JPH0628969A - 電界放射陰極 - Google Patents
電界放射陰極Info
- Publication number
- JPH0628969A JPH0628969A JP5089688A JP8968893A JPH0628969A JP H0628969 A JPH0628969 A JP H0628969A JP 5089688 A JP5089688 A JP 5089688A JP 8968893 A JP8968893 A JP 8968893A JP H0628969 A JPH0628969 A JP H0628969A
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- Japan
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- cathode
- energy distribution
- field emission
- compound
- density
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放射される電子のエネルギー分布の幅を0、
3eVより小さくした電界放射陰極を提供すること。 【構成】 黒鉛の層間に単体元素または化合物が入り込
む現象(インターカレーション)を利用して層間化合物
を形成してこのチップにより電界放射陰極を構成する。
3eVより小さくした電界放射陰極を提供すること。 【構成】 黒鉛の層間に単体元素または化合物が入り込
む現象(インターカレーション)を利用して層間化合物
を形成してこのチップにより電界放射陰極を構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はエネルギー分布の幅が小
さく、電流密度が大きく、かつ電流変動率が小さいこと
を必要とする電界放射陰極に関し、特に、この種の陰極
におけるチップ素材に関するものである。
さく、電流密度が大きく、かつ電流変動率が小さいこと
を必要とする電界放射陰極に関し、特に、この種の陰極
におけるチップ素材に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、電界放射陰極におけるチップはタ
ングステン*)およびその化合物(チタニウムを拡散させ
たタングステン)を材料としている。このような陰極か
ら得られる放射電子のエネルギー分布の幅(半値幅)は
約0.3eV以上の値を示し、他の材料でも、ほぼ同程
度の値となる。
ングステン*)およびその化合物(チタニウムを拡散させ
たタングステン)を材料としている。このような陰極か
ら得られる放射電子のエネルギー分布の幅(半値幅)は
約0.3eV以上の値を示し、他の材料でも、ほぼ同程
度の値となる。
【0003】*)R. H. Good, Jr. and E. W. Muller,
Handbook Phy, 3rd ed, Vol 21 Springer-Verlog (195
6)
Handbook Phy, 3rd ed, Vol 21 Springer-Verlog (195
6)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この値は理論値とも一
致し、通常の材料を使ったばあいの限界を与える。そこ
で、この限界をいかに越えるかが当面の課題となってい
る。
致し、通常の材料を使ったばあいの限界を与える。そこ
で、この限界をいかに越えるかが当面の課題となってい
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明の目
的は、電界放射陰極から放射される電子のエネルギー分
布の幅を従来の値(0.3eV)より小さくし、かつ大
きな電流密度と小さな電流変動率をもつ電界放射陰極を
提供することにある。
的は、電界放射陰極から放射される電子のエネルギー分
布の幅を従来の値(0.3eV)より小さくし、かつ大
きな電流密度と小さな電流変動率をもつ電界放射陰極を
提供することにある。
【0006】また、黒鉛化した炭素を陰極とするばあ
い、チップの曲率半径は金属チップの1/7〜1/8と
なり、強い電界が発生するので、本発明による陰極でも
同じ効果が期待される。
い、チップの曲率半径は金属チップの1/7〜1/8と
なり、強い電界が発生するので、本発明による陰極でも
同じ効果が期待される。
【0007】
【作用】フェルミ準位近傍につくられた状態密度は層間
に入れる物質によって異なるが、この新しくできた状態
密度をフェルミ準位近傍にすることによって鋭いエネル
ギー分布(<0.3eV)を得る。
に入れる物質によって異なるが、この新しくできた状態
密度をフェルミ準位近傍にすることによって鋭いエネル
ギー分布(<0.3eV)を得る。
【0008】
【実施例】以下、本発明を図を用いて詳述する。
【0009】はじめに本発明の原理について述べる。
【0010】陰極材料の母材となる黒鉛化した炭素の陰
極構造はタングステン等の金属とは全く異なることが知
られている。
極構造はタングステン等の金属とは全く異なることが知
られている。
【0011】図1は金属の状態密度、すなわち単位エネ
ルギーあたりの電子数を示す。エネルギー分布は状態密
度に電子の透過関数を乗じた形で与えられ図2に示す様
になる。電子はフェルミ準位近傍のエネルギーを持って
放射されるが、フェルミ準位近傍で状態密度の値は〜
0.5個/原子.eVである。
ルギーあたりの電子数を示す。エネルギー分布は状態密
度に電子の透過関数を乗じた形で与えられ図2に示す様
になる。電子はフェルミ準位近傍のエネルギーを持って
放射されるが、フェルミ準位近傍で状態密度の値は〜
0.5個/原子.eVである。
【0012】一方、黒鉛化した炭素の状態密度は図3に
示す形をもち、フェルミ準位近傍の状態密度の値は〜
0.005個/原子・eVと桁違いに小さい。そこで黒
鉛の層間に単体元素または化合物が入り込む現象(イン
ターカレーション)を利用して層間化合物を形成する
と、フェルミ準位近傍に層間物質の状態密度をつくり、
かつその値は0.1〜0.5個/原子eVと金属と同程度
の値をとる。
示す形をもち、フェルミ準位近傍の状態密度の値は〜
0.005個/原子・eVと桁違いに小さい。そこで黒
鉛の層間に単体元素または化合物が入り込む現象(イン
ターカレーション)を利用して層間化合物を形成する
と、フェルミ準位近傍に層間物質の状態密度をつくり、
かつその値は0.1〜0.5個/原子eVと金属と同程度
の値をとる。
【0013】この様子を図4に示す。フェルミ準位近傍
につくられた状態密度は層間に入れる物質によって異な
るが、この新しくできた状態密度がフェルミ準位近傍に
来れば鋭いエネルギー分布(<0.3eV)を得ること
が可能となる。
につくられた状態密度は層間に入れる物質によって異な
るが、この新しくできた状態密度がフェルミ準位近傍に
来れば鋭いエネルギー分布(<0.3eV)を得ること
が可能となる。
【0014】また、黒鉛化した炭素を陰極とするばあ
い、チップの曲率半径は金属チップの1/7〜1/8と
なり、強い電界が発生するので、本発明による陰極でも
同じ効果が期待される。本発明による陰極でのフェルミ
準位近傍の状態密度は金属と同程度であるから、金属チ
ップより強い電界が印加できる点で金属チップより大き
な電流密度を得ることが可能となる。
い、チップの曲率半径は金属チップの1/7〜1/8と
なり、強い電界が発生するので、本発明による陰極でも
同じ効果が期待される。本発明による陰極でのフェルミ
準位近傍の状態密度は金属と同程度であるから、金属チ
ップより強い電界が印加できる点で金属チップより大き
な電流密度を得ることが可能となる。
【0015】次に、本発明による電界放射陰極の具体例
について述べる。
について述べる。
【0016】図5は本発明の一実施例を示したものであ
る。同図において、1は黒鉛化した炭素(ガラス状炭
素、炭素ファイバ、炭素ホイスカなど)のチップで、先
端部分の曲率半径を1000〜2000Åとしたもので
ある。このチップ1にはあらかじめアルカリ金属(K,
Cs,Na,Li,Rb)やアルカリ土類金属(Ba,
Ca,Sr)や希土類金属(Sm,Eu,Yb)や遷移
金属(Mo,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Cr)な
どの単体元素か、ハロゲン(F,Cl,Br,Br
F3,IF5,ICl,IBr)、ハロゲン化金属の化合
物(AsF5,上記金属とハロゲンとの化合物)の1つ
が層間物質として入れてある。2は黒鉛板で、チップ1
を接合してある。3は電極で、2本の電極がガラスベー
ス4に固定されている。この電極3は直流電源5に接続
され、チップ1を通電加熱できる様になっている。チッ
プ1にアノード板7を対置し、高圧直流電源6を接続す
る。このときチップ1の先端から電子が電界放射され、
アノード板7に到達する。その一部をアノード板7中央
の小孔を通し、レンズ8で絞り、試料9の上に収束させ
る。
る。同図において、1は黒鉛化した炭素(ガラス状炭
素、炭素ファイバ、炭素ホイスカなど)のチップで、先
端部分の曲率半径を1000〜2000Åとしたもので
ある。このチップ1にはあらかじめアルカリ金属(K,
Cs,Na,Li,Rb)やアルカリ土類金属(Ba,
Ca,Sr)や希土類金属(Sm,Eu,Yb)や遷移
金属(Mo,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Cr)な
どの単体元素か、ハロゲン(F,Cl,Br,Br
F3,IF5,ICl,IBr)、ハロゲン化金属の化合
物(AsF5,上記金属とハロゲンとの化合物)の1つ
が層間物質として入れてある。2は黒鉛板で、チップ1
を接合してある。3は電極で、2本の電極がガラスベー
ス4に固定されている。この電極3は直流電源5に接続
され、チップ1を通電加熱できる様になっている。チッ
プ1にアノード板7を対置し、高圧直流電源6を接続す
る。このときチップ1の先端から電子が電界放射され、
アノード板7に到達する。その一部をアノード板7中央
の小孔を通し、レンズ8で絞り、試料9の上に収束させ
る。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、電界放射陰極から放射
される電子のエネルギー分布の幅を0.3eVより小さ
くできる。また、陰極の電子放射部分の曲率半径が通常
陰極の1/7〜1/8となりうるので、いわゆる点電子
源(点光源)と見なすことができる。試料の表面に電子
線を収束するばあい、収束スポットの径は点光源のサイ
ズとエネルギー分布の幅とが小さいほど小さくなり、本
発明により収束スポット径を従来の陰極を用いたばあい
に比較してさらに小さくできる効果がある。
される電子のエネルギー分布の幅を0.3eVより小さ
くできる。また、陰極の電子放射部分の曲率半径が通常
陰極の1/7〜1/8となりうるので、いわゆる点電子
源(点光源)と見なすことができる。試料の表面に電子
線を収束するばあい、収束スポットの径は点光源のサイ
ズとエネルギー分布の幅とが小さいほど小さくなり、本
発明により収束スポット径を従来の陰極を用いたばあい
に比較してさらに小さくできる効果がある。
【図1】金属の状態密度、すなわち単位エネルギーあた
りの電子数を示す原理を説明するための図。
りの電子数を示す原理を説明するための図。
【図2】金属のエネルギー分布を説明するための図。
【図3】黒鉛化した炭素の状態密度を説明するための
図。
図。
【図4】フェルミ準位近傍に層間物質の状態密度を作っ
たときのエネルギー分布を説明するための図。
たときのエネルギー分布を説明するための図。
【図5】本発明による電界放射陰極の使用状態を示す
図。
図。
1…チップ、2…黒鉛フィラメント、3…電極、4…ガ
ラスベース、5…直流電源、6…高圧電源、7…アノー
ド板、8…電子レンズ、9…試料。
ラスベース、5…直流電源、6…高圧電源、7…アノー
ド板、8…電子レンズ、9…試料。
Claims (1)
- 【請求項1】電界放射陰極から放射される電子のエネル
ギー分布の幅を0、3eVより小さくしたことを特徴と
する電界放射陰極。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57099219A JPS58216327A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 電界放射陰極 |
JP5089688A JPH0628969A (ja) | 1982-06-11 | 1993-04-16 | 電界放射陰極 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57099219A JPS58216327A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 電界放射陰極 |
JP5089688A JPH0628969A (ja) | 1982-06-11 | 1993-04-16 | 電界放射陰極 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57099219A Division JPS58216327A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 電界放射陰極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0628969A true JPH0628969A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=26431099
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57099219A Granted JPS58216327A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 電界放射陰極 |
JP5089688A Pending JPH0628969A (ja) | 1982-06-11 | 1993-04-16 | 電界放射陰極 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57099219A Granted JPS58216327A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 電界放射陰極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPS58216327A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002073646A2 (en) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Printable Field Emitters Limited | Field electron emission materials and devices |
JP2007080704A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Mie Univ | 電界放出型電子銃およびその電源電圧制御方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2718144B2 (ja) * | 1989-02-21 | 1998-02-25 | 松下電器産業株式会社 | 電界放出型冷陰極 |
US6586889B1 (en) | 2000-06-21 | 2003-07-01 | Si Diamond Technology, Inc. | MEMS field emission device |
US6819034B1 (en) | 2000-08-21 | 2004-11-16 | Si Diamond Technology, Inc. | Carbon flake cold cathode |
US6664728B2 (en) | 2000-09-22 | 2003-12-16 | Nano-Proprietary, Inc. | Carbon nanotubes with nitrogen content |
US6885022B2 (en) | 2000-12-08 | 2005-04-26 | Si Diamond Technology, Inc. | Low work function material |
US6739932B2 (en) | 2001-06-07 | 2004-05-25 | Si Diamond Technology, Inc. | Field emission display using carbon nanotubes and methods of making the same |
US6700454B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-03-02 | Zvi Yaniv | Integrated RF array using carbon nanotube cathodes |
US6897603B2 (en) | 2001-08-24 | 2005-05-24 | Si Diamond Technology, Inc. | Catalyst for carbon nanotube growth |
US6979947B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-12-27 | Si Diamond Technology, Inc. | Nanotriode utilizing carbon nanotubes and fibers |
JP2006196186A (ja) * | 2003-04-22 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子放出材料およびその製造方法とそれを用いた電界放出素子および画像描画素子 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5659422A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-22 | Hitachi Ltd | Field emissive cathode |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP57099219A patent/JPS58216327A/ja active Granted
-
1993
- 1993-04-16 JP JP5089688A patent/JPH0628969A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5659422A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-22 | Hitachi Ltd | Field emissive cathode |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002073646A2 (en) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Printable Field Emitters Limited | Field electron emission materials and devices |
WO2002073646A3 (en) * | 2001-03-13 | 2003-10-16 | Printable Field Emitters Ltd | Field electron emission materials and devices |
JP2007080704A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Mie Univ | 電界放出型電子銃およびその電源電圧制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58216327A (ja) | 1983-12-16 |
JPH0437530B2 (ja) | 1992-06-19 |
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