JPH0629632A - プリント回路基板 - Google Patents
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- JPH0629632A JPH0629632A JP5025563A JP2556393A JPH0629632A JP H0629632 A JPH0629632 A JP H0629632A JP 5025563 A JP5025563 A JP 5025563A JP 2556393 A JP2556393 A JP 2556393A JP H0629632 A JPH0629632 A JP H0629632A
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、大電力用半導体から熱を除
去する手段が改善された、改良されたプリント回路基板
を提供することである。 【構成】 プリント回路基板は第1,第2面を有するス
チールのハイブリッド基板1を具え、前記第2面はヒー
ト・シンク4に接続可能である。電気的導体3のパター
ンとこれと電気的に絶縁された金属アイランド6とが前
記第1面上にプリントされている。この金属アイランド
6は大電力用半導体5に接続可能である。
去する手段が改善された、改良されたプリント回路基板
を提供することである。 【構成】 プリント回路基板は第1,第2面を有するス
チールのハイブリッド基板1を具え、前記第2面はヒー
ト・シンク4に接続可能である。電気的導体3のパター
ンとこれと電気的に絶縁された金属アイランド6とが前
記第1面上にプリントされている。この金属アイランド
6は大電力用半導体5に接続可能である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、大電力用半導体を含む
エレクトロニクス大電力回路用のSMD型プリント回路
基板に関する。
エレクトロニクス大電力回路用のSMD型プリント回路
基板に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】本出願
は1992年2月14日に出願されたドイツ特許出願P
42 04 391.3 の優先権を主張するもので、本発明は、大
電力用半導体を含むエレクトロニクス大電力回路用のS
MD(表面配置)型プリント回路基板において、エレク
トロニクス部品やプリントされた導体パターンが存在し
ていない方のスチールのハイブリッド回路基板の面はヒ
ート・シンクに接続されている。
は1992年2月14日に出願されたドイツ特許出願P
42 04 391.3 の優先権を主張するもので、本発明は、大
電力用半導体を含むエレクトロニクス大電力回路用のS
MD(表面配置)型プリント回路基板において、エレク
トロニクス部品やプリントされた導体パターンが存在し
ていない方のスチールのハイブリッド回路基板の面はヒ
ート・シンクに接続されている。
【0003】上述のタイプの回路基板はドイツ特許公開
公報40 10 193 に開示されている。この回路基板は高強
度スチールのハイブリッド基板、即ちガラス,セラミッ
クス,エナメル,ガラス/セラミックス等の電気絶縁性
無機材料でコーティングされたプレート状スチール基板
を具えている。この回路基板はエレクトロニクス部品の
存在していない方の面によってハウジングの内壁を形成
し、それを通じて液体又は気体の冷媒を流して大電力用
半導体から発生する熱を運び去っている。この構成によ
って回路基板の冷却が行われるが、大電力用半導体は弾
性接着剤によって回路基板上に保持されおり、これとヒ
ート・シンクの間の熱抵抗のために、大電力用半導体の
冷却には更に改善が必要である。これに関連して、ドイ
ツ特許公開公報40 38 460 を参照されたい。
公報40 10 193 に開示されている。この回路基板は高強
度スチールのハイブリッド基板、即ちガラス,セラミッ
クス,エナメル,ガラス/セラミックス等の電気絶縁性
無機材料でコーティングされたプレート状スチール基板
を具えている。この回路基板はエレクトロニクス部品の
存在していない方の面によってハウジングの内壁を形成
し、それを通じて液体又は気体の冷媒を流して大電力用
半導体から発生する熱を運び去っている。この構成によ
って回路基板の冷却が行われるが、大電力用半導体は弾
性接着剤によって回路基板上に保持されおり、これとヒ
ート・シンクの間の熱抵抗のために、大電力用半導体の
冷却には更に改善が必要である。これに関連して、ドイ
ツ特許公開公報40 38 460 を参照されたい。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、大電力
用半導体から熱を除去する手段が改善された前述のタイ
プの改良されたプリント回路基板を提供することであ
る。
用半導体から熱を除去する手段が改善された前述のタイ
プの改良されたプリント回路基板を提供することであ
る。
【0005】この目的及び明細書中で次第に明らかとな
る他の目的は、要約すれば、エレクトロニクス部品を実
装している側のプリント回路基板の面に、プリント導体
と電気的に絶縁された金属アイランドをプリントによっ
て形成する本発明によって達成される。前記アイランド
の外形は大電力用半導体の外形に対応しており、大電力
用半導体は各金属アイランド上に面対面の関係で半田付
けされる。
る他の目的は、要約すれば、エレクトロニクス部品を実
装している側のプリント回路基板の面に、プリント導体
と電気的に絶縁された金属アイランドをプリントによっ
て形成する本発明によって達成される。前記アイランド
の外形は大電力用半導体の外形に対応しており、大電力
用半導体は各金属アイランド上に面対面の関係で半田付
けされる。
【0006】
【実施例】図1,2に示されているプリント回路基板
は、厚さ0.5 〜0.6mm のスチール基板1を有し、その一
方の面にはガラス,セラミックス,エナメル,ガラス/
セラミックスで作られた厚さ100 μm の電気絶縁コーテ
ィング2を具えている。該絶縁層2の上には、銀、これ
とプラチナ/バナジウムとの合金、銅又は金等の導体パ
ターンがプリントされている。この導体は通常は10μ
m 程度の厚さを有している
は、厚さ0.5 〜0.6mm のスチール基板1を有し、その一
方の面にはガラス,セラミックス,エナメル,ガラス/
セラミックスで作られた厚さ100 μm の電気絶縁コーテ
ィング2を具えている。該絶縁層2の上には、銀、これ
とプラチナ/バナジウムとの合金、銅又は金等の導体パ
ターンがプリントされている。この導体は通常は10μ
m 程度の厚さを有している
【0007】スチール基板1はハウジングの内壁を構成
してヒート・シンク4に直接接触しており、これを通じ
て液体又は気体の冷媒が流れている。別の例では、スチ
ール基板1はペルチェ効果を有するエレメントに接触し
ている場合もある。
してヒート・シンク4に直接接触しており、これを通じ
て液体又は気体の冷媒が流れている。別の例では、スチ
ール基板1はペルチェ効果を有するエレメントに接触し
ている場合もある。
【0008】回路基板上には、金属アイランド6がプリ
ントされており、その数はこの回路に必要な半導体5の
数に対応している。アイランドの材料は導体3の材料と
同じである。アイランド6は導体パターンと同時に形成
され、これと同じ厚さを有する。アイランド6は導体3
と電気的に絶縁され、且つ各大電力用半導体5の冷却表
面に対応するサイズを有する。
ントされており、その数はこの回路に必要な半導体5の
数に対応している。アイランドの材料は導体3の材料と
同じである。アイランド6は導体パターンと同時に形成
され、これと同じ厚さを有する。アイランド6は導体3
と電気的に絶縁され、且つ各大電力用半導体5の冷却表
面に対応するサイズを有する。
【0009】各アイランド6上に先ずZn-Pb-Ag等の半田
ペースト7を付与し、大電力用半導体5を組立機械等に
よって位置決めした後に、大電力用半導体5をリフロー
(reflow)工程によって各アイランド6の上面に
面対面の関係で半田付けする。アイランド6はこれと関
連する大電力用半導体5と同じ外形を有し、両者は図2
に示すように同一に位置合わせされる。回路基板上に回
路部品を実装する前に、大電力用半導体5の端子8並び
に抵抗,コンデンサ等の他の部品の端子は、これらの部
品を各半導体の導体ストリップ3に対して半田付けする
SMDの準備のために曲げられる。このようにして、ハ
ウジング内に収容された又は収容されていない構造エレ
メントは同一の半田付け工程、例えばリフロー半田付け
によって固定される。その際に、ハウジング内に収容さ
れていないエレメントを固定するために、異なる導体材
料を用いることが好ましい。
ペースト7を付与し、大電力用半導体5を組立機械等に
よって位置決めした後に、大電力用半導体5をリフロー
(reflow)工程によって各アイランド6の上面に
面対面の関係で半田付けする。アイランド6はこれと関
連する大電力用半導体5と同じ外形を有し、両者は図2
に示すように同一に位置合わせされる。回路基板上に回
路部品を実装する前に、大電力用半導体5の端子8並び
に抵抗,コンデンサ等の他の部品の端子は、これらの部
品を各半導体の導体ストリップ3に対して半田付けする
SMDの準備のために曲げられる。このようにして、ハ
ウジング内に収容された又は収容されていない構造エレ
メントは同一の半田付け工程、例えばリフロー半田付け
によって固定される。その際に、ハウジング内に収容さ
れていないエレメントを固定するために、異なる導体材
料を用いることが好ましい。
【0010】冷却面を有する大電力用半導体5を面対面
の関係で半田付けするのにアイランド6を用いることに
より、組立が簡単になるだけでなく、スチール基板1に
向かいそこからヒート・シンク4に達する熱の伝導性が
良好となる。このようにして、大電力用半導体から発生
する多大の熱を除去する際の熱抵抗が大幅に減少する。
の関係で半田付けするのにアイランド6を用いることに
より、組立が簡単になるだけでなく、スチール基板1に
向かいそこからヒート・シンク4に達する熱の伝導性が
良好となる。このようにして、大電力用半導体から発生
する多大の熱を除去する際の熱抵抗が大幅に減少する。
【0011】上述の本発明の説明から種々の改変、改
作、変更が可能であり、これらはいずれも本発明の特許
請求の範囲内に属するものであることを理解されたい。
作、変更が可能であり、これらはいずれも本発明の特許
請求の範囲内に属するものであることを理解されたい。
【図1】本発明のプリント回路基板を示し、図1(a)
はその模式的平面図、図1(b)はその部分側断面図で
ある。
はその模式的平面図、図1(b)はその部分側断面図で
ある。
1…スチール基板 2…絶縁コーティング 3…導体 4…ヒート・シンク 5…半導体 6…金属アイランド 7…半田ペースト 8…端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/05 Z 8727−4E 1/18 G 9154−4E (72)発明者 ペーター ゾンマー ドイツ連邦共和国,5020 フレッヒェン 4,シュバルベンベーク 31 ベー
Claims (8)
- 【請求項1】 (a)互いに反対面をなす第1,第2面
を有し、該第2面はヒート・シンク(4)に接続可能な
スチールのハイブリッド基板(1)と、 (b)前記第1面上にプリントされた電気的導体(3)
のパターンと、 (c)前記第1面上にプリントされ、電気的に絶縁さ
れ、且つ大電力用半導体(5)に接続可能な金属アイラ
ンド(6)とを具えたプリント回路基板。 - 【請求項2】 前記アイランド(6)が前記電気的導体
(3)と同じ材料で作られている請求項1に記載のプリ
ント回路基板。 - 【請求項3】 前記アイランド(6)が銀で作られてい
る請求項1に記載のプリント回路基板。 - 【請求項4】 前記アイランド(6)が銀の合金で作ら
れている請求項1に記載のプリント回路基板。 - 【請求項5】 前記アイランド(6)が銅で作られてい
る請求項1に記載のプリント回路基板。 - 【請求項6】 前記アイランド(6)が金で作られてい
る請求項1に記載のプリント回路基板。 - 【請求項7】 (a)互いに反対面をなす第1,第2面
を有するスチールのハイブリッド基板(1)と、 (b)前記第1面上にプリントされた電気的導体(3)
のパターンと、 (c)前記第1面上にプリントされ、電気的に絶縁され
た金属アイランド(6)と、 (d)該アイランド(6)上に位置決めされ、これに面
対面の関係で半田付けされ、電気導体(3)の少なくと
も一つに接続された端子を有する大電力用半導体(5)
と、 (e)前記スチールのハイブリッド基板(1)の前記第
2面で仕切られたヒート・シンク(4)と、 を具えた大電力用用回路アセンブリ。 - 【請求項8】 前記アイランド(6)と大電力用半導体
(5)とが実質的に同一で一致した外形を有する請求項
7に記載の大電力用用回路アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4204391:3 | 1992-02-14 | ||
DE4204391A DE4204391A1 (de) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | Leiterkarte fuer eine leistungshalbleiter aufweisende leistungselektronikschaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0629632A true JPH0629632A (ja) | 1994-02-04 |
JPH0777288B2 JPH0777288B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=6451689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5025563A Expired - Lifetime JPH0777288B2 (ja) | 1992-02-14 | 1993-02-15 | プリント回路基板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0555668B1 (ja) |
JP (1) | JPH0777288B2 (ja) |
DE (2) | DE4204391A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1237019A2 (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-04 | Fujitsu Limited | Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring |
US7821116B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-10-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package including leadframe with die attach pad with folded edge |
US8801421B2 (en) | 2006-11-15 | 2014-08-12 | Sintokogio, Ltd. | Method for forming tablets and a roll press type apparatus thereof |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2268628B (en) * | 1992-07-07 | 1995-10-11 | Northern Telecom Ltd | Affixing dielectric resonator on p.c.b. |
ATE203355T1 (de) * | 1995-06-27 | 2001-08-15 | Braun Gmbh | Wärmeleite-befestigung eines elektronischen leistungsbauelementes auf einer leiterplatte mit kühlblech |
JP3185682B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2001-07-11 | 株式会社村田製作所 | 放熱板付誘電体基板 |
DE10155347A1 (de) * | 2001-10-02 | 2003-06-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Elektronikeinheit sowie Elektronikeinheit |
DE10331208A1 (de) * | 2003-07-10 | 2005-02-10 | Newspray Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Isolierung eines Kühlkörpers |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03254171A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | プリント配線用基板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2413016A1 (fr) * | 1977-12-26 | 1979-07-20 | Radiotechnique Compelec | Circuits imprimes multicouches a collecteur thermique incorpore |
GB8324839D0 (en) * | 1983-09-16 | 1983-10-19 | Lucas Ind Plc | Mounting carrier for microelectronic silicon chip |
FR2615347B1 (fr) * | 1987-05-15 | 1993-07-23 | Neiman Sa | Module de puissance pour equipements automobiles |
DE4010193C3 (de) * | 1990-03-30 | 1998-03-26 | Rheinmetall Ind Ag | Leiterkarte für eine Leistungs-Elektronikschaltung |
DE4038460C2 (de) * | 1990-12-03 | 1995-02-09 | Rheinmetall Gmbh | SMD-Bauteilverbindung zu einer Leiterplatte |
-
1992
- 1992-02-14 DE DE4204391A patent/DE4204391A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-01-21 EP EP93100862A patent/EP0555668B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-21 DE DE59300799T patent/DE59300799D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-15 JP JP5025563A patent/JPH0777288B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03254171A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | プリント配線用基板 |
Cited By (4)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0555668B1 (de) | 1995-10-25 |
DE59300799D1 (de) | 1995-11-30 |
EP0555668A1 (de) | 1993-08-18 |
DE4204391A1 (de) | 1993-08-19 |
JPH0777288B2 (ja) | 1995-08-16 |
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