JPH0629480A - スタック型囲繞壁キャパシタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】修正されたスタック型キャパシタの記憶セル製
造プロセスを使用するように成した、スタック型囲繞壁
キャパシタ（ＳＳＷＣ）を提供する。 【構成】埋設接点５７において位置決めされ、ポリシリ
コン１０３によって被覆された隣接する記憶節点にまで
延在し、誘電体１０２がそれらの間において挟持される
ように成した伸長したＶ字型の断面を有することにな
る、ポリシリコン構造１０１によって形成される。覆う
ようにして隣接する２本のデジット線４７に対して垂直
に走る３本の隣接するワード線２８によって形成される
既存の位相に対して整合するように成した伸長したポリ
・スペーサ壁を有するＶ字型のポリ構造を形成すること
によって、当該ＳＳＷＣを開発し、各々の記憶セル毎の
増大したキャパシタ・プレートの表面積を産み出すこと
になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、半導体回路のメモリ記憶装置に
関し、より詳細には、高密度のダイナミック・ランダム
・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）アレイにおいて使用さ
れる３次元のスタック型セル・キャパシタの設計に関す
るものである。

【０００２】動的半導体のメモリ記憶装置において、記
憶節点のキャパシタ・セル・プレートは、回路の作動の
間に存在し得る寄生容量及びノイズにも関わらず十分な
電荷、即ち静電容量を保持するに足る十分な大きさであ
ることが肝要である。大抵の半導体集積回路の場合に言
えることであるが、回路密度は、かなりの安定した比率
で増大し続けている。記憶節点の静電容量を維持すると
いう問題は、ＤＲＡＭアレイの密度がメモリ装置の未来
世代に渡って増大し続けているので、特に重要である。

【０００３】必要な記憶能力を維持しつつ記憶セルを高
密度に詰め込むという能力は、拡張されるメモリ・アレ
イ装置の未来世代が成功裡に製造される場合には、半導
体製造技術の決定的な必要条件となる。

【０００４】高密度に詰め込まれたメモリ装置において
記憶節点のサイズを増大させると同時に維持するという
１つの方法は、「スタック型記憶セル」設計の利用に拠
るものである。この技術に拠れば、多結晶シリコン（ポ
リシリコン又はポリ）のような導電物質から成る２つの
層は、各々のポリ層の間に挟持される誘電体層と共にシ
リコン・ウェーハ上におけるアクセス装置を覆って被覆
される。このような様式において製造されるセルは、ス
タック型キャパシタ・セル（ＳＴＣ）として周知のもの
である。そのようなセルは、キャパシタ・プレートのア
クセス装置上における間隙を利用し、低いソフトエラー
比率（ＳＥＲ）を有するものであり、高い誘電率を有す
るプレート間絶縁層と共に使用されることが可能であ
る。

【０００５】しかし、記憶電極面積がそれ自身のセル面
積の限界内に制限されるので、従来型のＳＴＣキャパシ
タによって十分な記憶容量を獲得することは困難であ
る。更に、一旦絶縁体の厚さが適切に基準設定される
と、ＳＴＣキャパシタ内のポリ層間における高い絶縁破
壊特性を維持することも主要な関心事となる。

【０００６】Ｔ．エマ（T. Ema ）、Ｓ．カワナゴ（S.
Kawanago）、Ｔ．ニシ（T. Nishi）、Ｓ．ヨシダ（S. Y
oshida）、Ｈ．ニシベ（H. Nishibe）、Ｔ．ヤブ（T. Y
abu）、Ｙ．コダマ（Y. Kodama）、Ｔ．ナカノ（T. Nak
ano）及びＭ．タグチ（M. Taguchi）によって、「１６
メガビット及び６４メガビットのＤＲＡＭ用の３次元ス
タック型キャパシタ・セル（3-Dimensional Stacked Ca
pacitor Cell For 16MAnd 64M DRAMs）」という標題を
付けて、IEDM, Dig. Tech. Papers の１９８８年版の５
９２−５９５ページに提出され、本文に引例として組み
込まれることになる文書は、３次元スタック型キャパシ
タのフィン構造を議論している。

【０００７】フィン構造及びその開発は、上述の論文の
５９３ページの図１において示されている。その記憶節
点は、フィンと呼ばれる２つのポリシリコン層によって
フィンの間の間隙を備えて形成される（フィンの個数は
増大され得るが、適用された設計規則によって制限され
る）。キャパシタの誘電体膜は、それらのフィンを覆い
間隙の中にも充填されるポリシリコン・フィン（キャパ
シタ・セル・プレートとして使用される）の全表面を囲
繞する。この設計は、最新の方法を利用して製造される
ことが可能であり、記憶容量を増大させるが、セル・プ
レートを形作る数個のフィンの厚さの合計が最小機構の
寸法よりも遥かに大きいので、高度なサブミクロン
（０．２ミクロンのような）の設計規則のＤＲＡＭセル
に適合するものではない。更に、このフィン構造を実現
するために必要な工程の流れは、２本の隣接するワード
線及びデジット線の間における精密な位置合わせを要求
する。記憶節点ポリをより大きなセル面積に対する記憶
節点接触リード線にオーバーラップせしめるという要求
事項を伴う位置合わせは、前述したような０．２ミクロ
ンの設計規則には適合しないのである。

【０００８】更に、Ｓ．イノウエ（S. Inoue）、Ｋ．ヒ
エダ（K. Hieda）、Ａ．ニタヤマ（A. Nitayama）、
Ｆ．ホリグチ（F. Horiguchi）及びＦ．マスオカ（F. M
asuoka）によって、「６４メガビットＤＲＡＭ用の展開
スタック型キャパシタ（ＳＳＣ）セル（A Spread Stack
ed Capacitor (SSC) Cell For 64MBit DRAMs）」という
標題を付けて、IEDM, Dig. Tech. Papers の１９８９年
版の３１−３４ページに提出され、本文に引例として組
み込まれることになる文書では、隣接する第２のメモリ
・セル領域にまで拡張される第１のメモリ・セルの記憶
電極を議論している。

【０００９】ＳＳＣセルの製造プロセス（３２ページの
図２を参照）は、第１のメモリ・セルから隣接するメモ
リ・セルにまで拡張され或いはその反対に拡張されるデ
ジット線上に被覆される記憶電極から始まる。この結
果、各々の記憶電極が２つのメモリ・セル領域を占める
ことが可能であり、従って１つのメモリ・セルの記憶容
量をほぼ２倍にすることになるスタック型キャパシタ装
置が産み出される。

【００１０】しかし、このＳＳＣプロセスは、複雑で、
少なくとも２回のマスキングを標準プロセスに対して付
け加えるものであり、自動的に整列配置される接点と共
には形成され得ないのである。

【００１１】本発明は、追加の写真製版段階なしで自動
的に整列配置される接点を利用することによって、既存
のスタック型キャパシタ製造プロセスを、３次元スタッ
ク型キャパシタ・セルを製造するように発展させるもの
である。

【００１２】本発明は、高密度／大容量ＤＲＡＭ（ダイ
ナミック・ランダム・アクセス・メモリ）の製造プロセ
スにおいて記憶セルの表面積を最大化することに導かれ
るものである。既存のスタック型キャパシタ製造プロセ
スは、記憶セルとして画成される３次元のスタック型囲
繞壁キャパシタ（ＳＳＷＣ）を製造するように修正され
ることになる。

【００１３】シリコン・ウェーハが従来通りの工程段階
を利用して準備された後、本発明は、２本の隣接するデ
ジット線に対して垂直に走る３本の隣接するワード線に
よって形成される位相に対して整合する伸長したポリ・
スペーサ壁を有するように成したＶ字型のポリ構造を形
成することによって、ＳＳＷＣを開発し、各々の記憶セ
ル毎の増大したキャパシタ・プレートの表面積を産み出
すのである。このような構造は、スペーサ壁の高さに依
存して、従来型のＳＴＣセルの静電容量を５０％又はそ
れ以上に増大させる可能性を有する。

【００１４】本発明は、幾何学的形状が劇的に収縮され
るので、ＤＲＡＭセル内における隣接する静電容量の維
持を許容することになる。

【００１５】本発明は、図１から図１０の各図に示され
る順序において、高密度／大容量ＤＲＡＭの製造プロセ
スにおける記憶セルの表面積を最大化することに導かれ
るものである。

【００１６】シリコン・ウェーハは、セル・アレイを画
成するポイントまでは従来通りの工程段階を利用して準
備される。キャパシタの製造は、以下の通りに続行する
ことになる。

【００１７】各々のセルのキャパシタはセル内における
埋設接点と接触することになり、キャパシタは隣接する
セルの活性領域にまで延在することになる。アレイ内に
おける各々の活性領域は、厚いフィールド酸化物によっ
て互いに絶縁されて、交互嵌合される縦列及び交互嵌合
されない横列の中に配列される。活性領域は、所望の用
途に応じてＮＭＯＳ又はＰＭＯＳ型のＦＥＴとしてドー
ピングされ得ることになる有効なＭＯＳトランジスタを
形成するために使用されるものである。

【００１８】図１は、デジット線４７、ワード線２８、
活性領域２１、及びＳＳＷＣ記憶節点プレート１０１か
ら成る主要な構成要素を備えて完成した多層式メモリ・
アレイの一部の頂部平面図を示している。活性領域２１
は、各々の隣接する活性領域を横列方向（平行ワード線
２８によって規定される）において互いに混交せしめる
ことによって、活性領域２１の交互嵌合された平行横列
を形成するようにして埋め込まれた。縦列方向（平行デ
ジット線４７によって規定される）では、各々の隣接す
る活性領域２１は、端と端が接するように走ることによ
って活性領域２１の交互嵌合されない平行縦列を形成す
ることになる。当該実施例（ＳＳＷＣ）のスタック型キ
ャパシタ構造は、デジット線４７ばかりでなくワード線
２８に関しても自動的に整列配置されている。

【００１９】図２において示されるように、シリサイド
２３及び誘電体２４（酸化物又は窒化物）によって被覆
され、更に誘電体スペーサ２６（酸化物又は窒化物）に
よって連続する導電層から絶縁されるように成した平行
なポリ・ワード線２８は、ゲート酸化物２５の薄膜又は
フィールド酸化物２７の厚膜を覆うようにして予め被覆
された。活性領域２１は、従来通りの工程段階によっ
て、嵩高のシリコン・ウェーハ２０を貫通する所望の導
電率の形式のものとなるように適切にドーピングされた
ものである。これで、ウェーハは、ワード線２８の頂部
を覆ってそれに対して垂直に走ることになるデジット線
形成のための用意が整ったのである。

【００２０】図３は、デジット線４７、記憶節点接触部
５７、活性領域２１、及び記憶キャパシタ１０１を示し
ている製造過程にあるウェーハの一部の頂部平面図を示
すものである。

【００２１】図４において示されるように、酸化物層４
１は、ウェーハ・アレイの全表面を覆うようにして被覆
され、埋設されるデジット線接点のパターン形成及びエ
ッチングが続いて行われる。ポリシリコン４２、シリサ
イド４３及び誘電体４４のそれぞれは、ブランケット被
覆である。誘電体４４は、窒化物であるか又は酸化物で
あることが可能であり、優れた整合性の故に選ばれる化
学蒸着（ＣＶＤ）によって蒸着される。ポリシリコン４
２、シリサイド４３及び誘電体４４の各層は、ポリシリ
コン４２が予め導電的にドーピングされ、シリサイド４
３が誘電体層４４によって被覆された平行デジット線４
７として働くようにして、パターン形成されエッチング
される。デジット線４７は、ワード線２８（図２に示さ
れた）に対して垂直に走り、ウェーハ表面に対して整合
することによって、デジット線及びワード線の両方向に
走る波形状の位相を生じることになる。ここで、窒化物
又は酸化物のような第２の誘電体４５が被覆され、続い
て垂直方向の誘電体スペーサ４５を形成する非等方性の
エッチングが行われる。

【００２２】図５において示されるように、デジット線
４７及びそれらに連続する絶縁層は、続いて、これもま
た酸化物又は窒化物である誘電体４６によって、好まし
くはＣＶＤによって５００から２０００オングストロー
ムという好適な厚さにまで覆われる。スペーサ４５の存
在によってデジット線４７に対して自動的に整列配置さ
れる埋設接点５７は、接点５７以外の総ての領域をフォ
トレジスト５１によって覆うことによって位置決めされ
る。適切なフォトマスクを施した後、露光された誘電体
における埋設接点の非等方性エッチングは、補足的なス
ペーサ５２を形成して、接点５７を位置決めするための
開口部をも準備することになる。

【００２３】このポイントまで、工程の流れは、従来通
りのスタック型キャパシタ・セルから成るアレイの工程
の流れに従うものであった。このポイント以降、当該プ
ロセスは、ＳＳＷＣ型記憶キャパシタを有するアレイに
独特のものである。

【００２４】図６において示されるように、フォトレジ
スト５１（図５の）が除去された後、整合的なポリ層６
１が、好ましくは低温被覆によってアレイの全表面を覆
って被覆され、埋設接点５７を介して活性領域２１と連
結することになる。低温被覆の使用は、ポリ層６１の表
面積を潜在的に２倍にすることになる凸凹に構成された
表面を整合的なポリ層６１に持たせることになる。ポリ
６１の被覆に続いて、誘電体６２の整合的な層（酸化物
又は窒化物のような）が、好ましくはＣＶＤによって被
覆される。

【００２５】図７において示されるように、ポリ層６１
及び酸化物６２は、ＳＳＷＣ記憶キャパシタの記憶節点
プレートの一部として機能するようにパターン形成され
る。ポリ・プレート６１は、隣接するポリ・ワード線
（このワード線は図７の断面に平行して走るので、示さ
れていない）を覆って延在し、次の隣接するワード線に
まで続く。プレート６１は、ワード線及びデジット線の
両方向に走る２つの垂直な波形状の位相（デジット線の
形成の後で形成される）に対して整合する。

【００２６】図８ａ及び図８ｂにおいて示されるよう
に、もう１つのポリ層が被覆され、続いてポリ・ドライ
エッチングを利用して非等方性にエッチングされ、図８
ａのポリ・スペーサ壁８１及び図８ｂのポリ・ストリン
ガ８２を形成することになる。スペーサ壁８１は、ポリ
６１に装着され、従ってポリ・プレート６１を実質的に
垂直方向に延在させることになる。更に、スペーサ壁８
１の両側面は、静電容量を獲得するために利用され得る
ものである。ポリ８１のエッチングに続いて、隣接する
記憶節点が互いに短絡することを回避するために、スト
リンガ８２を除去する追加のフォト・エッチング段階が
要求されることになる。

【００２７】図９ａ及び図９ｂにおいて示されるよう
に、フォトレジスト９１は、記憶節点領域の外側のスト
リンガ８２を図９ｂに示されたようにポリ・ドライエッ
チングに曝しながらも、図９ａの記憶節点領域の全体を
保護するようにして、被覆されてパターン形成される。
当該ポリ・ドライエッチングは、記憶節点領域の外側の
露出したストリンガ８２の総てを完全に除去する。ポリ
・スペーサ壁８１は、ポリ・セル・プレート６１と融合
して、図１０の伸長したＶ字型のポリ構造１０１を形成
し、完成したＳＳＷＣセルの記憶節点プレートとして機
能するのである。

【００２８】これもまた図１０において示されるよう
に、窒化物１０２の誘電体層は、ポリ構造１０１に対し
て整合するように被覆される。窒化物１０２は、ＳＳＷ
Ｃセルのキャパシタ誘電体として機能する。窒化物１０
２の被覆に続いて、整合的なポリ１０３のブランケット
被覆が行われる。ポリ構造１０１及びポリ１０３は、活
性領域２１のために所望される導電率の形式に応じてｎ
型又はｐ型のいずれかに導電的にドーピングされる。ポ
リ１０３は、これで、アレイ内における総てのＳＳＷＣ
記憶キャパシタに共通するセル・プレートにもなるＳＳ
ＷＣ記憶キャパシタの頂部ポリ・キャパシタ・セル・プ
レートとして機能することになる。

【００２９】プレート１０１を囲繞する頂部ポリ・キャ
パシタ・セル・プレート１０３と共に記憶節点プレート
としてのポリ・プレート１０１を追加することにより、
実質的なキャパシタ・プレートの表面積は記憶節点にお
いて獲得されることになる。静電容量は主にキャパシタ
のセル・プレートの表面積によって影響されるので、３
次元ＳＳＷＣ構造によって獲得される追加面積は、スタ
ック型キャパシタの記憶セルを画成するために必要な空
間より大きな空間を必要とすることなく、従来型のＳＴ
Ｃキャパシタのものに対して静電容量における５０％又
はそれ以上の増大を提供することが可能である。実際に
おいて、獲得される静電容量は、スペーサ壁の高さに対
して直接的に依存することになる。

【００３０】本発明は実施例に関連して説明されてきた
が、本文において提示された構造及び工程段階に関して
は、当該分野における熟練者にとって周知である様々な
修正が本文に添付した数件の請求項において記載された
ような本発明から離れることなく為され得るものである
と理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【図１】デジット線、ワード線、活性領域及び記憶キャ
パシタを示している製造過程にあるウェーハの一部の頂
部平面図である。

【図２】図１の破線Ａ−Ａに沿って得られた断面図であ
る。

【図３】デジット線、記憶節点接触部及び記憶キャパシ
タを示している製造過程にあるウェーハの一部の頂部平
面図である。

【図４】デジット線の垂直方向の誘電体スペーサの被覆
及びエッチングの後における、図３の破線Ｂ−Ｂに沿っ
て得られた製造過程にあるウェーハの断面図である。

【図５】整合的な誘電体の被覆及びそれに続く埋設接点
のフォト・エッチングの後における、製造過程にある図
４のウェーハ部分を示している断面図である。

【図６】フォトレジストの除去、整合的ポリのブランケ
ット被覆、ポリのドーピング及び窒化物のブランケット
被覆の後における、製造過程にある図５のウェーハ部分
を示している断面図である。

【図７】ポリ記憶節点のパターン形成の後における、製
造過程にある図６のウェーハ部分を示している断面図で
ある。

【図８】図８ａは整合的ポリの被覆及びドライエッチン
グの後における、製造過程にある図７のウェーハ部分を
示している断面図である。図８ｂは図３のＣ−Ｃ線に沿
って得られた断面から観察される、図８ａにおいて実行
された工程段階の結果を示した図である。

【図９】図９ａは記憶節点のマスキング段階の後におけ
る、製造過程にある図８ａのウェーハ部分を示している
断面図である。図９ｂは記憶節点のマスキング段階の後
における、製造過程にある図８ｂのウェーハ部分を示し
ている断面図である。

【図１０】ポリ・ストリンガのドライエッチング、フォ
トレジストの除去、酸化物のウェットエッチング、更に
整合的な窒化物及びポリのブランケット被覆の後におけ
る、製造過程にある図９ａのウェーハ部分を示している
断面図である。

【符号の説明】

２８ ワード線 ４７ デジット線 ５７ 埋設接点 １０１ ポリシリコン構造 １０２ 誘電体 １０３ ポリシリコン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハワード・イー・ローズ アメリカ合衆国、83706 アイダホ州、ボ イーズ、イースト・リッジフィールド・ド ライブ 631 (72)発明者 チャールズ・エイチ・デニソン アメリカ合衆国、83709 アイダホ州、ボ イーズ、サンダー・マウンテン・ドライブ 7735 (72)発明者 ヨウ・チン・リュウ アメリカ合衆国、83704 アイダホ州、ボ イーズ、ウエスト・スーザン・ストリート 9226

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 交互嵌合される平行横列及び交互嵌合さ
   れない平行縦列の中に配列される複数の活性領域２１で
   あって、各々の前記活性領域２１がデジット線接合部及
   び記憶節点接合部を有するようにして絶縁手段２７によ
   って分離されるように成した前記複数の活性領域２１
   と、前記横列に沿って整列配置される複数の平行な導電
   性ワード線２８であって、各々の活性領域内におけるデ
   ジット線接合部及び記憶節点接合部は各々のワード線２
   ８が付随する活性領域２１からゲート誘電体層２５によ
   って絶縁されるようにしてワード線２８によって架橋さ
   れるように成した前記複数の平行な導電性ワード線２８
   と、前記縦列に沿って整列配置される複数の平行な導電
   性デジット線４７であって、デジット線４７は縦列内に
   おいて各々のデジット線接合部と電気的に接触して、前
   記デジット線４７は前記ワード線２８を覆ってそれに対
   して垂直に走って３次元の波形状の位相を形成し、前記
   デジット線及びワード線４７，２８は絶縁手段４１によ
   って互いに電気的に分離されるように成した前記複数の
   平行な導電性デジット線４７と、各々の活性領域２１毎
   の少なくとも１つの記憶キャパシタであって、各々のキ
   ャパシタは付随する活性領域２１との電気的接触状態に
   ある記憶節点プレート１０１及びアレイ全体に共通する
   セル・プレート１０３を有して、各々の記憶節点プレー
   ト１０１は前記セル・プレート１０３から容量性誘電体
   層１０２によって絶縁され伸長したＶ字型の断面を有す
   るように成した前記各々の活性領域２１毎の少なくとも
   １つの記憶キャパシタとを含んで成るように成した、シ
   リコン基板２０上に製造されるＤＲＡＭメモリ・アレ
   イ。
2. 【請求項２】 前記キャパシタは、導電的にドーピング
   される第１のポリシリコン層６１であって、前記第１ポ
   リシリコン層６１は複数の頂点及び凹みを有する前記波
   形状の位相に対して整合し、前記第１ポリシリコン層６
   １は第１及び第２の端部を有するＶ字型の構成要素を形
   成して、前記第１端部において前記記憶節点接合部と接
   触５７して前記第２端部が厚い酸化物４６によって隣接
   する活性領域２１から絶縁されるように成した前記第１
   ポリシリコン層６１と、前記第１ポリシリコン層６１に
   対して装着され、前記第１ポリシリコン６１のＶ字型構
   成要素を伸長したＶ字型の構成要素の中へ延在させるこ
   とによって、前記記憶節点プレート１０１を形成するよ
   うに成した導電的にドーピングされる第２のポリシリコ
   ン層８１と、前記第１端部における前記接点５７及び前
   記第２端部における前記絶縁４６の区域を除いて前記記
   憶節点プレート１０１に隣接して同延的に広がるように
   成した前記キャパシタ誘電体の絶縁層１０２と、前記セ
   ル・プレート１０３を形成する導電的にドーピングされ
   る第３のポリシリコン層１０３であって、前記セル・プ
   レート１０３は上部及び下部の表面を有して前記キャパ
   シタ誘電体層１０２に隣接して同延的に広がるように成
   した前記第３ポリシリコン層１０３とを含んで成るよう
   に成した、請求項１に記載のメモリ・アレイ。
3. 【請求項３】 前記第１及び前記第２のポリシリコン６
   １，８１は、凸凹に構成された表面を有するように成し
   た、請求項２に記載の構造。
4. 【請求項４】 シリコン基板２０上にＤＲＡＭアレイを
   製造するプロセスであって、交互嵌合される平行横列及
   び交互嵌合されない平行縦列の中に配列されて独立して
   絶縁される複数の活性領域２１を形成する段階と、各々
   の活性領域２１の頂部にゲート誘電体層２５を形成する
   段階と、前記シリコン基板２０の表面上に第１の導電層
   ２２，２３を被覆する段階と、前記第１導電層２２，２
   ３上に第１の誘電体層２４を被覆する段階と、前記第１
   導電層及び前記第１誘電体層２２，２３，２４にマスキ
   ング及びエッチングを行って、前記横列に沿って整列配
   置される複数の平行な導電性ワード線２８を形成し、各
   々の前記ワード線２８が前記ゲート誘電体層２５の残存
   物によって分離される各々の前記活性領域２１の内側部
   分を避けて通るように成す段階と、前記ワード線２８の
   パターン形成された縁部に隣接して第１の誘電体スペー
   サ２６を形成する段階と、各々の前記ワード線２８の対
   向側面における各々の前記活性領域２１内において導電
   的にドーピングされるデジット線接合部及び記憶節点接
   合部を形成する段階と、前記アレイ表面上に第２の誘電
   体層４１を被覆する段階と、各々の前記活性領域２１内
   における各々の前記デジット線接合部において整列配置
   される第１の埋設接点個所を形成する段階と、前記アレ
   イ表面上に第２の導電層４２，４３を被覆して、前記第
   ２導電層４２，４３が前記第１埋設接点個所において前
   記デジット線接合部と直接に接触するように成す段階
   と、前記第２導電層４２，４３上に第３の誘電体層４４
   を被覆する段階と、前記第２導電層４２，４３及び前記
   第３誘電体層４４にマスキング及びエッチングを行っ
   て、前記縦列に沿って整列配置される複数の平行な導電
   性デジット線４７を形成して、デジット線４７が縦列内
   において各々のデジット線接合部と電気的に接触し、前
   記デジット線４７が前記ワード線２８を覆ってそれに対
   して垂直に走って３次元の波形状の位相を形成するよう
   に成す段階と、前記デジット線４７のパターン形成され
   た縁部に隣接して第２の誘電体スペーサ４５を形成する
   段階と、前記波形状の位相の前記アレイ表面上に第１の
   酸化物層４６を被覆する段階と、各々の前記活性領域２
   １内における各々の前記記憶節点接合部において整列配
   置される第２の埋設点個所５７を形成する段階と、既存
   の位相に応じて前記波形状の位相を呈する前記アレイ表
   面上に第３の導電層６１を被覆して、前記第３導電層６
   １が前記第２埋設点個所５７において前記記憶節点接合
   部と接触するように成す段階と、第４の誘電体層６２を
   被覆する段階と、前記第３導電層６１及び前記第４誘電
   体層６２にパターン形成を行って、各々の前記記憶節点
   接合部において記憶節点プレートの一部を形成し、前記
   記憶節点プレート部がＶ字型の断面を有するように成す
   段階と、第４の導電層８１を被覆してパターン形成し、
   前記第４導電層８１が前記第３導電層６１に対して装着
   されることによって、伸長したＶ字型の断面を有する完
   成した記憶節点プレート１０１を形成する段階と、レジ
   スト９１によって前記記憶節点プレート１０１にマスキ
   ングを行って、記憶節点領域の外側に存在するポリ・ス
   トリンガ８２を除去する段階と、前記レジスト９１を取
   り除く段階と、前記第４誘電体層６２を等方性にエッチ
   ングして、前記完成した記憶節点プレート１０１を露出
   させる段階と、前記記憶節点プレート１０１に隣接して
   同延的に広がり前記アレイ表面とも隣接するようにして
   セル誘電体層１０２を被覆する段階と、前記セル誘電体
   層１０２に隣接して同延的に広がるようにして第５の導
   電層１０３を被覆し、メモリ・アレイ全体に共通するセ
   ル・プレート１０３を形成するように成した段階とを連
   続的に含んで成るように成した、頭記シリコン基板２０
   上にＤＲＡＭアレイを製造するプロセス。
5. 【請求項５】 活性領域２１、ワード線２８及びデジッ
   ト線４７を有してシリコン基板２０上にＤＲＡＭ記憶キ
   ャパシタを製造するプロセスであって、前記シリコン基
   板２０の表面の既存の位相上に第１の誘電体層４６を被
   覆する段階と、整列配置される埋設接点開口部５７を形
   成することによって、所望の個所における前記活性領域
   ２１へのアクセスを許容する段階と、前記第１誘電体層
   ４６及び前記埋設接点開口部５７上に第１の導電層６１
   を被覆して、前記第１導電層６１が前記露出された活性
   領域２１と接触することによって、記憶節点接合部を形
   成するように成した段階と、第２の誘電体層６２を被覆
   する段階と、前記第１導電層６１にパターン形成を行っ
   て、前記記憶節点接合部において記憶節点プレート１０
   １の一部を形成し、前記記憶節点プレート１０１がＶ字
   型の断面を有するように成す段階と、第２の導電層８１
   を被覆してパターン形成し、前記第２導電層８１が前記
   第１導電層６１に対して装着されることによって、伸長
   したＶ字型の断面を有する完成した記憶節点プレート１
   ０１を形成する段階と、レジスト９１によって前記記憶
   節点プレート１０１にマスキングを行って、記憶節点領
   域の外側に存在するポリ・ストリンガ８２を除去する段
   階と、前記レジスト９１を取り除く段階と、前記第２誘
   電体層６２を等方性にエッチングして、前記記憶節点プ
   レート１０１を露出させる段階と、前記記憶節点プレー
   ト１０１に隣接して同延的に広がるようにしてセル誘電
   体層１０２を被覆する段階と、前記セル誘電体層１０２
   に隣接して同延的に広がるようにして第３の導電層１０
   ３を被覆し、上方セル・プレートを形成するように成し
   た段階とを連続的に含んで成るように成した、頭記シリ
   コン基板２０上にＤＲＡＭ記憶キャパシタを製造するプ
   ロセス。
6. 【請求項６】 前記第１及び前記第２の導電層２２，２
   ３、及び４２，４３は、タングステン・シリサイド及び
   ドーピングされたポリシリコンの層から構成されるよう
   に成した、請求項４に記載のプロセス。
7. 【請求項７】 前記第１、前記第２、前記第３及び前記
   第４の誘電体層２４，４１，４４，６２は、本質的に酸
   化物又は窒化物から構成されるグループから選択される
   ように成した、請求項４に記載のプロセス。
8. 【請求項８】 前記第１及び前記第２の誘電体層４６，
   ６２は、本質的に酸化物又は窒化物から構成されるグル
   ープから選択されるように成した、請求項５に記載のプ
   ロセス。
9. 【請求項９】 前記被覆は化学蒸着であるように成し
   た、請求項４及び請求項５に記載のプロセス。
10. 【請求項１０】 前記第１の埋設接点及び前記第２の埋
    設接点５７は、自動的に整列配置されるように成した、
    請求項４に記載のプロセス。
11. 【請求項１１】 前記第３、前記第４及び前記第５の導
    電層６１，８１，１０３は、ドーピングされたポリシリ
    コンであるように成した、請求項４に記載のプロセス。
12. 【請求項１２】 前記第１、前記第２及び前記第３の導
    電層は、ドーピングされたポリシリコンであるように成
    した、請求項５に記載のプロセス。
13. 【請求項１３】 前記第３及び前記第４の導電層６１，
    ８１は、低温被覆によって被覆されるように成した、請
    求項１１に記載のプロセス。
14. 【請求項１４】 前記セル誘電体層１０２は窒化物であ
    るように成した、請求項４及び請求項５に記載のプロセ
    ス。
15. 【請求項１５】 前記埋設接点は自動的に整列配置され
    るように成した、請求項５に記載のプロセス。