JPH06291421A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH06291421A JPH06291421A JP7843693A JP7843693A JPH06291421A JP H06291421 A JPH06291421 A JP H06291421A JP 7843693 A JP7843693 A JP 7843693A JP 7843693 A JP7843693 A JP 7843693A JP H06291421 A JPH06291421 A JP H06291421A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】キャリア・オーバーフローを抑制し、良好な温
度特性の低閾値特性を有する発光素子を提供する。 【構成】本発明の半導体発光素子はIII-V 族半導体で成
る活性層を有するダブルヘテロ多層積層構造を備え、Ｃ
ｄ，Ｚｎ，Ｍｇの内少なくとも１つを含むII族原子と
Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅの内少なくとも１つを含むVI族原子の組
み合わせでなるII-VI 族半導体で構成されたクラッド層
をタブルヘテロ多層積層構造中に少なくとも1 つ含んだ
ことを特徴とする。
度特性の低閾値特性を有する発光素子を提供する。 【構成】本発明の半導体発光素子はIII-V 族半導体で成
る活性層を有するダブルヘテロ多層積層構造を備え、Ｃ
ｄ，Ｚｎ，Ｍｇの内少なくとも１つを含むII族原子と
Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅの内少なくとも１つを含むVI族原子の組
み合わせでなるII-VI 族半導体で構成されたクラッド層
をタブルヘテロ多層積層構造中に少なくとも1 つ含んだ
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰ
を活性層とする可視光半導体レーザの高出力化、短波長
化の研究が盛んに行われている。前者の例では、図３に
示す構造の半導体発光素子がエレクトロニクス・レター
ズ誌、第２８巻、８６０〜８６１頁、（１９９２年）に
記載されている。この半導体発光素子は、図３に示すよ
うに、ｎ−ＧａＡｓ基板９上にｎ−ＧａＡｓバッファ層
７、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層２，ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱＷ活性層１，
ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３，ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層１
３、から成る積層構造を備え、さらに、この積層構造上
に、ストライプ状のｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層１２，ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャッ
プ層５，ｐ−ＧａＡｓコンタクト層６で成るストライプ
状積層構造及びこのストライプ状積層構造の両脇に設け
たｎ−ＧａＡｓブロック層８を備えた構造である。ｎ側
電極１０はｎ−ＧａＡｓ基板裏面全面に、また、ｐ側電
極１１はｎ−ＧａＡｓブロック層８とｐ−ＧａＡｓコン
タクト層６の表面全体に形成されている。この半導体発
光素子は５０℃で３０ｍＷの安定な光出力が得られてい
る。
を活性層とする可視光半導体レーザの高出力化、短波長
化の研究が盛んに行われている。前者の例では、図３に
示す構造の半導体発光素子がエレクトロニクス・レター
ズ誌、第２８巻、８６０〜８６１頁、（１９９２年）に
記載されている。この半導体発光素子は、図３に示すよ
うに、ｎ−ＧａＡｓ基板９上にｎ−ＧａＡｓバッファ層
７、ｎ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド
層２，ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱＷ活性層１，
ｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層
３，ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層１
３、から成る積層構造を備え、さらに、この積層構造上
に、ストライプ状のｐ−（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層１２，ｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐキャッ
プ層５，ｐ−ＧａＡｓコンタクト層６で成るストライプ
状積層構造及びこのストライプ状積層構造の両脇に設け
たｎ−ＧａＡｓブロック層８を備えた構造である。ｎ側
電極１０はｎ−ＧａＡｓ基板裏面全面に、また、ｐ側電
極１１はｎ−ＧａＡｓブロック層８とｐ−ＧａＡｓコン
タクト層６の表面全体に形成されている。この半導体発
光素子は５０℃で３０ｍＷの安定な光出力が得られてい
る。
【０００３】後者の例では、図３の構造のＧａＩｎＰ／
ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱＷ活性層１を（Ａｌ0.19Ｇ
ａ0.81）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層に置き換え、ｐ−Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層１３をｐ−（Ａｌ
0.19Ｇａ0.81）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層に
置き換え、さらに、ｎ−ＧａＡｓブロック層８とｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層６の上部にｐ−ＧａＡｓ層を設け、
このｐ−ＧａＡｓ層にｐ側電極を形成した構造の半導体
発光素子がジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス（ＪＪＡＰ）誌、第２９巻、１６６９
〜１６７１頁（１９９０年）に記載されている。この半
導体発光素子は２０℃で６３２．７ｍｍのＣＷ発振が得
られている。
ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱＷ活性層１を（Ａｌ0.19Ｇ
ａ0.81）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層に置き換え、ｐ−Ｇａ
0.5 Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層１３をｐ−（Ａｌ
0.19Ｇａ0.81）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層に
置き換え、さらに、ｎ−ＧａＡｓブロック層８とｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層６の上部にｐ−ＧａＡｓ層を設け、
このｐ−ＧａＡｓ層にｐ側電極を形成した構造の半導体
発光素子がジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライ
ド・フィジックス（ＪＪＡＰ）誌、第２９巻、１６６９
〜１６７１頁（１９９０年）に記載されている。この半
導体発光素子は２０℃で６３２．７ｍｍのＣＷ発振が得
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＩ
ｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ等の半導体材料固有の問題として
活性層とｐ型クラッド層との界面でのヘテロ障壁が小さ
いため、活性層の注入されたキャリア（電子）がｐ型ク
ラッド層にオーバーフローしてしまい、温度特性の悪
化、閾値電流の上昇を引き起こすという問題がある。
ｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ等の半導体材料固有の問題として
活性層とｐ型クラッド層との界面でのヘテロ障壁が小さ
いため、活性層の注入されたキャリア（電子）がｐ型ク
ラッド層にオーバーフローしてしまい、温度特性の悪
化、閾値電流の上昇を引き起こすという問題がある。
【０００５】本発明は、このようなキャリア・オーバー
フローの問題を解決することを目的とする。
フローの問題を解決することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子は、
III-V 族半導体で成る活性層を、活性層よりも禁制帯幅
の広いクラッド層で挟んだ構造のダブルヘテロ構造を含
む多層積層構造を有し、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｍｇの内少なくと
も１つを含むII族原子とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの内少なくとも
１つを含むVI族原子の組み合わせでなるII-VI 族半導体
で構成されたクラッド層の多層積層構造中に少なくとも
１つ含んだ構成になっている。
III-V 族半導体で成る活性層を、活性層よりも禁制帯幅
の広いクラッド層で挟んだ構造のダブルヘテロ構造を含
む多層積層構造を有し、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｍｇの内少なくと
も１つを含むII族原子とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの内少なくとも
１つを含むVI族原子の組み合わせでなるII-VI 族半導体
で構成されたクラッド層の多層積層構造中に少なくとも
１つ含んだ構成になっている。
【０００７】より具体的には、クラッド層で活性層を挟
んだダブルヘテロ構造の上に、ストライプ状のクラッド
層とその両脇に設けたブロック層を有する電流狭窄構造
を備えたインデックス・ガイド型導波構造とし、ストラ
イプ状のクラッド層をII-VI族半導体で形成した構成で
ある。
んだダブルヘテロ構造の上に、ストライプ状のクラッド
層とその両脇に設けたブロック層を有する電流狭窄構造
を備えたインデックス・ガイド型導波構造とし、ストラ
イプ状のクラッド層をII-VI族半導体で形成した構成で
ある。
【０００８】
【作用】本発明の半導体発光素子の代表的な実施例を図
１に示す。活性層はＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱ
Ｗで構成され、その両側を（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造より
なる半導体レーザである。導波構造はメサストライプ状
のインデックス・ガイド型とした。本発明では、ｐ型ク
ラッド層へのキャリア、特に電子のオーバーフローを抑
制するためにメサ部分のｐ型クラッド層をＧａＡｓ基板
に格子整合するＣｄx Ｚｎ1-x Ｓy Ｓｅ1-y とした。
１に示す。活性層はＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱ
Ｗで構成され、その両側を（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉ
ｎ0.5 Ｐクラッド層で挟み込んだダブルヘテロ構造より
なる半導体レーザである。導波構造はメサストライプ状
のインデックス・ガイド型とした。本発明では、ｐ型ク
ラッド層へのキャリア、特に電子のオーバーフローを抑
制するためにメサ部分のｐ型クラッド層をＧａＡｓ基板
に格子整合するＣｄx Ｚｎ1-x Ｓy Ｓｅ1-y とした。
【０００９】従来の（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5
Ｐのみのクラッド層（図３）の場合、活性層の禁制帯幅
は１．８５〜１．９ｅＶ、クラッド層のＡｌＧａＩｎＰ
の禁制帯幅は組成にもよるが、高々２．３ｅＶであり、
活性層とクラッド層の禁制帯幅の差ΔＥｇは約４００ｍ
ｅＶと小さかった。この時、V 族共通のヘテロ界面で良
く用いられる４０−６０ルールを用いると伝導帯の不連
続量は４００ｍｅＶの４０％の１６０ｍｅＶと見積もら
れる。この値は電子を活性層に有効に閉じ込めるには不
十分な値である。
Ｐのみのクラッド層（図３）の場合、活性層の禁制帯幅
は１．８５〜１．９ｅＶ、クラッド層のＡｌＧａＩｎＰ
の禁制帯幅は組成にもよるが、高々２．３ｅＶであり、
活性層とクラッド層の禁制帯幅の差ΔＥｇは約４００ｍ
ｅＶと小さかった。この時、V 族共通のヘテロ界面で良
く用いられる４０−６０ルールを用いると伝導帯の不連
続量は４００ｍｅＶの４０％の１６０ｍｅＶと見積もら
れる。この値は電子を活性層に有効に閉じ込めるには不
十分な値である。
【００１０】然るにＣｄＺｎＳＳｅをｐ型クラッド層の
一部に用いた本発明の図１のレーザ構造では、クラッド
層のＣｄＺｎＳＳｅの禁制帯幅は〜２．７ｅＶ（図２）
であり、活性層とクラッドとの禁制帯幅の差ΔＥｇは従
来例の２倍の８００ｍｅＶ程度となる。これより４０−
６０ルールで荒く見積もると、伝導帯の不連続量は従来
の２倍の３２０ｍｅＶが得られる。これより、電子に対
し実効的なヘテロ障壁が大幅に増大し、キャリア・オー
バーフローが抑制され、良好な温度特性と低閾値電流の
可視光半導体レーザが得られる。
一部に用いた本発明の図１のレーザ構造では、クラッド
層のＣｄＺｎＳＳｅの禁制帯幅は〜２．７ｅＶ（図２）
であり、活性層とクラッドとの禁制帯幅の差ΔＥｇは従
来例の２倍の８００ｍｅＶ程度となる。これより４０−
６０ルールで荒く見積もると、伝導帯の不連続量は従来
の２倍の３２０ｍｅＶが得られる。これより、電子に対
し実効的なヘテロ障壁が大幅に増大し、キャリア・オー
バーフローが抑制され、良好な温度特性と低閾値電流の
可視光半導体レーザが得られる。
【００１１】また、上記の例ではｐ型クラッド層にＣｄ
ＺｎＳＳｅを用いたが、禁制帯幅ＥｇがＧａＩｎＰやＡ
ｌＧａＩｎＰ等のIII-V 族半導体よりも大きい材料、例
えばＣｄ，Ｚｎ，Ｍｇの内少なくとも１つを含むII族原
子とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの内少なくとも１つを含むVI族原子
の組み合わせでなるII-VI 族半導体で、基板にほぼ格子
整合していればＣｄＺｎＳＳｅ以外の材料でも同様の効
果が得られる。図２に一例としてＣｄＺｎＳＳｅの禁制
帯幅を示したが、図中波線で示したようにＧａＡｓ基板
に格子整合する組成の禁制帯幅はほぼ２．７ｅＶで一定
である。また、上記の例では半導体レーザで述べたが、
同様な導波構造を持つＬＥＤでもかまわない。また、面
発光レーザに用いても有効である。
ＺｎＳＳｅを用いたが、禁制帯幅ＥｇがＧａＩｎＰやＡ
ｌＧａＩｎＰ等のIII-V 族半導体よりも大きい材料、例
えばＣｄ，Ｚｎ，Ｍｇの内少なくとも１つを含むII族原
子とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの内少なくとも１つを含むVI族原子
の組み合わせでなるII-VI 族半導体で、基板にほぼ格子
整合していればＣｄＺｎＳＳｅ以外の材料でも同様の効
果が得られる。図２に一例としてＣｄＺｎＳＳｅの禁制
帯幅を示したが、図中波線で示したようにＧａＡｓ基板
に格子整合する組成の禁制帯幅はほぼ２．７ｅＶで一定
である。また、上記の例では半導体レーザで述べたが、
同様な導波構造を持つＬＥＤでもかまわない。また、面
発光レーザに用いても有効である。
【００１２】
【実施例】以下、具体的に本発明の半導体発光素子の実
施例を図１及び図４（製造工程図）を用いて説明する。
図１の構造の作製はまずＳｉドープ（００１）ＧａＡｓ
基板９上に減圧ＭＯＶＰＥ法により、順次厚さ１．０μ
ｍ、Ｓｉドープ（１×１０18ｃｍ-3）のｎ−ＧａＡｓバ
ッファ層７、厚さ１．２μｍ、Ｓｉドープ（５×１０17
ｃｍ-3）のｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層２、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ／（Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ ＭＱＷ活性層（ＧａＩ
ｎＰウェルは厚さ１０ｎｍの４層、無歪、ＡｌＧａＩｎ
Ｐバリアは厚さ５ｎｍの３層、無歪からなる。）１、厚
さ０．３μｍ、Ｚｎドープ（４×１０17ｃｍ-3）のｐ−
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３、厚
さ０．１μｍ、アンドープのＧａＡｓ保護膜２０を成長
した（図４Ａ）。成長温度は６６０℃、成長圧力は７０
ＴＯＲＲであった。
施例を図１及び図４（製造工程図）を用いて説明する。
図１の構造の作製はまずＳｉドープ（００１）ＧａＡｓ
基板９上に減圧ＭＯＶＰＥ法により、順次厚さ１．０μ
ｍ、Ｓｉドープ（１×１０18ｃｍ-3）のｎ−ＧａＡｓバ
ッファ層７、厚さ１．２μｍ、Ｓｉドープ（５×１０17
ｃｍ-3）のｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層２、アンドープＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ／（Ａｌ
0.5 Ｇａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ ＭＱＷ活性層（ＧａＩ
ｎＰウェルは厚さ１０ｎｍの４層、無歪、ＡｌＧａＩｎ
Ｐバリアは厚さ５ｎｍの３層、無歪からなる。）１、厚
さ０．３μｍ、Ｚｎドープ（４×１０17ｃｍ-3）のｐ−
（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３、厚
さ０．１μｍ、アンドープのＧａＡｓ保護膜２０を成長
した（図４Ａ）。成長温度は６６０℃、成長圧力は７０
ＴＯＲＲであった。
【００１３】次にＭＢＥ／ドライエッチング（ＲＩＢ
Ｅ）真空一貫プロセス装置に搬入し、まずドライエッチ
ングにより、ＧａＡｓ保護膜２０をＣｌを含むガスでエ
ッチング除去した（図４Ｂ）。次にＭＢＥチャンバーに
転送し、厚さ１．０μｍ、Ｎドープのｐ−Ｃｄ0.09Ｚｎ
0.91Ｓ0.2 Ｓｅ0.8 クラッド層４をｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３上に成長した（図４
Ｃ）。これにはＲＦプラズマによる成長方法を用いた。
そして最後にもう１度ＭＯＶＰＥ装置に搬入して厚さ
０．１μｍ、Ｚｎドープのｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐギャ
ップ層５を成長した（図４Ｄ）。以上で基本となる積層
構造ができあがった。これをフォトリソグラフィーとウ
ェットエッチングによりメサストライプ状に加工する
（図４Ｅ）。この時ウェットエッチングはｐ−ＣｄＺｎ
ＳＳｅとｐ−ＡｌＧａＩｎＰの界面でストップするため
組成差による選択エッチングの手法を取り入れた。最後
にメサストライプの側面に厚さ１．０μｍ、Ｓｉドープ
のｎ−ＧａＡｓの電流ブロック層８を埋め込み成長し、
そして全面に厚さ０．５μｍ、Ｚｎドープのｐ−ＧａＡ
ｓのコンタクト層６を成長する（図４Ｆ）。この後、ｎ
側電極１０をｎ−ＧａＡｓ基板裏面に、ｐ側電極１１を
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層６に形成する。以上で本発明
の図１の半導体レーザができあがる。
Ｅ）真空一貫プロセス装置に搬入し、まずドライエッチ
ングにより、ＧａＡｓ保護膜２０をＣｌを含むガスでエ
ッチング除去した（図４Ｂ）。次にＭＢＥチャンバーに
転送し、厚さ１．０μｍ、Ｎドープのｐ−Ｃｄ0.09Ｚｎ
0.91Ｓ0.2 Ｓｅ0.8 クラッド層４をｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３上に成長した（図４
Ｃ）。これにはＲＦプラズマによる成長方法を用いた。
そして最後にもう１度ＭＯＶＰＥ装置に搬入して厚さ
０．１μｍ、Ｚｎドープのｐ−Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐギャ
ップ層５を成長した（図４Ｄ）。以上で基本となる積層
構造ができあがった。これをフォトリソグラフィーとウ
ェットエッチングによりメサストライプ状に加工する
（図４Ｅ）。この時ウェットエッチングはｐ−ＣｄＺｎ
ＳＳｅとｐ−ＡｌＧａＩｎＰの界面でストップするため
組成差による選択エッチングの手法を取り入れた。最後
にメサストライプの側面に厚さ１．０μｍ、Ｓｉドープ
のｎ−ＧａＡｓの電流ブロック層８を埋め込み成長し、
そして全面に厚さ０．５μｍ、Ｚｎドープのｐ−ＧａＡ
ｓのコンタクト層６を成長する（図４Ｆ）。この後、ｎ
側電極１０をｎ−ＧａＡｓ基板裏面に、ｐ側電極１１を
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層６に形成する。以上で本発明
の図１の半導体レーザができあがる。
【００１４】本発明の図１の半導体レーザでは、従来ｐ
型クラッド層へのキャリア・オーバーフローによる温度
特性の悪化、閾値電流の上昇が顕著であったものが改善
され、良好な温度特性と低閾値の特性が得られた。
型クラッド層へのキャリア・オーバーフローによる温度
特性の悪化、閾値電流の上昇が顕著であったものが改善
され、良好な温度特性と低閾値の特性が得られた。
【００１５】なお、実施例では活性層から離れたストラ
イプ状のクラッド層４をII-VI 族半導体で構成したが、
他のクラッド層、例えば、活性層に隣接したクラッド層
３を２層構造とし、活性層に接した層は従来通りIII-V
族半導体で構成し、活性層から遠い方の層をII-VI 族半
導体で構成してもよい。II-VI 族半導体で構成するクラ
ッド層は活性層に近い程キャリア・オーバーフロー抑制
効果があるので、活性層にできるだけ近いクラッド層を
II-VI 族半導体で構成するのがよい。
イプ状のクラッド層４をII-VI 族半導体で構成したが、
他のクラッド層、例えば、活性層に隣接したクラッド層
３を２層構造とし、活性層に接した層は従来通りIII-V
族半導体で構成し、活性層から遠い方の層をII-VI 族半
導体で構成してもよい。II-VI 族半導体で構成するクラ
ッド層は活性層に近い程キャリア・オーバーフロー抑制
効果があるので、活性層にできるだけ近いクラッド層を
II-VI 族半導体で構成するのがよい。
【００１６】また、実施例ではインデックス・ガイド型
の導波構造としたが、本発明においては導波構造は本質
的でないので、他の導波構造、例えばＢＨ構造等、どの
ような導波構造の半導体発光素子に対しても本発明は適
用できる。活性層はＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱ
Ｗ構造としたが他のIII-V 族半導体材料のＭＱＷまたは
ＳＱＷ構造や単層構造等の活性層を有する半導体発光素
子であっても本発明は適用できる。
の導波構造としたが、本発明においては導波構造は本質
的でないので、他の導波構造、例えばＢＨ構造等、どの
ような導波構造の半導体発光素子に対しても本発明は適
用できる。活性層はＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱ
Ｗ構造としたが他のIII-V 族半導体材料のＭＱＷまたは
ＳＱＷ構造や単層構造等の活性層を有する半導体発光素
子であっても本発明は適用できる。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体発光
素子では従来に比べキャリア・オーバーフローが抑制さ
れ、良好な温度特性の低閾値電流特性が得られる。
素子では従来に比べキャリア・オーバーフローが抑制さ
れ、良好な温度特性の低閾値電流特性が得られる。
【図１】本発明の半導体発光素子の実施例を示す図。
【図２】ＣｄＺｎＳＳｅの禁制帯幅ΔＥｇを示す図。
【図３】従来の半導体発光素子の例を示す図。
【図４】図１の半導体発光素子の製造工程を示す図。
【符号の説明】 １ ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ＭＱＷ活性層 ２ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ３ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４ ｐ−ＣｄＺｎＳＳｅクラッド層 ５ ｐ−ＧａＩｎＰキャップ層 ６ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ７ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ８ ｎ−ＧａＡｓブロック層 ９ ｎ−ＧａＡｓ基板 １０ ｎ側電極 １１ ｐ側電極 １２ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １３ ｐ−ＧａＩｎＰスイッチングストップ層
Claims (3)
- 【請求項１】 III-V 族半導体で成る活性層を、この活
性層よりも禁制帯幅の広い２つのクラッド層で挟んだダ
ブルヘテロ構造を含む多層積層構造を有する半導体発光
素子において、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｍｇの内少なくとも１つを
含むII族原子とＳ，Ｓｅ，Ｔｅの内少なくとも１つを含
むVI族原子の組み合わせでなるII-VI族半導体で構成さ
れたクラッド層を、前記多層積層構造中に少なくとも１
つ含んだことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 III-V 族半導体で構成された活性層を、
この活性層よりも禁制帯幅の広い２つのクラッド層で挟
んで成るダブルヘテロ構造上に、少くともストライプ状
のクラッド層と、このストライプ上のクラッド層の両脇
に設けたブロック層とを有する積層構造を備えた半導体
発光素子において、前記ストライプ状のクラッド層が、
Ｃｄ，Ｚｎ，Ｍｇの内少なくとも１つを含むII族原子
と、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅの内少なくとも１つを含むVI族原子
の組み合わせでなるII-VI 族半導体で構成されたことを
特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項３】 III-V 族半導体で構成された活性層がＧ
ａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰを含んでいることを特徴
とする請求項１または２記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7843693A JP2546126B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7843693A JP2546126B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291421A true JPH06291421A (ja) | 1994-10-18 |
| JP2546126B2 JP2546126B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=13661997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7843693A Expired - Lifetime JP2546126B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546126B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124210A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986282A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ |
-
1993
- 1993-04-06 JP JP7843693A patent/JP2546126B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986282A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008124210A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546126B2 (ja) | 1996-10-23 |
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