JPH06280057A - 基板の低温処理装置 - Google Patents
基板の低温処理装置Info
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- JPH06280057A JPH06280057A JP5306547A JP30654793A JPH06280057A JP H06280057 A JPH06280057 A JP H06280057A JP 5306547 A JP5306547 A JP 5306547A JP 30654793 A JP30654793 A JP 30654793A JP H06280057 A JPH06280057 A JP H06280057A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体スライスのような基板を冷却液によっ
て冷却する基板の低温処理装置。 【構成】 処理室１内に、基板５を載置することができ
る上側部４および冷却室８の壁７を形成する下側部６を
有する支持板３が設けられているホルダ２が配置され、
冷却室８には供給用開口１０を有する入口９および排出
用開口１３を有する出口１１，１２が設けられ、これら
の開口を経て冷却液を冷却室８内に供給し、かつ冷却室
８から排出できるように構成され、支持板３の下側部６
によって形成される冷却室８の壁７の第１部分２３は第
２部分２０より冷却室８内に突出しているが、第１部分
２３および第２部分２０は互いになだらかに移行してお
り、冷却室８の出口１１，１２の排出用開口１３は壁７
の第２部分２０に隣接して配置されている、基板の低温
処理装置。
て冷却する基板の低温処理装置。 【構成】 処理室１内に、基板５を載置することができ
る上側部４および冷却室８の壁７を形成する下側部６を
有する支持板３が設けられているホルダ２が配置され、
冷却室８には供給用開口１０を有する入口９および排出
用開口１３を有する出口１１，１２が設けられ、これら
の開口を経て冷却液を冷却室８内に供給し、かつ冷却室
８から排出できるように構成され、支持板３の下側部６
によって形成される冷却室８の壁７の第１部分２３は第
２部分２０より冷却室８内に突出しているが、第１部分
２３および第２部分２０は互いになだらかに移行してお
り、冷却室８の出口１１，１２の排出用開口１３は壁７
の第２部分２０に隣接して配置されている、基板の低温
処理装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理室を具え、該処理
室内にホルダが配置され、該ホルダに支持板が設けら
れ、該支持板は基板を載置することができる上側部およ
び冷却室の壁を形成する下側部を有し、前記壁の第１部
分は第２部分より前記冷却室内に突出し、かつ該冷却室
には供給用開口を有する入口および排出用開口を有する
出口が設けられ、これらの開口を経て冷却液を前記冷却
室内に供給できかつ前記冷却室から排出できるように構
成されている基板の低温処理装置に関するものである。
室内にホルダが配置され、該ホルダに支持板が設けら
れ、該支持板は基板を載置することができる上側部およ
び冷却室の壁を形成する下側部を有し、前記壁の第１部
分は第２部分より前記冷却室内に突出し、かつ該冷却室
には供給用開口を有する入口および排出用開口を有する
出口が設けられ、これらの開口を経て冷却液を前記冷却
室内に供給できかつ前記冷却室から排出できるように構
成されている基板の低温処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液体空気または液体窒素のような物質を
冷却室に通し、ホルダ上に載置されている基板、例え
ば、ガラス板または半導体材料のスライスを強く冷却す
ることができる。次いで、この基板を極低温度で処理す
ることができる。この処理の間に、例えば、スパッタ堆
積処理によって基板上に物質の層を堆積させるか、ある
いはプラズマエッチング処理によってスライス上の堆積
層にパターンをエッチングする。これらの処理中に基板
が上述のような低温になった際に、スパッタ堆積処理で
は段部への比較的良好な被着が達成され、プラズマエッ
チング処理では比較的高度の異方性および選択性が達成
される。
冷却室に通し、ホルダ上に載置されている基板、例え
ば、ガラス板または半導体材料のスライスを強く冷却す
ることができる。次いで、この基板を極低温度で処理す
ることができる。この処理の間に、例えば、スパッタ堆
積処理によって基板上に物質の層を堆積させるか、ある
いはプラズマエッチング処理によってスライス上の堆積
層にパターンをエッチングする。これらの処理中に基板
が上述のような低温になった際に、スパッタ堆積処理で
は段部への比較的良好な被着が達成され、プラズマエッ
チング処理では比較的高度の異方性および選択性が達成
される。
【０００３】米国特許第4,956,043 号明細書は冒頭に記
載した種類の装置を開示しており、この装置では支持板
の下側部によって形成されている冷却室の壁は段の付い
た設計になっている。中央に水平に位置する平面部分は
前記壁の第１部分を形成し、これより高い位置にある水
平で平坦な端縁部は第２部分を形成し、該第２部分は冷
却室内に大きくなく突出している。操作中、冷却室内の
液体窒素レベルを前記壁の第１部分が絶えず窒素のなか
に存在するようなレベルに調整する。
載した種類の装置を開示しており、この装置では支持板
の下側部によって形成されている冷却室の壁は段の付い
た設計になっている。中央に水平に位置する平面部分は
前記壁の第１部分を形成し、これより高い位置にある水
平で平坦な端縁部は第２部分を形成し、該第２部分は冷
却室内に大きくなく突出している。操作中、冷却室内の
液体窒素レベルを前記壁の第１部分が絶えず窒素のなか
に存在するようなレベルに調整する。
【０００４】実際に、既知装置では、基板を最適に冷却
することは不可能であることが分っている。冷却液とし
て液体窒素を使用する場合には、基板は液体窒素の温度
に到達しない。これは、エッチング処理中または堆積処
理中に入射イオンまたは他の粒子によって基板が加熱さ
れる場合に、特にそうである。
することは不可能であることが分っている。冷却液とし
て液体窒素を使用する場合には、基板は液体窒素の温度
に到達しない。これは、エッチング処理中または堆積処
理中に入射イオンまたは他の粒子によって基板が加熱さ
れる場合に、特にそうである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、なか
んずく、液体空気または液体窒素を冷却室に通した際
に、半導体材料のスライスが実際にほぼ液体空気または
液体窒素の温度に到達するように、前記スライスを一層
良好に冷却する装置を提供することにある。
んずく、液体空気または液体窒素を冷却室に通した際
に、半導体材料のスライスが実際にほぼ液体空気または
液体窒素の温度に到達するように、前記スライスを一層
良好に冷却する装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、冒頭に記載し
た基板の低温処理装置において、前記支持板の下側部に
よって形成される前記冷却室の壁の前記第１部分および
前記第２部分は互いになだらかに移行しており、前記冷
却室の出口の前記排出用開口は前記壁の前記第２部分に
隣接して配置されていることを特徴とすることにより、
上述の目的を達成する。本発明装置においては、冷却液
が冷却室を通過する際に、冷却液は支持板の下側に沿っ
て流れることができ、次いでこの冷却液を排出させるこ
とができる。支持板の下側はそのほぼ全表面積にわたっ
て冷却水と接触するので、冷却液と支持板との間の最適
な熱伝達が維持される。
た基板の低温処理装置において、前記支持板の下側部に
よって形成される前記冷却室の壁の前記第１部分および
前記第２部分は互いになだらかに移行しており、前記冷
却室の出口の前記排出用開口は前記壁の前記第２部分に
隣接して配置されていることを特徴とすることにより、
上述の目的を達成する。本発明装置においては、冷却液
が冷却室を通過する際に、冷却液は支持板の下側に沿っ
て流れることができ、次いでこの冷却液を排出させるこ
とができる。支持板の下側はそのほぼ全表面積にわたっ
て冷却水と接触するので、冷却液と支持板との間の最適
な熱伝達が維持される。
【０００７】このことは、支持板の下側が水平に延在し
ているが、液体窒素は支持板に沿って流れていない既知
装置では、必ずしもあてはまらない。この結果、壁の平
坦な第１部分と液体窒素との間に窒素ガス層が生成する
ことが多く、これが冷却を妨害する。液体窒素が本発明
装置における冷却室を通過する際には、支持板上に載置
されているスライスはほぼ液体窒素の温度に到達し、ま
たエッチング処理中または堆積処理中にスライスが入射
イオンまたは他の粒子によって強く加熱される場合にも
そうである。
ているが、液体窒素は支持板に沿って流れていない既知
装置では、必ずしもあてはまらない。この結果、壁の平
坦な第１部分と液体窒素との間に窒素ガス層が生成する
ことが多く、これが冷却を妨害する。液体窒素が本発明
装置における冷却室を通過する際には、支持板上に載置
されているスライスはほぼ液体窒素の温度に到達し、ま
たエッチング処理中または堆積処理中にスライスが入射
イオンまたは他の粒子によって強く加熱される場合にも
そうである。
【０００８】支持板の下側部によって形成されている冷
却室の壁は種々の形にすることができ、しかも冷却室内
に大きくなく突出する前記壁の部分は所望に応じてこの
壁のうえの任意の位置を占めることができる。実際の解
決は、支持板の下側部によって形成されている冷却室の
壁の第１部分は冷却室の中央に配置され、その第２部分
は第１部分の周囲に延在する前記壁の端縁部を形成して
いることを特徴とする装置である。
却室の壁は種々の形にすることができ、しかも冷却室内
に大きくなく突出する前記壁の部分は所望に応じてこの
壁のうえの任意の位置を占めることができる。実際の解
決は、支持板の下側部によって形成されている冷却室の
壁の第１部分は冷却室の中央に配置され、その第２部分
は第１部分の周囲に延在する前記壁の端縁部を形成して
いることを特徴とする装置である。
【０００９】この場合には、前記壁は逆ピラミッド形を
した壁のようなかどのある端縁で終るいくつかの平坦部
分から構成することができる。しかし、支持板の下側部
によって形成されている冷却室の壁は、この冷却室の中
央に位置する第１部分を形成する頂点を有する円錐体で
あるのが好ましい。このように形成されている壁は、こ
の壁に沿った冷却液の良好で均一な流れ、従って支持板
の良好で均一な冷却を確実に実現し、出口の排出用開口
がこの壁の第２部分の全端縁部に沿って延在している場
合には、一層そうである。
した壁のようなかどのある端縁で終るいくつかの平坦部
分から構成することができる。しかし、支持板の下側部
によって形成されている冷却室の壁は、この冷却室の中
央に位置する第１部分を形成する頂点を有する円錐体で
あるのが好ましい。このように形成されている壁は、こ
の壁に沿った冷却液の良好で均一な流れ、従って支持板
の良好で均一な冷却を確実に実現し、出口の排出用開口
がこの壁の第２部分の全端縁部に沿って延在している場
合には、一層そうである。
【００１０】支持板には冷却室内に突出する複数個の冷
却フィンが設けられ、これらの冷却フィンに冷却液用通
路開口が設けられているか、あるいは支持板の下側面に
よって形成されている冷却室の第２部分から第１部分に
向う方向に延在している場合に、なお一層有効な冷却が
達成される。このようにして一層有効な冷却が達成さ
れ、冷却液の流れ、従って冷却液の流れと支持板の下側
面との接触はほとんど妨害されなくなる。
却フィンが設けられ、これらの冷却フィンに冷却液用通
路開口が設けられているか、あるいは支持板の下側面に
よって形成されている冷却室の第２部分から第１部分に
向う方向に延在している場合に、なお一層有効な冷却が
達成される。このようにして一層有効な冷却が達成さ
れ、冷却液の流れ、従って冷却液の流れと支持板の下側
面との接触はほとんど妨害されなくなる。
【００１１】本発明装置においては、さらに、前記ホル
ダにガスラインが設けられ、該ガスラインは冷却室およ
び支持板の中央を貫通し、支持板の上側部における排出
用開口で終端している。スライスと支持板との間の良好
な熱接触を確実なものとするガスは、このガスラインを
通って、支持体上に載置されているスライスと支持板の
上側部との間に包囲されている空隙内に入ることができ
る。実際に、この空隙内にヘリウムを１〜１０mmHg (１
〜１０トル）の圧力で導入した場合に、このような良好
な熱接触が達成されることを確かめた。
ダにガスラインが設けられ、該ガスラインは冷却室およ
び支持板の中央を貫通し、支持板の上側部における排出
用開口で終端している。スライスと支持板との間の良好
な熱接触を確実なものとするガスは、このガスラインを
通って、支持体上に載置されているスライスと支持板の
上側部との間に包囲されている空隙内に入ることができ
る。実際に、この空隙内にヘリウムを１〜１０mmHg (１
〜１０トル）の圧力で導入した場合に、このような良好
な熱接触が達成されることを確かめた。
【００１２】さらに、前記ホルダは二重壁を具え、該二
重壁は排気ポンプラインに連結されている空隙を包囲す
るように構成され、さらに支持板の上側部に設けられて
いる環状溝を具えるのが好ましい。スライスと支持板と
の間に供給されるガスは再度この二重壁を通って除去す
ることができる。比較的低いガス圧力が二重壁によって
包囲されている空隙内を占めているので、冷却室の追加
の熱絶縁が達成される。この結果、基板を比較的少量の
冷却液で冷却することができる。
重壁は排気ポンプラインに連結されている空隙を包囲す
るように構成され、さらに支持板の上側部に設けられて
いる環状溝を具えるのが好ましい。スライスと支持板と
の間に供給されるガスは再度この二重壁を通って除去す
ることができる。比較的低いガス圧力が二重壁によって
包囲されている空隙内を占めているので、冷却室の追加
の熱絶縁が達成される。この結果、基板を比較的少量の
冷却液で冷却することができる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明を図面を参照して実施例につい
て説明する。図１は、この例では半導体スライスである
基板の低温処理装置の断面図を示す。この低温処理装置
は処理室１を具え、該処理室内にホルダ２が配置されて
いる。このホルダ２には支持板３が設けられ、該支持板
は半導体スライス５を載せることができる上側部４を有
する。支持板３は下側部６を有し、該下側部は冷却室８
の壁７を形成している。ホルダ２には、さらに、供給用
開口１０を有する入口９および排出用開口１３を有する
出口１１，１２が設けられ、これらの開口を経て冷却液
を冷却室８に供給でき、また冷却室８から排出できる。
て説明する。図１は、この例では半導体スライスである
基板の低温処理装置の断面図を示す。この低温処理装置
は処理室１を具え、該処理室内にホルダ２が配置されて
いる。このホルダ２には支持板３が設けられ、該支持板
は半導体スライス５を載せることができる上側部４を有
する。支持板３は下側部６を有し、該下側部は冷却室８
の壁７を形成している。ホルダ２には、さらに、供給用
開口１０を有する入口９および排出用開口１３を有する
出口１１，１２が設けられ、これらの開口を経て冷却液
を冷却室８に供給でき、また冷却室８から排出できる。
【００１４】例えば、液体窒素を冷却室８に通し、これ
によりホルダ上に載置されている半導体スライス５を強
く冷却することができる。次いで、スライス５を極めて
低い温度で処理することができる。図１にはプラズマエ
ッチング装置が示されており、スライス５上の堆積層を
このエッチング装置でプラズマエッチング処理によって
パターンにエッチングすることができる。この低温処理
装置は、ホルダ２のほかに、スライス５に平行に配置さ
れている平坦な電極１４を具える。この電極１４はケー
ブル１５を経由してアースされ、ホルダ２はケーブル１
６によって高周波供給源１７に接続されている。この高
周波供給源１７によって、ガス混合物中で電極１４とホ
ルダ２との間にプラズマが発生する。ガス混合物はガス
供給ライン１８によって反応室１に導入される。残留ガ
スおよびガス状反応生成物はポンプ輸送ライン１９によ
って排出される。
によりホルダ上に載置されている半導体スライス５を強
く冷却することができる。次いで、スライス５を極めて
低い温度で処理することができる。図１にはプラズマエ
ッチング装置が示されており、スライス５上の堆積層を
このエッチング装置でプラズマエッチング処理によって
パターンにエッチングすることができる。この低温処理
装置は、ホルダ２のほかに、スライス５に平行に配置さ
れている平坦な電極１４を具える。この電極１４はケー
ブル１５を経由してアースされ、ホルダ２はケーブル１
６によって高周波供給源１７に接続されている。この高
周波供給源１７によって、ガス混合物中で電極１４とホ
ルダ２との間にプラズマが発生する。ガス混合物はガス
供給ライン１８によって反応室１に導入される。残留ガ
スおよびガス状反応生成物はポンプ輸送ライン１９によ
って排出される。
【００１５】あるいはまた、ホルダ２をスパッタ堆積装
置内で使用することができる。スパッタ堆積装置は図１
に示すエッチング装置と類似しているが、スパッタ堆積
装置では電極１４の代りにスパッタ・ターゲットが支持
板３に対向して配置されている。また、スパッタ堆積装
置では、支持板とスパッタ・ターゲットとの間におい
て、実際に通常はアルゴン中またはアルゴン含有ガス混
合物中でプラズマを発生させる。このような装置では、
例えばアルミニウムのような材料の層がスライス上に堆
積する。
置内で使用することができる。スパッタ堆積装置は図１
に示すエッチング装置と類似しているが、スパッタ堆積
装置では電極１４の代りにスパッタ・ターゲットが支持
板３に対向して配置されている。また、スパッタ堆積装
置では、支持板とスパッタ・ターゲットとの間におい
て、実際に通常はアルゴン中またはアルゴン含有ガス混
合物中でプラズマを発生させる。このような装置では、
例えばアルミニウムのような材料の層がスライス上に堆
積する。
【００１６】プラズマエッチング処理中またはスパッタ
堆積処理中に半導体スライスが液体窒素温度に近い低温
になった際に、スパッタ堆積処理では段部への比較的良
好な被着が達成され、またプラズマエッチング処理では
比較的高度の異方性および選択性が達成される。
堆積処理中に半導体スライスが液体窒素温度に近い低温
になった際に、スパッタ堆積処理では段部への比較的良
好な被着が達成され、またプラズマエッチング処理では
比較的高度の異方性および選択性が達成される。
【００１７】冷却室８の壁７の第１部分２３は第２部分
２０より冷却室８内に突出している。本発明装置におい
ては、第１部分２３および第２部分２０は互いになだら
かに移行しており、出口１１，１２の排出用開口１３は
第２部分２０の最高位置に隣接して位置する。そこで、
冷却液が冷却室８内を通る際に、冷却液は壁７に沿って
第２部分２０の最高位置に流れ、次いで排出される。
２０より冷却室８内に突出している。本発明装置におい
ては、第１部分２３および第２部分２０は互いになだら
かに移行しており、出口１１，１２の排出用開口１３は
第２部分２０の最高位置に隣接して位置する。そこで、
冷却液が冷却室８内を通る際に、冷却液は壁７に沿って
第２部分２０の最高位置に流れ、次いで排出される。
【００１８】その結果、冷却室８の壁７はほぼその全表
面にわたって冷却水と連続的に接触している状態になる
ので、冷却液と支持板３との間に最適な熱伝達が達成さ
れる。液体窒素が冷却室内を通る際に、支持板３上に載
置されているスライス５は、エッチング処理中または堆
積処理中に入射イオンまたは他の粒子によって強く加熱
されるとしても、ほぼ液体窒素の温度になる。
面にわたって冷却水と連続的に接触している状態になる
ので、冷却液と支持板３との間に最適な熱伝達が達成さ
れる。液体窒素が冷却室内を通る際に、支持板３上に載
置されているスライス５は、エッチング処理中または堆
積処理中に入射イオンまたは他の粒子によって強く加熱
されるとしても、ほぼ液体窒素の温度になる。
【００１９】支持板３の下側部６によって形成されてい
る冷却室８の壁７は種々の形にすることができるが、冷
却室８内に大きくなく突出する壁７の第１部分２３は、
所望に応じて、この壁７上の任意の位置を占めることが
できる。壁７の第１部分２３が冷却室８の中央に位置
し、第２部分が第１部分２３の周囲に延在する壁７の端
縁部２０を形成しているのが好都合である。
る冷却室８の壁７は種々の形にすることができるが、冷
却室８内に大きくなく突出する壁７の第１部分２３は、
所望に応じて、この壁７上の任意の位置を占めることが
できる。壁７の第１部分２３が冷却室８の中央に位置
し、第２部分が第１部分２３の周囲に延在する壁７の端
縁部２０を形成しているのが好都合である。
【００２０】従って、壁７は例えば逆ピラミッド形をし
た壁のようなかどのある端縁で終わるいくつかの平坦部
分から構成することができる。壁７は冷却室８の中央に
位置する第１部分２３を形成する頂点を有する円錐体で
あるのが好ましい。この形をした壁は、この壁に沿った
冷却液の良好で均一な流れ、従って支持板の良好で均一
な冷却を確実に実現させることができる。
た壁のようなかどのある端縁で終わるいくつかの平坦部
分から構成することができる。壁７は冷却室８の中央に
位置する第１部分２３を形成する頂点を有する円錐体で
あるのが好ましい。この形をした壁は、この壁に沿った
冷却液の良好で均一な流れ、従って支持板の良好で均一
な冷却を確実に実現させることができる。
【００２１】出口１１，１２の排出用開口１３は全端縁
部２０に沿って延在する。ホルダ２には円筒形内壁２４
と円筒形外壁２５とからなる二重壁２４，２５が設けら
れている。排出用開口１３の近くに位置する出口１１，
１２の部分は、冷却室８の壁２１とホルダ２の内壁２４
との間に包囲されている空隙１２によって形成される。
部２０に沿って延在する。ホルダ２には円筒形内壁２４
と円筒形外壁２５とからなる二重壁２４，２５が設けら
れている。排出用開口１３の近くに位置する出口１１，
１２の部分は、冷却室８の壁２１とホルダ２の内壁２４
との間に包囲されている空隙１２によって形成される。
【００２２】本発明装置においては、支持板３には冷却
室８内に突出する複数個の冷却フィン２６が設けられ、
これらの冷却フィンには冷却液用通路開口（図示せず）
が設けられているか、あるいはこれらの冷却フィンは支
持板３の下側部６によって形成される冷却室８の壁７の
第２部分２０から第１部分２３の方向に延在している。
このようにして一層有効な冷却が達成され、冷却液の流
れ従って冷却液と支持板３の下側部６との接触はほとん
ど妨害されなくなる。
室８内に突出する複数個の冷却フィン２６が設けられ、
これらの冷却フィンには冷却液用通路開口（図示せず）
が設けられているか、あるいはこれらの冷却フィンは支
持板３の下側部６によって形成される冷却室８の壁７の
第２部分２０から第１部分２３の方向に延在している。
このようにして一層有効な冷却が達成され、冷却液の流
れ従って冷却液と支持板３の下側部６との接触はほとん
ど妨害されなくなる。
【００２３】本発明装置においては、ホルダ２に、さら
にガスライン２７が設けられ、該ガスラインは冷却室８
および支持板３の中央を貫通し、支持板３の上側部４に
おける排出用開口２８内で終端する。スライス５と支持
板３との間の良好な熱接触を確実なものとするガスは、
このガスライン２７を通って、支持板３上に載置された
スライス５と支持板３の上側部４とによって包囲されて
いる空隙２９内に導くことができる。実際に、１〜１０
mmHg (１〜１０トル）の圧力を有するヘリウムを前記空
隙２９内に供給した場合に、このような良好な熱接触が
達成されることを確かめた。
にガスライン２７が設けられ、該ガスラインは冷却室８
および支持板３の中央を貫通し、支持板３の上側部４に
おける排出用開口２８内で終端する。スライス５と支持
板３との間の良好な熱接触を確実なものとするガスは、
このガスライン２７を通って、支持板３上に載置された
スライス５と支持板３の上側部４とによって包囲されて
いる空隙２９内に導くことができる。実際に、１〜１０
mmHg (１〜１０トル）の圧力を有するヘリウムを前記空
隙２９内に供給した場合に、このような良好な熱接触が
達成されることを確かめた。
【００２４】ホルダ２の二重壁２４，２５は空隙３０を
包囲し、空隙３０は複数個の孔３１によって、支持板３
の上側部４に設けられている環状溝３２に連通してい
る。ホルダ２にはさらに二重底３３，３４が設けられ、
該二重壁は空隙３５を包囲している。底３３は内壁２４
に連結され、底３４は外壁２５に連結されている。スラ
イス５と支持板３との間に導入されたガスは再度二重壁
２４，２５の間の空隙３０および二重底３３，３４の間
の空隙３５を通って除去することができる。これらの空
隙は排気ポンプライン３６に連結されている。比較的低
いガス圧力が空隙３０および３５内を占めているので、
冷却室８の追加の熱絶縁が達成される。この結果、スラ
イスを比較的少量の冷却液で冷却することができる。
包囲し、空隙３０は複数個の孔３１によって、支持板３
の上側部４に設けられている環状溝３２に連通してい
る。ホルダ２にはさらに二重底３３，３４が設けられ、
該二重壁は空隙３５を包囲している。底３３は内壁２４
に連結され、底３４は外壁２５に連結されている。スラ
イス５と支持板３との間に導入されたガスは再度二重壁
２４，２５の間の空隙３０および二重底３３，３４の間
の空隙３５を通って除去することができる。これらの空
隙は排気ポンプライン３６に連結されている。比較的低
いガス圧力が空隙３０および３５内を占めているので、
冷却室８の追加の熱絶縁が達成される。この結果、スラ
イスを比較的少量の冷却液で冷却することができる。
【００２５】スライス５は、処理室１内に固定されてい
るリング３７によって、支持板３の上側部４に押し付け
られる。ホルダ２の底３４はＯリング３８によってフラ
ンジ３９に気密に連結されており、フランジ３９は処理
室１に固定されている。ガスライン２７および３６、な
らびに冷却液用の入口９および出口１１は底２２，３３
および３４の少なくとも１個を気密に貫通している。さ
らに、支持板３には既知のように加熱素子および熱電対
を設けて、制御された条件下にスライスを液体窒素より
高い温度に昇温することができる。支持板３は良好に熱
を伝える材料、例えば銅から製造することができ、ホル
ダ２の他の部分は例えばステンレス鋼から製造すること
ができる。
るリング３７によって、支持板３の上側部４に押し付け
られる。ホルダ２の底３４はＯリング３８によってフラ
ンジ３９に気密に連結されており、フランジ３９は処理
室１に固定されている。ガスライン２７および３６、な
らびに冷却液用の入口９および出口１１は底２２，３３
および３４の少なくとも１個を気密に貫通している。さ
らに、支持板３には既知のように加熱素子および熱電対
を設けて、制御された条件下にスライスを液体窒素より
高い温度に昇温することができる。支持板３は良好に熱
を伝える材料、例えば銅から製造することができ、ホル
ダ２の他の部分は例えばステンレス鋼から製造すること
ができる。
【図１】図１は本発明装置の一例の断面図である。
１ 処理室（反応室） ２ ホルダ ３ 支持板 ４ 上側部 ５ 半導体スライス（基板） ６ 下側部 ７ 冷却室８の壁 ８ 冷却室 ９ 入口 10 供給用開口 11 出口 12 出口（空隙） 13 排出用開口 14 電極 15, 16 ケーブル 17 高周波供給源 18 ガス供給ライン 19 ポンプ輸送ライン 20 壁７の第２部分（壁７の端縁部） 21 冷却室８の壁 22 底 23 壁７の第１部分 24 内壁 25 外壁 24, 25 二重壁 26 冷却フィン 27 ガスライン 28 排出用開口 29, 30 空隙 31 孔 32 環状溝 33, 34 底 33, 34 二重底 35 空隙 36 排気ポンプライン (ガスライン) 37 リング 38 Ｏ−リング 39 フランジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロニー アントニウス アドリアヌス ハ ック オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ピーター ヨハネス クインツス ファン ホールスト ファダー オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １
Claims (9)
- 【請求項１】 処理室を具え、該処理室内にホルダが配
置され、該ホルダに支持板が設けられ、該支持板は基板
を載置することができる上側部および冷却室の壁を形成
する下側部を有し、前記壁の第１部分は第２部分より前
記冷却室内に突出し、かつ該冷却室には供給用開口を有
する入口および排出用開口を有する出口が設けられ、こ
れらの開口を経て冷却液を前記冷却室内に供給できかつ
前記冷却室から排出できるように構成されている基板の
低温処理装置において、 前記支持板の下側部によって形成される前記冷却室の壁
の前記第１部分および前記第２部分は互いになだらかに
移行しており、前記冷却室の出口の前記排出用開口は前
記壁の前記第２部分に隣接して配置されていることを特
徴とする基板の低温処理装置。 - 【請求項２】 前記支持板の下側部によって形成されて
いる前記冷却室の壁の前記第１部分は前記冷却室の中央
に配置され、その前記第２部分は前記第１部分の周囲に
延在する前記壁の端縁部を形成していることを特徴とす
る請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記支持板の下側部によって形成されて
いる前記冷却室の壁は、前記冷却室の中央に配置されて
いる前記第１部分を形成する頂点を有する円錐体である
ことを特徴とする請求項２記載の装置。 - 【請求項４】 前記出口の排出用開口は前記支持板の下
側部によって形成されている前記壁の前記第２部分の全
端縁部に沿って延在していることを特徴とする請求項２
記載の装置。 - 【請求項５】 前記支持板には前記冷却室内に突出する
複数個の冷却フィンが設けられ、これらの冷却フィンに
前記冷却液用の通路開口が設けられていることを特徴と
する請求項１〜４のいずれか一つの項に記載の装置。 - 【請求項６】 前記支持板には前記冷却室内に突出する
複数個の冷却フィンが設けられ、これらの冷却フィンは
前記支持板の下側部によって形成されている前記冷却室
の第２部分からその第１部分に向う方向に延在している
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つの項に記
載の装置。 - 【請求項７】 前記ホルダにはガスラインが設けられ、
該ガスラインは前記冷却室および前記支持板の中央を貫
通し、前記支持板の上側部における前記排出用開口で終
端していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一
つの項に記載の装置。 - 【請求項８】 前記ホルダは二重壁を具え、該二重壁は
排気ポンプラインに連結されている空隙を包囲するよう
に構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいず
れか一つの項に記載の装置。 - 【請求項９】 前記ホルダの前記二重壁によって包囲さ
れている前記空隙は前記支持板の上側部に設けられてい
る環状溝に連結されていることを特徴とする請求項８記
載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP92203861 | 1992-12-10 | ||
| NL92203861:7 | 1992-12-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06280057A true JPH06280057A (ja) | 1994-10-04 |
| JP2935487B2 JP2935487B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=8211125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5306547A Expired - Fee Related JP2935487B2 (ja) | 1992-12-10 | 1993-12-07 | 基板を液化ガス温度で処理する装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5427670A (ja) |
| EP (1) | EP0601656B1 (ja) |
| JP (1) | JP2935487B2 (ja) |
| DE (1) | DE69304664T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08124857A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Nec Corp | スパッタ装置とその装置を用いた半導体装置の製造方法 |
| CN102376604A (zh) * | 2010-08-19 | 2012-03-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 真空加工设备及其温度控制方法、半导体器件加工方法 |
| JP2012186298A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板支持台、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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| JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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| US5748435A (en) * | 1996-12-30 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling backside gas pressure beneath a semiconductor wafer |
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| US6132575A (en) * | 1998-09-28 | 2000-10-17 | Alcatel | Magnetron reactor for providing a high density, inductively coupled plasma source for sputtering metal and dielectric films |
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| US6627056B2 (en) * | 2000-02-16 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for ionized plasma deposition |
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| JP7254542B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
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-
1993
- 1993-11-10 US US08/151,076 patent/US5427670A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-03 EP EP93203402A patent/EP0601656B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-03 DE DE69304664T patent/DE69304664T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-07 JP JP5306547A patent/JP2935487B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2935487B2 (ja) | 1999-08-16 |
| EP0601656B1 (en) | 1996-09-11 |
| EP0601656A1 (en) | 1994-06-15 |
| DE69304664D1 (de) | 1996-10-17 |
| US5427670A (en) | 1995-06-27 |
| DE69304664T2 (de) | 1997-03-27 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |