JPH06291051A - アルミニウム配線の形成方法 - Google Patents
アルミニウム配線の形成方法Info
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- JPH06291051A JPH06291051A JP7430693A JP7430693A JPH06291051A JP H06291051 A JPH06291051 A JP H06291051A JP 7430693 A JP7430693 A JP 7430693A JP 7430693 A JP7430693 A JP 7430693A JP H06291051 A JPH06291051 A JP H06291051A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction container
- gas
- reaction vessel
- aluminum wiring
- film formation
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超高真空状態を形成することなく、良質なア
ルミニウム配線膜を形成できるアルミニウム配線の形成
方法を提供することにある。 【構成】 Ａｌを含む原料ガスとして、ＤＭＡＨを反応
容器１０内に供給し、化学気相成長により、アルミニウ
ム配線を形成する。この際、反応容器１０内を減圧し、
反応容器１０内に残留する残留気体中に含まれる、炭
素、酸素及び窒素よりなる混合気体の分圧が１×１０-4
Ｔｏｒｒ未満となるように、成膜前の反応容器１０内の
雰囲気を設定する。
ルミニウム配線膜を形成できるアルミニウム配線の形成
方法を提供することにある。 【構成】 Ａｌを含む原料ガスとして、ＤＭＡＨを反応
容器１０内に供給し、化学気相成長により、アルミニウ
ム配線を形成する。この際、反応容器１０内を減圧し、
反応容器１０内に残留する残留気体中に含まれる、炭
素、酸素及び窒素よりなる混合気体の分圧が１×１０-4
Ｔｏｒｒ未満となるように、成膜前の反応容器１０内の
雰囲気を設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム化合物原
料を気化させ、化学気相成長によってアルミニウム配線
を形成するアルミニウム配線の形成方法に関する。
料を気化させ、化学気相成長によってアルミニウム配線
を形成するアルミニウム配線の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの微細化に伴い、ヴィア孔によっ
て層間のコンタクトをとるためのＡｌ配線を、化学気相
成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）によっ
て形成する技術が提案されている（特開平２−１７０４
１９）。この際、Ａｌ原料としては、ＤＭＡＨ，ＴＭ
Ａ，ＴＩＢＡなどのＡｌの有機化合物が用いられる。通
常、Ａｌは、酸素、窒素と化合しやすいため、成膜前の
反応容器内に存在する残留気体に、酸素（水等の酸素原
子を含有する分子も含む）、窒素、炭素などが多量に含
まれると、成膜時に酸化物や窒化物が形成され、膜質が
劣化することが知られている。そこで、この欠点を軽減
すべく、被成膜基板の表面やヴィア孔底部などの成膜部
に対し、成膜前にＲＩＥ等を施す清浄化工程を含む場合
が多い。
て層間のコンタクトをとるためのＡｌ配線を、化学気相
成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）によっ
て形成する技術が提案されている（特開平２−１７０４
１９）。この際、Ａｌ原料としては、ＤＭＡＨ，ＴＭ
Ａ，ＴＩＢＡなどのＡｌの有機化合物が用いられる。通
常、Ａｌは、酸素、窒素と化合しやすいため、成膜前の
反応容器内に存在する残留気体に、酸素（水等の酸素原
子を含有する分子も含む）、窒素、炭素などが多量に含
まれると、成膜時に酸化物や窒化物が形成され、膜質が
劣化することが知られている。そこで、この欠点を軽減
すべく、被成膜基板の表面やヴィア孔底部などの成膜部
に対し、成膜前にＲＩＥ等を施す清浄化工程を含む場合
が多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように、
酸素や水、窒素、或いはアルゴン等の不活性分子を多量
に含む残留気体は、被成膜基板の表面に吸着するため、
Ａｌ原子やその中間生成物の吸着サイトが閉じてしま
い、堆積するＡｌの選択性や、成膜面の平坦性が低下す
るなどの問題点があった。これを回避するためには、反
応容器内の残留気体を除去すべく、反応容器内を高真空
状態にしていた。例えば、特開平３−１１１５６６号に
は、成膜前の反応容器内の圧力を１×１０-8Ｔｏｒｒ以
下に設定することが開示されており、また、特開平４−
２２５２２３号には、１×１０-7ｍｂａｒｒに設定する
ことが開示されている。さらに、“Tungsten and Other
Advanced Metals for VLSI / ULSI Applications ”
（マテリアルズリサーチソサイアティ：１９９０）に
は、８×１０-9Ｔｏｒｒに設定することが開示されてい
る。
酸素や水、窒素、或いはアルゴン等の不活性分子を多量
に含む残留気体は、被成膜基板の表面に吸着するため、
Ａｌ原子やその中間生成物の吸着サイトが閉じてしま
い、堆積するＡｌの選択性や、成膜面の平坦性が低下す
るなどの問題点があった。これを回避するためには、反
応容器内の残留気体を除去すべく、反応容器内を高真空
状態にしていた。例えば、特開平３−１１１５６６号に
は、成膜前の反応容器内の圧力を１×１０-8Ｔｏｒｒ以
下に設定することが開示されており、また、特開平４−
２２５２２３号には、１×１０-7ｍｂａｒｒに設定する
ことが開示されている。さらに、“Tungsten and Other
Advanced Metals for VLSI / ULSI Applications ”
（マテリアルズリサーチソサイアティ：１９９０）に
は、８×１０-9Ｔｏｒｒに設定することが開示されてい
る。
【０００４】このような高真空状態を形成するには、反
応容器内の残留気体を十分に排気することが必要であ
り、このためには高価な排気装置が必要となるばかりで
なく、高真空状態を形成するまでに長時間を要し、生産
効率の低下を引き起こしていた。
応容器内の残留気体を十分に排気することが必要であ
り、このためには高価な排気装置が必要となるばかりで
なく、高真空状態を形成するまでに長時間を要し、生産
効率の低下を引き起こしていた。
【０００５】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的は、このような超高真空状態
を形成することなく、良質なアルミニウム配線膜を形成
できるアルミニウム配線の形成方法を提供することにあ
る。
れたものであり、その目的は、このような超高真空状態
を形成することなく、良質なアルミニウム配線膜を形成
できるアルミニウム配線の形成方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明のアルミ
ニウム配線の形成方法は、Ａｌを含む原料ガスを反応容
器内に供給し、化学気相成長により、アルミニウム配線
を形成するアルミニウム配線の形成方法において、反応
容器内を減圧し、この反応容器内に残留する残留気体中
に含まれる、炭素、酸素及び窒素よりなる混合気体の分
圧が１×１０-4Ｔｏｒｒ未満となるように、成膜前の前
記反応容器内の雰囲気を規定する。この場合、例えば、
Ａｒなどの不活性ガスを反応容器内に導入すればこの混
合気体が希釈されることとなり、この状態で反応容器内
の残留気体を排気すれば、従来のような高真空状態を形
成することなく、混合気体の分圧を上記の値以下に設定
できる。
ニウム配線の形成方法は、Ａｌを含む原料ガスを反応容
器内に供給し、化学気相成長により、アルミニウム配線
を形成するアルミニウム配線の形成方法において、反応
容器内を減圧し、この反応容器内に残留する残留気体中
に含まれる、炭素、酸素及び窒素よりなる混合気体の分
圧が１×１０-4Ｔｏｒｒ未満となるように、成膜前の前
記反応容器内の雰囲気を規定する。この場合、例えば、
Ａｒなどの不活性ガスを反応容器内に導入すればこの混
合気体が希釈されることとなり、この状態で反応容器内
の残留気体を排気すれば、従来のような高真空状態を形
成することなく、混合気体の分圧を上記の値以下に設定
できる。
【０００７】また、この際、反応容器内に残存する残留
気体の圧力を、１×１０-3〜１×１０-6Ｔｏｒｒに減圧
することが望ましい。
気体の圧力を、１×１０-3〜１×１０-6Ｔｏｒｒに減圧
することが望ましい。
【０００８】
【作用】残留気体中に含まれる、炭素、酸素及び窒素
が、アルミニウム配線の膜質低下に大きく関係してお
り、これらの物質からなる混合気体の分圧を１×１０-4
Ｔｏｒｒ未満に設定ことにより、被成膜基板に対する選
択性が良好であり、また、配線膜の抵抗値も低い良質な
アルミニウム配線膜が形成される。
が、アルミニウム配線の膜質低下に大きく関係してお
り、これらの物質からなる混合気体の分圧を１×１０-4
Ｔｏｒｒ未満に設定ことにより、被成膜基板に対する選
択性が良好であり、また、配線膜の抵抗値も低い良質な
アルミニウム配線膜が形成される。
【０００９】
【実施例】以下、本実施例にかかるアルミニウム配線の
形成方法について添付図面を基に説明する。
形成方法について添付図面を基に説明する。
【００１０】図１に、本実施例に使用するＣＶＤ装置の
構成を示す。本形成装置は、化学気相成長によってＡｌ
配線膜を形成する反応容器１０、及び反応容器１０にＡ
ｌ原料ガスを供給するバブラー容器２０を備えている。
構成を示す。本形成装置は、化学気相成長によってＡｌ
配線膜を形成する反応容器１０、及び反応容器１０にＡ
ｌ原料ガスを供給するバブラー容器２０を備えている。
【００１１】反応容器１０内部には、被成膜基板として
の基板１１を支持するサセプター１２を設けており、こ
のサセプター１２に相対して原料供給ノズル１３が設置
されている。この原料供給ノズル１３を介してＡｌ原料
ガスが供給される。サセプター１２内にはヒータ１４を
設けており、交流電圧を印加することにより発熱し、基
板１１を所定の温度に加熱するものである。また、反応
容器１０の下部には、この内部の気体を外部に排気する
排気装置１５を備えており、この排気装置１５によって
反応容器１０内を所定の真空状態にする。なお、供給ノ
ズル１６からは、反応容器１０内にＡｒなどの不活性ガ
スを導入することができる。
の基板１１を支持するサセプター１２を設けており、こ
のサセプター１２に相対して原料供給ノズル１３が設置
されている。この原料供給ノズル１３を介してＡｌ原料
ガスが供給される。サセプター１２内にはヒータ１４を
設けており、交流電圧を印加することにより発熱し、基
板１１を所定の温度に加熱するものである。また、反応
容器１０の下部には、この内部の気体を外部に排気する
排気装置１５を備えており、この排気装置１５によって
反応容器１０内を所定の真空状態にする。なお、供給ノ
ズル１６からは、反応容器１０内にＡｒなどの不活性ガ
スを導入することができる。
【００１２】バブラー容器２０には、アルミニウム化合
物原料としてＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイドラ
イド：ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ）が封入されており、温度コ
ントロールされたオイルバス（図示せず）内に収容され
ている。このバブラー容器２０に封入されたＤＭＡＨに
対し、水素などの適当なキャリアガスを供給してバブリ
ングを施し、発生した原料ガスをキャリアガスと共に反
応容器１０内に供給する。
物原料としてＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムハイドラ
イド：ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ）が封入されており、温度コ
ントロールされたオイルバス（図示せず）内に収容され
ている。このバブラー容器２０に封入されたＤＭＡＨに
対し、水素などの適当なキャリアガスを供給してバブリ
ングを施し、発生した原料ガスをキャリアガスと共に反
応容器１０内に供給する。
【００１３】以上のように構成するＣＶＤ装置を用い、
以下の測定を行った。まず、反応容器１０及び搬送室Ｃ
（図２）を、１×１０-11 Ｔｏｒｒ以下の超高真空にし
た後、この内部に、大気、乾燥空気、純窒素、純アルゴ
ン等、の種々の気体を封入する。次いで、ターボ分子ポ
ンプ、或いはチタンサブリメーションポンプなどの超高
真空ポンプで構成する排気装置１５によって、反応容器
１０内の気体を一定の圧力まで排気した後、気化したＤ
ＭＡＨを反応容器１０内に原料ガスとして導入する。
以下の測定を行った。まず、反応容器１０及び搬送室Ｃ
（図２）を、１×１０-11 Ｔｏｒｒ以下の超高真空にし
た後、この内部に、大気、乾燥空気、純窒素、純アルゴ
ン等、の種々の気体を封入する。次いで、ターボ分子ポ
ンプ、或いはチタンサブリメーションポンプなどの超高
真空ポンプで構成する排気装置１５によって、反応容器
１０内の気体を一定の圧力まで排気した後、気化したＤ
ＭＡＨを反応容器１０内に原料ガスとして導入する。
【００１４】この後、下記の条件において成膜を行っ
た。なお、基板１１は、不純物評価用として、全面にＴ
ｉＮ膜（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＢＰＳＧ／Ｓｉ）を形成したも
のを用い、ヴィア抵抗評価用として、スパッタアルミ上
の絶縁膜に開口させた０．５μｍヴィアホールを用い
た。いずれの場合も基板１１の前処理として、ＲＩＥ室
（Ｂ：図２）においてＲＩＥ処理を施して自然酸化膜等
を除去した。この際の条件としては、ＲＩＥ室（Ｂ）
に、ＢＣｌ3 を７８ｓｃｃｍ，Ａｒを１８ｓｃｃｍ一定
に供給し、ＲＩＥ室（Ｂ）内の圧力を０．１Ｔｏｒｒ、
プラズマ電力０．０５Ｗ／ｃｍ3 において、１０分間の
エッチングを施した。この後、反応容器１０内と同じ圧
力に維持した搬送室Ｃ内を移送し、反応容器１０を備え
たＣＶＤ室（Ａ：図２）内にセットした。
た。なお、基板１１は、不純物評価用として、全面にＴ
ｉＮ膜（ＴｉＮ／Ｔｉ／ＢＰＳＧ／Ｓｉ）を形成したも
のを用い、ヴィア抵抗評価用として、スパッタアルミ上
の絶縁膜に開口させた０．５μｍヴィアホールを用い
た。いずれの場合も基板１１の前処理として、ＲＩＥ室
（Ｂ：図２）においてＲＩＥ処理を施して自然酸化膜等
を除去した。この際の条件としては、ＲＩＥ室（Ｂ）
に、ＢＣｌ3 を７８ｓｃｃｍ，Ａｒを１８ｓｃｃｍ一定
に供給し、ＲＩＥ室（Ｂ）内の圧力を０．１Ｔｏｒｒ、
プラズマ電力０．０５Ｗ／ｃｍ3 において、１０分間の
エッチングを施した。この後、反応容器１０内と同じ圧
力に維持した搬送室Ｃ内を移送し、反応容器１０を備え
たＣＶＤ室（Ａ：図２）内にセットした。
【００１５】この後、以下の条件において成膜した。キ
ャリアガスとなる水素ガスは、流量調節器（マスフロコ
ントローラ）により１００ｓｃｃｍに制御して流した。
また図示しないオイルバスによってＤＭＡＨを５０℃に
加熱するとともに、反応容器１０内の圧力を２Ｔｏｒ
ｒ，基板１１の温度を２５０℃とした。
ャリアガスとなる水素ガスは、流量調節器（マスフロコ
ントローラ）により１００ｓｃｃｍに制御して流した。
また図示しないオイルバスによってＤＭＡＨを５０℃に
加熱するとともに、反応容器１０内の圧力を２Ｔｏｒ
ｒ，基板１１の温度を２５０℃とした。
【００１６】以上の条件において成膜を行い、形成され
たＡｌ膜を評価した。形成されたＡｌ配線膜の評価方法
として、ＴｉＮ基板上の全面膜に対しては、ＳＩＭＳ分
析（２次イオン質量分析）を行い、不純物としてのＣ，
Ｎ，Ｏの含有量を分析した。ＣＶＤアルミ埋め込みヴィ
アについては、ヴィアチェーンを形成して、ヴィア１個
当たりの抵抗値を測定した。
たＡｌ膜を評価した。形成されたＡｌ配線膜の評価方法
として、ＴｉＮ基板上の全面膜に対しては、ＳＩＭＳ分
析（２次イオン質量分析）を行い、不純物としてのＣ，
Ｎ，Ｏの含有量を分析した。ＣＶＤアルミ埋め込みヴィ
アについては、ヴィアチェーンを形成して、ヴィア１個
当たりの抵抗値を測定した。
【００１７】この結果を図３に示す。この図３の表中、
［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］は、 [C+O+N]=3*P(CO2 )+2*P( N2 )+2*P( O2 )+2( H2 O) で表される。ここで、Ｐ（ｉ）はｉ種の分圧である。こ
の測定において、これらの分圧は、四重極型質量分析法
を利用した分圧真空計を用いて測定した。
［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］は、 [C+O+N]=3*P(CO2 )+2*P( N2 )+2*P( O2 )+2( H2 O) で表される。ここで、Ｐ（ｉ）はｉ種の分圧である。こ
の測定において、これらの分圧は、四重極型質量分析法
を利用した分圧真空計を用いて測定した。
【００１８】この結果から、反応容器１０内の圧力が１
×１０-3Ｔｏｒｒ程度の緩い真空度でも、反応容器１０
内に残存する［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］混合気体の分圧を、１×１
０-4Ｔｏｒｒ未満とすれば、ヴィア抵抗が１オーム未満
の低い値となり、かつ、選択性を有し、１×１０-11 Ｔ
ｏｒｒの超高真空で成膜した場合と同様に良質なＡｌ配
線膜が形成されることが分かった。この理由としては、
原料のアルミニウム有機化合物と、Ｃ、Ｏ、Ｎとの反応
性が高いため、残留気体を気相中でトラップして排気さ
れ、膜中に取り込まれないためと考察される。前述した
１×１０-3Ｔｏｒｒよりも緩い真空度では、Ｃ、Ｏ、Ｎ
をトラップして、そのまま膜中に取り込むことになり、
不純物濃度が上昇することになる。なお、通常の操業内
で混入する各種気体（例えば、炭化水素化合物など）に
ついても、［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］混合気体の分圧を基準に、成
膜前の反応容器内の雰囲気条件を決定することができ
る。
×１０-3Ｔｏｒｒ程度の緩い真空度でも、反応容器１０
内に残存する［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］混合気体の分圧を、１×１
０-4Ｔｏｒｒ未満とすれば、ヴィア抵抗が１オーム未満
の低い値となり、かつ、選択性を有し、１×１０-11 Ｔ
ｏｒｒの超高真空で成膜した場合と同様に良質なＡｌ配
線膜が形成されることが分かった。この理由としては、
原料のアルミニウム有機化合物と、Ｃ、Ｏ、Ｎとの反応
性が高いため、残留気体を気相中でトラップして排気さ
れ、膜中に取り込まれないためと考察される。前述した
１×１０-3Ｔｏｒｒよりも緩い真空度では、Ｃ、Ｏ、Ｎ
をトラップして、そのまま膜中に取り込むことになり、
不純物濃度が上昇することになる。なお、通常の操業内
で混入する各種気体（例えば、炭化水素化合物など）に
ついても、［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］混合気体の分圧を基準に、成
膜前の反応容器内の雰囲気条件を決定することができ
る。
【００１９】また、反応容器１０内の［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］混
合気体の分圧が、この範囲を越えている場合には、図１
に示すように、Ａｒなどの不活性ガスを反応容器内に導
入しつつ、排気装置１５で排気すれば、結果的に［Ｃ＋
Ｏ＋Ｎ］の濃度が希釈され、所定の範囲に制御すること
ができる。
合気体の分圧が、この範囲を越えている場合には、図１
に示すように、Ａｒなどの不活性ガスを反応容器内に導
入しつつ、排気装置１５で排気すれば、結果的に［Ｃ＋
Ｏ＋Ｎ］の濃度が希釈され、所定の範囲に制御すること
ができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるア
ルミニウム配線の形成方法によれば、反応容器内を減圧
し、この反応容器内に残存する残留気体中に含まれる、
炭素、酸素及び窒素よりなる混合気体の分圧を１×１０
-4Ｔｏｒｒ未満とすることにより、成膜前の反応容器内
の雰囲気を規定することで、良質なアルミニウム配線膜
を形成することが可能となる。従って、従来のように反
応容器内を超高真空とする必要がなくなり、この結果、
従来必要だった高価な排気装置が不要となると共に、所
定の真空状態を得るまでの時間が短縮され、生産効率を
向上させることが可能となる。
ルミニウム配線の形成方法によれば、反応容器内を減圧
し、この反応容器内に残存する残留気体中に含まれる、
炭素、酸素及び窒素よりなる混合気体の分圧を１×１０
-4Ｔｏｒｒ未満とすることにより、成膜前の反応容器内
の雰囲気を規定することで、良質なアルミニウム配線膜
を形成することが可能となる。従って、従来のように反
応容器内を超高真空とする必要がなくなり、この結果、
従来必要だった高価な排気装置が不要となると共に、所
定の真空状態を得るまでの時間が短縮され、生産効率を
向上させることが可能となる。
【図１】本実施例に使用するＣＶＤ装置を示す概略構成
図である。
図である。
【図２】ＣＶＤ室、ＲＩＥ室、及び搬送室の配置を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】各種の測定結果を示す図表である。
１０…反応容器、１１…基板（被成膜基板）、１２…サ
セプター（基板支持体）、１３…原料供給ノズル。
セプター（基板支持体）、１３…原料供給ノズル。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】反応容器１０内部には、被成膜基板として
の基板１１を支持するサセプター１２を設けており、こ
のサセプター１２に相対して原料供給ノズル１３が設置
されている。この原料供給ノズル１３を介してＡｌ原料
ガスが供給される。サセプター１２内にはヒータ１４を
設けており、交流電圧を印加することにより発熱し、基
板１１を所定の温度に加熱するものである。また、反応
容器１０の下部には、この内部の気体を外部に排気する
排気装置１５を備えており、この排気装置１５によって
反応容器１０内を所定の真空状態にする。なお、供給ノ
ズル１６からは、反応容器１０内にＡｒ或いはＨｅなど
の不活性ガスを導入することができる。
の基板１１を支持するサセプター１２を設けており、こ
のサセプター１２に相対して原料供給ノズル１３が設置
されている。この原料供給ノズル１３を介してＡｌ原料
ガスが供給される。サセプター１２内にはヒータ１４を
設けており、交流電圧を印加することにより発熱し、基
板１１を所定の温度に加熱するものである。また、反応
容器１０の下部には、この内部の気体を外部に排気する
排気装置１５を備えており、この排気装置１５によって
反応容器１０内を所定の真空状態にする。なお、供給ノ
ズル１６からは、反応容器１０内にＡｒ或いはＨｅなど
の不活性ガスを導入することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】また、反応容器１０内の［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］混
合気体の分圧が、この範囲を越えている場合には、図１
に示すように、Ａｒ或いはＨｅなどの不活性ガスを反応
容器内に導入しつつ、排気装置１５で排気すれば、結果
的に［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］の濃度が希釈され、所定の範囲に制
御することができる。また、導入するパージガスとして
は、このような不活性ガスの他に、Ｈ2 などの還元性ガ
スを導入することも可能である。
合気体の分圧が、この範囲を越えている場合には、図１
に示すように、Ａｒ或いはＨｅなどの不活性ガスを反応
容器内に導入しつつ、排気装置１５で排気すれば、結果
的に［Ｃ＋Ｏ＋Ｎ］の濃度が希釈され、所定の範囲に制
御することができる。また、導入するパージガスとして
は、このような不活性ガスの他に、Ｈ2 などの還元性ガ
スを導入することも可能である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｌを含む原料ガスを反応容器内に供給
し、化学気相成長により、アルミニウム配線を形成する
アルミニウム配線の形成方法において、 前記反応容器内を減圧し、この反応容器内に残留する残
留気体中に含まれる、炭素、酸素及び窒素よりなる混合
気体の分圧を１×１０-4Ｔｏｒｒ未満とすることによ
り、 成膜前の前記反応容器内の雰囲気を規定することを特徴
とするアルミニウム配線の形成方法。 - 【請求項２】 前記反応容器内に残留する残留気体の圧
力を、１×１０-3〜１×１０-6Ｔｏｒｒに減圧すること
を特徴とする請求項１記載のアルミニウム配線の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7430693A JPH06291051A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | アルミニウム配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7430693A JPH06291051A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | アルミニウム配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291051A true JPH06291051A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13543319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7430693A Pending JPH06291051A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | アルミニウム配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291051A (ja) |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP7430693A patent/JPH06291051A/ja active Pending
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