JPH06291172A - 半導体処理装置の工程管理装置 - Google Patents
半導体処理装置の工程管理装置Info
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- JPH06291172A JPH06291172A JP7463493A JP7463493A JPH06291172A JP H06291172 A JPH06291172 A JP H06291172A JP 7463493 A JP7463493 A JP 7463493A JP 7463493 A JP7463493 A JP 7463493A JP H06291172 A JPH06291172 A JP H06291172A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハのキャリアによる搬送によって、そ
のウェーハが汚染されるのを確実に防止することのでき
る半導体処理装置の工程管理装置の提供。 【構成】 各工程の作業の情報及びその作業に使用する
各半導体処理装置の識別情報を記憶する第１の記憶手段
３と、各半導体処理装置における作業に基づくウェーハ
に対するクリーンレベルの情報を記憶する第２の記憶手
段５と、第１の記憶手段３及び第２の記憶手段５に記憶
されている各種情報を管理する第１の制御手段２と、各
工程の作業の情報の各半導体処理装置に対する流れ及び
各半導体処理装置における作業に基づくウェーハに対す
るクリーンレベルの情報に基づいて、各工程の必要な作
業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交換作業を挿入
する第２の制御手段６と、第１の制御手段２の制御に基
づいて、各半導体処理装置による各工程の作業に応じた
出力を発生する出力手段７とを設ける。
のウェーハが汚染されるのを確実に防止することのでき
る半導体処理装置の工程管理装置の提供。 【構成】 各工程の作業の情報及びその作業に使用する
各半導体処理装置の識別情報を記憶する第１の記憶手段
３と、各半導体処理装置における作業に基づくウェーハ
に対するクリーンレベルの情報を記憶する第２の記憶手
段５と、第１の記憶手段３及び第２の記憶手段５に記憶
されている各種情報を管理する第１の制御手段２と、各
工程の作業の情報の各半導体処理装置に対する流れ及び
各半導体処理装置における作業に基づくウェーハに対す
るクリーンレベルの情報に基づいて、各工程の必要な作
業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交換作業を挿入
する第２の制御手段６と、第１の制御手段２の制御に基
づいて、各半導体処理装置による各工程の作業に応じた
出力を発生する出力手段７とを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体処理（製造）装置
の工程管理装置（システム）に関する。
の工程管理装置（システム）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体デバイスの製造ラインで
は、相互汚染（クロスコンタミネイション）を防止する
めに、ウェーハを搬送するキャリアを交換することが一
般的に行われている。その場合に、半導体デバイスの処
理（製造）を管理する工程管理システムにおいて、作業
にキャリア交換作業をフラグとして持たせて、製造ライ
ンのオペレータに対し端末上でキャリア交換の指示を出
すようにしていた。
は、相互汚染（クロスコンタミネイション）を防止する
めに、ウェーハを搬送するキャリアを交換することが一
般的に行われている。その場合に、半導体デバイスの処
理（製造）を管理する工程管理システムにおいて、作業
にキャリア交換作業をフラグとして持たせて、製造ライ
ンのオペレータに対し端末上でキャリア交換の指示を出
すようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体デバイスの処理（製造）を管理する工程管
理システムには、次のような欠点がある。 作業毎にキャリア交換情報を入れる必要があるが、
入力ミスによって、キャリア交換情報の漏れが生じる虞
がある。 半導体処理装置の仕様が変更に成った際のメンテナ
ンスが、システムに登録されているその装置の全作業を
対象に行う必要があり、膨大な工数が必要と成る。 キャリア交換情報は作業毎に人手によって入力する
だけで、そのキャリア交換情報の有無をシステム上でチ
ェックされない。 プロセス（工程）の変更に対して、再度最初からキ
ャリア交換情報の有無のチェックを行う必要があり、工
数の効率が低く成る。 プロセス（工程）の入力に際して、各装置のキャリ
ア管理に関連する情報を常にその入力者が認知する必要
がある。
従来の半導体デバイスの処理（製造）を管理する工程管
理システムには、次のような欠点がある。 作業毎にキャリア交換情報を入れる必要があるが、
入力ミスによって、キャリア交換情報の漏れが生じる虞
がある。 半導体処理装置の仕様が変更に成った際のメンテナ
ンスが、システムに登録されているその装置の全作業を
対象に行う必要があり、膨大な工数が必要と成る。 キャリア交換情報は作業毎に人手によって入力する
だけで、そのキャリア交換情報の有無をシステム上でチ
ェックされない。 プロセス（工程）の変更に対して、再度最初からキ
ャリア交換情報の有無のチェックを行う必要があり、工
数の効率が低く成る。 プロセス（工程）の入力に際して、各装置のキャリ
ア管理に関連する情報を常にその入力者が認知する必要
がある。
【０００４】かかる点に鑑み、本発明は、ウェーハのキ
ャリアによる搬送によって、そのウェーハが汚染される
のを確実に防止することのできる半導体処理装置の工程
管理装置（システム）を提案しようとするものである。
ャリアによる搬送によって、そのウェーハが汚染される
のを確実に防止することのできる半導体処理装置の工程
管理装置（システム）を提案しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体処理
装置の工程管理装置は、各工程の作業の情報及びその作
業に使用する各半導体処理装置の識別情報を記憶する第
１の記憶手段３と、各半導体処理装置における作業に基
づくウェーハに対するクリーンレベルの情報を記憶する
第２の記憶手段５と、第１の記憶手段３及び第２の記憶
手段５に記憶されている各種情報を管理する第１の制御
手段２と、各工程の作業の情報の各半導体処理装置に対
する流れ及び各半導体処理装置における作業に基づくウ
ェーハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、各工
程の必要な作業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交
換作業を挿入する第２の制御手段６と、第１の制御手段
２の制御に基づいて、各半導体処理装置による各工程の
作業に応じた出力を発生する出力手段７とを設けたこと
を特徴とするものである。
装置の工程管理装置は、各工程の作業の情報及びその作
業に使用する各半導体処理装置の識別情報を記憶する第
１の記憶手段３と、各半導体処理装置における作業に基
づくウェーハに対するクリーンレベルの情報を記憶する
第２の記憶手段５と、第１の記憶手段３及び第２の記憶
手段５に記憶されている各種情報を管理する第１の制御
手段２と、各工程の作業の情報の各半導体処理装置に対
する流れ及び各半導体処理装置における作業に基づくウ
ェーハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、各工
程の必要な作業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交
換作業を挿入する第２の制御手段６と、第１の制御手段
２の制御に基づいて、各半導体処理装置による各工程の
作業に応じた出力を発生する出力手段７とを設けたこと
を特徴とするものである。
【０００６】クリーンレベルの情報は、ウェーハのクリ
ーン情報及び半導体処理装置のローダ及びアンローダが
共通か否かの情報から成る。又、出力手段７は情報出力
装置である。
ーン情報及び半導体処理装置のローダ及びアンローダが
共通か否かの情報から成る。又、出力手段７は情報出力
装置である。
【０００７】
【作用】かかる本発明によれば、第２の制御手段６によ
って、各工程の作業の情報の各半導体処理装置に対する
流れ及び各半導体処理装置における作業に基づくウェー
ハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、各工程の
必要な作業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交換作
業が挿入され、第１の制御手段によって、出力手段７か
ら各半導体処理装置による各工程の作業に応じた出力が
発生する。
って、各工程の作業の情報の各半導体処理装置に対する
流れ及び各半導体処理装置における作業に基づくウェー
ハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、各工程の
必要な作業間に、ウェーハを搬送するキャリアの交換作
業が挿入され、第１の制御手段によって、出力手段７か
ら各半導体処理装置による各工程の作業に応じた出力が
発生する。
【０００８】
【実施例】以下に、図面を参照して、本発明の実施例を
詳細に説明する。先ず、図１を参照して、この実施例の
システムを説明する。生産管理システムホストコンピュ
ータ（ＣＰＵ）（エンジニアリングワークステーション
等）２が設けられる。このホストコンピュータ２は、デ
ータベース（外部記憶装置等の記憶手段）３、４及び５
を有している。このホストコンピュータ２は、キャリア
管理サブシステムコンピュータ（ＣＰＵ）６と連携して
動作する。このサブシステムコンピュータ６はキャリア
管理を行うホスト内又は外部接続のコンピュータであ
る。ホストコンピュータ２には、ＣＰＵ搭載端末（イン
テリジェントな端末）１と、半導体デバイス製造ライン
内に設けられた複数のオペレータ用端末７が接続されて
いる。
詳細に説明する。先ず、図１を参照して、この実施例の
システムを説明する。生産管理システムホストコンピュ
ータ（ＣＰＵ）（エンジニアリングワークステーション
等）２が設けられる。このホストコンピュータ２は、デ
ータベース（外部記憶装置等の記憶手段）３、４及び５
を有している。このホストコンピュータ２は、キャリア
管理サブシステムコンピュータ（ＣＰＵ）６と連携して
動作する。このサブシステムコンピュータ６はキャリア
管理を行うホスト内又は外部接続のコンピュータであ
る。ホストコンピュータ２には、ＣＰＵ搭載端末（イン
テリジェントな端末）１と、半導体デバイス製造ライン
内に設けられた複数のオペレータ用端末７が接続されて
いる。
【０００９】図３に示すようなプロセス情報（プロセス
フロー）が、エンジニアによって端末１から入力される
ものとする。このプロセス情報は、処理工程１、２、
３、…………が、それぞれいくつかの作業１−１〜１〜
４、２−１〜２−４、３−１、３−２、…………に分割
される。その各作業に対して、各種の半導体処理装置
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ等が割り当てられる。又、
各作業１−１〜１〜４、２−１〜２−４、３−１、３−
２、…………には、それぞれいくつかの作業条件１−１
−１〜１−１−３、…………、１−４−１〜１−４−
３、２−１−１〜２−１−３、…………、２−４−１〜
２−４−３、３−１−１〜３−１−３、３−２−１〜３
−２−３、…………が設定されている。
フロー）が、エンジニアによって端末１から入力される
ものとする。このプロセス情報は、処理工程１、２、
３、…………が、それぞれいくつかの作業１−１〜１〜
４、２−１〜２−４、３−１、３−２、…………に分割
される。その各作業に対して、各種の半導体処理装置
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ等が割り当てられる。又、
各作業１−１〜１〜４、２−１〜２−４、３−１、３−
２、…………には、それぞれいくつかの作業条件１−１
−１〜１−１−３、…………、１−４−１〜１−４−
３、２−１−１〜２−１−３、…………、２−４−１〜
２−４−３、３−１−１〜３−１−３、３−２−１〜３
−２−３、…………が設定されている。
【００１０】ホストコンピュータ２は、製造ラインで半
導体デバイスを処理（製造）するに必要な情報、オペレ
ータが製造ライン内のオペレータ用端末７によって入力
する作業履歴、ＩＰＱＣデータ等を保存（格納）するデ
ータベースを持っているが、ここでは特に、端末１によ
って入力されたプロセス（工程）パラメータを一時的に
保存するデータベース３、キャリア管理に関する情報を
持たせ、且つ、オペレータに対し端末７によって作業条
件を表示すためのプロセスパラメータを保持するデータ
ベース４及び各半導体処理装置に対しキャリア管理を行
うべきデータ等を保存するデータベース５を有してい
る。
導体デバイスを処理（製造）するに必要な情報、オペレ
ータが製造ライン内のオペレータ用端末７によって入力
する作業履歴、ＩＰＱＣデータ等を保存（格納）するデ
ータベースを持っているが、ここでは特に、端末１によ
って入力されたプロセス（工程）パラメータを一時的に
保存するデータベース３、キャリア管理に関する情報を
持たせ、且つ、オペレータに対し端末７によって作業条
件を表示すためのプロセスパラメータを保持するデータ
ベース４及び各半導体処理装置に対しキャリア管理を行
うべきデータ等を保存するデータベース５を有してい
る。
【００１１】ここでは、データベース５内の装置パラメ
ータの内キャリア管理に関するデータが重要な位置付け
と成る。キャリア管理は、ウェーハを、 レジスト、メタル、高濃度不純物層等をたないクリ
ーンウェーハ、 レジスト層付きウェーハ アルミニューム（Ａｌ）付きウェーハ アルミニューム（Ａｌ）を除く他のメタル、例え
ば、タングステン（Ｗ）付きウェーハ 高濃度不純物層付きウェーハ 等に区分し、これらの区分されたウェーハによって、そ
のウェーハを搬送するキャリアを使い分けて、相互汚染
（クロスコンタミネーション）を防ぐことを目的とする
管理である。
ータの内キャリア管理に関するデータが重要な位置付け
と成る。キャリア管理は、ウェーハを、 レジスト、メタル、高濃度不純物層等をたないクリ
ーンウェーハ、 レジスト層付きウェーハ アルミニューム（Ａｌ）付きウェーハ アルミニューム（Ａｌ）を除く他のメタル、例え
ば、タングステン（Ｗ）付きウェーハ 高濃度不純物層付きウェーハ 等に区分し、これらの区分されたウェーハによって、そ
のウェーハを搬送するキャリアを使い分けて、相互汚染
（クロスコンタミネーション）を防ぐことを目的とする
管理である。
【００１２】各半導体処理装置にキャリア管理のデータ
を持たせる場合、その装置で処理される前に、その装置
のローダに仕掛ける際使用するキャリアと、処理した後
のアンローダ側に仕掛ける際使用するキャリアを明確に
区別する必要がある。例えば、レジストコータの場合、
ローダ側ではクリーンウェーハ用キャリアを使用し、ア
ンローダ側ではレジスト層付きウェーハ用キャリアを使
用することに成る。しかし、この場合、半導体処理装置
に仕掛けるウェーハの種類によって、アンローダ側のキ
ャリアの種類を変える必要がある。ウェーハがクリーン
ウェーハの場合にはレジスト層付きウェーハ用キャリ
ア、Ａｌ付きウェーハの場合はＡｌ付きウェーハ用キャ
リア、Ｗ付きウェーハの場合はＷ付きウェーハ用キャリ
アが必要である。従って、コータの場合、作業者にロー
ダ側の設置ウェーハのクリーン状態の種類によって、ア
ンローダ側に設置するキャリアの種類をメッセージとし
ての指示が必要である。
を持たせる場合、その装置で処理される前に、その装置
のローダに仕掛ける際使用するキャリアと、処理した後
のアンローダ側に仕掛ける際使用するキャリアを明確に
区別する必要がある。例えば、レジストコータの場合、
ローダ側ではクリーンウェーハ用キャリアを使用し、ア
ンローダ側ではレジスト層付きウェーハ用キャリアを使
用することに成る。しかし、この場合、半導体処理装置
に仕掛けるウェーハの種類によって、アンローダ側のキ
ャリアの種類を変える必要がある。ウェーハがクリーン
ウェーハの場合にはレジスト層付きウェーハ用キャリ
ア、Ａｌ付きウェーハの場合はＡｌ付きウェーハ用キャ
リア、Ｗ付きウェーハの場合はＷ付きウェーハ用キャリ
アが必要である。従って、コータの場合、作業者にロー
ダ側の設置ウェーハのクリーン状態の種類によって、ア
ンローダ側に設置するキャリアの種類をメッセージとし
ての指示が必要である。
【００１３】半導体処理装置によっては、ローダとアン
ローダが同じ場合がある。このときは、ウェーハが半導
体処理装置で処理される前のキャリアを、ウェーハが半
導体処理装置で処理し終わった後の状態のキャリアに前
もって移し換える必要がある。例えば、Ａｌを付ける装
置でローダ及びアンローダが同じ場合、その装置で処理
されたウェーハはＡｌ付きウェーハと成るから、その装
置に仕掛ける前にキャリアをクリーンウェーハ用キャリ
アからＡｌ付きウェーハ用キャリアに移し換える作業が
必要と成る。このように、半導体処理装置の種類によっ
て、オペレータに出す作業指示が異なることが分かる。
ローダが同じ場合がある。このときは、ウェーハが半導
体処理装置で処理される前のキャリアを、ウェーハが半
導体処理装置で処理し終わった後の状態のキャリアに前
もって移し換える必要がある。例えば、Ａｌを付ける装
置でローダ及びアンローダが同じ場合、その装置で処理
されたウェーハはＡｌ付きウェーハと成るから、その装
置に仕掛ける前にキャリアをクリーンウェーハ用キャリ
アからＡｌ付きウェーハ用キャリアに移し換える作業が
必要と成る。このように、半導体処理装置の種類によっ
て、オペレータに出す作業指示が異なることが分かる。
【００１４】そこで、図４に示すように、各種半導体処
理装置に対するクリーンフラグデータを決定する。この
クリーンフラグデータはウェーハのクリーンフラグと、
ローダ／アンローダ機構フラグから成っている。ウェー
ハのクリーンフラグには、Ｃ（クリーンウェーハ）、Ｒ
（レジスト付きウェーハ）、Ｎ（高濃度不純物Ｎ+ 付き
ウェーハ）、Ａ（Ａｌ付きウェーハ）、Ｗ（Ｗ付きウェ
ーハ）等がある。ローダ／アンローダ機構フラグには、
Ｓ（ローダ及びアンローダが同じ場合）及びＯ（ローダ
及びアンローダが異なる場合）がある。
理装置に対するクリーンフラグデータを決定する。この
クリーンフラグデータはウェーハのクリーンフラグと、
ローダ／アンローダ機構フラグから成っている。ウェー
ハのクリーンフラグには、Ｃ（クリーンウェーハ）、Ｒ
（レジスト付きウェーハ）、Ｎ（高濃度不純物Ｎ+ 付き
ウェーハ）、Ａ（Ａｌ付きウェーハ）、Ｗ（Ｗ付きウェ
ーハ）等がある。ローダ／アンローダ機構フラグには、
Ｓ（ローダ及びアンローダが同じ場合）及びＯ（ローダ
及びアンローダが異なる場合）がある。
【００１５】次に、図２のフローチャートを参照して、
登録の手順を説明する。ステップＳＴ−１で登録を開始
する。ステップＳＴ−２で、エンジニアがＣＰＵ搭載端
末１より、図３のプロセス情報（プロセスフロー）等を
入力する。ステップＳＴ−３で、プロセス情報等の入力
を終了する。ステップＳＴ−４で、このプロセス情報等
のパラメータを、ホストコンピュータ２によってデータ
ベース３に保存する。
登録の手順を説明する。ステップＳＴ−１で登録を開始
する。ステップＳＴ−２で、エンジニアがＣＰＵ搭載端
末１より、図３のプロセス情報（プロセスフロー）等を
入力する。ステップＳＴ−３で、プロセス情報等の入力
を終了する。ステップＳＴ−４で、このプロセス情報等
のパラメータを、ホストコンピュータ２によってデータ
ベース３に保存する。
【００１６】ステップＳＴ−５で、データベース３に保
存されているプロセス情報等のパラメータのデータベー
ス４への移行が、ＣＰＵ搭載端末１によって指示され
る。この指示に基づいて、ホストコンピュータ２はサブ
システムコンピュータ６を制御して、データベース３に
保存されているプロセス情報等のパラメータのデータベ
ース４への移行を実行させる。このとき、ステップＳＴ
−６で、サブシステムコンピュータ６が、データベース
５から図３の各半導体処理装置のクリーンフラグデータ
をアクセスして、作業の流れに準じてキャリア交換、又
は、設置するキャリアの種類のメッセージが必要である
か否かのチェックを行う。
存されているプロセス情報等のパラメータのデータベー
ス４への移行が、ＣＰＵ搭載端末１によって指示され
る。この指示に基づいて、ホストコンピュータ２はサブ
システムコンピュータ６を制御して、データベース３に
保存されているプロセス情報等のパラメータのデータベ
ース４への移行を実行させる。このとき、ステップＳＴ
−６で、サブシステムコンピュータ６が、データベース
５から図３の各半導体処理装置のクリーンフラグデータ
をアクセスして、作業の流れに準じてキャリア交換、又
は、設置するキャリアの種類のメッセージが必要である
か否かのチェックを行う。
【００１７】半導体処理装置Ｂに仕掛ける場合は、図４
から分かるように、ローダ／アンローダ機構フラグがＳ
であるので、ステップＳＴ−７で、作業として、装置Ｂ
に仕掛ける直前にキャリア交換作業（全ウェーハをＣ用
のキャリアからＲ用のキャリアに変更させる）を自動生
成させ、その自動生成された作業を付加したプロセスフ
ロー（図２のプロセス情報の加工されたもの）が、デー
タベース４に保存されることに成る。
から分かるように、ローダ／アンローダ機構フラグがＳ
であるので、ステップＳＴ−７で、作業として、装置Ｂ
に仕掛ける直前にキャリア交換作業（全ウェーハをＣ用
のキャリアからＲ用のキャリアに変更させる）を自動生
成させ、その自動生成された作業を付加したプロセスフ
ロー（図２のプロセス情報の加工されたもの）が、デー
タベース４に保存されることに成る。
【００１８】ローダ／アンローダ機構フラグがＯの場合
は、ローダ側のキャリアに対応したキャリアをアンロー
ダ側に設置する必要がある。半導体処理装置Ｄの場合、
処理するウェーハがＣであるときは、図４に示すよう
に、アンローダ側はＲ用のキャリアで良い。半導体処理
装置Ｇの場合、処理するウェーハがＣであるときは、処
理するウェーハがＷであるので、図４に示すように、ア
ンローダ側はＷ用キャリアで良い。半導体処理装置Ｆの
場合、処理するウェーハがＣであるときは、図４に示す
ように、アンローダ側はＡ用のキャリアで良い。このよ
うに、アンローダ側に設置するキャリアの種類を、オペ
レータに知らせる必要があり、上述のような作業の自動
生成ではなくコメント表示するフラグを各場合に応じて
立てる。
は、ローダ側のキャリアに対応したキャリアをアンロー
ダ側に設置する必要がある。半導体処理装置Ｄの場合、
処理するウェーハがＣであるときは、図４に示すよう
に、アンローダ側はＲ用のキャリアで良い。半導体処理
装置Ｇの場合、処理するウェーハがＣであるときは、処
理するウェーハがＷであるので、図４に示すように、ア
ンローダ側はＷ用キャリアで良い。半導体処理装置Ｆの
場合、処理するウェーハがＣであるときは、図４に示す
ように、アンローダ側はＡ用のキャリアで良い。このよ
うに、アンローダ側に設置するキャリアの種類を、オペ
レータに知らせる必要があり、上述のような作業の自動
生成ではなくコメント表示するフラグを各場合に応じて
立てる。
【００１９】ステップＳＴ−８で、以上のように、その
プロセス（工程）に属する所定枚数のウェーハのロット
を半導体処理装置Ｂに仕掛ける場合は、その自動生成さ
れたキャリア交換作業が、又、半導体処理装置Ｄに仕掛
ける場合は、設置するキャリアの種類についてのメッセ
ージを、ライン内のオペレータ端末７に表示することに
よって、オペレータに知らしめられる。かくして、キャ
リアの使用境界が明確に成り、ウェーハのキャリアによ
る相互汚染が回避される。このオペレータ端末７の画面
への表示内容としては、ウェーハのロット番号、プロセ
ス名、オペレータ名（担当者名）、作業条件（例えば、
SiO2を２００ｎｍの厚みで被着形成する等）、コメント
等である。そして、ステップＳＴ−９で終了と成る。
プロセス（工程）に属する所定枚数のウェーハのロット
を半導体処理装置Ｂに仕掛ける場合は、その自動生成さ
れたキャリア交換作業が、又、半導体処理装置Ｄに仕掛
ける場合は、設置するキャリアの種類についてのメッセ
ージを、ライン内のオペレータ端末７に表示することに
よって、オペレータに知らしめられる。かくして、キャ
リアの使用境界が明確に成り、ウェーハのキャリアによ
る相互汚染が回避される。このオペレータ端末７の画面
への表示内容としては、ウェーハのロット番号、プロセ
ス名、オペレータ名（担当者名）、作業条件（例えば、
SiO2を２００ｎｍの厚みで被着形成する等）、コメント
等である。そして、ステップＳＴ−９で終了と成る。
【００２０】しかして、データベース４に記憶されてい
る一連のプロセス（工程）を、ホストコンピュータ２又
は他のコンピュータで自動チェックすることにより、キ
ャリア交換の有無、アンローダ側のキャリアの種類等の
確認を行うことによって、ウェーハのキャリアによる汚
染を防止することができる。
る一連のプロセス（工程）を、ホストコンピュータ２又
は他のコンピュータで自動チェックすることにより、キ
ャリア交換の有無、アンローダ側のキャリアの種類等の
確認を行うことによって、ウェーハのキャリアによる汚
染を防止することができる。
【００２１】上述せる実施例によれば、各半導体処理装
置のキャリア交換に関する情報の一元管理が可能と成
る。この各半導体処理装置のキャリア交換に関する情報
の一元管理によって、作業の使用する半導体処理装置の
変更、その使用の仕方の変更（例えば、クリーンなウェ
ーハの処理を、高濃度不純物層を有するのウェーハの処
理に変更する等）等を行っても、キャリア交換情報の管
理に支障が生じる虞はない。どの半導体処理装置のキャ
リア交換が必要か、どのようなキャリア交換が必要かと
いった情報がなくても、プロセス（工程）の入力が可能
であるし、又、プロセスの変更に常に追従できる。そし
て、冒頭に述べた従来技術の欠点は悉く除去される。
置のキャリア交換に関する情報の一元管理が可能と成
る。この各半導体処理装置のキャリア交換に関する情報
の一元管理によって、作業の使用する半導体処理装置の
変更、その使用の仕方の変更（例えば、クリーンなウェ
ーハの処理を、高濃度不純物層を有するのウェーハの処
理に変更する等）等を行っても、キャリア交換情報の管
理に支障が生じる虞はない。どの半導体処理装置のキャ
リア交換が必要か、どのようなキャリア交換が必要かと
いった情報がなくても、プロセス（工程）の入力が可能
であるし、又、プロセスの変更に常に追従できる。そし
て、冒頭に述べた従来技術の欠点は悉く除去される。
【００２２】
【発明の効果】上述せる本発明によれば、ウェーハのキ
ャリアによる搬送によって、そのウェーハが汚染される
のを確実に防止することのできる半導体処理装置の工程
管理装置を得ることができる。又、各半導体処理装置の
キャリア交換情報の一元管理が可能で、これにより半導
体処理装置の変更、その使用の変更等を行っても、キャ
リア交換情報の管理に支障が生じる虞はない。そして、
冒頭に述べた従来技術の欠点は悉く除去される。
ャリアによる搬送によって、そのウェーハが汚染される
のを確実に防止することのできる半導体処理装置の工程
管理装置を得ることができる。又、各半導体処理装置の
キャリア交換情報の一元管理が可能で、これにより半導
体処理装置の変更、その使用の変更等を行っても、キャ
リア交換情報の管理に支障が生じる虞はない。そして、
冒頭に述べた従来技術の欠点は悉く除去される。
【図１】本発明の実施例の装置（システム）を示すブロ
ック線図
ック線図
【図２】実施例の登録の動作を示すフローチャート
【図３】プロセス情報を示す表図
【図４】装置のクリーンフラグデータを示す表図
１ ＣＰＵ搭載端末 ２ ホストコンピュータ ３ データベース ４ データベース ５ データベース ６ サブシステムコンピュータ ７ オペレータ用端末 フローチャート
Claims (3)
- 【請求項１】 各工程の作業の情報及びその作業に使用
する各半導体処理装置の識別情報を記憶する第１の記憶
手段と、 上記各半導体処理装置における作業に基づくウェーハに
対するクリーンレベルの情報を記憶する第２の記憶手段
と、 上記第１の記憶手段及び上記第２の記憶手段に記憶され
ている各種情報を管理する第１の制御手段と、 上記各工程の作業の情報の上記各半導体処理装置に対す
る流れ及び上記各半導体処理装置における作業に基づく
ウェーハに対するクリーンレベルの情報に基づいて、上
記各工程の必要な作業間に、上記ウェーハを搬送するキ
ャリアの交換作業を挿入する第２の制御手段と、 上記第１の制御手段の制御に基づいて、上記各半導体処
理装置による上記各工程の作業に応じた出力を発生する
出力手段とを設けたことを特徴とする半導体処理装置の
工程管理装置。 - 【請求項２】 上記クリーンレベルの情報は、上記ウェ
ーハのクリーン情報及び上記半導体処理装置のローダ及
びアンローダが共通か否かの情報から成ることを特徴と
する請求項１記載の半導体処理装置の工程管理装置。 - 【請求項３】 上記出力手段は情報出力装置であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の半導体処理装置の
工程管理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7463493A JPH06291172A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体処理装置の工程管理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7463493A JPH06291172A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体処理装置の工程管理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291172A true JPH06291172A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13552840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7463493A Pending JPH06291172A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体処理装置の工程管理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291172A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6772032B2 (en) | 2002-09-09 | 2004-08-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device manufacturing line |
| JP2007317944A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 局所クリーン化ロボット搬送工場及びロボット搬送式製造方法 |
| US7574280B2 (en) | 2002-11-11 | 2009-08-11 | Semiconductor Energy Laboroatory Co., Ltd. | Automatic material handling system, production system for semiconductor device, and production management method for semiconductor device |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP7463493A patent/JPH06291172A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6772032B2 (en) | 2002-09-09 | 2004-08-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device manufacturing line |
| US7574280B2 (en) | 2002-11-11 | 2009-08-11 | Semiconductor Energy Laboroatory Co., Ltd. | Automatic material handling system, production system for semiconductor device, and production management method for semiconductor device |
| JP2007317944A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 局所クリーン化ロボット搬送工場及びロボット搬送式製造方法 |
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