JPH06298711A - 光学活性な２，３−ジヒドロ−１ｈ−インデン誘導体の製造法 - Google Patents
光学活性な２，３−ジヒドロ−１ｈ−インデン誘導体の製造法Info
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- JPH06298711A JPH06298711A JP5085008A JP8500893A JPH06298711A JP H06298711 A JPH06298711 A JP H06298711A JP 5085008 A JP5085008 A JP 5085008A JP 8500893 A JP8500893 A JP 8500893A JP H06298711 A JPH06298711 A JP H06298711A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、光学活性な２，３−ジヒドロ−１
Ｈ−インデン誘導体又はその塩を、好収率で純度よく製
造し得る方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の方法は、一般式 【化１】 ［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ低級アル
キル基を示す。Ａは基 【化２】 を示す。Ｒ5 はフェニル環上に置換基として低級アルキ
ル基及び低級アルコキシ基からなる群より選ばれる基を
有することのあるフェニル基を示す。］で表わされる
２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
を、二酸化白金又はパラジウム−炭素を用いて接触水素
添加するものである。
Ｈ−インデン誘導体又はその塩を、好収率で純度よく製
造し得る方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の方法は、一般式 【化１】 ［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ低級アル
キル基を示す。Ａは基 【化２】 を示す。Ｒ5 はフェニル環上に置換基として低級アルキ
ル基及び低級アルコキシ基からなる群より選ばれる基を
有することのあるフェニル基を示す。］で表わされる
２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
を、二酸化白金又はパラジウム−炭素を用いて接触水素
添加するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学活性な２，３−ジ
ヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩の製造法に関
する。
ヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩の製造法に関
する。
【０００２】
【発明の開示】一般式
【０００３】
【化１４】
【０００４】［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれ
ぞれ低級アルキル基を示す。Ｒ6 は基
ぞれ低級アルキル基を示す。Ｒ6 は基
【０００５】
【化１５】
【０００６】を示す。Ｒ5 はフェニル環上に置換基とし
て低級アルキル基及び低級アルコキシ基からなる群より
選ばれる基を有することのあるフェニル基を示す。］で
表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデ
ン誘導体又はその塩及び一般式
て低級アルキル基及び低級アルコキシ基からなる群より
選ばれる基を有することのあるフェニル基を示す。］で
表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデ
ン誘導体又はその塩及び一般式
【０００７】
【化１６】
【０００８】［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記
に同じ。Ｒ7 は基
に同じ。Ｒ7 は基
【０００９】
【化１７】
【００１０】を示す。Ｒ5 は前記に同じ。］で表わされ
る光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体
又はその塩は、低酸素症改善剤や抗酸化剤として有用な
公知の一般式
る光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体
又はその塩は、低酸素症改善剤や抗酸化剤として有用な
公知の一般式
【００１１】
【化１８】
【００１２】［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記
に同じ。Ｒ8 は基
に同じ。Ｒ8 は基
【００１３】
【化１９】
【００１４】を示す。］で表わされる光学活性な２，３
−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体（特開昭６０−１９
９８６２号公報）の合成中間体として有用な化合物であ
る。
−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体（特開昭６０−１９
９８６２号公報）の合成中間体として有用な化合物であ
る。
【００１５】本発明の目的は、上記一般式（１）及び
（２）で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ
−インデン誘導体又はその塩を、好収率で純度よく製造
し得る方法を提供することにある。
（２）で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ
−インデン誘導体又はその塩を、好収率で純度よく製造
し得る方法を提供することにある。
【００１６】本発明によれば、上記一般式（１）で表わ
される光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘
導体又はその塩は、一般式
される光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘
導体又はその塩は、一般式
【００１７】
【化２０】
【００１８】［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記
に同じ。Ａは基
に同じ。Ａは基
【００１９】
【化２１】
【００２０】を示す。Ｒ5 は前記に同じ。］で表わされ
る２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
を、二酸化白金を用いて接触水素添加することにより製
造される。
る２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
を、二酸化白金を用いて接触水素添加することにより製
造される。
【００２１】また、本発明によれば、上記一般式（２）
で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−イン
デン誘導体又はその塩は、一般式
で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−イン
デン誘導体又はその塩は、一般式
【００２２】
【化２２】
【００２３】［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡは
前記に同じ。］で表わされる２，３−ジヒドロ−１Ｈ−
インデン誘導体又はその塩を、パラジウム−炭素を用い
て接触水素添加することにより製造される。
前記に同じ。］で表わされる２，３−ジヒドロ−１Ｈ−
インデン誘導体又はその塩を、パラジウム−炭素を用い
て接触水素添加することにより製造される。
【００２４】本発明においては、触媒として二酸化白金
又はパラジウム−炭素のいずれかを使用することによ
り、光学活性体のいずれか一方のみを好収率、好純度で
得ることができる。例えばＡが基
又はパラジウム−炭素のいずれかを使用することによ
り、光学活性体のいずれか一方のみを好収率、好純度で
得ることができる。例えばＡが基
【００２５】
【化２３】
【００２６】である一般式（４）の２，３−ジヒドロ−
１Ｈ−インデン誘導体又はその塩を二酸化白金を用いて
接触水素添加すれば、Ｒ6 が
１Ｈ−インデン誘導体又はその塩を二酸化白金を用いて
接触水素添加すれば、Ｒ6 が
【００２７】
【化２４】
【００２８】である一般式（１）で表わされる光学活性
な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
が選択的に製造され、Ａが基
な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
が選択的に製造され、Ａが基
【００２９】
【化２５】
【００３０】である一般式（４）の２，３−ジヒドロ−
１Ｈ−インデン誘導体又はその塩を二酸化白金を用いて
接触水素添加すれば、Ｒ6 が
１Ｈ−インデン誘導体又はその塩を二酸化白金を用いて
接触水素添加すれば、Ｒ6 が
【００３１】
【化２６】
【００３２】である一般式（１）で表わされる光学活性
な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
が選択的に製造される。またＡが基
な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
が選択的に製造される。またＡが基
【００３３】
【化２７】
【００３４】である一般式（４）の２，３−ジヒドロ−
１Ｈ−インデン誘導体又はその塩をパラジウム−炭素を
用いて接触水素添加すれば、Ｒ7 が
１Ｈ−インデン誘導体又はその塩をパラジウム−炭素を
用いて接触水素添加すれば、Ｒ7 が
【００３５】
【化２８】
【００３６】である一般式（２）で表わされる光学活性
な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
が選択的に製造され、Ａが基
な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
が選択的に製造され、Ａが基
【００３７】
【化２９】
【００３８】である一般式（４）の２，３−ジヒドロ−
１Ｈ−インデン誘導体又はその塩をパラジウム−炭素を
用いて接触水素添加すれば、Ｒ7 が
１Ｈ−インデン誘導体又はその塩をパラジウム−炭素を
用いて接触水素添加すれば、Ｒ7 が
【００３９】
【化３０】
【００４０】である一般式（２）で表わされる光学活性
な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
が選択的に製造される。
な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
が選択的に製造される。
【００４１】本明細書において、低級アルキル基は、例
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキ
シル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，
１−ジメチルプロピル、１−メチルブチル、２，２−ジ
メチルプロピル、２，３−ジメチルプロピル、１−メチ
ルペンチル、１，１−ジメチルブチル、１−エチルブチ
ル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状アルキル基を
意味する。
えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキ
シル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，
１−ジメチルプロピル、１−メチルブチル、２，２−ジ
メチルプロピル、２，３−ジメチルプロピル、１−メチ
ルペンチル、１，１−ジメチルブチル、１−エチルブチ
ル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状アルキル基を
意味する。
【００４２】フェニル環上に置換基として低級アルキル
基及び低級アルコキシ基からなる群より選ばれる基を有
することのあるフェニル基は、例えばフェニル、２−メ
チルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニ
ル、２−エチルフェニル、３−エチルフェニル、４−エ
チルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−ヘキシ
ルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメ
チルフェニル、３，４，５−トリメチルフェニル、２−
メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキ
シフェニル、２−エトキシフェニル、３−エトキシフェ
ニル、４−エトキシフェニル、４−イソプロポキシフェ
ニル、４−ヘキシルオキシフェニル、３，４−ジメトキ
シフェニル、３，４−ジエトキシフェニル、３，４，５
−トリメトキシフェニル、２，５−ジメトキシフェニ
ル、３−メチル−４−メトキシフェニル基等のフェニル
環上に置換基として炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状ア
ルキル基及び炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状アルコキ
シ基からなる群より選ばれる基を１〜３個有することの
あるフェニル基を意味する。
基及び低級アルコキシ基からなる群より選ばれる基を有
することのあるフェニル基は、例えばフェニル、２−メ
チルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニ
ル、２−エチルフェニル、３−エチルフェニル、４−エ
チルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−ヘキシ
ルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメ
チルフェニル、３，４，５−トリメチルフェニル、２−
メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキ
シフェニル、２−エトキシフェニル、３−エトキシフェ
ニル、４−エトキシフェニル、４−イソプロポキシフェ
ニル、４−ヘキシルオキシフェニル、３，４−ジメトキ
シフェニル、３，４−ジエトキシフェニル、３，４，５
−トリメトキシフェニル、２，５−ジメトキシフェニ
ル、３−メチル−４−メトキシフェニル基等のフェニル
環上に置換基として炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状ア
ルキル基及び炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状アルコキ
シ基からなる群より選ばれる基を１〜３個有することの
あるフェニル基を意味する。
【００４３】低級アルコキシ基は、例えばメトキシ、エ
トキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキ
シ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘ
キシルオキシ基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状ア
ルコキシ基を意味する。
トキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキ
シ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘ
キシルオキシ基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状ア
ルコキシ基を意味する。
【００４４】本発明において、出発原料として用いられ
る一般式（４）の２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘
導体は、例えば下記反応式−１に示す方法に従い容易に
製造される。
る一般式（４）の２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘
導体は、例えば下記反応式−１に示す方法に従い容易に
製造される。
【００４５】
【化３１】
【００４６】［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡは
前記に同じ。］ 公知の一般式（６）の化合物とアミン（７）との反応
は、適当な不活性溶媒中、塩基性化合物の存在下又は不
存在下に行なわれる。この際使用される塩基性化合物と
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等の無機塩基、ピペリジン、ピリジ
ン、トリエチルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．
３．０］ノネン−５、１，８−ジアザビシクロ［５．
４．０］ウンデセン−７、１，４−ジアザビシクロ
［２．２．２］オクタン等の有機塩基等が挙げられる。
使用される不活性溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさ
ないものであればいずれでもよいが、例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノール等の低級アルコール
類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホル
ム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン
酸トリアミド等が挙げられる。アミン（７）の使用量
は、化合物（６）に対して通常少なくとも等モル量、好
ましくは等モル〜２倍モル量とするのがよい。反応温度
は−２０〜１００℃、好ましくは０〜７０℃とするのが
よく、一般に１〜７時間程度で反応は終了する。該反応
の反応系内に四塩化チタンを添加すると、反応は有利に
進行する。斯くして一般式（４）で表わされる２，３−
ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体が製造される。
前記に同じ。］ 公知の一般式（６）の化合物とアミン（７）との反応
は、適当な不活性溶媒中、塩基性化合物の存在下又は不
存在下に行なわれる。この際使用される塩基性化合物と
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等の無機塩基、ピペリジン、ピリジ
ン、トリエチルアミン、１，５−ジアザビシクロ［４．
３．０］ノネン−５、１，８−ジアザビシクロ［５．
４．０］ウンデセン−７、１，４−ジアザビシクロ
［２．２．２］オクタン等の有機塩基等が挙げられる。
使用される不活性溶媒としては、反応に悪影響を及ぼさ
ないものであればいずれでもよいが、例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロパノール等の低級アルコール
類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホル
ム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン
酸トリアミド等が挙げられる。アミン（７）の使用量
は、化合物（６）に対して通常少なくとも等モル量、好
ましくは等モル〜２倍モル量とするのがよい。反応温度
は−２０〜１００℃、好ましくは０〜７０℃とするのが
よく、一般に１〜７時間程度で反応は終了する。該反応
の反応系内に四塩化チタンを添加すると、反応は有利に
進行する。斯くして一般式（４）で表わされる２，３−
ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体が製造される。
【００４７】一般式（４）で表わされる２，３−ジヒド
ロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩の接触水素添加
は、二酸化白金又はパラジウム−炭素の存在下、適当な
溶媒中で行なわれる。使用される溶媒としては、例えば
水、酢酸、メタノール、エタノール、イソプロパノール
等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化
水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエ
ーテル類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジ
メチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒又はこれ
らの混合溶媒等が挙げられる。これらの溶媒の中でもメ
タノール、エタノール等のアルコール類が特に好まし
い。また触媒として用いられる二酸化白金又はパラジウ
ム−炭素の使用量としては、化合物（４）に対して一般
に０．０２〜１倍量程度とするのがよい。反応温度は通
常−２０〜１００℃付近、好ましくは０〜４０℃付近、
水素圧は通常１〜５０気圧とするのがよく、該反応は一
般に０．５〜１０時間程度で終了する。斯くして一般式
（１）又は（２）で表わされる光学活性な２，３−ジヒ
ドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩が製造される。
ロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩の接触水素添加
は、二酸化白金又はパラジウム−炭素の存在下、適当な
溶媒中で行なわれる。使用される溶媒としては、例えば
水、酢酸、メタノール、エタノール、イソプロパノール
等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化
水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエ
ーテル類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジ
メチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒又はこれ
らの混合溶媒等が挙げられる。これらの溶媒の中でもメ
タノール、エタノール等のアルコール類が特に好まし
い。また触媒として用いられる二酸化白金又はパラジウ
ム−炭素の使用量としては、化合物（４）に対して一般
に０．０２〜１倍量程度とするのがよい。反応温度は通
常−２０〜１００℃付近、好ましくは０〜４０℃付近、
水素圧は通常１〜５０気圧とするのがよく、該反応は一
般に０．５〜１０時間程度で終了する。斯くして一般式
（１）又は（２）で表わされる光学活性な２，３−ジヒ
ドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩が製造される。
【００４８】上記接触水素添加反応において、触媒とし
てパラジウム−炭素を用いた場合、上記反応条件下に一
部が一般式（３）の光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ
−インデン誘導体又はその塩に還元されることもある
が、この化合物は容易に分離可能である。
てパラジウム−炭素を用いた場合、上記反応条件下に一
部が一般式（３）の光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ
−インデン誘導体又はその塩に還元されることもある
が、この化合物は容易に分離可能である。
【００４９】斯くして得られた一般式（１）又は（２）
で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−イン
デン誘導体は、例えば下記反応式−２に示す方法に従い
容易に好収率、好純度で一般式（３）で表わされる光学
活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体に誘導
することができる。従って、本発明の方法を用いれば、
一般式（３）で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ
−１Ｈ−インデン誘導体を、光学分割の如き煩雑な手段
を用いることなく、好収率、好純度で得ることができ
る。
で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−イン
デン誘導体は、例えば下記反応式−２に示す方法に従い
容易に好収率、好純度で一般式（３）で表わされる光学
活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体に誘導
することができる。従って、本発明の方法を用いれば、
一般式（３）で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ
−１Ｈ−インデン誘導体を、光学分割の如き煩雑な手段
を用いることなく、好収率、好純度で得ることができ
る。
【００５０】
【化３２】
【００５１】［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ6 、
Ｒ7 及びＲ8 は前記に同じ。］ 一般式（１）又は（２）の化合物の還元は、通常の接触
水素添加により行ない得る。ここで用いられる溶媒とし
ては、例えば水、酢酸、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキ
サン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸メチル等の
エステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極
性溶媒又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。また用い
られる触媒としては、例えばパラジウム、パラジウム−
黒、パラジウム−炭素、水酸化パラジウム−炭素、白
金、酸化白金、亜クロム酸銅、ラネーニッケル等が用い
られる。斯かる触媒の使用量としては、化合物（１）又
は（２）に対して一般に０．０２〜１倍量程度とするの
がよい。反応温度は通常−２０〜１００℃付近、好まし
くは０〜７０℃付近、水素圧は通常１〜１０気圧とする
のがよく、該反応は一般に０．５〜２０時間程度で終了
する。
Ｒ7 及びＲ8 は前記に同じ。］ 一般式（１）又は（２）の化合物の還元は、通常の接触
水素添加により行ない得る。ここで用いられる溶媒とし
ては、例えば水、酢酸、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキ
サン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸メチル等の
エステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極
性溶媒又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。また用い
られる触媒としては、例えばパラジウム、パラジウム−
黒、パラジウム−炭素、水酸化パラジウム−炭素、白
金、酸化白金、亜クロム酸銅、ラネーニッケル等が用い
られる。斯かる触媒の使用量としては、化合物（１）又
は（２）に対して一般に０．０２〜１倍量程度とするの
がよい。反応温度は通常−２０〜１００℃付近、好まし
くは０〜７０℃付近、水素圧は通常１〜１０気圧とする
のがよく、該反応は一般に０．５〜２０時間程度で終了
する。
【００５２】本発明では、上記で製造される一般式
（１）又は（２）の光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ
−インデン誘導体を常法に従って酸処理することによ
り、対応する化合物の塩とすることができる。用いられ
る酸としては、例えば塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸
等の無機酸、蓚酸、酒石酸、安息香酸、トルエンスルホ
ン酸、メタンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
（１）又は（２）の光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ
−インデン誘導体を常法に従って酸処理することによ
り、対応する化合物の塩とすることができる。用いられ
る酸としては、例えば塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸
等の無機酸、蓚酸、酒石酸、安息香酸、トルエンスルホ
ン酸、メタンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
【００５３】斯くして得られる一般式（１）又は（２）
で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−イン
デン誘導体及びその塩は、通常の分離手段により反応混
合物から容易に単離精製することができる。該分離手段
としては、例えば溶媒抽出法、希釈法、再結晶法、カラ
ムクロマトグラフィー、プレパラティブ薄層クロマトグ
ラフィー等を挙げることができる。
で表わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−イン
デン誘導体及びその塩は、通常の分離手段により反応混
合物から容易に単離精製することができる。該分離手段
としては、例えば溶媒抽出法、希釈法、再結晶法、カラ
ムクロマトグラフィー、プレパラティブ薄層クロマトグ
ラフィー等を挙げることができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明の方法によれば、触媒を使い分け
ることにより、目的とする一般式（１）又は（２）で表
わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン
誘導体及びその塩の一方のみを、安全且つ簡便な操作
で、しかも穏和な反応条件下に、好収率、好純度で製造
し得る。
ることにより、目的とする一般式（１）又は（２）で表
わされる光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン
誘導体及びその塩の一方のみを、安全且つ簡便な操作
で、しかも穏和な反応条件下に、好収率、好純度で製造
し得る。
【００５５】
【実施例】以下に参考例及び実施例を掲げて本発明をよ
り一層明らかにする。
り一層明らかにする。
【００５６】参考例１ ７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ
−インデン−１−オン０．８１６ｇ、（Ｒ）−１−フェ
ニルエチルアミン０．４８５ｇ及びトリエチルアミン
１．５６ｍｌの塩化メチレン２０ｍｌ溶液に、氷冷下四
塩化チタン０．３６ｍｌを滴下した。室温で４時間攪拌
後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出液；ジクロロエタン、次
いでジクロロエタン：酢酸エチル＝２５：２）にて精製
後、ｎ−ヘキサンにて結晶化して１−（（Ｒ）−１−フ
ェニルエチル）イミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，
６−テトラメチル−１Ｈ−インデン０．７７ｇを得た。
−インデン−１−オン０．８１６ｇ、（Ｒ）−１−フェ
ニルエチルアミン０．４８５ｇ及びトリエチルアミン
１．５６ｍｌの塩化メチレン２０ｍｌ溶液に、氷冷下四
塩化チタン０．３６ｍｌを滴下した。室温で４時間攪拌
後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出液；ジクロロエタン、次
いでジクロロエタン：酢酸エチル＝２５：２）にて精製
後、ｎ−ヘキサンにて結晶化して１−（（Ｒ）−１−フ
ェニルエチル）イミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，
６−テトラメチル−１Ｈ−インデン０．７７ｇを得た。
【００５７】黄色柱状晶 融点：６６−６８℃ ［α］D 23＝−２２８．７゜（ｃ＝１．０，クロロホル
ム）1 Ｈ−ＮＨＲ（ＣＤＣｌ3 ）δｐｐｍ：１．３４（３
Ｈ，ｓ）、１．５４（３Ｈ，ｓ）、１．５８（３Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．４１Ｈｚ）、２．１０（３Ｈ，ｓ）、２．
２３（３Ｈ，ｓ）、２．７９（２Ｈ，ｓ）、５．２８
（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、６．９５（１Ｈ，
ｓ）、７．２０−７．４３（５Ｈ，ｍ）、１３．０５
（１Ｈ，ｂｒｓ）。
ム）1 Ｈ−ＮＨＲ（ＣＤＣｌ3 ）δｐｐｍ：１．３４（３
Ｈ，ｓ）、１．５４（３Ｈ，ｓ）、１．５８（３Ｈ，
ｄ，Ｊ＝６．４１Ｈｚ）、２．１０（３Ｈ，ｓ）、２．
２３（３Ｈ，ｓ）、２．７９（２Ｈ，ｓ）、５．２８
（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、６．９５（１Ｈ，
ｓ）、７．２０−７．４３（５Ｈ，ｍ）、１３．０５
（１Ｈ，ｂｒｓ）。
【００５８】参考例２ ７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ
−インデン−１−オン０．８１６ｇ、（Ｓ）−１−フェ
ニルエチルアミン０．４８５ｇ及びトリエチルアミン
１．５６ｍｌの塩化メチレン２０ｍｌ溶液に、氷冷下四
塩化チタン０．３６ｍｌを滴下した。室温で４時間攪拌
後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出液；ジクロロエタン、次
いでジクロロエタン：酢酸エチル＝２５：２）にて精製
して１−（（Ｓ）−１−フェニルエチル）イミノ−７−
ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−イ
ンデン０．７６ｇを得た。
−インデン−１−オン０．８１６ｇ、（Ｓ）−１−フェ
ニルエチルアミン０．４８５ｇ及びトリエチルアミン
１．５６ｍｌの塩化メチレン２０ｍｌ溶液に、氷冷下四
塩化チタン０．３６ｍｌを滴下した。室温で４時間攪拌
後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出液；ジクロロエタン、次
いでジクロロエタン：酢酸エチル＝２５：２）にて精製
して１−（（Ｓ）−１−フェニルエチル）イミノ−７−
ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−イ
ンデン０．７６ｇを得た。
【００５９】参考例３ （Ｓ）−１−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）アミノ−
７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ
−インデン１２７ｍｇをエタノール５ｍｌに溶解後、１
０％水酸化パラジウム−炭素１２．７ｍｇを添加し、水
素雰囲気下（４．６ｋｇ／ｃｍ2 ）、室温にて１７時間
水素添加した。触媒を濾去後、溶媒を留去し、得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液；
ジクロロエタン、次いでジクロロエタン：メタノール＝
５０：１）にて精製して（Ｓ）−（−）−１−アミノ−
７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ
−インデン６８．１ｍｇを得た。
７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ
−インデン１２７ｍｇをエタノール５ｍｌに溶解後、１
０％水酸化パラジウム−炭素１２．７ｍｇを添加し、水
素雰囲気下（４．６ｋｇ／ｃｍ2 ）、室温にて１７時間
水素添加した。触媒を濾去後、溶媒を留去し、得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液；
ジクロロエタン、次いでジクロロエタン：メタノール＝
５０：１）にて精製して（Ｓ）−（−）−１−アミノ−
７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ
−インデン６８．１ｍｇを得た。
【００６０】淡黄色結晶（ｎ−ヘキサンより再結晶） 融点：１１０−１１０．５℃ ［α］D 23＝−２６．５゜（ｃ＝１．０，クロロホル
ム） 光学純度：８８．３％ｅ．ｅ．（光学活性カラムを用い
る高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定、
ＨＰＬＣ条件は次の通りである。カラム；ＣＨＩＲＡＬ
ＣＥＬ ＯＪ．２５ｃｍ×０．４６ｃｍ（ダイセル化学
工業社製）、溶出液；ｎ−ヘキサン：イソプロピルアル
コール：ジエチルアミン＝９５０：５０：１、ＵＶ；２
８０ｎｍ、リテンションタイム；８．０分、流量；１．
０ｍｌ／分）。
ム） 光学純度：８８．３％ｅ．ｅ．（光学活性カラムを用い
る高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定、
ＨＰＬＣ条件は次の通りである。カラム；ＣＨＩＲＡＬ
ＣＥＬ ＯＪ．２５ｃｍ×０．４６ｃｍ（ダイセル化学
工業社製）、溶出液；ｎ−ヘキサン：イソプロピルアル
コール：ジエチルアミン＝９５０：５０：１、ＵＶ；２
８０ｎｍ、リテンションタイム；８．０分、流量；１．
０ｍｌ／分）。
【００６１】参考例４ 出発原料として（Ｒ）−１−（（Ｒ）−１−フェニルエ
チル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テト
ラメチル−１Ｈ−インデンを用い、触媒として１０％パ
ラジウム−炭素を用い、参考例３と同様に接触水素添加
して、（Ｒ）−（＋）−１−アミノ−７−ヒドロキシ−
２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデンを得
た。
チル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テト
ラメチル−１Ｈ−インデンを用い、触媒として１０％パ
ラジウム−炭素を用い、参考例３と同様に接触水素添加
して、（Ｒ）−（＋）−１−アミノ−７−ヒドロキシ−
２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデンを得
た。
【００６２】淡黄色結晶（ｎ−ヘキサンより再結晶） 融点：１１０−１１０．５℃ ［α］D 23＝２７．５゜（ｃ＝１．０，クロロホルム） ［α］D ＝ 光学純度：９２％ｅ．ｅ．（光学活性カラムを用いる高
速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定、ＨＰ
ＬＣ条件はリテンションタイムを１１．８分とする以外
は参考例３と同じである。）。
速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定、ＨＰ
ＬＣ条件はリテンションタイムを１１．８分とする以外
は参考例３と同じである。）。
【００６３】参考例５ 出発原料として（Ｓ）−１−（（Ｓ）−１−フェニルエ
チル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テト
ラメチル−１Ｈ−インデンを用い、参考例３と同様に接
触水素添加して、（Ｓ）−（−）−１−アミノ−７−ヒ
ドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−イン
デンを得た。
チル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テト
ラメチル−１Ｈ−インデンを用い、参考例３と同様に接
触水素添加して、（Ｓ）−（−）−１−アミノ−７−ヒ
ドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−イン
デンを得た。
【００６４】淡黄色結晶（ｎ−ヘキサンより再結晶） 融点：１１０−１１０．５℃ ［α］D 23＝−２７．０゜（ｃ＝１．０，クロロホル
ム） 光学純度：９０％ｅ．ｅ．（光学活性カラムを用いる高
速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定、ＨＰ
ＬＣ条件はリテンションタイムを８．０分とする以外は
参考例３と同じである。）。
ム） 光学純度：９０％ｅ．ｅ．（光学活性カラムを用いる高
速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定、ＨＰ
ＬＣ条件はリテンションタイムを８．０分とする以外は
参考例３と同じである。）。
【００６５】参考例６ 出発原料として（Ｒ）−１−（（Ｓ）−１−フェニルエ
チル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テト
ラメチル−１Ｈ−インデンを用い、参考例３と同様に接
触水素添加して、（Ｒ）−（＋）−１−アミノ−７−ヒ
ドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−イン
デンを得た。
チル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テト
ラメチル−１Ｈ−インデンを用い、参考例３と同様に接
触水素添加して、（Ｒ）−（＋）−１−アミノ−７−ヒ
ドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−イン
デンを得た。
【００６６】淡黄色結晶（ｎ−ヘキサンより再結晶） 融点：１１０−１１０．５℃ ［α］D 23＝２６．４゜（ｃ＝１．０，クロロホルム） 光学純度：８８．１％ｅ．ｅ．（光学活性カラムを用い
る高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定、
ＨＰＬＣ条件はリテンションタイムを１１．８分とする
以外は参考例３と同じである。）。
る高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）にて測定、
ＨＰＬＣ条件はリテンションタイムを１１．８分とする
以外は参考例３と同じである。）。
【００６７】実施例１ １−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）イミノ−７−ヒド
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン２．５７ｇをエタノール１００ｍｌに溶解後、二酸化
白金１２９ｍｇを添加し、オートクレーブ中、水素雰囲
気下（４．２ｋｇ／ｃｍ2 ）、２７〜３４℃にて４時間
水素添加した。触媒を濾去後、溶媒を留去して（Ｓ）−
１−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）アミノ−７−ヒド
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン２．６２ｇを得た。
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン２．５７ｇをエタノール１００ｍｌに溶解後、二酸化
白金１２９ｍｇを添加し、オートクレーブ中、水素雰囲
気下（４．２ｋｇ／ｃｍ2 ）、２７〜３４℃にて４時間
水素添加した。触媒を濾去後、溶媒を留去して（Ｓ）−
１−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）アミノ−７−ヒド
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン２．６２ｇを得た。
【００６８】黄色粘稠油状 ［α］D 23＝−８４．０゜（ｃ＝１．０，クロロホル
ム）（９６％ｄ．ｅ．＊） ＊：ｄ．ｅ．は、（Ｓ）−１−（（Ｒ）−１−フェニル
エチル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テ
トラメチル−１Ｈ−インデンのＮＭＲデータ中の４．４
８（１Ｈ，ｓ）と、（Ｒ）−１−（（Ｒ）−１−フェニ
ルエチル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−
テトラメチル−１Ｈ−インデンのＮＭＲデータ中の３．
３９（１Ｈ，ｓ）のピークの比より求めた。以下同じ。
ム）（９６％ｄ．ｅ．＊） ＊：ｄ．ｅ．は、（Ｓ）−１−（（Ｒ）−１−フェニル
エチル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テ
トラメチル−１Ｈ−インデンのＮＭＲデータ中の４．４
８（１Ｈ，ｓ）と、（Ｒ）−１−（（Ｒ）−１−フェニ
ルエチル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−
テトラメチル−１Ｈ−インデンのＮＭＲデータ中の３．
３９（１Ｈ，ｓ）のピークの比より求めた。以下同じ。
【００６９】1 Ｈ−ＮＨＲ（ＣＤＣｌ3 ）δｐｐｍ：
０．９４（３Ｈ，ｓ）、１．４５（３Ｈ，ｓ）、１．５
４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、２．０７（３Ｈ，
ｓ）、２．１８（３Ｈ，ｓ）、２．５１（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１５．６Ｈｚ）、２．６３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．６
Ｈｚ）、４．１８（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、４．
４８（１Ｈ，ｓ）、６．７４（１Ｈ，ｓ）、７．２０−
７．４０（５Ｈ，ｍ）、１０．００（１Ｈ，ｂｒｓ）。
０．９４（３Ｈ，ｓ）、１．４５（３Ｈ，ｓ）、１．５
４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、２．０７（３Ｈ，
ｓ）、２．１８（３Ｈ，ｓ）、２．５１（１Ｈ，ｄ，Ｊ
＝１５．６Ｈｚ）、２．６３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１５．６
Ｈｚ）、４．１８（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、４．
４８（１Ｈ，ｓ）、６．７４（１Ｈ，ｓ）、７．２０−
７．４０（５Ｈ，ｍ）、１０．００（１Ｈ，ｂｒｓ）。
【００７０】実施例２ １−（（Ｒ）−１−フェニルエチル）イミノ−７−ヒド
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン１１２ｍｇをエタノール５ｍｌに溶解後、１０％パラ
ジウム−炭素２１．２ｍｇを添加し、オートクレーブ
中、水素雰囲気下（４．５ｋｇ／ｃｍ2 ）、室温にて３
時間水素添加した。触媒を濾去後、溶媒を留去し、得ら
れた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出
液；ジクロロエタン、次いで酢酸エチル）にて精製し
て、４５．９ｍｇの（Ｒ）−１−（（Ｒ）−１−フェニ
ルエチル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−
テトラメチル−１Ｈ−インデン（Ａ）及び２７．３ｍｇ
の（Ｒ）−（＋）−１−アミノ−７−ヒドロキシ−２，
２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデン（Ｂ）を得
た。
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン１１２ｍｇをエタノール５ｍｌに溶解後、１０％パラ
ジウム−炭素２１．２ｍｇを添加し、オートクレーブ
中、水素雰囲気下（４．５ｋｇ／ｃｍ2 ）、室温にて３
時間水素添加した。触媒を濾去後、溶媒を留去し、得ら
れた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出
液；ジクロロエタン、次いで酢酸エチル）にて精製し
て、４５．９ｍｇの（Ｒ）−１−（（Ｒ）−１−フェニ
ルエチル）アミノ−７−ヒドロキシ−２，２，４，６−
テトラメチル−１Ｈ−インデン（Ａ）及び２７．３ｍｇ
の（Ｒ）−（＋）−１−アミノ−７−ヒドロキシ−２，
２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデン（Ｂ）を得
た。
【００７１】（Ａ）の物性； 黄色粘稠油状 ［α］D 23＝−４０．９゜（ｃ＝１．０，クロロホル
ム）（９５％ｄ．ｅ．＊）1 Ｈ−ＮＨＲ（ＣＤＣｌ3 ）
δｐｐｍ：１．０５（３Ｈ，ｓ）、１．３７（３Ｈ，
ｓ）、１．４２（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、２．０
３（３Ｈ，ｓ）、２．１６（３Ｈ，ｓ）、２．４７（２
Ｈ，ｓ）、３．９９（１Ｈ，ｓ）、４．２２（１Ｈ，
ｑ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、６．７０（１Ｈ，ｓ）、７．２
０−７．４４（５Ｈ，ｍ）、１０．３５（１Ｈ，ｂｒ
ｓ） （Ｂ）の物性； 淡黄色結晶 融点：１１０−１１０．５℃。
ム）（９５％ｄ．ｅ．＊）1 Ｈ−ＮＨＲ（ＣＤＣｌ3 ）
δｐｐｍ：１．０５（３Ｈ，ｓ）、１．３７（３Ｈ，
ｓ）、１．４２（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、２．０
３（３Ｈ，ｓ）、２．１６（３Ｈ，ｓ）、２．４７（２
Ｈ，ｓ）、３．９９（１Ｈ，ｓ）、４．２２（１Ｈ，
ｑ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、６．７０（１Ｈ，ｓ）、７．２
０−７．４４（５Ｈ，ｍ）、１０．３５（１Ｈ，ｂｒ
ｓ） （Ｂ）の物性； 淡黄色結晶 融点：１１０−１１０．５℃。
【００７２】実施例３ １−（（Ｓ）−１−フェニルエチル）イミノ−７−ヒド
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン２．５７ｇをエタノール１００ｍｌに溶解後、二酸化
白金１２９ｍｇを添加し、オートクレーブ中、水素雰囲
気下（４．２ｋｇ／ｃｍ2 ）、室温にて４時間水素添加
した。触媒を濾去後、溶媒を留去して（Ｒ）−１−
（（Ｓ）−１−フェニルエチル）アミノ−７−ヒドロキ
シ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデン
２．６ｇを得た。
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン２．５７ｇをエタノール１００ｍｌに溶解後、二酸化
白金１２９ｍｇを添加し、オートクレーブ中、水素雰囲
気下（４．２ｋｇ／ｃｍ2 ）、室温にて４時間水素添加
した。触媒を濾去後、溶媒を留去して（Ｒ）−１−
（（Ｓ）−１−フェニルエチル）アミノ−７−ヒドロキ
シ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデン
２．６ｇを得た。
【００７３】実施例４ １−（（Ｓ）−１−フェニルエチル）イミノ−７−ヒド
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン１１２ｍｇをエタノール５ｍｌに溶解後、１０％パラ
ジウム−炭素２１．２ｍｇを添加し、オートクレーブ
中、水素雰囲気下（４．５ｋｇ／ｃｍ2 ）、室温にて３
時間水素添加した。触媒を濾去後、溶媒を留去して、
（Ｓ）−１−（（Ｓ）−１−フェニルエチル）アミノ−
７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ
−インデン４５ｍｇを得た。
ロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ−インデ
ン１１２ｍｇをエタノール５ｍｌに溶解後、１０％パラ
ジウム−炭素２１．２ｍｇを添加し、オートクレーブ
中、水素雰囲気下（４．５ｋｇ／ｃｍ2 ）、室温にて３
時間水素添加した。触媒を濾去後、溶媒を留去して、
（Ｓ）−１−（（Ｓ）−１−フェニルエチル）アミノ−
７−ヒドロキシ−２，２，４，６−テトラメチル−１Ｈ
−インデン４５ｍｇを得た。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｂ 53/00 Ｃ 7419−4Ｈ 61/00 ３００
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 ［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ低級アル
キル基を示す。Ａは基 【化２】 を示す。Ｒ5 はフェニル環上に置換基として低級アルキ
ル基及び低級アルコキシ基からなる群より選ばれる基を
有することのあるフェニル基を示す。］で表わされる
２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩
を、二酸化白金を用いて接触水素添加することを特徴と
する一般式 【化３】 ［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に同じ。Ｒ6
は、上記Ａが基 【化４】 を示す場合には、基 【化５】 （Ｒ5 は前記に同じ）を示すものとし、上記Ａが基 【化６】 を示す場合には、基 【化７】 （Ｒ5 は前記に同じ）を示すものとする。］で表わされ
る光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体
又はその塩の製造法。 - 【請求項２】 一般式 【化８】 ［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡは前記に同
じ。］で表わされる２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン
誘導体又はその塩を、パラジウム−炭素を用いて接触水
素添加することを特徴とする一般式 【化９】 ［式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に同じ。Ｒ7
は、上記Ａが基 【化１０】 を示す場合には、基 【化１１】 （Ｒ5 は前記に同じ）を示すものとし、上記Ａが基 【化１２】 を示す場合には、基 【化１３】 （Ｒ5 は前記に同じ）を示すものとする。］で表わされ
る光学活性な２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデン誘導体
又はその塩の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5085008A JPH06298711A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 光学活性な２，３−ジヒドロ−１ｈ−インデン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5085008A JPH06298711A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 光学活性な２，３−ジヒドロ−１ｈ−インデン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06298711A true JPH06298711A (ja) | 1994-10-25 |
Family
ID=13846724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5085008A Pending JPH06298711A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 光学活性な２，３−ジヒドロ−１ｈ−インデン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06298711A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100592805B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2006-06-26 | 한국화학연구원 | 인덴 유도체 및 이의 제조방법 |
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1993
- 1993-04-13 JP JP5085008A patent/JPH06298711A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100592805B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2006-06-26 | 한국화학연구원 | 인덴 유도체 및 이의 제조방법 |
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