Company Ltd. | Films de resine fluoree, stratifies obtenus a partir dudit materiau, et procede de production desdits stratifies |
| US7776736B2 (en) * | 2004-05-11 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate for electronic device capable of suppressing fluorine atoms exposed at the surface of insulating film from reacting with water and method for processing same |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP10734093A patent/JPH06298971A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997008229A1 (fr) * | 1995-08-24 | 1997-03-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Film fluore, stratifie fabrique avec ce film et procede de production du stratifie |
| WO1998044026A1 (fr) * | 1997-03-28 | 1998-10-08 | Asahi Glass Company Ltd. | Films de resine fluoree, stratifies obtenus a partir dudit materiau, et procede de production desdits stratifies |
| US7776736B2 (en) * | 2004-05-11 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate for electronic device capable of suppressing fluorine atoms exposed at the surface of insulating film from reacting with water and method for processing same |
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