JPH0628510B2 - Ｄｃ−ｄｃコンバ−タ - Google Patents

Ｄｃ−ｄｃコンバ−タ

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JPH0628510B2
JPH0628510B2 JP61146307A JP14630786A JPH0628510B2 JP H0628510 B2 JPH0628510 B2 JP H0628510B2 JP 61146307 A JP61146307 A JP 61146307A JP 14630786 A JP14630786 A JP 14630786A JP H0628510 B2 JPH0628510 B2 JP H0628510B2
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voltage
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switching transistor
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    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
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    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
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    • H02M3/338—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、そのコレクタ−エミッタ区間が電流変圧器お
よび電力変圧器のそれぞれの１次巻線と直列に接続さ
れ、かつ第１のＤＣ電源の端子に接続されているスイッ
チングトランジスタと、 前記スイッチングトランジスタのエミッタと、前記１次
巻線の接続点との間に接続されている転流コンデンサ
と、 前記電流変圧器の２次巻線を含み、かつ前記スイッチン
グトランジスタのベースに接続されているベーシ駆動回
路と、 前記電流変圧器の２次巻線に並列に接続され、かつ２次
巻線のインダクタンスと共に並列共振回路または発振回
路を形成するものである同調コンデンサと、 を有するスイッチングモード電源を備えたＤＣ−ＤＣコ
ンバータであって、 前記並列共振回路または発振回路の共振周期の半周時期
間は、電力変圧器の１次巻線のインダクタンスと転流コ
ンデンサのキャパシタンスとによる共振周期の半周期時
間よりも短くなるように構成されたＤＣ−ＤＣコンバー
タに関する。
従来の技術 上記のようなＤＣ−ＤＣコンバータは、フランス特許出
願公開公報第２４８６３２６号から公知である。このコ
ンバータでは、電力変圧器の１次巻線のインダクタンス
と転流コンデンサのキャパシタンスとによる共振周期の
半分の周期時間を並列共振回路の共振周期の半分の周期
時間に比例させることにより、スイッチングトランジス
タのオフ時間の比較的大きな変動およびこのスイッチン
グトランジスタのデューティサイクル（オン時間／（オ
ン時間＋オフ時間））の大きな変動（約１／３から４／
５まで変化する）を許容し得る回路が得られる。実際に
はフライバック時間すなわちオフ時間は、２次巻線に依
存しないで別の手段により設定することができ、この２
次巻線の電圧に影響されずに広範囲で変化させることが
できる。発振回路は高周波に同調されており、２次巻線
のパルスの持続時間は短いから、このパルスの振幅は増
大することができる。
しかしこのような回路には次の問題がある。すなわち、
２次巻線がスイッチングトランジスタのベースと接続さ
れているから、このスイッチングトランジスタのベース
／エミッタ区間がフライバック期間中、２次巻線に作用
を及ぼし、そのためこの短いパルスの振幅が制限されて
しまい十分に上昇できないのである。
発明が解決しようとする課題 本発明の課題は、上記の問題点を回避し、２次巻線のパ
ルスの振幅が、この２次巻線に接続されているスイッチ
ングトランジスタの特性に依存しないで増大し得るよう
なＤＣ−ＤＣコンバータを提供することである。
課題を解決するための手段 上記課題は本発明により、電流変圧器の２次巻線の第１
端子とスイッチングトランジスタのベースとの間にダイ
オードが挿入接続されており、該ダイオードの導通方向
は前記トランジスタのベース−エミッタ区間の導通方向
と同じであるように構成して解決される。
本発明によるダイオードは、フライバック期間中、２次
巻線をスイッチングトランジスタから分離し、それによ
り前記の短いパルスの振幅がスイッチングトランジスタ
のベース／エミッタ区間に依存しないので増大すること
ができ、その振幅の制限されることがない。
本発明の別の実施例においては、電子制御スイッチとし
てのトランジスタが設けられており、この電子制御スイ
ッチは１つの制御入力電極と、２つの出力電極を有して
いる。これらの電極はそれぞれ、前記スイッチングトラ
ンジスタのベースおよびエミッタに接続されている。こ
の電子制御スイッチは、例えばＭＯＳ電界効果トランジ
スタであり、スイッチングトランジスタのフライバック
時間またはオフ時間を決定する。この電子制御スイッチ
のための制御電圧は有利にはスイッチングトランジスタ
の出力から得る。このようにすれば、スイッチングトラ
ンジスタのコレクタ電圧がゼロもしくはほとんどゼロに
なるときにスイッチングトランジスタがターンオンする
ようになる。
特許請求の範囲第１項および第２項に記載した構成を組
み合わせると、極めて有利である。この手段により２つ
の機能が明確にされる。すなわち、一方ではスイッチン
グトランジスタの順導通時間すなわちオン時間と、他方
ではフライバック時間すなわちオフ時間とが明確にされ
るようになる。スイッチングトランジスタのオン時間
は、前記電流変圧器の２次巻線によって、この変圧器内
に蓄積された磁気エネルギを使用して制御される。この
２次巻線はスイッチングトランジスタのオン時間中、こ
れにベース電流を送出する。このオン時間中、電子制御
スイッチとしてのトランジスタは動作せず、スイッチン
グトランジスタの導通に影響しない。フライバック時間
中は、前記電流変圧器の２次巻線が本発明のダイオード
によってスイッチングトランジスタのベースから分離さ
れる。それにより、２次巻線がこのフライバック時間中
にスイッチングトランジスタに影響しないようになり、
オフ時間を前記電子制御スイッチによってのみ定めるこ
とができる。電子制御スイッチは有利には、コンバータ
の出力電圧によって、特別な制御回路を介して制御され
る。
実施例 以下添付図面を参照しつつ実施例について本発明を説明
するが、それによって本発明の他の目的、特徴、利点が
よりよく理解されよう。しかし実施例は短なる例示であ
ることを断っておく。
第１図は本発明による高電圧DC-DC コンバータとその制
御回路の好適な実施例の概略構成図である。第２図は第
１図に示した回路の種々異なる点における電圧と電流を
示すタイムチャートである。第３図は持続波マグネトロ
ンの性能特性図である。
第１図は、単安定マルチバイブレータ形の簡単な制御回
路を含んだ、本発明の高電圧スイッチモード電源の概略
回路図である。第１図の回路は、電力変圧器５と、ベー
ス駆動電流のための電流変圧器すなわちフィードバック
変圧器と、NPN 形双極接合電力スイッチングトランジス
タ９と、第１の抵抗すなわちベースバイアス用抵抗140
とを含んでいる。またさらに、ダイオード13と、それに
並列に接続された並列コンデンサ10と、電流変圧器２次
側巻線16とそれに並列接続された同調用コンデンサ18か
らなる並列回路に直列接続された第２抵抗すなわち電流
測定用抵抗17と、バイアス電圧源40と、スイッチングト
ランジスタ９のコレクタ電流が流れなくなった時に２次
側巻線16をスイッチングトランジスタ９のベースから分
離させるダイオード31と、スイッチングトランジスタ９
をターンオフさせるための制御トランジスタ39とが含ま
れている。制御トランジスタ39はこの実施例では金属酸
化物半導体(MOS) フィールド効果トランジスタ(FET) す
なわちMOSEFTである。
ここで使用する制御トランジスタとしては電力スイッチ
ング用MOSFETの方が、双極接合スイッチングトランジス
タよりも好ましい。というのは後者を飽和状態で駆動さ
せるのに必要な電力が大きく、そのターンオフを遅延さ
せてしまう蓄積時間のためである。実際問題として、双
極接合トランジスタのベース駆動電流はその最大コレク
タ電流に比例せねばならず、スイチングトランジスタ９
の蓄積時間中コレクタ電流によって電流変圧器２次側巻
線16に誘起される逆ベース電流を必然的に伴うというこ
とである。このことは、スイッチングトランジスタ９の
オフ期間中制御トランジスタのベースに相対的に高い電
力を印火しなければならないということを示しており、
この印加は付加的な駆動段によろねばならない。このこ
とは、蓄積時間によるターンオフ遅延のない、そして全
く微かな電流での十分なゲート電圧スイングのみを必要
とし、したがって実質上電力を必要としないで導通状態
に作動されうる。Ｎチャンネル、常時オフ形、エンハン
スメントモード電力MOSFET39を使用することによって克
服されている。たとえば、MOSFET39 をターンオンさせ
るためには、３ボルトのしきい値ＶGS(th)の約２倍のゲ
ート・電源間バイアスをMOSFET39 に与えるだけで十分
である。このようなMOSFETはさらにまた、スイッチング
トランジスタ９のターンオフに先立つてその蓄積時間中
に前述の短い高電流パルスを導くためにも、より適して
いる。
MOSFET制御トランジスタ39は、ここでは、ダイオード31
のカソードと、ツェナーダイオード41のカソードと、電
解コンデンサ42のアノードとに接続されており、電解コ
ンデンサ42のカソードの方はツェナーダイオード41のア
ノードとスイッチングトランジスタ９のベースとに接続
されている。その結果、トランジスタ９のオン期間中に
トランジスタ９のベース駆動電流によってコンデンサ42
が充電されるツェナー電圧は、制御トランジスタ39がオ
ンしている時にはトランジスタ９の逆ベースバイアス電
圧になる。抵抗値ＲDS(on)であるMOSFET39 のドレイン
電源間抵抗が不十分な時には、小電流制限用抵抗43（約
0.5 Ω）をMOSFET39 のドレインと、ダイオード31およ
び電圧源40の接続点との間に挿入してもよい。スイッチ
ングトランジスタ９のベースは第３の抵抗すなわちベー
ス抵抗44（約１ＫΩ）を介してそのエミッタに接続され
ている。
電力変圧器の２次側巻線の出力端子７，８はそれぞれピ
ーク対ピーク整流器45の２つの入力端子に接続されてい
る。この整流器は第１フィルタ用コンデンサ46を含んで
いるのであるが、そのコンデンサ46の一方の端子は２次
側巻線の第１出力端子８に接続され、他方の端子は第１
整流器ダイオード47のアノードと第２整流器ダイオード
48のカソードとに接続されている。第１整流器ダイオー
ド47のカソードは、２次側巻線の第２出力端子７と、第
２フィルター用コンデンサ49の一方の端子と、整流器の
正出力端子50とに接続され、そして端子50は（図示され
ていないマグネトロンのアノードに接続されて）接地さ
れている。第２整流器ダイオード48のアノードと第２コ
ンデンサ49の他方の端子とは、共に整流器の（マグネト
ロンのカソードに接続される）負出力端子51に接続され
ている。順ダイオードと呼びうる第１ダイオード47は、
スイッチングトランジスタ９のオン期間、電源電圧Ｖ１
に比例した電圧まで第１コンデンサ46を充電させる。フ
ライバックダイードと呼びうる第２ダイオード48は、ト
ランジスタ９とダイオード13が共にオフしている期間、
スイッチングトランジスタ９のコレクタ・エミッタ間電
圧ＶCE9のピーク対ピーク値ＶPPに比例した電圧まで直
列接続された第１コンデンサ46を放電させて第２コンデ
ンサ49を充電させる。この比例関係は１次側巻線に対す
る２次巻線の巻数比NG/N4 によって決まる。
制御MOSFET39 はそのゲートに制御回路60の出力52から
印加される周期方形電圧波形によって制御されるが、そ
の制御回路60は、それぞれDC電源57の正端子55と負端子
56とに接続されている正入力54と負入力54とを有してい
る。高圧電源３と低圧電源57の各負端子２、56は共に共
通の接地58に接続されている。低圧電源57の正端子55
は、入力53と出力59とを介して第１抵抗すなわち始動用
抵抗140 に接続されて、制御MOSFET39 がオフされた時
に、スイッチイングトランジスタ９のベースに正バイア
スろ印加してその導通を開始する。
この始動用抵抗140 は、高圧電源３の正端子１に接続す
ることもできる。しかし、後に説明する理由から、制御
回路60の正電源入力53とバイアス用出力59との間にPNP
形双極接合トランジスタ80を挿入すれば、高圧電源３
と低圧電源57のスイッチが投入されている時にコンバー
タが偶発的に誤動作するのを阻止することができて有利
である。このトランジスタ80は、所望の時点以前にスイ
ッチングトランジスタ９に順バイアスが印加されないよ
うにしている。
制御回路60は、さらに、始動用入力61と、再トリガ用入
力62と、電流制御用入力63とを含んでおり、始動用入力
61は、コンバータの電源を動作させたい時に、正方向に
遷移する外部発生ワンショット始動用パルスを受けと
る。再トリガ入力62は、第４抵抗64を介してトランジス
タ９のコレクタに、クランピングダイオード65を介して
正電源入力53に接続され、そして PNP形の第２双極接合
トランジスタ66のベースに接続されている。
第２トランジスタ66は、エミッタが正電源入力53に接続
され、コレクタが直列の第５、第６抵抗によって負電源
入力54に接続され、そしてベースが第７抵抗69を介して
この負電源入力54に接続されている。このベースはさら
に第８抵抗70を介して NPN形の第３双極接合トランジス
タ71に接続されており、この第３トランジスタ71は、エ
ミッタが負電源入力54に接続され、ベースが始動用入力
61に接続されている。第２トランジスタ66のコレクタ回
路内の２つの直列抵抗67、68の接続点72は、結合用コン
デンサ73の一方の端子に接続され、その他方端子は、 P
NP形の第４双極接合トランジスタ74のベースに接続さ
れ、可変抵抗75を介して負電源入力54に接続されてい
る。第４トランジスタ74のエミッタは正電源入力53に接
続され、コレクタは、第10抵抗76を介して負入力54に接
続されるとともに、MOSFET39 に接続している制御回路
出力52にも接続されている。
スイッチングトランジスタ９を破壊や損傷から守るため
に、そのコレクタの最大電流を制限する目的で、２つの
直列抵抗67、68の接続点72がNPN形の第５双極接合トラ
ンジスタ77のコレクタに接続されている。第５トランジ
スタ77のベースは負電源入力54に接続され、エミッタは
第11抵抗78を介して負電源入力54に接続されるととも
に、第12抵抗79を介して制御回路60の電流制限用入力63
にも接続されている。制御回路60の電流制限用入力63
は、第２抵抗すなわち測定用抵抗17と、電流変圧器２次
側巻線16と、その並列同調用コンデンサ18との共通接続
点に接続されている。
以下さらに説明するように、第１図に示した本発明のベ
ース駆動回路は、スイッチングトランジスタ９をターン
オンさせるのに十分な大きさのベース駆動電流を、該ベ
ースを始動用抵抗140 を介してDC電源３、57のうちの一
方の電源の正端子と固定接続することなく、回路の通常
の周期的動作の間電流トランス２次側巻線16を介してス
イッチングトランジスタ９のベースに印加することがで
きる。そのためには、制御回路60の正電源入力53と出力
59の間に PNP形の第６双極接合トランジスタ80を挿入す
ると有利であり、むしろ好ましい。出力59は第１抵抗す
なわち始動用抵抗140 の一方の端子と接続されており、
抵抗140 の他方の端子は、ダイオード31のカソード、M
OSFET39 のドレイン、および逆バイアス源40の正端子
に接続されている。第６トランジスタ源80のエミッタは
正電源入力53に、コレクタは出力59に、それぞれ接続さ
れており、通常はオフ状態に維持されるようにベースが
第13抵抗81を介して入力53とエミッタとの接続点に接続
されている。第６トランジスタ80のベースは、第14抵抗
82を介して第３の、すなわち始動用トランジスタ71(NP
N)のコレクタにも接続されており、第３トランジスタ71
がそのベースに入力61から印加される始動用パルスによ
ってターンオンする時、第６トランジスタ80もターンオ
ンする。第６トランジスタ80の周期作動を阻止するため
に、第３トランジスタ71のコレクタが第８抵抗70を介し
て第２トランジスタ66のベースにも接続されているが、
第２トランジスタ66のベース電圧の変動がＶ55−ＶFDと
Ｖ55＋ＶFDの間におさまるように電圧分割器を形成する
抵抗81，82の値を適宜選択しなければならない。この抵
抗81，82の値は実質的に同一にし、しかも第８抵抗70の
値以下であるように選択すればよい。すなわち、抵抗81
の値は、抵抗70、82、81の合計値の３分の１以下でなけ
ればならない。この付加的回路80〜82の実際上の役割
は、コンバータの作動開始時のみ、つまり通常の安定状
態の作動に達する前にのみスイッチングトランジスタ９
のベースに始動用抵抗140 を介して順バイアスを印加す
ることと、入力61に始動用パルスが印加されない限り如
何なる種類の自始動も誤始動も阻止することである。
上述した第１図の回路の種々異なる点における電圧電流
波形を示している第２図を参照しながら、回路動作を以
下に説明する。
低圧電源57と高圧電源３の両方のスイッチが同時に投入
されてほぼ同時にそれらの通常電圧（約12ＶDCと 300Ｖ
DC）に到達すると、第４トランジスタ74とそれによって
駆動される制御MOSFET39 の初期導通によってダイオー
ド31とツェナーダイオード41の各カソード間の接続が保
持されるので、第１のトランジスタ、すなわちスイッチ
ングトランジスタ74はオフされたままである。従ってス
イッチングトランジスタ９のコレクタには高圧電源電圧
Ｖ１に等しい正の高DC電圧が現われ、それが直列接続さ
れた第４抵抗64と第７抵抗69とを介してトランジスタ66
のベースに印加される。これらの抵抗64、69の接続点に
接続されているダイオード65は、第２トランジスタ66の
エミッタ−ベース間の逆方向電圧を約0.7 ボルトのダイ
オード順電圧降下ＶFDにクランプする。この逆電圧は、
第１抵抗すなわち始動用抵抗140 がDC電源３、57のうち
のどちらかの電源の正端子に接続されているとしても、
トランジスタ66をオフしておくのに十分な値である。
正の始動パルスが制御回路60の入力61に印加されると、
第３トランジスタ71がターンオンされ、第２トランジス
タ66もターンオンさせるのに十分なように抵抗70を介し
てトランジスタ66のベースを引き下げる。同時に、スイ
ッチングトランジスタ９のベースが、始動用抵抗140 、
未充電逆バイアス電源40、およびスイッチングトランジ
スタのベース・エミッタ間接合に並列の抵抗44からなる
直列回路を介して正電源入力53に接続され、それによっ
て第６トランジスタ80のベースが抵抗82を介して引き下
げられ第６トランジスタ80をターンオンする。第２トラ
ンジスタ66がターンオンした後、そのコレクタ電流は直
列接続された抵抗67、68を介して流れ、その結果それら
の接続点72における電圧は、Ｖ55を低圧電源57の出力電
圧とすると、約Ｖ55・Ｒ68／（Ｒ67＋Ｒ68）まで上昇す
る。この電圧の急上昇は結合用コンデンサ73を介して第
４トランジスタ74のベースに印加さるが、ベースにはす
でに可変抵抗75を介して電圧が印加されておりバイアス
電圧がＶB74 ＝Ｖ55−ＶFDとなってすでに導通状態にあ
ったものである。このバイアス電圧に付加される正電圧
段差Ｖ72は第４トランジスタ74をターンオフさせ、その
ためそのコレクタ電圧はゼロに下がる。この結果、制御
MOSFET39 はターンオフする。
制御MOSFET39 がオフし、第６トランジスタ80がオンす
ると、逆バイアス電圧源40のコンデンサ42は、直列の抵
抗140 、44を介して、コンデンサ42に並列接続されてい
るツェナーダイオードのツェナー降伏電圧に達するまで
充電される。その後、始動電流がツェナーダイオード41
とスイッチングトランジスタ９のベース・エミッタ接合
を介して流れトランジスタ９がオンし、高圧電源電圧Ｖ
１がほとんどそのまま電力変圧器５の１次側巻線４側に
現われるようになる。それに応じて、対応した電圧Ｖ78
＝Ｖ１・N6／N4が電力変圧器の２次側巻線６の端子７、
８間に生じ、第１整流器ダイオード47をオンさせ、第１
フィルタ用コンデンサ46を振動的に充電する。その共振
周波数は２次側巻線６のリーケージインダクタンスと静
電容量Ｃ46によって決定される。コンデンサ46が始めに
完全に放電されていてリーケージインダクタンスが相対
的に小さいので、スイッチングトランジスタ９のコレク
タ電流は、コレクタの負荷が純粋に容量性であるかのよ
うに極めて急速に上昇する。この電流の急上昇が電流変
圧器２次側巻線16に送られて、同波形のベース駆動電流
が直列接続された測定用抵抗17、ダイオード31、電源40
を介して、接地およびスイッチングトランジスタのベー
ス・エミッタ接合へ流れ込む。測定用抵抗17の端子間電
圧降下は第５トランジスタ77をオンさせ、そのコレクタ
電流は結合用コンデンサ73によって転送され、抵抗67、
68の接続点における電圧Ｖ72を低下させる。この負への
電圧遷移によって、結合用コンデンサ73が可変抵抗75を
介して通常に放電してしまう前に、第４トランジスタ74
が十分にオンする。第４トランジスタ74がターンオンす
ると、そのコレクタにゲートが接続されている制御MOSF
ET39 がオンし、スイッチングトランジスタ９をターン
オフさせる。このスイッチングトランジスタ９がオフす
ると、コンデンサ10が電力変圧器５の１次側巻線４のイ
ンダクタンスとの共振によって高圧電源電圧Ｖ１の２倍
以下まで充電され、そのスイチングトランジスタ９のコ
レクタ電圧は上昇する。その結果電力変圧器の２次側巻
線６の端子間に誘起される電圧は、第２整流器ダイオー
ド48を介して第２コンデンサ49を充電し、第１コンデン
サ46を部分的に放電させる。最大値に達した後、コレク
タ電圧は振動を始める。始動用トランジスタ71が導通し
ている間は分圧比が変化するために、第２トランジスタ
66と第１トランジスタ９は、後者のコレクタ電圧が所定
の大きさの正のレベルまで低下した時に、ほとんど同時
に両者がオンし、ダイオード13の導通が避けられる。ス
イッチングトランジスタのコレクタ電流の急上昇と、電
流制限用回路77〜79によって起こるその遮断と、引続い
て生じるコレクタ電流の振動性変化とは、第１ダイオー
ド46を流れる振動性電流が電流制限用トランジスタ77を
オフにしておくのに十分なほど低下するまで周期的に繰
返されるのであるが、このことは、ピーク対ピーク整流
器45のコンデンサ46、49の両方が十分放電されること
と、微分回路73、75の時定数Ｒ75・Ｃ73がスイッチング
トランジスタ９のオン継続期間を決定する要因になるこ
とを意味している。そして、この時以後、コンバータの
通常の安定状態である周期的動作が確立されることにな
る。
第１図の回路の通常動作を、以下第２図を参照しながら
説明する。
第２図のＡはスイッチングトランジスタのコレクタ電圧
ｖC9(ｔ) の波形を、Ｂは PNP形スイッチングトランジ
スタ66のベース電圧ＶB66(ｔ) の波形を、Ｃは PNP形ト
ランジスタ66のコレクタ電圧ｖC66(ｔ) の波形を、Ｄは
PNP形トランジスタ74のベース電圧波形ｖB74(ｔ) の波
形を、Ｅは制御MOSFET39 のゲート電圧ｖG39(ｔ) でも
あるトランジスタ74のコレクタ電圧ｖC74(ｔ) の波形
を、Ｆは電力変圧器１次側巻線４を流れる電流ｉ4 (ｔ)
の波形を、Ｇはスイッチングトランジスタコレクタ電
流ｉC9(ｔ) の波形を、Ｈはスイッチングトランジスタ
ベース電圧ｖB9(ｔ) の波形を、Ｉは電流変圧器２次側
巻線16とその並列同調用コンデンサ18間の電圧ｖ16(ｔ)
の波形を、Ｊは電流変圧器２次側巻線電流ｉ16(ｔ)
の波形を、Ｋはダイオード13の電流ｉ13(ｔ) の波形
を、Ｌは第１整流器ダイオード47の電流ｉ47(ｔ) の波
形を、そしてＭは第２整流器ダイオード48の電流ｉ
48(ｔ) の波形をそれぞれ示している。
時間ｔ０において、波形Ａに示されたスイッチングトラ
ンジスタコレクタ電圧ｖC9が低圧電源57によって与えら
れる電圧Ｖ55より低下すると、クランピング用ダイオー
ド65はオフされ、波形Ｂに示されているように第２トラ
ンジスタをオンさせるに十分なほど第２トランジスタの
ベース電圧ｖB66 を抵抗69によって低下させる。こうし
て、波形Ｃに示されている第２トランジスタ(PNP)66 の
コレクタ電圧ｖC66 はほとんど低圧電源電圧Ｖ55まで急
上昇し、そのコレクタ回路の抵抗による電圧分割器67〜
68の接続点72における電圧ｖ72はＶ55・Ｒ68／（Ｒ67＋
Ｒ68）まで上昇することになる。このほとんど瞬時の電
圧上昇は結合用コンデンサ73を介して第４トランジスタ
74(PNP) のベースに転送され、その初期ベース電圧値で
あるＶB74 ＝Ｖ55−ＶFDに付加され、その結果時間ｔ０
におけるそのベース電圧は第４トランジスタ74(PNP) を
オフにするＶB74(t０)＝Ｖ55｛１＋Ｒ68／（Ｒ67＋
Ｒ68）｝−ＶFDに等しくなる。これによって波形Ｄに示
されたそのコレクタ電圧ｖC74はゼロに降下して制御MOS
FET39 もまたオフされる。同時に、後に説明するが、電
流変圧器２次側巻線16から直列に配されたダイオード3
1、抵抗43、そしてMOSFET39 を通って接地点に流れ込む
電流は、ツェナーダイオード41に並列なコンデンサ42と
第１トランジスタ９(NPN) のベース・エミッタ接合に並
列な抵抗44に流れ込む。コンデンサ42がダイオード41の
ツェナー降伏電圧（３ボルト）まで充電されると、後者
は、トランジスタ９をさせるためトランジスタ９のベー
スに流れ込む逆電流を導き始める。そのベース電圧ｖB9
は第２図のＨに、コレクタ電流ｉC9はＧに図示されてい
る。波形図ＡのスイッチングトランジスタコレクタｖC9
がゼロの値より下に落ちると、ダイオード13がオンさせ
られて、波形図Ｋに示されたその電流ｉ13はｔ０におい
て流れ始め、それによって、クランピングダイオードは
逆バイアスに維持され、第２図の波形図Ｂ、Ｃに示され
ているように、第２トランジスタのベースに順バイアス
が維持されて第２トランジスタ66の導通が維持される。
ダイオード13はｔ０以後その負のピーク値からゼロヘト
徐々に増加する電流を導通させ、時間ｔ１において中止
する。
ダイオード13がｔ０においてオンすると高圧電源電圧Ｖ
１がそのまま電力変圧器５の１次側巻線４に印加され、
その結果その２次側巻線６の端子７、８間に反対の極性
を持った電圧が現われる。時間ｔ０において、この２次
側電圧ｖ78は、高圧電源電圧Ｖ１と１次側に対する２次
側の巻数比Ｎ６／Ｎ４との積、つまりｖ78(ｔ０)＝−Ｖ
１・Ｎ６／Ｎ４に等しく、直列の第１整流器ダイオード
47と第１フィルタ用コンデンサ46間に現われる。この電
圧は、第１コンデンサ46がダイオード順電圧降下ＶFDよ
り小さいｖ78(ｔ０)まで充電されるまでｔ０以後第１ダ
イオード47を導通させておけるだけでの正確な極性を持
っている。この第１ダイオード47を通して流れる充電用
電流は実質的に正弦波形を持ち、それは第２図の波形図
Ｌに示されている。２次側電流のこの正弦波形は、リー
ケージインダクタンスに起因するのこぎり歯波に正弦波
を重ねた波形図Ｆの電流ｉ４を流す１次側巻線に、第１
ダイオードの導通期間電力変圧器５のコアを介して反射
する。ダイオード13とトランジスタ９とがオフの間導通
しているこのダイオード47は「順」ダイオードと呼ぶこ
とができる。
時間ｔ１にダイオード13が導通を中止してしまうと、電
流変圧器２次側巻線16から、直列に接続されたダイオー
ド31、抵抗44、17を介して流れる電流が、スイッチング
トランジスタ９に初期ベース電流を用意するのに十分な
ほど逆バイアス電圧源40のコンデンサ41を充電するの
で、そのためトランジスタ９はオンして、直列の電力変
圧器１次側巻線４と電流変圧器１次側巻線11とを介して
流れる電流を引継ぎ、トランジスタ９のベースを駆動す
るのに使用される波形図Ｊの電流ｉ16を後者の２次側巻
き線16に誘導する。
時間ｔ２に第１コンデンサ46がｖ78(ｔ０)−ＶFDまで充
電されると、ダイオード47は遮断され、１次側巻線４に
は容量性の負荷がなくなりほとんど純粋な誘導負荷とし
てふるまい始める。このようにして、それぞれ波形図
Ｆ、Ｇに示した電流ｉ４とスイッチングトランジスタコ
レクタ電流ｉＣは、ｔ２以後、オン期間中コアに蓄積さ
れたエネルギーがオフ期間中に整流器とフイルタ用コン
デンサ部を介して負荷に送られるフライバック型のスイ
ッチ方式電源におけるように、直線的に増加する電流に
なる。
第４トランジスタ74を時間ｔ０に遮断する結合用コンデ
ンサ73は、可変抵抗75とRC微分回路を形成して、実質的
にＲ75・Ｃ73に等しい時定数ＴＣで後者の抵抗75を通し
て指数的に放電する。抵抗75がトランジスタ74のベース
と接地間に接続されているので、時間ｔ３においてトラ
ンジスタのベース電圧Ｖ74がそのターンオン電圧Ｖ55−
ＶFDに達するまで、そのベース電圧は実質的に直線的に
減少する。これは第２図の波形Ｄに示されている。この
減少の傾斜は抵抗75の値を変えることで調整可能であ
り、したがってこれによってスイッチングトランジスタ
９のターンオン時を調整し、負荷に印加される電力を調
整することができる。
トランジスタ74がｔ３にターンオンすると、波形Ｅに示
したそのコレクタ電圧ＶC74 は再び高になって制御MOSF
ET39 をターンオンさせる。このMOSFET39 がバイアス電
圧源40の正端子を実質的接地点に接続させると、波形Ｈ
に示したスイッチングトランジスタベース電圧ｖB9は、
負になって、少数チャージキャリヤーをベースから除去
する時間である蓄積時間を短くする。時間ｔ４において
この蓄積時間が経過すると、電力変圧器５と電流変圧器
12のそれぞれの１次側巻線４、11と、トランジスタ９の
コレクタ・エミッタ回路とを通じて流れる電流は急に遮
断される。
時間ｔ３からｔ４までの期間、すなわち蓄積時間ＴＳの
期間電流変圧器２次側巻線16に誘起される電流は、この
ときの巻線16に負荷されている直列のダイオード31、抵
抗43、MSFET39 、抵抗17に流れる。この電流ｉ16(ｔ)は
第２図の波形Ｊに示されており、ｔ３〜ｔ４の期間直線
的上昇を続け時間ｔ４においてピーク値に達している。
その時電流ｉ16(t４)はＩ16MAXである。時間ｔ４におい
て、波形Ｇのコレクタ電流ＩC9と１次側電流ｉ４は同時
に中断し、電力変圧器５と電流電圧器12の各１次巻線
４、11と各２次巻線６、16の端子間の諸電圧は、それら
の極性が瞬時に反転させられる。この電流変圧器12の２
次側巻線16の電圧反転は、ダイオード31に逆バイアスを
印加して、協働して並列共振あるいは振動回路を形成し
ている並列同調コンデンサ18とのみ接続するようにす
る。
スイッチングトランジスタ９がターンオフになった時間
ｔ４において電流変圧器２次側巻線16を流れる電流ｉ16
の値を求めるには、１次側巻線11のリーケージインダク
タンスの２次側に転換された磁化インダクタンスとをも
つ理想変圧器を含む電流変圧器12の等価回路を考えるの
が最も簡単な方法である。この理想変圧器の２次側巻線
端子間に１次側巻線11のリーケージインダクタンスに直
列に接続されている磁化インダクタンスが、緩慢に直線
的に減少する誘導性の電流を引出すのであるが、この電
流は、理想変圧器の１次側巻線を流れるスイッチングト
ランジスタコレクタ電流ｉC9によってその２次側巻線に
誘起される電流に対して、反対方向に流れる。この磁化
あるいは誘導性電流は、磁化インダクタンスが大きいの
で、緩慢に、すなわちおだやかな傾斜で変化し、しかも
それは平均値すなわち直流電流成分を持っていない。こ
うして、時間ｔ４においてスイッチングトランジスタが
遮断された時、第２図の波形図Ｊに示された負の磁化電
流−Ｉmag は、２次側巻線のインダクタンスＬ16に蓄え
られたエネルギに一致し、それに並列接続されているコ
ンデンサ18へと共振電流として流れ始める。振動回路16
〜18のこの共振は、波形図Ｉの電圧ｖ16の負へ遷移する
正弦波半波をｔ４で開始させ、ｔ６で数十ボルトの負の
ピーク値に到達させ、そしてｔ７でわずかに正のレベル
まで復帰させる。同時に、２次側巻線16を流れる電流ｉ
16は、−Ｉmag からゼロへと増加し、ｔ６でゼロに達
し、それ以後時間ｔ７において約＋Ｉmag の正の値をと
るまで増加する。この共振周期の半分の時間中の電流波
形は余弦波形をしている。波形Ｊに示してるように、時
間ｔ６における磁化電流の共振反転は、並列コンデンサ
18の存在に起因しており、電流変圧器12に蓄えられたエ
ネルギを、始動用抵抗140 を正の電源端子１、55のうち
の１つに固定接続することなしに、MOSFT39がターンオ
フになった後スイッチングトラジスタ９のベースに順バ
イアスを印加するために使用できるようにしている。振
動回路16〜18間の電圧がｔ７で正になった時、ダイオー
ド31が再び順バイアスになって、２次側巻線16からの磁
化電流は、MSFETT39 がｔ９でターンオフにされるまで
直線的に減少しながら、２次側巻線と、制御MOSFET39
と直列測定用抵抗17とに流れる。
波形図Ｉに示された、２次側巻線１６の端子間負ピーク
電圧、−Ｖ16MAXは、振動回路１６〜１８の並列共振周
波数によって定まる。この共振周波数が高ければ高いほ
ど、つまり周期が短ければ短いほど、ピーク電圧は高く
なる。本発明の分利トランジスタ３１を用いることによ
って、このピーク電圧を、スイッチングトランジスタ９
のベース−エミッタ接合のなだれ降伏逆電圧（この降伏
逆電圧は電源４０から給電される逆バイアス電圧−Ｖ
241により低減される）を越えないように制限すること
を考慮しなくてもよくなり、従って、ピーク電圧の振幅
が制限されない。第１図に示された本発明の回路は、後
で説明するマグネトロンの非線形性に起因してスイッチ
ングトランジスタ９のオフ時間に顕著な変動が生じて
も、これを許容する。負のピーク電圧、−Ｖ16Maxを分
離ダイオード３１の降伏逆電圧を上回るようにするのが
有利であるが、しかしこれは、約２００Ｖの定格ピーク
逆電圧（ＶＲＭ）を有するスイッチングダイオード（例
えばＢＡＸ１７型）を使用することができるので、現実
的な制約ではない。
後述するように、スイチングトランジスタ９のターンオ
フ時間が最も短いのは、整流器組立体45の出力が電流を
出さない時、すなわち、負荷が印加されていない時であ
る。このターンオフ時間は、コンデンサ10と電力変圧器
１次側巻線４のインダクタンスＬ４との共振によって決
まる。このことによって、電流変圧器２次側巻線のイン
ダクタンスＬ16とその並列静電容量Ｃ18から成る振動回
路の共振周波数を選択する上で、あまり制限を与えない
ですむ。
スイッチングトランジスタターンオフ中のコレクタ電圧
ｖC9の波形は、負荷の特性に依存する。第１図のスイッ
チモード電源の負荷としての持続波マグネトロンの動作
を以下第３図を参照しながら説明する。
第３図は、持続波マグネトロンの実行特性、すなわち、
電力出力の変化（曲線Ｐ０）と、アノード・カソード間
電圧（曲線ＶAK）と、ＶＳを電源電圧、ＩＳを電源から
出される電流とすると電力入力がＰ０＝ＶＳ・ＩＳの関
数であるような装置の効率（曲線Ｅ）とを図示してい
る。曲線ＶAKは実践で、曲線Ｐ０は長点破線で、曲線Ｅ
は短点破線で示されている。
アノード・カソード間電圧ＶAKは、入力電力Ｐ１が約50
〜70ワットに達するまで急傾斜に沿って実質的に直線的
に上昇するが、その時まで効率Ｅと出力電力Ｐ０はとも
にゼロである。これは、供給された全電力が未だマグネ
トロンのアノード電流を発生しておろず、マグネトロン
は遮断されたままであって、全入力電力Ｐ１は電源自身
で消費されていることを意味する。ＶAK電圧曲線は、お
よそＰ１＝Ｐ０＝60ワットでＶAK＝４kVの時に曲がり始
め、それ以降は、増加するＰ１に対してあまり変化しな
い。この電圧の時、電場がそれと通常の（直交の）方向
にある磁場より優勢になって、アノード電流がマグネト
ロンに流れ始める。効率Ｅは急上昇して、入力電力Ｐ１
＝20 Ｗでアノード・コソード間電圧ＶAKが約４．５kV
の時に70％に達する。出力電力Ｐ０は、効率が70％のピ
ークに値付近でわずかに上下する時、Ｐ１＝０．２kW以
上の入力電力入力Ｐ１に対しては実質的に比例して増加
する。
これらの曲線から、電圧調整器としてのダイオードの電
圧に類似して、始動後のマグネトロンは実質的に一定の
電圧を維持しつつ、マイクロ波電圧出力を増加するため
にDC電力入力の増加とともにアノード電流を増加させる
ということにすぐに気付くはずである。こうしてコンバ
ータの負荷回路中のマグネトロンの動作は、電圧調整器
としての、ダイオード（ツェナーあるいはアバランシュ
ダイオード）の動作に似ている。
第２図に戻って、波形図Ａからは、ｔ４でコレクタ電流
ｉC9（波形Ｇ）と電力変圧器１次側巻線ｉ４（波形Ｆ）
が中断した時、電力変圧器５の両巻線間の電圧が反転さ
れ、スイッチングトランジスタコレクタ電圧ｖC9が並列
コンデンサ10の静電容量と電力変圧器５の１次側巻線４
のインダクタンスとによって決まる傾斜で実質的に直線
的に上昇し始める、ということがわかるはずである。こ
の直線的上昇は、コレクタ電圧が時間ｔ５にマグネトロ
ン動作電圧ＶAKO に近似的に対応する値ＶPPに達するま
で続く。すなわち、ｖC9(t４)＝ＶPP＝ＶAKO ・Ｎ４／
Ｎ６（但しＮ４は１次側巻数、Ｎ６は２次側巻線）であ
る。
時間ｔ４からｔ５までの期間にコレクタ電圧ｖC9が電源
電圧Ｖ１を越えると、波形Ｍに示すように第２整流器ダ
イオード49は、導通し始め、第２フィルタ用コンデンサ
40を２次側巻線６の端子７、８間の電圧波形のおよそピ
ーク対ピーク値に対応する電圧まで、つまりマグネトロ
ンの電圧調整効果により制限されている約ＶPP・Ｎ６／
Ｎ４まで充電する。マグネトロン動作電圧ＶAKO が時間
ｔ５に達成されると、見かけの負似インピーダンスは減
少する。ダイオード48が導く電流は時間ｔ８まで減少し
（波形Ｍ）、コレクタ電流ｖc9（波形Ａ）の平均値は時
間ｔ５からｔ８までだいたい一定である。ダイオード電
流ｉ48がｔ８に中断すると、コレクタ電圧ｖC9は、（−
ＶFDに等しい）わずかに負の値に達するまで共振的降下
（ｆres ＝1/2 Ｌ４・Ｃ10）を始めて、時間ｔ９にダイ
オード13をターンオンさせる。波形Ｋに示したこの並列
ダイオード電流ｉ13は、時間ｔ９に負のピーク値を持ち
漸増してｔ10でゼロに達し、その後は、スイッチングト
ランジスタ９が（波形Ａの）コレクタ電圧ｖC9なしにタ
ーンオンできるようになる。こうしてダイオード13は、
高コレクタ・エミッタ間電圧でコンバータが正常に周期
的に動作している間、トランジスタ９をターンオンさせ
ないようにしている。現実には、（波形Ａの）コレクタ
電圧ｖC9の最終パルスに付加されている点線で示されて
いるように、コンデンサ10に対する１次側巻線リーケー
ジインダクタンスの振動に起因する減衰振動がｔ14から
ｔ17までの期間その最終パルスに重畳されている。
スイッチングトランジスタコレクタ電圧ｖC9が低圧電源
57によって供給される電圧Ｖ55に達する前に、クランピ
ングダイオード65が遮断されて、波形図Ｂ、Ｃに示すよ
うに、第２トランジスタ66(PNP) のベース電圧ＶB66 は
コレクタ電圧ｖC9とともに低下され、その結果時間ｔ９
にこのトランジスタ66が再びターンオンし、そのコレク
タ電圧ｖC9がおよそＶ55まで上昇する。このことによっ
て、前述したのであるが、第４トランジスタ74(PNP) の
ベースｖB74 とコレクタｖC74の各電圧波形を示す図
Ｄ、Ｅにあるように、第４トランジスタ74のターンオフ
が制御されている。こうして制御MOSFET39 は時間ｔ９
にターンオフされ、スイッチングトランジスタベース電
圧ｖB9（波形Ｈ）を−ＶZ41 から＋ＶFD（約０．７ボル
ト）まで上昇させる。
時間ｔ９からｔ10までの期間スイッチングトランジスタ
コレクタ電流ｉC9が流れないので、電流変圧器の２次側
巻線16は、変圧器12に蓄えられた磁性エネルギに起因す
る誘起電流のみを供給している。時間ｔ10にダイオード
電流ｉ13（波形Ｋ）が中断すると、初期コレクタ電流ｉ
C9が電流変圧器12の１次側巻線11からコレクタに、そし
て２次側巻線16からダイオード31に流れる。しかし、こ
の２次巻線16に並列接続されているコンデンサ18は、ベ
ース駆動電流が供給されないうちに、少なくともダイオ
ード31の順電圧降下ＶFD31とツェナーダイオード41の逆
降伏電圧ＶZ41 とスイッチングトランジスタ９のベース
・エミッタ接合の順電圧降下ＶFDとの総計に等しい電圧
になるまで充電されなければならない。もし容量Ｃ18が
大きいならば、それを充電するための時間が、ダイオー
ド電流ｉ18（波形Ｋ）を無効にしてスイッチングトラン
ジスタ９を飽和させるのを遅延させてしまうことにな
る。この遅延が、スイッチングトランジスタが飽和する
前にスイッチングトランジスタコレクタ電圧波形ｖC9に
短いパルスあるいは「ブリップ」を出現させるかも知れ
ず、スイッチ損失を不必要に増加させることになる。容
量Ｃ18をうまく選択すれば、このブリップは除去するこ
とができる。第３図のベース駆動回路にはダイオード31
があるために、２次側巻線インダクタンスＬ16とその並
列容量Ｃ18の選択は大きい自由度を有し、それら両者の
値は、ダイオード13のターンオンフとスイッチングトラ
ンジスタ９のターンオンとの間の遅延をなくすために、
ダイオード電流ｉ13（波形Ｋ）が中断する前に並列コン
デンサ18と逆バイアス電圧源40の並列コンデンサ42の両
者を再充電するのに十分のピーク振幅を持った磁化電流
を用意できるだけの小さいものに選択することができ
る。
ここで注意すべきことは、時間ｔ９において、ダイオー
ド13が導通し始めると、高圧電源電圧Ｖ１が電力変圧器
１次側巻線の端子間に印加され、その時その２次側巻線
の端子７、８間には、第１整流器ダイオード47をターン
オンさせる、−Ｖ１・Ｎ６／Ｎ４にほぼ等しい電圧Ｖ78
が誘起される、ということである。時間ｔ９からｔ11ま
での期間のダイオード電流ｉ47の正弦波形が第２図のＬ
に示されている。
第１図の回路は、このように、スイッチングトランジス
タ９のオン期間中は第１整流器ダイオード47が導通し、
オフ期間中は第２ダイオード48が導通するので、組合せ
順方向フライバック切換えモード電源である。第１整流
器ダイオード47のターンオフ後（時間ｔ２、ｔ11におい
て）、電力変圧器１次側巻線４がこの時ほとんど純粋な
誘導性負荷となっているので、コレクタ電流は直線的に
増大しながら流れ続ける。可変抵抗75の抵抗Ｒ75を増加
させると、スイッチングトランジスタ９のターンオン時
間も増加して、そのコレクタ電流ＩC9MAX と蓄積エネル
ギＬＩC9MAX／２の各ピーク値を持つ。この蓄積エネル
ギはターンオフ期間中に、電力変圧器２次側巻線６、第
１コンデンサ46、および第２整流器ダイオード48を介し
て、第２フィルタ用コンデンサ49と（図示していない）
マグネトロンに転送される。なお、このマゲネトロン
は、アノードが正の出力端子50に、カソードが負の出力
端子51に接続されている。（波形Ｍの）電流Ｉ48は、第
２コンデンサ49とそれに並列に接続された端子50、51間
の負荷とに同時に流れる。
RC微分回路の抵抗Ｒ75を増加させて（時間ｔ１からｔ４
までの）ターンオン期間を長くすると、電力変圧器１次
側巻線ｉ４（第２図の波形Ｆ）とスイッチングトランジ
スタコレクタ電流ｉC9（図Ｇ）と電流変圧器２次側電流
ｉ16（図Ｊ）との直線的上昇部分、すなわちｔ２からｔ
４までの時間間隔の期間もまた長くなって、コレクタと
ベースへの各ピーク電流が増加する。ｔ１からｔ３にお
いて、電流変圧器２次側電流ｉ16がダイオードを介して
スイッチングトランジスタ９のベースに、あるいは制御
MOSFET39 のチャネルに流れ込んでいる時、その電流ｉ
16はまた、この巻線16と並列の測定用抵抗17へも流れ、
そこでスイッチングトランジスタ９のベース駆動電流に
比例し、それゆえそのコレクタ電流に比例した電圧降下
を生じる。この電圧降下Ｒ17・Ｉ16は、時間ｔ２からｔ
４までの期間、接地に対して負方向に増加する。この電
圧の所定の一部分が、直列接続の第11抵抗78と第12抵抗
79からなる分圧器に印加されて、ベースが接地されてい
る第５トランジスタ77(PNP) のエミッタ順バイアスを印
加する。このNPNトランジスタ77の増加する負のエミッ
タ・ベース間バイアスが、第２トランジスタ66(PNP)
の直列接続コレクタ負荷抵抗67、68間の接続点から出る
トランジスタ77のコレクタ電流の増加を引起こす。
第６抵抗68に並列接続されている第５トランジスタ77を
流れるコレクタ電流によって、第２トランジスタ68のコ
レクタ電流が増加し、その結果第５抵抗67の電圧降下が
増大する。これによって接点72の電圧が減少するのであ
るが、この電圧は、結合用コンデンサ73を介して第４ト
ランジスタ74のベースに印加され、時定数ＴＣ−Ｒ75・
Ｃ73によってのみ決まる時間ｔ３以前に導通に復帰させ
る。こうして、抵抗17、79、78、67、68とトランジスタ
77からなる回路はスイッチングトランジスタ９のピーク
コレクタ電流を制限している。トランジスタ77のエミッ
タにバイアスを印加する分圧器の抵抗78、79の値を適当
に選べば、採用するスイッチングトランジスタ９の定格
に許容ピークコレクタ電流ＩC9MAX を合わせることがで
きる。
以前に述べたように、コンバータの初期始動期間中、ス
イッチングトランジスタコレクタ電流ｉC9が順方向ダイ
オード47の導通時中に定格ピーク値を越えて上昇するの
で、第１コンデンサ46が所望電圧に達する前にそのダイ
オードの反復導通期間が数回必要になる。電流制限装置
17、77〜79は、コンデンサ46を充電する電流が通常動作
中にこのような上昇を起こす時にも動作可能となって、
スイッチングトランジスタ９をターンオフする。この始
動期間中、電流電圧器12に蓄えられたエネルギがスイッ
チングトランジスタ９に順バイアスをかけるのに不十分
であることもあるかもしれないが、例えば、負の電流パ
ルスｉ13（波形Ｋ）が現れた時に、あるいは２次側巻線
電圧パルスｉ16や電圧パルスｖ16（それぞれ波形Ｉおよ
びＪ）の出現が所定の負の初期値より下がった時に、あ
るいはコンデンサ46が充電されている間過度的にスイッ
チングトランジスタのコレクタとベースの駆動電流が消
滅した時に、（これらは抵抗17で測定されているもので
あるが、）入力61に印加される始動パルスは尻尾をつけ
られて長くされ、ターンオンしているトランジスタ80に
バイアスを印加し続けやすいようになっている。
トランジスタ９のオン時間（ｔ０からｔ３まで）を可変
抵抗75の抵抗Ｒ75を減ずることで減少させると、マグネ
トロンの入力電力Ｐ１とその出力電力Ｐ０はともに減少
する。このターンオン期間をそろに減少させると、スイ
ッチングトランジスタのオフ期間はもちろんピーク対ピ
ーク整流器45の出力電流も減少する。ピース対ピーク底
流器の出力電圧がマグネトロンの始動電圧ＶAKSより下
がると、マグネトロンは電流を出すのを止めて動作を中
止し、整流器は無負荷状態になる。ピーク対ピーク整流
器45の出力端子50、51間に負荷がなくなると、スイッチ
ングトランジスタ９のオフ期間（ｔ４からｔ９）は、高
圧電源３の端子１、２間に直列接続されている電力変圧
器１次側巻線４のインダクタンスＬ４と並列コンデンサ
10の容量Ｃ10との間の共振によって主として決まる時間
間隔まで減少させられる。第１図のコンバータの待機動
作中の最小オフ期間は、約２（ｔ９−ｔ８）である。電
流変圧器２次側インダケタンスＬ16とそれに並列の同調
用コンデンサ18の各最高値は、スイッチングトランジス
タ９のこの最小ターンオフ時間の後ターンオンを反復で
きるように選択せねばならない。このことによって、コ
ンバータを完全にターンオフしてしまうことなく、動作
周期を変えることによって、オーブンに供給されるマグ
ネトロンの電力出力を制御することができるようにな
る。このような動作周期調整を得る一つの方法は、手動
調整による可変抵抗75を、電圧制御による抵抗(BJ7やFE
T)に代えることによって単安定マルチバイブレータ66〜
69、73〜76の高レベル出力状態を断続的に変化させる方
法であり、その電圧制御による抵抗は、制御入力として
動作周期を可変する方形電圧波形を別の単安定マルチバ
イブレータから受けとるものである。
ここ注意すべきことは、第１図のベース駆動回路は、フ
ライバック型コンバータや、（たとえば米国電子工学設
計雑誌、1974年９月13日発行、第19号、158 〜163 ペー
ジ、及び、同、1978年３月29日発行、第７号、72〜74ペ
ージの論文に説明されているような）複数個の直列ピー
ク対ピーク整流器からなる電圧倍増器を副次的回路とし
てもつコンバータにも使用可能である。
本発明のDC−DCコンバータあるいはスイッチモード電源
では次のことがらが許容される。
(ａ)スイッチングトランジスタ９の導通時間を調整する
ことでその動作の反復周期と出力電力を制御すること、 (ｂ)抵抗17とトランジスタ77によってスイッチングトラ
ンジスタ９のピークコレクタ電流を制限すること、そし
て (ｃ)スイッチングトランジスタ９のコレクタと（第１図
の62の）制御回路再トリガ入力との間に接続された並列
ダイオード13と再トリガ用抵抗64とによって、トランジ
スタ９のコレクタ・エミッタ間電圧が低電圧源５７から
供給される電圧Ｖ55に低下した後にトランジスタ９をタ
ーンオンさせること。
さらに言えば、第２図の波形図Ａ、Ｍからわかるのであ
るが、スイッチングトランジスタピークコレクタ電圧Ｖ
PPとスイッチングトランジスタ９の持続期間（ｔ５から
ｔ８まで、あるいはｔ14からｔ17まで）は、ピーク対ピ
ーク整流器45の出力電圧がマグネトロンのアノード・カ
ソード間電圧の始動あるいは動作しきい値を越えた時に
は、トランジスタ９のターンオン時間の関数として変化
する。このしきい値を下まわっている時は、トランジス
タ９のターンオン時間の変化が、主としてそのピークコ
レクタ電圧の変化とそしてその結果としての整流器45の
出力電圧の変化とを引起こす。これは、たとえば陰極線
管のような抵抗特性をもつ負荷がマグネトロンの代わり
に使われた場合も同じであるが、その場合には、自動デ
ューティ・サイクル変化によるフィードバック電圧調整
が必要である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による高電圧DC-DC コンバータとその制
御回路の好適な実施例の概略構成図、第２図は第１図に
示した回路の種々異なる点における電圧と電流を示すタ
イムチャート、第３図は持続波マグネトロンの性能特性
図である。 （符号の説明） ３……第１DC電源、 ５……電力変圧器、 ９……スイッチングトランジスタ、 10……転流用コンデンサ、 12……電流変圧器、 17……測定用抵抗、 18……同調コンデンサ、 31……ダイオード、 39……単１方向導通電子制御スイッチ、 57……第２DC電源、 60……制御回路、 80……電子スイッチ。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】そのコレクタ−エミッタ区間が電流変圧器
    （１２）および電力変圧器（５）のそれぞれの１次巻線
    （１１、４）と直列に接続され、かつ第１のＤＣ電源
    （３）の端子（１、２）に接続されているスイッチング
    トランジスタ（９）と、 前記スイッチングトランジスタ（９）のエミッタと、前
    記１次巻線（４、１１）の接続点との間に接続されてい
    る転流コンデンサ（１０）と、 前記電流変圧器（１２）の２次巻線（１６）を含み、か
    つ前記スイッチングトランジスタ（９）のベースに接続
    されているベース駆動回路と、 前記電流変圧器（１２）の２次巻線（１６）に並列に接
    続され、かつ２次巻線（１６）のインダクタンスと共に
    並列共振回路または発振回路（１６，１８）を形成する
    ものである同調コンデンサ（１８）と、 を有するスイッチングモード電源を備えたＤＣ−ＤＣコ
    ンバータであって、 前記並列共振回路または発振回路（１６、１８）の共振
    周期の半周期時間は、電力変圧器（５）の１次巻線
    （４）のインダクタンスと転流コンデンサ（１０）のキ
    ャパシタンスとによる共振周期の半周期時間よりも短く
    なるように構成されたＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、 前記電流変圧器（１２）の２次巻線（１６）の第１端子
    と前記スイッチングトランジスタ（９）のベースとの間
    にダイオード（３１）が挿入接続されており、該ダイオ
    ード（３１）の導通方向は前記スイッチングトランジス
    タ（９）のベース−エミッタ区間の導通方向と同じであ
    ることを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
  2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載のＤＣ−ＤＣコ
    ンバータにおいて、第１のトランジスタ（３９）が設け
    られており、該第１のトランジスタ（３９）は前記スイ
    ッチングトランジスタ（９）のベースに接続された１つ
    の制御入力電極、および該スイッチングトランジスタ
    （９）のエミッタに接続された２つの出力電極を有する
    ことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
  3. 【請求項３】特許請求の範囲第２項記載のＤＣ−ＤＣコ
    ンバータにおいて、前記スイッチングトランジスタ
    （９）を遮断するよう逆バイアスする電圧をベースに印
    加するための電圧源（４０）が、該ベースと、前記ダイ
    オード（３２）および前記第１のトランジスタ（３９）
    の接続点との間に設けられており、さらに当該ＤＣ−Ｄ
    Ｃコンバータの始動時に、前記スイッチングトランジス
    タ（９）を導通するよう前記ベースに順バイアスをかけ
    るための手段が設けられていることを特徴とするＤＣ−
    ＤＣコンバータ。
  4. 【請求項４】特許請求の範囲第１項から第３項までのい
    ずれか１項記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記
    電流変圧器の２次巻線（１６）の第２端子と前記スイッ
    チングトランジスタ（９）のエミッタとの間に測定抵抗
    （１７）が設けられており、該測定抵抗（１７）によ
    り、前記スイッチングトランジスタの導通期間中、その
    コレクタ電流にほぼ比例する電圧降下が生ずることを特
    徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
  5. 【請求項５】特許請求の範囲第２項から第４項までのい
    ずれか１項記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記
    第１のトランジスタ（３９）は、常時オフ形、Ｎチャネ
    ルエンハンスメントモード形の金属酸化物半導体電界効
    果スイッチングトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であり、
    該第１のトランジスタ（３９）は矩形ゲート電圧により
    制御され、それにより前記スイッチングトランジスタ
    （９）の遮断時に導通されることを特徴とするＤＣ−Ｄ
    Ｃコンバータ。
  6. 【請求項６】特許請求の範囲第５項記載のＤＣ−ＤＣコ
    ンバータにおいて、単安定マルチバイブレータ（６６〜
    ６９、７３〜７６）を含む制御回路（６０）が設けられ
    ており、 該単安定マルチバイプレータ（６６〜６９、７３〜７
    ６）はトリガ入力側（６２）と、該単安定マルチバイブ
    レータの高レベル出力状態の期間を定める可変時定数結
    合回路（７３、７５）と、出力側（５２）とを有し、 該出力側（５２）は前記第１のトランジスタ（３９）の
    ゲートに接続されており、当該第１のトランジスタ（３
    ９）を前記単安定マルチバイブレータの高レベル出力状
    態の間、導通状態に維持することを特徴とするＤＣ−Ｄ
    Ｃコンバータ。
  7. 【請求項７】特許請求の範囲第６項記載のＤＣ−ＤＣコ
    ンバータにおいて、前記制御回路（６０）はさらに抵抗
    （７０）および第２のトランジスタ（７１）を有してお
    り、該抵抗および第２のトランジスタは前記単安定マル
    チバイブレータ（６６〜６９、７３〜７６）のトリガ入
    力側（６２）と接続されており、 当該ＤＣ−ＤＣコンバータと制御回路（６０）の両方に
    電圧が印加されているが、それらが動作状態にないと
    き、前記単安定マルチバイブレータ（６６〜６９、７３
    〜７６）はその高レベル出力状態へ外部で形成された始
    動パルスに応答して制御され、該始動パルスは前記単安
    定マルチバイブレータの入力側（６０）に供給されるこ
    とを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
  8. 【請求項８】特許請求の範囲第６項または第７項記載の
    ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記単安定マルイバイ
    ブレータ（６６〜６９、７３〜７６）のトリガ入力側
    （６２）はさらに、前記スイッチングトランジスタ
    （９）のコレクタに接続されており、 該コレクタの電圧が高い正電圧にあるとき、前記単安定
    マルチバイブレータ（６６〜６９、７３〜７６）は高レ
    ベル出力状態に保持され、 該コレクタの電圧が所定の正の閾値電圧を下回るとき、
    前記単安定マルチバイブレータ（６６〜６９、７３〜７
    ６）は高レベル出力状態にトリガされることを特徴とす
    るＤＣ−ＤＣコンバータ。
  9. 【請求項９】特許請求の範囲第６項から第８項までのい
    ずれか１項記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前記
    制御回路（６０）はさらに電流制限段（７７〜７９）を
    有しており、 該電流制限段は、前記測定抵抗（１７）と前記電流変圧
    器２次巻線（１６）の第２端子との接続点に接続された
    入力側（６３）と、前記可変時定数結合回路（７３、７
    ５）の入力側と接続された出力側とを有し、 ベース駆動電流、すなわちスイッチングトランジスタ
    （９）のコレクタ電流が所定の閾値を上回るとき負に変
    化する電圧が前記結合回路（７３、７５）に印加され、
    それにより前記単安定マルチバイブレータ（６６〜６
    ９、７３〜７６）は高レベル出力状態に復帰制御される
    ことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
  10. 【請求項１０】特許請求の範囲第７項から第９項までの
    いずれか１項記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、前
    記制御回路（６０）は第２ＤＣ電源（５７）から給電さ
    れており、さらに該制御回路（６０）には別の電子スイ
    ッチ（８０）が設けられており、該別の電子スイッチ
    （８０）は前記抵抗（７０）および第２のトランジスタ
    （７１）により制御され、前記スイッチングトランジス
    タ（９）のベースにはバイアス抵抗（１４０）を介して
    始動パルスが出力されている間、順方向バイアスが印加
    されることを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
  11. 【請求項１１】特許請求の範囲第６項から第１０項まで
    のいずれか１項記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、
    前記電力変圧器（５）の２次巻線（６）は、その端子
    （７、８）に接続された清流器組立体を有することを特
    徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
  12. 【請求項１２】特許請求の範囲第１１項記載のＤＣ−Ｄ
    Ｃコンバータにおいて、前記整流器組立体は１つのダイ
    オードと１つのコンデンサを有する直列回路であり、該
    ダイオードは前記スイッチングトランジスタの遮断時間
    の間、導通することを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバー
    タ。
  13. 【請求項１３】特許請求の範囲第１２項記載のＤＣ−Ｄ
    Ｃコンバータにおいて、前記整流器組立体は２つのダイ
    オード（４７、４８）と２つのコンデンサ（４６、４
    ９）を有するピーク対ピーク整流器（４５）であり、前
    記２つのダイオードのうちの一方のダイオード（４７）
    は、スイッチングトランジスタ（９）が導通状態にある
    とき導通し、他方のダイオード（４８）はスイッチング
    トランジスタ（９）が遮断状態にあるとき導通すること
    を特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
  14. 【請求項１４】特許請求の範囲第１１項から１３項まで
    のいずれか１項記載のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、
    前記整流器組立体の出力端子間に接続される負荷が持続
    波マグネトロンであることを特許とするＤＣ−ＤＣコン
    バータ。
  15. 【請求項１５】特許請求の範囲第１４項記載のＤＣ−Ｄ
    Ｃコンバータにおいて、前記単安定マルチバイブレータ
    （６６〜６９、７３〜７６）の高レベル出力状態の期間
    によって制御される前記整流器組立体の出力電圧が前記
    マグネトロンの始動閾値電圧よりも高くなったとき、当
    該高レベル出力状態の期間を延長することにより、前記
    整流器組立体の出力電力と、前記スイッチングトランジ
    スタ（９）の遮断時間とが増大され、その際整流器組立
    体の出力電圧は実質的に変化しないことを特徴とするＤ
    Ｃ−ＤＣコンバータ。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900008542B1 (ko) * 1986-10-13 1990-11-24 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 마이크로파 가열장치의 전원
US4812960A (en) * 1986-12-15 1989-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power feeding apparatus
GB2199998A (en) * 1986-12-30 1988-07-20 Christopher James Wheeler Drive circuitry for a microwave source of a microwave oven
US4866589A (en) * 1987-04-08 1989-09-12 Hitachi, Ltd. Voltage resonance type switching power source apparatus
US4987525A (en) * 1987-09-30 1991-01-22 Electronic-Werke Deutschland Gmbh Switching power supply
US4890210A (en) * 1988-11-15 1989-12-26 Gilbarco, Inc. Power supply having combined forward converter and flyback action for high efficiency conversion from low to high voltage
US4931920A (en) * 1989-06-16 1990-06-05 Ncr Corporation Circuit and method for regulating output voltage of a switch mode power supply having a current mode magnetic amplifier
US5068776A (en) * 1990-11-29 1991-11-26 International Business Machines Corporation Switched-mode DC-DC power converter for reducing effects of magnetization current
US6518733B1 (en) * 2001-08-03 2003-02-11 Linear Technology Corporation Circuits and techniques for capacitor charging circuits
US20040130299A1 (en) * 2001-08-03 2004-07-08 Linear Technology Corporation Circuits and techniques for capacitor charging circuits
US7342365B2 (en) * 2006-02-09 2008-03-11 Linear Technology Corp. Systems and methods for reducing input current in photoflash chargers
GB2480822B (en) * 2010-06-01 2017-05-17 Global Inkjet Systems Ltd Driver circuit
JP2012105460A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Japan Radio Co Ltd 変圧回路、及び変圧装置
CN103902001A (zh) * 2012-12-29 2014-07-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电源电路
US11736103B2 (en) * 2021-06-16 2023-08-22 Appleton Grp Llc Voltage source kickstart circuit for powering integrated circuits
CN115102396B (zh) * 2022-08-24 2022-11-25 南京信息工程大学 一种含恒功率负载升压变换器的无电流传感控制方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3019906C2 (de) * 1980-05-23 1982-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur Begrenzung und Regelung des Kollektorstromes des Stellgliedtransistors eines Schaltnetzteiles
FR2486326A1 (fr) * 1980-07-04 1982-01-08 Thomson Brandt Circuit de commande d'un transistor de commutation dans un convertisseur statique et convertisseur le comportant
DE3110934C2 (de) * 1981-03-20 1985-09-05 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh, 7730 Villingen-Schwenningen Schaltnetzteil für elektronische Geräte
FR2519485A1 (fr) * 1981-12-31 1983-07-08 Thomson Brandt Dispositif d'alimentation regulee a decoupage notamment pour appareil de visualisation et appareil le comportant
NL8301263A (nl) * 1983-04-11 1984-11-01 Philips Nv Voedingsspanningsschakeling.

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6258877A (ja) 1987-03-14
US4710859A (en) 1987-12-01
EP0205642B1 (en) 1990-02-07
DE3576021D1 (de) 1990-03-15
EP0205642A1 (en) 1986-12-30
ATE50384T1 (de) 1990-02-15

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