JPH06291065A - 半導体結晶の成長方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＭＯＣＶＤ法による量子細線または量子井戸
の作製中にステップフロー成長が生じているか否かを成
長を中断または妨げることなく、簡便に知ることおよび
ＭＯＣＶＤ成長の任意の時点において成長モードを判定
するようにした。 【構成】 バルブ２１，２２の開閉制御により、ＧａＡ
ｓ微傾斜基板３にＡｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₃ を所定の時間だけ流
し、ＡｌＡｓを０．５分子層以下だけ成長させ、その
後、ＡｓＨ₃ を流した後、Ｇａ（Ｃ₂Ｈ₅）₃を所定の時
間だけ流し、ＧａＡｓを０．５分子層成長させる一連の
ガス供給シークエンスを行い、このシークエンスを開始
するときにトリガー信号をレコーダー１０に送り、反射
率差の測定を開始する。一連のシークエンスが終了する
と、レコーダー１０へ再びトリガー信号を送ってレコー
ダー１０の作動を停止する。この一連のシークエンスに
おいて、レコーダー１０に記録された光出力の時間変化
をモニターする

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表面の状態を成長中に
その場を観察しつつ行うエピタキシャル結晶成長におい
て、成長がステップフロー成長によって進んでいるか否
かの判定に適用される半導体結晶の成長方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】半導体中の電子を１次元的に閉じ込める
量子井戸構造は、レーザーなどの光デバイスや高移動度
トランジスタなどの電子デバイスに応用され、その有用
性が明らかになっている。半導体中の電子を２次元的に
閉じ込める量子細線構造は、それらのデバイスの極限性
能を越える新たなデバイスを実現するための有力な方法
として注目されている。

【０００３】この中でも図１１に示すようにＧａＡｓ
（００１）面から［１バー１０］方向に角度ｘ傾いたＧ
ａＡｓ微傾斜基板３上の各単分子層ステップ１１によっ
て挟まれて形成されたテラス１２上にＡｌＡｓ分子層，
ＧａＡｓ分子層を交互に複数層析出させて構成される分
数原子層超格子（以下、ＦＬＳという）１６を用いた電
子デバイスや光デバイスは、従来にない新たな性質を持
つデバイスとして有望である。また、このＦＬＳ１６は
高度なリソグラフィ技術に頼ることなく、約１０ｎｍ以
下の極めて微細な量子細線を作ることができる点でも他
の量子細線作製法に比べて有利である。なお、この種の
縦型半導体超格子の構造は、例えば特願昭６１−２３９
３００号に開示されている。

【０００４】このＦＬＳを始めとする量子細線の形成の
ためには、ステップフロー成長が必要条件となる。この
ステップフロー成長とは、図１２に示すように結晶表面
に存在する単分子層ステップ１１に原子１３が付着し、
その付着原子１３がステップ端に取り込まれ、ステップ
１１の位置が前進することによって進行するエピタキシ
ャル成長の形態をいう。

【０００５】これに対する成長形態として知られている
２次元核成長とは、図１３に示すようにジャスト基板１
５上の原子レベルで平坦な結晶表面領域（単分子層ステ
ップも存在しない領域）１７に原子１３が到達し、表面
上での移動や原子同士の衝突を繰り返すうちに単分子層
厚のディスク状の島（これを２次元核と呼ぶ）１４を形
成し、その２次元核１４が単分子層厚の高さを保ったま
ま、平面状に大きくなったり、異なる場所にできた島が
融合したりして表面が平面状の島（すなわち２次元核）
で覆われていくことによる成長を言う。このステップフ
ロー成長は、上記量子細線の作製に不可欠であるばかり
でなく、通常の量子井戸構造の作製においても結晶のヘ
テロ界面の平坦性の向上にとって重要である。

【０００６】従来、エピタキシャル成長がステップフロ
ーモードで進行しているか、２次元核形成で進行してい
るかを結晶成長中に知るには、反射高エネルギー電子回
折（ＲＨＥＥＤ）強度の振動をモニターすることが一般
的に行われていた。この方法は、図１４および図１５に
示すようにＧａＡｓ微傾斜基板３のステップ１１に平行
な入射アジマスで電子線２３を入射した際に反射電子線
２４の反射強度Ｉがテラス１２上に２次元核１４が存在
する場合（図１４（ａ））と存在しない場合（図１５
（ａ））とで異なることを利用したものである。

【０００７】成長がステップフローモードで進行する場
合（図１５（ａ））には、テラス１２上に２次元核１４
の形成が起きないため、図１５（ｂ）に示すように電子
線２４の反射強度Ｉが高いまま成長が進む。一方、成長
が２次元核１４の形成によって進む場合（図１４
（ａ））には、図１４（ｂ）に示すように電子線２４の
反射強度Ｉが振動する。これは、テラス１２上での２次
元核１４の形成とそれらの２次元核１４とが拡大，融合
した結果、平坦な表面が再び現れるという繰り返しで成
長が進むためである。したがって、反射電子線２４の反
射強度Ｉが振動するかまたは一定のまま保たれるかをモ
ニターすることによって成長モードの判定が可能とな
る。この方法は、分子線エピタキシャル成長法には適用
可能であるが、気相中での成長であるＭＯＣＶＤ法で
は、電子線が気相中を透過しないため、「その場観察」
には利用できない。

【０００８】ＭＯＣＶＤ法で同様の現象をモニターする
方法として光の反射を利用するものがある。これは光反
射率差法と呼ばれ、表面にほぼ垂直に入射する直線偏光
の反射率が偏光方向により僅かに異なることを利用して
表面状態、特に光で検出される表面の異方性をモニター
しようとするものである。この方法では、図３に示すよ
うに反応管５の周囲に設置した光源１，偏光子２，光弾
性変調器６，検光子７，光検出器８および信号検出用ロ
ックインアンプ９を用いて反射光の偏光面の回転を検出
することによって成長中の結晶表面の異方性の変化を検
出する。光源１を出た光は、偏光子２によって直線偏光
に変えられ、サンプル表面にほぼ垂直に入射する。

【０００９】図４に示すようにこの入射光の偏光方向を
結晶表面平面内の主軸方向を２等分するような方向（例
えばＧａＡｓ（００１）面内であれば［１１０］方向と
［バー１１０］方向とを２等分するような方向、すなわ
ち［０１０］方向またはそれと垂直な方向）に向けてお
くことにより、この２つの主軸間の異方性を検出するこ
とができる。すなわちこの２つの主軸間に異方性がなけ
れば、反射光の偏光方向は入射光と同じであるが、も
し、２つの主軸間に異方性があれば、その異方性の大き
さに比例して偏光方向が角度δだけ回転する。

【００１０】この偏光方向の回転角度δを反射光を受光
する側に設けた周波数ｆで変調されている光弾性変調器
６，検光子７，光検出器８で検出する。光弾性変調器６
は石英にピエゾ振動子を貼り付けたもので、ピエゾ振動
子に周波数ｆの高周波電界を加えることによって石英に
周波数ｆで振動する一軸性異方性を生じさせ、すなわち
複屈折を生じさせ、光学遅延量を周波数ｆで変調するも
のである。

【００１１】偏光の回転が生じない状態または成長を開
始する前の状態で光弾性変調器６の主軸方向が反射光の
偏光方向と一致するように光弾性変調器６の主軸の方向
をセットする。検光子７はその主軸が光弾性変調器６の
主軸と４５度の角度をなすようにセットする。このよう
にセットした状態では、反射光の偏光方向がこの状態の
まま変化しなければ、光弾性変調器６を通過した反射光
は直線偏光を保ったまま検光子７に入射する。したがっ
てこの状態では光検出器８の出力は一定であるから、周
波数ｆまたは２ｆの成分はない。反射光の偏光方向が最
初の状態から回転すると、光弾性変調器６の主軸と反射
光の偏光方向とがもはや一致しなくなり、光弾性変調器
６を通過した後の光は周波数ｆで偏光状態が時間的に変
化するような楕円偏光になる。

【００１２】これは、光弾性変調器６の２つの主軸方向
に偏光した光の間の位相差が周波数ｆで変調されるよう
になるためである。この光が検光子７を通過した後に光
検出器８によって受光されると、光検出器８の出力は偏
光状態の変化に対応した強度変化を示す。したがって光
検出器８の出力をロックインアンプ９でモニターする
と、周波数ｆおよび２ｆの成分が生じる。このうち、周
波数２ｆの成分の振幅が偏光方向の回転角に比例し、し
たがって２つの主軸間の異方性の大きさに比例する。こ
のように表面の光学的な異方性が偏光面の回転として検
出される。この偏光面の回転は、表面内の２つの主軸方
向に偏光した光の反射率の違いによって引き起こされる
ので、反射率差法と呼ばれる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】この方法を用いて波長
６３３ｎｍにおいて、圧力１．６×１０^-3ｍｂａｒから
０．３ｍｂａｒの範囲においてＧａＡｓの成長時に反射
率差をモニターすると、図１６に示すような振動が見ら
れる。この振動の原因は完全に解明されていないが、Ｒ
ＨＥＥＤ反射強度と対応しており、成長モードを反映し
ていると考えられる。しかしながら、この反射率差の振
動は成長開始後、高々３０分子層の厚さしか観測され
ず、成長中の任意の時点で成長モードがどのような形態
になっているかを知ることができる実用的なモニター法
とはなっていない。

【００１４】前述したように光反射率差法を用いたＭＯ
ＣＶＤ成長のモニターは、既に実施されており、かつ成
長モードを反映すると思われる光出力の振動が見られて
いるが、この振動は成長開始後、極めて短時間の内に減
衰してしまい、成長中の任意の時間に成長モードがどの
ような形態になっているかをモニターすることができな
い。

【００１５】したがって本発明の目的は、ＭＯＣＶＤ法
による量子細線または量子井戸の作製中にステップフロ
ー成長が生じているか否か、すなわち良好な構造が形成
されるかどうかを、成長を中断または妨げることなく、
簡便に知ることができる半導体結晶の成長方法を提供す
ることにある。また、本発明の他の目的は、ＭＯＣＶＤ
成長の任意の時点において成長モードを判定することが
できる半導体結晶の成長方法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、成長形態（ステップフロー成長か２
次元核成長か）を判定しようとする際にＡｌＡｓを所定
の量だけ成長させ、その後、引き続きまたは時間をおい
てＧａＡｓを所定の量だけ成長させる際の成長表面の時
間変化をモニターするものである。

【００１７】図１は、本発明で用いた反射率差測定装置
を含む成長装置の全体構成を示す図である。同図におい
て、バルブ制御用ユニット２０を用いてバルブ２１，２
２を開閉する。バルブ開閉のシークエンスは図２に示し
たようにまず、Ａｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₃ を所定の時間だけ流し
（図２（ａ））、ＡｌＡｓを０．５分子層以下だけ成長
させ、その後、ＡｓＨ₃ を流した後、Ｇａ（Ｃ₂Ｈ₅）₃
を所定の時間だけ流し（図２（ｂ））、ＧａＡｓを０．
５分子層成長させるようにバルブ２１，２２を制御す
る。この一連のガス供給シークエンスを開始するときに
バルブ制御用ユニット２０からトリガー信号をレコーダ
ー１０に送り、反射率差の測定を開始する。一連のシー
クエンスが終了すると、バルブ制御用ユニット２０から
レコーダー１０へ再びトリガー信号を送ってレコーダー
１０の作動を停止する。この一連のシークエンスにおい
て、レコーダー１０に記録された光出力の時間変化をモ
ニターする

【００１８】

【作用】本発明においては、ＭＯＣＶＤ成長中の表面に
存在する過剰Ａｓ（表面に弱く付着しているが、結晶中
には取り込まれないＡｓ）の吸着過程が表面の形態、す
まわち２次元核が表面に存在するか否かに影響されるこ
とを利用している。まず、ＡｌＡｓを０．５分子層成長
させることによってＧａＡｓ表面に付着した過剰Ａｓを
強制的に脱離させる。その後、ＧａＡｓを成長する際に
２次元核形成によってＧａＡｓの成長が進行する場合に
は、ステップフロー成長の場合に比べ、過剰Ａｓの再吸
着に遅れが生じる。反射率差の時間変化をモニターする
ことによってこの過剰Ａｓの再吸着の過程をモニターす
ることができるので、成長モードのモニターが可能とな
る。

【００１９】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は、本発明による半導体結晶の成長方法
の一実施例を説明するための反射率差測定装置を含む成
長装置の全体構成を示す図であり、図３はその反射率差
測定装置の構成を示す図である。これらの図において、
本発明では、反応管５の周囲に設置した波長６３３ｎｍ
の光源１，偏光子２，周波数ｆで偏光状態を変調する光
弾性変調器６，検光子７，光検出器８，信号検出用ロッ
クインアンプ９およびレコーダー１０を用いた。なお、
１８は反射率差測定用光学系の入射光側を、１９は反射
率差測定用光学系の反射光側をそれぞれ示している。ま
た、２０はバルブ制御用ユニット、２１，２２はエア駆
動バルブである。成長用基板としてはＧａＡｓ（００
１）面から［１バー１０］方向へｘ度傾斜した表面を有
するＧａＡｓ微傾斜基板３を用い、結晶成長はこのＧａ
Ａｓ微傾斜基板３をグラファイトブロック４上に配置
し、反応管５内に収容して行う。

【００２０】次に測定方法について説明する。偏光子２
は、図４に示すように入射光の偏光方向がＧａＡｓ微傾
斜基板３のＧａＡｓ（００１）面内の［１１０］方向と
［バー１１０］方向を２等分するような方向、すなわち
［０１０］方向またはそれと垂直な方向に向くようにセ
ットする。次に偏光の回転が生じていない状態または成
長を開始する前の状態で光弾性変調器６の主軸方向が反
射光の偏光方向と一致するように光弾性変調器６の主軸
の方向をセットする。また、検光子７はその主軸が光弾
性変調器６の主軸と４５度の角度をなすようにセットす
る。

【００２１】このようにセットした状態では、反射光の
偏光方向がこの状態のまま変化しなければ、光弾性変調
器６を通過した反射光は直線偏光を保ったまま、検光子
７に入射する。したがってこの状態では光検出器８の出
力は一定であるから、周波数ｆまたは２ｆの成分はな
い。反射光の偏光方向が変化すると、光弾性変調器６の
主軸と反射光の偏光方向とがもはや一致しなくなり、２
つの主軸方向に偏光した光の間の位相差が周波数ｆで変
調されるので、光弾性変調器６を通過した後の光は、周
波数ｆで偏光状態が時間的に変化するような楕円偏光に
なる。

【００２２】この光が検光子７を通過した後に光検出器
８によって受光されると、光検出器８の出力は、偏光状
態の変化に対応した強度変化を示す。したがって光検器
８の出力をロックインアンプ９でモニターすると、周波
数ｆおよび２ｆの成分が生じる。このうち、周波数２ｆ
の成分の振幅が偏光方向の回転角に比例し、したがって
２つの主軸間の異方性の大きさに比例する。

【００２３】次に結晶成長の一例としてＦＬＳの成長に
本方法を適用した例について説明するが、本方法の適用
範囲は、これに限定されるものではなく、ＡｌＡｓとＧ
ａＡｓとを含む結晶であれば、適用可能である。次に結
晶成長条件の詳細を以下に示す。高周波加熱の水冷ジャ
ケット付き横型炉を用い、キャリアガスとしてＨ₂ を用
い、７６Ｔｏｒｒの減圧下で結晶成長を行った。原料と
してトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ：化学式はＡｌ
（Ｃ₂Ｈ₅）₃ ），トリエチルガリウム（ＴＥＧａ：化学
式はＧａ（Ｃ₂Ｈ₅）₃ ），アルシン（ＡｓＨ₃）を用い
た。反応管５内の分圧は、それぞれ５.９×１０^-4Ｔｏ
ｒｒ，５.８×１０^-4Ｔｏｒｒ，５.３×１０^-1Ｔｏｒｒ
である。また、水素ガス（Ｈ₂ ）を含めた全ガス流量は
４ｌ／ｍｉｎである。この条件での成長速度は０.０４
７ｎｍ／ｓｅｃであり、約６秒間で結晶表面が１分子層
のＧａＡｓまたはＡｌＡｓで覆われる成長速度である。

【００２４】成長用基板として（００１）面から［１バ
ー１０］方向へ傾斜した表面を有するＧａＡｓ微傾斜基
板３を用い、この（００１）面から［１バー１０］方向
へｘ度傾斜した面は以下のように定義される。［００
１］軸と［１バー１０］軸とからなる平面に平行でかつ
［００１］軸から［１バー０］軸の方向にｘ度傾いた軸
をＡ軸と呼ぶことにすると、このＡ軸に垂直な平面でＧ
ａＡｓ結晶を切断したときに生じる断面を（００１）か
ら［１バー１０］方向へｘ度傾斜した面と呼ぶ。

【００２５】ＦＬＳの成長は、このＧａＡｓ微傾斜基板
３をグラファイトのブロック４の上に置き、このグラフ
ァイトブロック４を約６００℃に加熱し、その上に置か
れたＧａＡｓ微傾斜基板３の上に水素ガスとともに上述
した原料ガスを導入し、化学反応させることによって行
う。具体的には、約３秒間ＴＥＡｌとアルシンとを供給
し、ＡｌＡｓを０．５分子層成長し（段階I ）、次に約
３秒間アルシンと水素とを流し（段階II）、その後、約
３秒間ＴＥＧａとアルシンとを供給し、ＧａＡｓを０．
５分子層成長させ（段階III ）、さらにその後、約３秒
間アルシンと水素とを流して（段階IV）１分子層の成長
が終了する。このサイクルを必要な膜厚に達するまで繰
り返して成長が行われる。

【００２６】図５は、（００１）面から［１バー１０］
方向へ５度傾斜したＧａＡｓ微傾斜基板３の表面上への
ＦＬＳ成長中の光検出器の出力の変化を示したものであ
る。この出力は、ＧａＡｓ微傾斜基板３の［１１０］方
向偏光の反射率と［バー１１０］方向偏光の反射率との
差は下記数１に示すように比例している。

【００２７】

【数１】

【００２８】図５に示すように段階I （ＡｌＡｓ０．５
分子層成長）では、出力は単調に増加する。段階II（ア
ルシルおよび水素）では、少し減少する。段階III （Ｇ
ａＡｓ０．５分子層成長）では、出力は最初の約１秒程
度一定値を保持した後、徐々に減少していく。段階IV
（アルシンおよび水素）では、引き続き減少した後、ほ
ぼ一定値に落ち着く。この出力の時間変化がステップフ
ロー成長中の典型的な光検出器の出力の時間変化であ
る。

【００２９】これに対し、２次元核形成による成長の場
合の出力変化を図６に示す。図６はジャスト基板の（０
０１）面上にＦＬＳ成長時と同じモードの成長を行った
場合の光検出器出力の時間変化を示している。図６に示
すように段階III （ＧａＡｓ０．５分子層成長）では、
出力は直ちに上昇し、その後、減少する。段階IIから段
階IVまでの変化は図５とほぼ同じである。

【００３０】図５および図６は、それぞれ（００１）面
から［１バー１０］方向へ０．２度および２度傾斜した
面上にＦＬＳの成長を行った場合の出力変化を示す。図
５〜図８までの結果を図９にまとめた。図９は、横軸に
（００１）面から［１バー１０］方向への基板傾斜角を
とり、縦軸に段階III の初期（すなわちＧａＡｓの成長
が始まってから１秒間以内）における光検出器の出力の
上昇の大きさ（図５から図８においてＡと示した部分の
大きさ）を段階Iにおける光検出器の出力の上昇の大き
さ（図５から図８においてＢと示した部分の大きさ）で
割った値をとったものである。この図９から判るように
［１バー１０］方向への傾斜角が大きくなるにつれ、段
階III の初期における出力の上昇が消滅していく。

【００３１】この現象は、以下のように解釈される。図
１０に示すようにＧａＡｓ微傾斜基板３の（００１）面
から［１バー１０］方向へｘ度傾斜した面は、単分子層
ステップ１１の高さをｄｎｍとすると、平均間隔ｄ×ｓ
ｅｃ（ｘ）ｎｍの単分子層ステップ１１と、それらの単
分子層ステップ１１によって挟まれた平坦な領域（これ
らをテラスという）１２とからなる。テラス１２内には
定義により単分子層ステップ１１は存在しない。テラス
１２上に到達した原子、例えばＧａ原子の結晶への取り
込まれ方には以下の２つの可能性がある。

【００３２】まず、１つの可能性は、テラス１２上を表
面移動してテラス１２の両端にある単分子層ステップ１
１まで到達し、そこでステップに取り込まれステップの
前進に寄与する（すまわちステップフロー成長に寄与す
る）ことであり、他の可能性は、表面移動の最中に他の
原子との衝突などによってエネルギーを失い、テラス１
２上に単分子層厚のディスク状の小さな島を形成するか
または既にテラス１２上に存在する島に取り込まれる
（２次元核成長に寄与する）ことである。

【００３３】一定の基板温度では、表面に存在する原子
の表面移動のし易さは決まっているので、原子が最終的
に結晶に取り込まれるまでに表面上で動き回る距離は一
定である。したがってテラス１２の面積が大きく、すな
わち単分子層ステップ１１同士の間隔が大きいほど、表
面に到達した原子はテラス１２の両端の単分子ステップ
１１に到達する確率が減り、２次元核成長に寄与する可
能性が高い。傾斜角ｘが小さいほどテラス１２の面積は
大きく（すなわち単分子層ステップ１１同士の間隔が大
きく）なるので、２次元核成長が生じ易いことになる。

【００３４】段階III の初期における光検出器出力の上
昇は、テラス１２の面積が大きすぎるためにテラス１２
上に到達した原子の一部はテラス１２の両端の単分子層
ステップ１１に到達できず、２次元核成長が生じるため
に起きるものと考えられる。したがって傾斜角ｘが小さ
いほど段階III の初期における光検出器出力の上昇が大
きい。

【００３５】なお、前述した実施例においては、偏光面
の回転を検出する方法として光変調器を用いたが、偏光
面の回転を検出する方法はこの方法に限定されるもので
はなく、通常の偏光解析法（エリプソメトリ）に用いら
れる手法はいずれも可能である。

【００３６】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
従来、ＭＯＣＶＤ成長中には判定が不可能であった成長
形態（ステップフロー成長か２次元核成長か）の判定が
成長を中断または妨げることなく可能になり、これに伴
い、作製する結晶の品質を成長中に予想することが可能
になるのみならず、基板温度や原料の分圧等の成長パラ
メータを調整することにより、結晶の成長モードを成長
中に変化させることが可能になるなどの極めて優れた効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体結晶の成長方法の一実施例
を説明するための反射率差測定装置を含む成長装置の全
体構成を示す図である。

【図２】図１のエア駆動バルブ開閉のシークエンスを示
す図である。

【図３】図１の光反射率差法の測定装置の構成を示す図
である。

【図４】反射による偏光方向の回転を示す模式図であ
る。

【図５】分数原子層超格子成長中の光出力変化を示す図
である。

【図６】分数原子層超格子成長中の光出力変化を示す図
である。

【図７】分数原子層超格子成長中の光出力変化を示す図
である。

【図８】分数原子層超格子成長中の光出力変化を示す図
である。

【図９】基板面の傾斜角と光検出器出力との関係を示す
図である。

【図１０】（００１）面からｘ度傾斜した表面を示す模
式図である。

【図１１】分数原子層超格子の構造を示す図である。

【図１２】ステップフロー成長を示す模式図である。

【図１３】２次元核形成による成長を示す模式図であ
る。

【図１４】反射高エネルギー電子回折による２次元核形
成による成長のモニターを示す模式図である。

【図１５】反射高エネルギー電子回折によるステップフ
ロー成長のモニターを示す模式図である。

【図１６】ＧａＡｓ成長中に見られる反射率差の振動を
示す図である。

【符号の説明】

１ 光源 ２ 偏光子 ３ ＧａＡｓ微傾斜基板 ４ グラファイトブロック ５ 石英製反応管 ６ 光弾性変調器 ７ 検光子 ８ 光検出器 ９ ロックインアンプ １０ レコーダー １１ 単分子層ステップ １２ テラス １３ 成長面に到達した原料原子または分子 １４ ２次元核 １５ ジャスト基板 １６ 分数原子層超格子 １７ 原子レベルで平坦な結晶表面領域 １８ 反射率差測定用光学系の入射光側 １９ 反射率差測定用光学系の反射光側 ２０ バルブ制御用ユニット ２１ エア駆動バルブ ２２ エア駆動バルブ ２３ 入射電子線 ２４ 反射電子線

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＡｌＡｓおよびＧａＡｓを含む結晶の所
   定指数面上へエピタキシャル成長を行う際に成長表面の
   光学的異方性を成長中にモニターしつつ行う半導体結晶
   の成長方法において、 前記ＧａＡｓを成長させる際に、前記ＡｌＡｓを所定量
   堆積させた後に前記ＧａＡｓを所定量堆積させ、前記Ｇ
   ａＡｓの堆積量が１分子層以下の領域において前記成長
   表面の光学的異方性の時間変化をモニターすることを特
   徴とする半導体結晶の成長方法。