JPH06291172A - 半導体処理装置の工程管理装置 - Google Patents
半導体処理装置の工程管理装置Info
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- JPH06291172A JPH06291172A JP7463493A JP7463493A JPH06291172A JP H06291172 A JPH06291172 A JP H06291172A JP 7463493 A JP7463493 A JP 7463493A JP 7463493 A JP7463493 A JP 7463493A JP H06291172 A JPH06291172 A JP H06291172A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 4
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
Landscapes
- General Factory Administration (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハのキャリアによる搬送によって、そ
のウェーハが汚染されるのを確実に防止することのでき
る半導体処理装置の工程管理装置の提供。 【構成】 各工程の作業の情報及びその作業に使用する
各半導体処理装置の識別情報を記憶する第1の記憶手段
3と、各半導体処理装置における作業に基づくウェーハ
に対するクリーンレベルの情報を記憶する第2の記憶手
段5と、第1の記憶手段3及び第2の記憶手段5に記憶
されている各種情報を管理する第1の制御手段2と、各
工程の作業の情報の各半導体処理装置に対する流れ及び
各半導体処理装置における作業に基づくウェーハに対す
るクリーンレベルの情報に基づいて、各工程の必要な作
業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交換作業を挿入
する第2の制御手段6と、第1の制御手段2の制御に基
づいて、各半導体処理装置による各工程の作業に応じた
出力を発生する出力手段7とを設ける。
のウェーハが汚染されるのを確実に防止することのでき
る半導体処理装置の工程管理装置の提供。 【構成】 各工程の作業の情報及びその作業に使用する
各半導体処理装置の識別情報を記憶する第1の記憶手段
3と、各半導体処理装置における作業に基づくウェーハ
に対するクリーンレベルの情報を記憶する第2の記憶手
段5と、第1の記憶手段3及び第2の記憶手段5に記憶
されている各種情報を管理する第1の制御手段2と、各
工程の作業の情報の各半導体処理装置に対する流れ及び
各半導体処理装置における作業に基づくウェーハに対す
るクリーンレベルの情報に基づいて、各工程の必要な作
業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交換作業を挿入
する第2の制御手段6と、第1の制御手段2の制御に基
づいて、各半導体処理装置による各工程の作業に応じた
出力を発生する出力手段7とを設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体処理(製造)装置
の工程管理装置(システム)に関する。
の工程管理装置(システム)に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体デバイスの製造ラインで
は、相互汚染(クロスコンタミネイション)を防止する
めに、ウェーハを搬送するキャリアを交換することが一
般的に行われている。その場合に、半導体デバイスの処
理(製造)を管理する工程管理システムにおいて、作業
にキャリア交換作業をフラグとして持たせて、製造ライ
ンのオペレータに対し端末上でキャリア交換の指示を出
すようにしていた。
は、相互汚染(クロスコンタミネイション)を防止する
めに、ウェーハを搬送するキャリアを交換することが一
般的に行われている。その場合に、半導体デバイスの処
理(製造)を管理する工程管理システムにおいて、作業
にキャリア交換作業をフラグとして持たせて、製造ライ
ンのオペレータに対し端末上でキャリア交換の指示を出
すようにしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体デバイスの処理(製造)を管理する工程管
理システムには、次のような欠点がある。 作業毎にキャリア交換情報を入れる必要があるが、
入力ミスによって、キャリア交換情報の漏れが生じる虞
がある。 半導体処理装置の仕様が変更に成った際のメンテナ
ンスが、システムに登録されているその装置の全作業を
対象に行う必要があり、膨大な工数が必要と成る。 キャリア交換情報は作業毎に人手によって入力する
だけで、そのキャリア交換情報の有無をシステム上でチ
ェックされない。 プロセス(工程)の変更に対して、再度最初からキ
ャリア交換情報の有無のチェックを行う必要があり、工
数の効率が低く成る。 プロセス(工程)の入力に際して、各装置のキャリ
ア管理に関連する情報を常にその入力者が認知する必要
がある。
従来の半導体デバイスの処理(製造)を管理する工程管
理システムには、次のような欠点がある。 作業毎にキャリア交換情報を入れる必要があるが、
入力ミスによって、キャリア交換情報の漏れが生じる虞
がある。 半導体処理装置の仕様が変更に成った際のメンテナ
ンスが、システムに登録されているその装置の全作業を
対象に行う必要があり、膨大な工数が必要と成る。 キャリア交換情報は作業毎に人手によって入力する
だけで、そのキャリア交換情報の有無をシステム上でチ
ェックされない。 プロセス(工程)の変更に対して、再度最初からキ
ャリア交換情報の有無のチェックを行う必要があり、工
数の効率が低く成る。 プロセス(工程)の入力に際して、各装置のキャリ
ア管理に関連する情報を常にその入力者が認知する必要
がある。
【0004】かかる点に鑑み、本発明は、ウェーハのキ
ャリアによる搬送によって、そのウェーハが汚染される
のを確実に防止することのできる半導体処理装置の工程
管理装置(システム)を提案しようとするものである。
ャリアによる搬送によって、そのウェーハが汚染される
のを確実に防止することのできる半導体処理装置の工程
管理装置(システム)を提案しようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体処理
装置の工程管理装置は、各工程の作業の情報及びその作
業に使用する各半導体処理装置の識別情報を記憶する第
1の記憶手段3と、各半導体処理装置における作業に基
づくウェーハに対するクリーンレベルの情報を記憶する
第2の記憶手段5と、第1の記憶手段3及び第2の記憶
手段5に記憶されている各種情報を管理する第1の制御
手段2と、各工程の作業の情報の各半導体処理装置に対
する流れ及び各半導体処理装置における作業に基づくウ
ェーハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、各工
程の必要な作業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交
換作業を挿入する第2の制御手段6と、第1の制御手段
2の制御に基づいて、各半導体処理装置による各工程の
作業に応じた出力を発生する出力手段7とを設けたこと
を特徴とするものである。
装置の工程管理装置は、各工程の作業の情報及びその作
業に使用する各半導体処理装置の識別情報を記憶する第
1の記憶手段3と、各半導体処理装置における作業に基
づくウェーハに対するクリーンレベルの情報を記憶する
第2の記憶手段5と、第1の記憶手段3及び第2の記憶
手段5に記憶されている各種情報を管理する第1の制御
手段2と、各工程の作業の情報の各半導体処理装置に対
する流れ及び各半導体処理装置における作業に基づくウ
ェーハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、各工
程の必要な作業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交
換作業を挿入する第2の制御手段6と、第1の制御手段
2の制御に基づいて、各半導体処理装置による各工程の
作業に応じた出力を発生する出力手段7とを設けたこと
を特徴とするものである。
【0006】クリーンレベルの情報は、ウェーハのクリ
ーン情報及び半導体処理装置のローダ及びアンローダが
共通か否かの情報から成る。又、出力手段7は情報出力
装置である。
ーン情報及び半導体処理装置のローダ及びアンローダが
共通か否かの情報から成る。又、出力手段7は情報出力
装置である。
【0007】
【作用】かかる本発明によれば、第2の制御手段6によ
って、各工程の作業の情報の各半導体処理装置に対する
流れ及び各半導体処理装置における作業に基づくウェー
ハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、各工程の
必要な作業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交換作
業が挿入され、第1の制御手段によって、出力手段7か
ら各半導体処理装置による各工程の作業に応じた出力が
発生する。
って、各工程の作業の情報の各半導体処理装置に対する
流れ及び各半導体処理装置における作業に基づくウェー
ハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、各工程の
必要な作業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交換作
業が挿入され、第1の制御手段によって、出力手段7か
ら各半導体処理装置による各工程の作業に応じた出力が
発生する。
【0008】
【実施例】以下に、図面を参照して、本発明の実施例を
詳細に説明する。先ず、図1を参照して、この実施例の
システムを説明する。生産管理システムホストコンピュ
ータ(CPU)(エンジニアリングワークステーション
等)2が設けられる。このホストコンピュータ2は、デ
ータベース(外部記憶装置等の記憶手段)3、4及び5
を有している。このホストコンピュータ2は、キャリア
管理サブシステムコンピュータ(CPU)6と連携して
動作する。このサブシステムコンピュータ6はキャリア
管理を行うホスト内又は外部接続のコンピュータであ
る。ホストコンピュータ2には、CPU搭載端末(イン
テリジェントな端末)1と、半導体デバイス製造ライン
内に設けられた複数のオペレータ用端末7が接続されて
いる。
詳細に説明する。先ず、図1を参照して、この実施例の
システムを説明する。生産管理システムホストコンピュ
ータ(CPU)(エンジニアリングワークステーション
等)2が設けられる。このホストコンピュータ2は、デ
ータベース(外部記憶装置等の記憶手段)3、4及び5
を有している。このホストコンピュータ2は、キャリア
管理サブシステムコンピュータ(CPU)6と連携して
動作する。このサブシステムコンピュータ6はキャリア
管理を行うホスト内又は外部接続のコンピュータであ
る。ホストコンピュータ2には、CPU搭載端末(イン
テリジェントな端末)1と、半導体デバイス製造ライン
内に設けられた複数のオペレータ用端末7が接続されて
いる。
【0009】図3に示すようなプロセス情報(プロセス
フロー)が、エンジニアによって端末1から入力される
ものとする。このプロセス情報は、処理工程1、2、
3、…………が、それぞれいくつかの作業1−1〜1〜
4、2−1〜2−4、3−1、3−2、…………に分割
される。その各作業に対して、各種の半導体処理装置
A、B、C、D、E、F、G等が割り当てられる。又、
各作業1−1〜1〜4、2−1〜2−4、3−1、3−
2、…………には、それぞれいくつかの作業条件1−1
−1〜1−1−3、…………、1−4−1〜1−4−
3、2−1−1〜2−1−3、…………、2−4−1〜
2−4−3、3−1−1〜3−1−3、3−2−1〜3
−2−3、…………が設定されている。
フロー)が、エンジニアによって端末1から入力される
ものとする。このプロセス情報は、処理工程1、2、
3、…………が、それぞれいくつかの作業1−1〜1〜
4、2−1〜2−4、3−1、3−2、…………に分割
される。その各作業に対して、各種の半導体処理装置
A、B、C、D、E、F、G等が割り当てられる。又、
各作業1−1〜1〜4、2−1〜2−4、3−1、3−
2、…………には、それぞれいくつかの作業条件1−1
−1〜1−1−3、…………、1−4−1〜1−4−
3、2−1−1〜2−1−3、…………、2−4−1〜
2−4−3、3−1−1〜3−1−3、3−2−1〜3
−2−3、…………が設定されている。
【0010】ホストコンピュータ2は、製造ラインで半
導体デバイスを処理(製造)するに必要な情報、オペレ
ータが製造ライン内のオペレータ用端末7によって入力
する作業履歴、IPQCデータ等を保存(格納)するデ
ータベースを持っているが、ここでは特に、端末1によ
って入力されたプロセス(工程)パラメータを一時的に
保存するデータベース3、キャリア管理に関する情報を
持たせ、且つ、オペレータに対し端末7によって作業条
件を表示すためのプロセスパラメータを保持するデータ
ベース4及び各半導体処理装置に対しキャリア管理を行
うべきデータ等を保存するデータベース5を有してい
る。
導体デバイスを処理(製造)するに必要な情報、オペレ
ータが製造ライン内のオペレータ用端末7によって入力
する作業履歴、IPQCデータ等を保存(格納)するデ
ータベースを持っているが、ここでは特に、端末1によ
って入力されたプロセス(工程)パラメータを一時的に
保存するデータベース3、キャリア管理に関する情報を
持たせ、且つ、オペレータに対し端末7によって作業条
件を表示すためのプロセスパラメータを保持するデータ
ベース4及び各半導体処理装置に対しキャリア管理を行
うべきデータ等を保存するデータベース5を有してい
る。
【0011】ここでは、データベース5内の装置パラメ
ータの内キャリア管理に関するデータが重要な位置付け
と成る。キャリア管理は、ウェーハを、 レジスト、メタル、高濃度不純物層等をたないクリ
ーンウェーハ、 レジスト層付きウェーハ アルミニューム(Al)付きウェーハ アルミニューム(Al)を除く他のメタル、例え
ば、タングステン(W)付きウェーハ 高濃度不純物層付きウェーハ 等に区分し、これらの区分されたウェーハによって、そ
のウェーハを搬送するキャリアを使い分けて、相互汚染
(クロスコンタミネーション)を防ぐことを目的とする
管理である。
ータの内キャリア管理に関するデータが重要な位置付け
と成る。キャリア管理は、ウェーハを、 レジスト、メタル、高濃度不純物層等をたないクリ
ーンウェーハ、 レジスト層付きウェーハ アルミニューム(Al)付きウェーハ アルミニューム(Al)を除く他のメタル、例え
ば、タングステン(W)付きウェーハ 高濃度不純物層付きウェーハ 等に区分し、これらの区分されたウェーハによって、そ
のウェーハを搬送するキャリアを使い分けて、相互汚染
(クロスコンタミネーション)を防ぐことを目的とする
管理である。
【0012】各半導体処理装置にキャリア管理のデータ
を持たせる場合、その装置で処理される前に、その装置
のローダに仕掛ける際使用するキャリアと、処理した後
のアンローダ側に仕掛ける際使用するキャリアを明確に
区別する必要がある。例えば、レジストコータの場合、
ローダ側ではクリーンウェーハ用キャリアを使用し、ア
ンローダ側ではレジスト層付きウェーハ用キャリアを使
用することに成る。しかし、この場合、半導体処理装置
に仕掛けるウェーハの種類によって、アンローダ側のキ
ャリアの種類を変える必要がある。ウェーハがクリーン
ウェーハの場合にはレジスト層付きウェーハ用キャリ
ア、Al付きウェーハの場合はAl付きウェーハ用キャ
リア、W付きウェーハの場合はW付きウェーハ用キャリ
アが必要である。従って、コータの場合、作業者にロー
ダ側の設置ウェーハのクリーン状態の種類によって、ア
ンローダ側に設置するキャリアの種類をメッセージとし
ての指示が必要である。
を持たせる場合、その装置で処理される前に、その装置
のローダに仕掛ける際使用するキャリアと、処理した後
のアンローダ側に仕掛ける際使用するキャリアを明確に
区別する必要がある。例えば、レジストコータの場合、
ローダ側ではクリーンウェーハ用キャリアを使用し、ア
ンローダ側ではレジスト層付きウェーハ用キャリアを使
用することに成る。しかし、この場合、半導体処理装置
に仕掛けるウェーハの種類によって、アンローダ側のキ
ャリアの種類を変える必要がある。ウェーハがクリーン
ウェーハの場合にはレジスト層付きウェーハ用キャリ
ア、Al付きウェーハの場合はAl付きウェーハ用キャ
リア、W付きウェーハの場合はW付きウェーハ用キャリ
アが必要である。従って、コータの場合、作業者にロー
ダ側の設置ウェーハのクリーン状態の種類によって、ア
ンローダ側に設置するキャリアの種類をメッセージとし
ての指示が必要である。
【0013】半導体処理装置によっては、ローダとアン
ローダが同じ場合がある。このときは、ウェーハが半導
体処理装置で処理される前のキャリアを、ウェーハが半
導体処理装置で処理し終わった後の状態のキャリアに前
もって移し換える必要がある。例えば、Alを付ける装
置でローダ及びアンローダが同じ場合、その装置で処理
されたウェーハはAl付きウェーハと成るから、その装
置に仕掛ける前にキャリアをクリーンウェーハ用キャリ
アからAl付きウェーハ用キャリアに移し換える作業が
必要と成る。このように、半導体処理装置の種類によっ
て、オペレータに出す作業指示が異なることが分かる。
ローダが同じ場合がある。このときは、ウェーハが半導
体処理装置で処理される前のキャリアを、ウェーハが半
導体処理装置で処理し終わった後の状態のキャリアに前
もって移し換える必要がある。例えば、Alを付ける装
置でローダ及びアンローダが同じ場合、その装置で処理
されたウェーハはAl付きウェーハと成るから、その装
置に仕掛ける前にキャリアをクリーンウェーハ用キャリ
アからAl付きウェーハ用キャリアに移し換える作業が
必要と成る。このように、半導体処理装置の種類によっ
て、オペレータに出す作業指示が異なることが分かる。
【0014】そこで、図4に示すように、各種半導体処
理装置に対するクリーンフラグデータを決定する。この
クリーンフラグデータはウェーハのクリーンフラグと、
ローダ/アンローダ機構フラグから成っている。ウェー
ハのクリーンフラグには、C(クリーンウェーハ)、R
(レジスト付きウェーハ)、N(高濃度不純物N+ 付き
ウェーハ)、A(Al付きウェーハ)、W(W付きウェ
ーハ)等がある。ローダ/アンローダ機構フラグには、
S(ローダ及びアンローダが同じ場合)及びO(ローダ
及びアンローダが異なる場合)がある。
理装置に対するクリーンフラグデータを決定する。この
クリーンフラグデータはウェーハのクリーンフラグと、
ローダ/アンローダ機構フラグから成っている。ウェー
ハのクリーンフラグには、C(クリーンウェーハ)、R
(レジスト付きウェーハ)、N(高濃度不純物N+ 付き
ウェーハ)、A(Al付きウェーハ)、W(W付きウェ
ーハ)等がある。ローダ/アンローダ機構フラグには、
S(ローダ及びアンローダが同じ場合)及びO(ローダ
及びアンローダが異なる場合)がある。
【0015】次に、図2のフローチャートを参照して、
登録の手順を説明する。ステップST−1で登録を開始
する。ステップST−2で、エンジニアがCPU搭載端
末1より、図3のプロセス情報(プロセスフロー)等を
入力する。ステップST−3で、プロセス情報等の入力
を終了する。ステップST−4で、このプロセス情報等
のパラメータを、ホストコンピュータ2によってデータ
ベース3に保存する。
登録の手順を説明する。ステップST−1で登録を開始
する。ステップST−2で、エンジニアがCPU搭載端
末1より、図3のプロセス情報(プロセスフロー)等を
入力する。ステップST−3で、プロセス情報等の入力
を終了する。ステップST−4で、このプロセス情報等
のパラメータを、ホストコンピュータ2によってデータ
ベース3に保存する。
【0016】ステップST−5で、データベース3に保
存されているプロセス情報等のパラメータのデータベー
ス4への移行が、CPU搭載端末1によって指示され
る。この指示に基づいて、ホストコンピュータ2はサブ
システムコンピュータ6を制御して、データベース3に
保存されているプロセス情報等のパラメータのデータベ
ース4への移行を実行させる。このとき、ステップST
−6で、サブシステムコンピュータ6が、データベース
5から図3の各半導体処理装置のクリーンフラグデータ
をアクセスして、作業の流れに準じてキャリア交換、又
は、設置するキャリアの種類のメッセージが必要である
か否かのチェックを行う。
存されているプロセス情報等のパラメータのデータベー
ス4への移行が、CPU搭載端末1によって指示され
る。この指示に基づいて、ホストコンピュータ2はサブ
システムコンピュータ6を制御して、データベース3に
保存されているプロセス情報等のパラメータのデータベ
ース4への移行を実行させる。このとき、ステップST
−6で、サブシステムコンピュータ6が、データベース
5から図3の各半導体処理装置のクリーンフラグデータ
をアクセスして、作業の流れに準じてキャリア交換、又
は、設置するキャリアの種類のメッセージが必要である
か否かのチェックを行う。
【0017】半導体処理装置Bに仕掛ける場合は、図4
から分かるように、ローダ/アンローダ機構フラグがS
であるので、ステップST−7で、作業として、装置B
に仕掛ける直前にキャリア交換作業(全ウェーハをC用
のキャリアからR用のキャリアに変更させる)を自動生
成させ、その自動生成された作業を付加したプロセスフ
ロー(図2のプロセス情報の加工されたもの)が、デー
タベース4に保存されることに成る。
から分かるように、ローダ/アンローダ機構フラグがS
であるので、ステップST−7で、作業として、装置B
に仕掛ける直前にキャリア交換作業(全ウェーハをC用
のキャリアからR用のキャリアに変更させる)を自動生
成させ、その自動生成された作業を付加したプロセスフ
ロー(図2のプロセス情報の加工されたもの)が、デー
タベース4に保存されることに成る。
【0018】ローダ/アンローダ機構フラグがOの場合
は、ローダ側のキャリアに対応したキャリアをアンロー
ダ側に設置する必要がある。半導体処理装置Dの場合、
処理するウェーハがCであるときは、図4に示すよう
に、アンローダ側はR用のキャリアで良い。半導体処理
装置Gの場合、処理するウェーハがCであるときは、処
理するウェーハがWであるので、図4に示すように、ア
ンローダ側はW用キャリアで良い。半導体処理装置Fの
場合、処理するウェーハがCであるときは、図4に示す
ように、アンローダ側はA用のキャリアで良い。このよ
うに、アンローダ側に設置するキャリアの種類を、オペ
レータに知らせる必要があり、上述のような作業の自動
生成ではなくコメント表示するフラグを各場合に応じて
立てる。
は、ローダ側のキャリアに対応したキャリアをアンロー
ダ側に設置する必要がある。半導体処理装置Dの場合、
処理するウェーハがCであるときは、図4に示すよう
に、アンローダ側はR用のキャリアで良い。半導体処理
装置Gの場合、処理するウェーハがCであるときは、処
理するウェーハがWであるので、図4に示すように、ア
ンローダ側はW用キャリアで良い。半導体処理装置Fの
場合、処理するウェーハがCであるときは、図4に示す
ように、アンローダ側はA用のキャリアで良い。このよ
うに、アンローダ側に設置するキャリアの種類を、オペ
レータに知らせる必要があり、上述のような作業の自動
生成ではなくコメント表示するフラグを各場合に応じて
立てる。
【0019】ステップST−8で、以上のように、その
プロセス(工程)に属する所定枚数のウェーハのロット
を半導体処理装置Bに仕掛ける場合は、その自動生成さ
れたキャリア交換作業が、又、半導体処理装置Dに仕掛
ける場合は、設置するキャリアの種類についてのメッセ
ージを、ライン内のオペレータ端末7に表示することに
よって、オペレータに知らしめられる。かくして、キャ
リアの使用境界が明確に成り、ウェーハのキャリアによ
る相互汚染が回避される。このオペレータ端末7の画面
への表示内容としては、ウェーハのロット番号、プロセ
ス名、オペレータ名(担当者名)、作業条件(例えば、
SiO2を200nmの厚みで被着形成する等)、コメント
等である。そして、ステップST−9で終了と成る。
プロセス(工程)に属する所定枚数のウェーハのロット
を半導体処理装置Bに仕掛ける場合は、その自動生成さ
れたキャリア交換作業が、又、半導体処理装置Dに仕掛
ける場合は、設置するキャリアの種類についてのメッセ
ージを、ライン内のオペレータ端末7に表示することに
よって、オペレータに知らしめられる。かくして、キャ
リアの使用境界が明確に成り、ウェーハのキャリアによ
る相互汚染が回避される。このオペレータ端末7の画面
への表示内容としては、ウェーハのロット番号、プロセ
ス名、オペレータ名(担当者名)、作業条件(例えば、
SiO2を200nmの厚みで被着形成する等)、コメント
等である。そして、ステップST−9で終了と成る。
【0020】しかして、データベース4に記憶されてい
る一連のプロセス(工程)を、ホストコンピュータ2又
は他のコンピュータで自動チェックすることにより、キ
ャリア交換の有無、アンローダ側のキャリアの種類等の
確認を行うことによって、ウェーハのキャリアによる汚
染を防止することができる。
る一連のプロセス(工程)を、ホストコンピュータ2又
は他のコンピュータで自動チェックすることにより、キ
ャリア交換の有無、アンローダ側のキャリアの種類等の
確認を行うことによって、ウェーハのキャリアによる汚
染を防止することができる。
【0021】上述せる実施例によれば、各半導体処理装
置のキャリア交換に関する情報の一元管理が可能と成
る。この各半導体処理装置のキャリア交換に関する情報
の一元管理によって、作業の使用する半導体処理装置の
変更、その使用の仕方の変更(例えば、クリーンなウェ
ーハの処理を、高濃度不純物層を有するのウェーハの処
理に変更する等)等を行っても、キャリア交換情報の管
理に支障が生じる虞はない。どの半導体処理装置のキャ
リア交換が必要か、どのようなキャリア交換が必要かと
いった情報がなくても、プロセス(工程)の入力が可能
であるし、又、プロセスの変更に常に追従できる。そし
て、冒頭に述べた従来技術の欠点は悉く除去される。
置のキャリア交換に関する情報の一元管理が可能と成
る。この各半導体処理装置のキャリア交換に関する情報
の一元管理によって、作業の使用する半導体処理装置の
変更、その使用の仕方の変更(例えば、クリーンなウェ
ーハの処理を、高濃度不純物層を有するのウェーハの処
理に変更する等)等を行っても、キャリア交換情報の管
理に支障が生じる虞はない。どの半導体処理装置のキャ
リア交換が必要か、どのようなキャリア交換が必要かと
いった情報がなくても、プロセス(工程)の入力が可能
であるし、又、プロセスの変更に常に追従できる。そし
て、冒頭に述べた従来技術の欠点は悉く除去される。
【0022】
【発明の効果】上述せる本発明によれば、ウェーハのキ
ャリアによる搬送によって、そのウェーハが汚染される
のを確実に防止することのできる半導体処理装置の工程
管理装置を得ることができる。又、各半導体処理装置の
キャリア交換情報の一元管理が可能で、これにより半導
体処理装置の変更、その使用の変更等を行っても、キャ
リア交換情報の管理に支障が生じる虞はない。そして、
冒頭に述べた従来技術の欠点は悉く除去される。
ャリアによる搬送によって、そのウェーハが汚染される
のを確実に防止することのできる半導体処理装置の工程
管理装置を得ることができる。又、各半導体処理装置の
キャリア交換情報の一元管理が可能で、これにより半導
体処理装置の変更、その使用の変更等を行っても、キャ
リア交換情報の管理に支障が生じる虞はない。そして、
冒頭に述べた従来技術の欠点は悉く除去される。
【図1】本発明の実施例の装置(システム)を示すブロ
ック線図
ック線図
【図2】実施例の登録の動作を示すフローチャート
【図3】プロセス情報を示す表図
【図4】装置のクリーンフラグデータを示す表図
1 CPU搭載端末 2 ホストコンピュータ 3 データベース 4 データベース 5 データベース 6 サブシステムコンピュータ 7 オペレータ用端末 フローチャート
Claims (3)
- 【請求項1】 各工程の作業の情報及びその作業に使用
する各半導体処理装置の識別情報を記憶する第1の記憶
手段と、 上記各半導体処理装置における作業に基づくウェーハに
対するクリーンレベルの情報を記憶する第2の記憶手段
と、 上記第1の記憶手段及び上記第2の記憶手段に記憶され
ている各種情報を管理する第1の制御手段と、 上記各工程の作業の情報の上記各半導体処理装置に対す
る流れ及び上記各半導体処理装置における作業に基づく
ウェーハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、上
記各工程の必要な作業間に、上記ウェーハを搬送するキ
ャリアの交換作業を挿入する第2の制御手段と、 上記第1の制御手段の制御に基づいて、上記各半導体処
理装置による上記各工程の作業に応じた出力を発生する
出力手段とを設けたことを特徴とする半導体処理装置の
工程管理装置。 - 【請求項2】 上記クリーンレベルの情報は、上記ウェ
ーハのクリーン情報及び上記半導体処理装置のローダ及
びアンローダが共通か否かの情報から成ることを特徴と
する請求項1記載の半導体処理装置の工程管理装置。 - 【請求項3】 上記出力手段は情報出力装置であること
を特徴とする請求項1又は2に記載の半導体処理装置の
工程管理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7463493A JPH06291172A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体処理装置の工程管理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7463493A JPH06291172A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体処理装置の工程管理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06291172A true JPH06291172A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13552840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7463493A Pending JPH06291172A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体処理装置の工程管理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06291172A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6772032B2 (en) | 2002-09-09 | 2004-08-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device manufacturing line |
JP2007317944A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 局所クリーン化ロボット搬送工場及びロボット搬送式製造方法 |
US7574280B2 (en) | 2002-11-11 | 2009-08-11 | Semiconductor Energy Laboroatory Co., Ltd. | Automatic material handling system, production system for semiconductor device, and production management method for semiconductor device |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP7463493A patent/JPH06291172A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6772032B2 (en) | 2002-09-09 | 2004-08-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device manufacturing line |
US7574280B2 (en) | 2002-11-11 | 2009-08-11 | Semiconductor Energy Laboroatory Co., Ltd. | Automatic material handling system, production system for semiconductor device, and production management method for semiconductor device |
JP2007317944A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 局所クリーン化ロボット搬送工場及びロボット搬送式製造方法 |
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