JPH06285622A - はんだ付け方法 - Google Patents
はんだ付け方法Info
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- JPH06285622A JPH06285622A JP9841093A JP9841093A JPH06285622A JP H06285622 A JPH06285622 A JP H06285622A JP 9841093 A JP9841093 A JP 9841093A JP 9841093 A JP9841093 A JP 9841093A JP H06285622 A JPH06285622 A JP H06285622A
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- JP
- Japan
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- soldering
- solder
- soldered
- powder
- roughness
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリフォームはんだを用いて強固にはんだ付
けする方法を提供する。 【構成】 プリフォームはんだを用いてはんだ付けする
に際し、被接合物のはんだ付け面の表面粗さをＪＩＳ規
格Ｂ−０６０１で規定される十点平均粗さＲｚ：１０〜
２００μｍとすることを特徴とする。
けする方法を提供する。 【構成】 プリフォームはんだを用いてはんだ付けする
に際し、被接合物のはんだ付け面の表面粗さをＪＩＳ規
格Ｂ−０６０１で規定される十点平均粗さＲｚ：１０〜
２００μｍとすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プリフォームはんだ
を用いて強固にはんだ付けする方法に関するものであ
る。
を用いて強固にはんだ付けする方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体組立工程において、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩなどのＳｉチップを、基板、リードフレー
ム、セラミックパッケージにダイボンディングしたり、
セラミックパッケージを金属製あるいはセラミック製リ
ッドで封止する場合、被接合物の間にプリフォームはん
だを挟み、このプリフォームはんだを溶融させてはんだ
付けしている。これらプリフォームはんだの表面には、
厚さ：５０〜１００オングストローム程度の酸化膜が形
成されていることも知られており、かかる酸化膜を有す
るプリフォームはんだを溶融してはんだ付けすると、酸
化膜がはんだ溶融時に被接合物のはんだ付け面に密着
し、密着した部分は溶融はんだが触れなくなるところか
ら、ボイドが発生し、はんだ付け強度が低下する原因と
なっている。
Ｃ，ＬＳＩなどのＳｉチップを、基板、リードフレー
ム、セラミックパッケージにダイボンディングしたり、
セラミックパッケージを金属製あるいはセラミック製リ
ッドで封止する場合、被接合物の間にプリフォームはん
だを挟み、このプリフォームはんだを溶融させてはんだ
付けしている。これらプリフォームはんだの表面には、
厚さ：５０〜１００オングストローム程度の酸化膜が形
成されていることも知られており、かかる酸化膜を有す
るプリフォームはんだを溶融してはんだ付けすると、酸
化膜がはんだ溶融時に被接合物のはんだ付け面に密着
し、密着した部分は溶融はんだが触れなくなるところか
ら、ボイドが発生し、はんだ付け強度が低下する原因と
なっている。
【０００３】かかる酸化膜によるはんだ付け強度の低下
を防止するために、治具を用いてプリフォームはんだ表
面に傷を付け、酸化膜を破壊したのち非酸化性雰囲気中
でプリフォームはんだを溶融することによりはんだ付け
する方法も提案されている（特開平４−８２２３４号公
報参照）。
を防止するために、治具を用いてプリフォームはんだ表
面に傷を付け、酸化膜を破壊したのち非酸化性雰囲気中
でプリフォームはんだを溶融することによりはんだ付け
する方法も提案されている（特開平４−８２２３４号公
報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、プリフォーム
はんだの厚さが薄くなるほど、または細くなるほど治具
でプリフォームはんだの表面に適切な傷を付けることは
難しく、傷の量によってはプリォームはんだ送給中に切
断などのトラブルが発生するなどの課題があった。
はんだの厚さが薄くなるほど、または細くなるほど治具
でプリフォームはんだの表面に適切な傷を付けることは
難しく、傷の量によってはプリォームはんだ送給中に切
断などのトラブルが発生するなどの課題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
一層簡単な方法で密着性の優れたはんだ付け接合部を得
る方法を開発すべく研究を行っていたところ、通常使用
されている半導体装置組立用部品の表面粗さはＪＩＳ規
格Ｂ−０６０１で規定される十点平均粗さＲｚ（以下、
単にＲｚと記す）の値が７μｍ以下の平滑な面を有して
おり、この平滑な面を有する半導体装置組立用部品をプ
リフォームはんだではんだ付けしようとすると、はんだ
溶融時に酸化膜が破壊することなくはんだ付け面に密着
し、ボイドが発生してはんだ付け接合部の強度が低下す
るものであるところから、はんだ付け面の表面粗さを積
極的に粗くし、はんだ付け面のＲｚを１０μｍ以上に粗
くすると、通常の非酸化性雰囲気中ではんだ付けして
も、プリフォームはんだの表面に形成されている酸化膜
ははんだ溶融時に破壊され、従来のような傷付け処理を
施さなくとも優れたはんだ付け部が得られるという知見
を得たのである。
一層簡単な方法で密着性の優れたはんだ付け接合部を得
る方法を開発すべく研究を行っていたところ、通常使用
されている半導体装置組立用部品の表面粗さはＪＩＳ規
格Ｂ−０６０１で規定される十点平均粗さＲｚ（以下、
単にＲｚと記す）の値が７μｍ以下の平滑な面を有して
おり、この平滑な面を有する半導体装置組立用部品をプ
リフォームはんだではんだ付けしようとすると、はんだ
溶融時に酸化膜が破壊することなくはんだ付け面に密着
し、ボイドが発生してはんだ付け接合部の強度が低下す
るものであるところから、はんだ付け面の表面粗さを積
極的に粗くし、はんだ付け面のＲｚを１０μｍ以上に粗
くすると、通常の非酸化性雰囲気中ではんだ付けして
も、プリフォームはんだの表面に形成されている酸化膜
ははんだ溶融時に破壊され、従来のような傷付け処理を
施さなくとも優れたはんだ付け部が得られるという知見
を得たのである。
【０００６】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、はんだ付け面の表面粗さＲｚを１０
〜２００μｍとし、ブリフォームはんだを挟んではんだ
付けする方法に特徴を有するものである。
れたものであって、はんだ付け面の表面粗さＲｚを１０
〜２００μｍとし、ブリフォームはんだを挟んではんだ
付けする方法に特徴を有するものである。
【０００７】上記はんだ付け面の表面粗さはＲｚ≧１０
μｍあればよいが、Ｒｚがあまり大きくなるとパッケー
ジなどのハンドリングや組立時に、はんだ付け面の山の
先端部が折れてキャビティ内に破片が入り、Ａｕ線のシ
ョートなどを引き起こすことからＲｚの上限は２００μ
ｍに限定した。
μｍあればよいが、Ｒｚがあまり大きくなるとパッケー
ジなどのハンドリングや組立時に、はんだ付け面の山の
先端部が折れてキャビティ内に破片が入り、Ａｕ線のシ
ョートなどを引き起こすことからＲｚの上限は２００μ
ｍに限定した。
【０００８】上記はんだ付け面の表面をＲｚが１０〜２
００μｍの範囲内になるように荒すには、サンドペーパ
ーを用いて機械的に荒すこともできるが、はんだ濡れ性
のよいＡｕ粉末、Ａｇ粉末、Ｎｉ粉末を付着する方法、
高電流密度の湿式メッキなどを用いる方法などを採用す
ることもできる。
００μｍの範囲内になるように荒すには、サンドペーパ
ーを用いて機械的に荒すこともできるが、はんだ濡れ性
のよいＡｕ粉末、Ａｇ粉末、Ｎｉ粉末を付着する方法、
高電流密度の湿式メッキなどを用いる方法などを採用す
ることもできる。
【０００９】
実施例１ 幅：１０mm、厚さ：２．０mm、十点平均粗さＲｚ：２μ
ｍを有するＮｉ冷間圧延テープを用意し、このテープの
表面を種々の粗さのサンドペーパーで研磨しまたは研磨
せずに表１に示される粗面テープを作製し、この粗面テ
ープと粗面テープの間にたて：１０mm、横：１０mmの寸
法を有し表１に示される厚さのＰｂ−１０％Ｓｎはんだ
薄板を挟み、押圧力：１kgf で加圧固定し、アルゴン雰
囲気中、温度：３５０℃、５分間保持の条件ではんだ付
けすることにより本発明はんだ付け法（以下、本発明法
という）１〜１０、比較はんだ付け法（以下、比較法と
いう）１〜２および従来はんだ付け法（以下、従来法と
いう）１を実施した。
ｍを有するＮｉ冷間圧延テープを用意し、このテープの
表面を種々の粗さのサンドペーパーで研磨しまたは研磨
せずに表１に示される粗面テープを作製し、この粗面テ
ープと粗面テープの間にたて：１０mm、横：１０mmの寸
法を有し表１に示される厚さのＰｂ−１０％Ｓｎはんだ
薄板を挟み、押圧力：１kgf で加圧固定し、アルゴン雰
囲気中、温度：３５０℃、５分間保持の条件ではんだ付
けすることにより本発明はんだ付け法（以下、本発明法
という）１〜１０、比較はんだ付け法（以下、比較法と
いう）１〜２および従来はんだ付け法（以下、従来法と
いう）１を実施した。
【００１０】上記本発明法１〜１０、比較法１〜２およ
び従来法１により得られたＮｉ冷間圧延テープはんだ付
け複合板の粗面テープを引き剥してはんだ付け層を露出
し、このはんだ付け層表面をＳＥＭで観察し、はんだ薄
板を挟んだ部分のボイドの面積率を測定し、その測定結
果を表１に示した。
び従来法１により得られたＮｉ冷間圧延テープはんだ付
け複合板の粗面テープを引き剥してはんだ付け層を露出
し、このはんだ付け層表面をＳＥＭで観察し、はんだ薄
板を挟んだ部分のボイドの面積率を測定し、その測定結
果を表１に示した。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１に示される結果から、本発明法１〜１
０により得られたはんだ付け部のボイド面積率は従来法
１により得られたはんだ付け部のボイド数に比べて格段
に少なく、したがって本発明法１〜１０により得られた
はんだ付け部の強度は、従来法１により得られたはんだ
付け部の強度よりも格段に優れていることがわかる。
０により得られたはんだ付け部のボイド面積率は従来法
１により得られたはんだ付け部のボイド数に比べて格段
に少なく、したがって本発明法１〜１０により得られた
はんだ付け部の強度は、従来法１により得られたはんだ
付け部の強度よりも格段に優れていることがわかる。
【００１３】しかし、粗面テープのＲｚが１０μｍ末端
ではボイドの面積率が増加し、一方、粗面テープのＲｚ
が２００μｍを越えるとＰｂ−１０％Ｓｎはんだの厚さ
を極端に厚くしない限り粗面によるボイドが多数発生
し、好ましくないことがわかる。
ではボイドの面積率が増加し、一方、粗面テープのＲｚ
が２００μｍを越えるとＰｂ−１０％Ｓｎはんだの厚さ
を極端に厚くしない限り粗面によるボイドが多数発生
し、好ましくないことがわかる。
【００１４】実施例２ （１） 厚さ：０．３mmの４２冷間圧延テープの片面
に、Ｎｉワット浴を用い２０Ａ／dm2 で平均層厚：３０
μｍのＮｉメッキ層を形成した。そのＮｉメッキ層のＲ
ｚは１８μｍであった。上記Ｎｉメッキされた４２冷間
圧延テープをたて：３０mm、横：３０mmの寸法に打抜い
て、金属製ハーメチックシール蓋を作製した。
に、Ｎｉワット浴を用い２０Ａ／dm2 で平均層厚：３０
μｍのＮｉメッキ層を形成した。そのＮｉメッキ層のＲ
ｚは１８μｍであった。上記Ｎｉメッキされた４２冷間
圧延テープをたて：３０mm、横：３０mmの寸法に打抜い
て、金属製ハーメチックシール蓋を作製した。
【００１５】（２） ９２％Ａｌ2 Ｏ3 のグリーンシー
ト上に平均粒径：１μｍのＷ粉末ペーストを、外寸法：
３０mm×３０mm、内寸法：２８mm×２８mmの窓枠状に印
刷し、これの窓枠状印刷外周部を３２mm×３２mm角に打
抜き、焼結して得られたＷメタライズ面に、厚さ：２μ
ｍのＮｉメッキ層を形成し、さらにその上に厚さ：２μ
ｍのＡｕメッキ層を形成した。
ト上に平均粒径：１μｍのＷ粉末ペーストを、外寸法：
３０mm×３０mm、内寸法：２８mm×２８mmの窓枠状に印
刷し、これの窓枠状印刷外周部を３２mm×３２mm角に打
抜き、焼結して得られたＷメタライズ面に、厚さ：２μ
ｍのＮｉメッキ層を形成し、さらにその上に厚さ：２μ
ｍのＡｕメッキ層を形成した。
【００１６】その後、固体パラフィン（分解蒸発温度：
２５０℃）を工業用ガソリンに溶かした溶液中に平均粒
径：２０μｍのＡｇ粉末を５vol ％混ぜて得られたペー
ストを上記Ａｕメッキ層上にスクリーン印刷した後乾燥
し、はんだ付け面にＡｇ粉末がまんべんなく付着したＲ
ｚ：２０μｍを有するセラミックス製ハーメチックシー
ル蓋を作製した。
２５０℃）を工業用ガソリンに溶かした溶液中に平均粒
径：２０μｍのＡｇ粉末を５vol ％混ぜて得られたペー
ストを上記Ａｕメッキ層上にスクリーン印刷した後乾燥
し、はんだ付け面にＡｇ粉末がまんべんなく付着したＲ
ｚ：２０μｍを有するセラミックス製ハーメチックシー
ル蓋を作製した。
【００１７】（３） ９２％Ａｌ2 Ｏ3 のグリーンシー
ト上に、平均粒径：２０μｍの非定形Ｗ粉末：５vol
％、残り平均粒径：１μｍのＷ粉末からなるＷ粉末を混
練したペーストを、外寸法：３０mm×３０mm、内寸法：
２８mm×２８mmの窓枠状に印刷し、これの内部を２７mm
×２７mm角の寸法に打抜いたものをＬＣＣパッケージの
最上層とし、あとは通常の方法で３層のセラミックス製
パッケージを焼成し作製した。
ト上に、平均粒径：２０μｍの非定形Ｗ粉末：５vol
％、残り平均粒径：１μｍのＷ粉末からなるＷ粉末を混
練したペーストを、外寸法：３０mm×３０mm、内寸法：
２８mm×２８mmの窓枠状に印刷し、これの内部を２７mm
×２７mm角の寸法に打抜いたものをＬＣＣパッケージの
最上層とし、あとは通常の方法で３層のセラミックス製
パッケージを焼成し作製した。
【００１８】上記（１）で作製した金属製ハーメチック
シール蓋と（３）で作製したセラミックス製パッケージ
の間に、外寸法：３０mm×３０mm、内寸法２８mm×２８
mm、厚さ：７０μｍの窓枠状Ｐｂ−１０％Ｓｎはんだを
挟み、押え力：５００gfのクリップで固定し、露点−６
０℃以下のＮ2 ＋Ｈ2 混合ガス雰囲気中、温度：３５０
℃、５分間のピーク温度保持の条件でパッケージ封止
し、本発明法１１を実施した。本発明法１１で作製した
２０個の封止パッケージを熱サイクル試験機に設置し、
−４５℃（３０分保持）後１２５℃（３０分保持）の熱
サイクルを５００サイクル行ったのち、フロリナート液
に浸漬し、６０秒間肉眼で観察するグロスリークテスト
を行ったが泡の上昇は見られなかった。上記グロスリー
クテストを行った後、さらに上記熱サイクルを施した封
止パッケージをヘリウムボンビング装置に入れ、真空に
引いたのちＨｅガスを６kgf ／cm2 の圧力で６時間保持
し、その後、装置から取出してヘリウムディテクターに
入れ、リーク量を測定するヘリウムリークテストを行な
ったところ、試料全数がリーク量は１．０×１０-7atm
・cc／sec 未満であり、合格の値が得られた。
シール蓋と（３）で作製したセラミックス製パッケージ
の間に、外寸法：３０mm×３０mm、内寸法２８mm×２８
mm、厚さ：７０μｍの窓枠状Ｐｂ−１０％Ｓｎはんだを
挟み、押え力：５００gfのクリップで固定し、露点−６
０℃以下のＮ2 ＋Ｈ2 混合ガス雰囲気中、温度：３５０
℃、５分間のピーク温度保持の条件でパッケージ封止
し、本発明法１１を実施した。本発明法１１で作製した
２０個の封止パッケージを熱サイクル試験機に設置し、
−４５℃（３０分保持）後１２５℃（３０分保持）の熱
サイクルを５００サイクル行ったのち、フロリナート液
に浸漬し、６０秒間肉眼で観察するグロスリークテスト
を行ったが泡の上昇は見られなかった。上記グロスリー
クテストを行った後、さらに上記熱サイクルを施した封
止パッケージをヘリウムボンビング装置に入れ、真空に
引いたのちＨｅガスを６kgf ／cm2 の圧力で６時間保持
し、その後、装置から取出してヘリウムディテクターに
入れ、リーク量を測定するヘリウムリークテストを行な
ったところ、試料全数がリーク量は１．０×１０-7atm
・cc／sec 未満であり、合格の値が得られた。
【００１９】次に、上記（２）で作製したセラミックス
製ハーメチックシール蓋と（３）で作製したセラミック
ス製パッケージを用い、同様にしてパッケージを封止
し、本発明法１２を実施した。
製ハーメチックシール蓋と（３）で作製したセラミック
ス製パッケージを用い、同様にしてパッケージを封止
し、本発明法１２を実施した。
【００２０】得られた封止パッケージ２０個について、
同上の条件で熱サイクルを加えたのち、グロスリークテ
ストを行ったが泡の上昇は観察されず、さらにヘリウム
リークテストを行ったところ試料全てのリーク量は１．
０×１０-7 atm・cc／sec未満であり、合格値が得ら
れた。
同上の条件で熱サイクルを加えたのち、グロスリークテ
ストを行ったが泡の上昇は観察されず、さらにヘリウム
リークテストを行ったところ試料全てのリーク量は１．
０×１０-7 atm・cc／sec未満であり、合格値が得ら
れた。
【００２１】一方、比較のために、４２アロイの片面に
Ｎｉを熱間クラッドで接合し、全厚：０．３mmになるま
で冷間圧延して得られたＮｉ層の厚さ：２０μｍ、粗さ
Ｒｚ：２μｍの複合板を、縦：３０mm、横：３０mmの寸
法に打抜いて、表面平滑な金属製ハーメチックシール蓋
を作製し、この表面平滑な金属製ハーメチックシール蓋
と、上記（３）で最上層のはんだ付け部の印刷を平均粒
径：１μｍのＷ粉末のみを含むペーストを印刷し焼成し
て得られたセラミックス製パッケージとの間に、外寸
法：３０mm×３０mm、内寸法：２８mm×２８mm、厚さ：
７０mmの窓枠状Ｐｂ−１０％Ｓｎはんだを挟み、この窓
枠状Ｐｂ−１０％Ｓｎハンダを全く同じ条件で加熱溶融
し、パッケージを封止することにより従来法２を実施し
た。
Ｎｉを熱間クラッドで接合し、全厚：０．３mmになるま
で冷間圧延して得られたＮｉ層の厚さ：２０μｍ、粗さ
Ｒｚ：２μｍの複合板を、縦：３０mm、横：３０mmの寸
法に打抜いて、表面平滑な金属製ハーメチックシール蓋
を作製し、この表面平滑な金属製ハーメチックシール蓋
と、上記（３）で最上層のはんだ付け部の印刷を平均粒
径：１μｍのＷ粉末のみを含むペーストを印刷し焼成し
て得られたセラミックス製パッケージとの間に、外寸
法：３０mm×３０mm、内寸法：２８mm×２８mm、厚さ：
７０mmの窓枠状Ｐｂ−１０％Ｓｎはんだを挟み、この窓
枠状Ｐｂ−１０％Ｓｎハンダを全く同じ条件で加熱溶融
し、パッケージを封止することにより従来法２を実施し
た。
【００２２】この従来法２で封止したパッケージ２０個
に同上の条件で熱サイクルを加えたのち、グロスリーク
テストを行ったところ、２０個のうち８個は連続的な泡
の上昇が観察されたので、以降のヘリウムリークテスト
は行なわなかった。残り１２個にさらにヘリウムリーク
テストを行ったところ、試料残数（１２個）全部がリー
ク量：１．０×１０-7 atm・cc／sec 以上となり、不
合格となった。
に同上の条件で熱サイクルを加えたのち、グロスリーク
テストを行ったところ、２０個のうち８個は連続的な泡
の上昇が観察されたので、以降のヘリウムリークテスト
は行なわなかった。残り１２個にさらにヘリウムリーク
テストを行ったところ、試料残数（１２個）全部がリー
ク量：１．０×１０-7 atm・cc／sec 以上となり、不
合格となった。
【００２３】上述の結果から、本発明法１１〜１２によ
り得られたはんだ付け部は熱サイクルが付加されてもグ
ロスリークテストおよびヘリウムリークテストに合格し
ているところから、耐熱疲労特性に優れたろう付け部が
得られることがわかる。しかし、はんだ付け面を平滑な
ままろう付けする従来法２では耐熱疲労特性が劣ること
がわかる。
り得られたはんだ付け部は熱サイクルが付加されてもグ
ロスリークテストおよびヘリウムリークテストに合格し
ているところから、耐熱疲労特性に優れたろう付け部が
得られることがわかる。しかし、はんだ付け面を平滑な
ままろう付けする従来法２では耐熱疲労特性が劣ること
がわかる。
【００２４】
【発明の効果】この発明のはんだ付け方法によると、は
んだ付け面に簡単な前処理を施すだけでボイドの少ない
強度の優れたはんだ付け部が得られ、産業上すぐれた効
果を奏するものである。
んだ付け面に簡単な前処理を施すだけでボイドの少ない
強度の優れたはんだ付け部が得られ、産業上すぐれた効
果を奏するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/48 Ｋ
Claims (1)
- 【請求項１】 プリフォームはんだを用いてはんだ付け
するに際し、被接合物のはんだ付け面の表面粗さをＪＩ
Ｓ規格Ｂ−０６０１で規定される十点平均粗さＲｚ：１
０μｍ〜２００μｍとすることを特徴とするはんだ付け
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9841093A JPH06285622A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | はんだ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9841093A JPH06285622A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | はんだ付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06285622A true JPH06285622A (ja) | 1994-10-11 |
Family
ID=14219065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9841093A Withdrawn JPH06285622A (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | はんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06285622A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877079A (en) * | 1996-12-02 | 1999-03-02 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing a semiconductor device and a method for mounting a semiconductor device for eliminating a void |
| WO2003075341A1 (fr) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Embase et dispositif semi-conducteur |
| JP2008235898A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Infineon Technologies Ag | パワー半導体モジュール、パワー半導体モジュールの製造方法、および、半導体チップ |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP9841093A patent/JPH06285622A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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