JPH0627810B2 - 反射形光電センサ - Google Patents
反射形光電センサInfo
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- JPH0627810B2 JPH0627810B2 JP59091501A JP9150184A JPH0627810B2 JP H0627810 B2 JPH0627810 B2 JP H0627810B2 JP 59091501 A JP59091501 A JP 59091501A JP 9150184 A JP9150184 A JP 9150184A JP H0627810 B2 JPH0627810 B2 JP H0627810B2
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- light
- light emitting
- distance
- position detector
- dimensional semiconductor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/42—Simultaneous measurement of distance and other co-ordinates
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- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は反射形の光電センサ、さらに詳しくいえば、種
々の距離にある障害物の検出等に利用できる反射形の光
電センサに関する。
々の距離にある障害物の検出等に利用できる反射形の光
電センサに関する。
（従来技術） 従来の反射形の光電センサを利用した障害物検出を第８
図を参照して簡単に説明する。
図を参照して簡単に説明する。
光源１０１からの光は到達距離を大きくするために投光
レンズ１０２により、平行光束に近い状態にし、障害物
１０３方向に投射される。
レンズ１０２により、平行光束に近い状態にし、障害物
１０３方向に投射される。
障害物１０３からの反射光は受光レンズ１０４を介して
受光素子１０５で光電変換される。
受光素子１０５で光電変換される。
この光電変換力は増幅および信号成分抽出回路１０７で
処理され障害物検知判別回路１０８により、障害物の存
在が検知される。
処理され障害物検知判別回路１０８により、障害物の存
在が検知される。
すなわち、光源１０１からの光の反射光を受光素子１０
５で受け、検出電流のあるなしで障害物１０３を検知す
る方式となっているので次のような問題がある。
５で受け、検出電流のあるなしで障害物１０３を検知す
る方式となっているので次のような問題がある。
当然のことではあるが、障害物１０３の光源１０１か
らの光束の当る位置になければ検知できない。
らの光束の当る位置になければ検知できない。
前述したように通常光源１０１からの光は到達距離を大
きくするために投光レンズ１０２により、平行光束に近
い状態にし障害物１０３方向に投射されるから、検出視
野は非常に狭い。
きくするために投光レンズ１０２により、平行光束に近
い状態にし障害物１０３方向に投射されるから、検出視
野は非常に狭い。
障害物１０３の背後に反射率の高い壁や物体がある
と、障害物１０３からの反射光と区別できず、誤動作し
てしまう可能性がある。
と、障害物１０３からの反射光と区別できず、誤動作し
てしまう可能性がある。
（発明の目的） 本発明の目的を前方の空間のどの部分からの反射光であ
るかを知ることができる反射形の光電センサを提供する
ことにある。
るかを知ることができる反射形の光電センサを提供する
ことにある。
（発明の構成） 前記目的を達成するために本発明による反射形光電セン
サは、発光手段と受光手段を一定基線長離して配置し三
角測量方式で前方の反射物体までの距離を検出する反射
形光電センサにおいて、 発光手段は、基線長方向に直交する方向に一列に配置さ
れた複数の発光素子と、発光素子の前方に配置された平
行光形成用の発光レンズとを備え、発光素子の夫々が時
分割的に点燈し、一定の角度範囲を光束により走査する
ように構成され、 受光手段は、発光手段の光束を走査する平面から一定基
線長離れて配置され基線長方向に位置検出可能な１次元
半導体位置検出器と、１次元半導体位置検出器の前方に
１次元半導体位置検出器の位置検出面の電気的中心位置
と光軸が一致するように配置され前方からの反射光を１
次元半導体位置検出器の位置検出面に集光させる受光レ
ンズとを備え、１次元半導体位置検出器の位置検出方向
に直交方向する方向の幅は、複数の発光素子の両端間の
距離より大きく、基線長方向と直交する方向の走査範囲
で前方からの反射光を受光して、基線長方向の入射位置
検出をするように構成され、 更に、受光手段の出力を発光手段からの光束の出射方向
に対応させて処理し、どの領域からの反射であるかを判
別する判別回路を備え、 三角測量方式は、反射物体までの距離をＬ、基線長を
Ｂ、受光レンズの焦点距離をｆ、受光レンズの光軸と１
次元半導体位置検出器の位置検出面の電気的中心位置か
ら受光レンズにより集光されたスポット光の受信位置ま
での距離をｘとした場合に得られる式 Ｌ＝（Ｂ・ｆ）／ｘ から距離Ｌを求める方式であり、 距離ｘは、１次元半導体位置検出器の基線長方向の両端
に設けられた２つの電極から得られる反射光検出電流を
それぞれｉ１，ｉ２、２つの電極間の距離をＣとした場
合に得られる式 ｉ２／ｉ１＝（Ｃ／２＋ｘ）／（Ｃ／２−ｘ） から求めるものであることを特徴とする。
サは、発光手段と受光手段を一定基線長離して配置し三
角測量方式で前方の反射物体までの距離を検出する反射
形光電センサにおいて、 発光手段は、基線長方向に直交する方向に一列に配置さ
れた複数の発光素子と、発光素子の前方に配置された平
行光形成用の発光レンズとを備え、発光素子の夫々が時
分割的に点燈し、一定の角度範囲を光束により走査する
ように構成され、 受光手段は、発光手段の光束を走査する平面から一定基
線長離れて配置され基線長方向に位置検出可能な１次元
半導体位置検出器と、１次元半導体位置検出器の前方に
１次元半導体位置検出器の位置検出面の電気的中心位置
と光軸が一致するように配置され前方からの反射光を１
次元半導体位置検出器の位置検出面に集光させる受光レ
ンズとを備え、１次元半導体位置検出器の位置検出方向
に直交方向する方向の幅は、複数の発光素子の両端間の
距離より大きく、基線長方向と直交する方向の走査範囲
で前方からの反射光を受光して、基線長方向の入射位置
検出をするように構成され、 更に、受光手段の出力を発光手段からの光束の出射方向
に対応させて処理し、どの領域からの反射であるかを判
別する判別回路を備え、 三角測量方式は、反射物体までの距離をＬ、基線長を
Ｂ、受光レンズの焦点距離をｆ、受光レンズの光軸と１
次元半導体位置検出器の位置検出面の電気的中心位置か
ら受光レンズにより集光されたスポット光の受信位置ま
での距離をｘとした場合に得られる式 Ｌ＝（Ｂ・ｆ）／ｘ から距離Ｌを求める方式であり、 距離ｘは、１次元半導体位置検出器の基線長方向の両端
に設けられた２つの電極から得られる反射光検出電流を
それぞれｉ１，ｉ２、２つの電極間の距離をＣとした場
合に得られる式 ｉ２／ｉ１＝（Ｃ／２＋ｘ）／（Ｃ／２−ｘ） から求めるものであることを特徴とする。
（実施例） 以下図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する。
第１図は、本発明による反射形光電センサを用いて障害
物の測定原理を示すための原理図であって、同図（Ａ）
は平面的配置図、同図（Ｂ）は左側面配置図、同図
（Ｃ）は回路のブロック図である。
物の測定原理を示すための原理図であって、同図（Ａ）
は平面的配置図、同図（Ｂ）は左側面配置図、同図
（Ｃ）は回路のブロック図である。
光束走査装置付き光源１０は前方の空間の一定の角度範
囲（ω１）を光束により走査するように構成されてい
る。
囲（ω１）を光束により走査するように構成されてい
る。
この光束走査装置付き光源１０は光源駆動電源１３から
のパルス列状の駆動電力に駆動され前方の空間を順次走
査する。
のパルス列状の駆動電力に駆動され前方の空間を順次走
査する。
この前方空間に障害物１１があれば、障害物１１からの
反射光が受光素子１２により検出され光電変換される。
受光素子１２の光電変換出力は光電変換素子出力処理回
路１４により増幅される。
反射光が受光素子１２により検出され光電変換される。
受光素子１２の光電変換出力は光電変換素子出力処理回
路１４により増幅される。
検出対象別回路１５には前記光電変換素子出力処理回路
１４からの出力と前記光源駆動電源１３からのタイミン
グ信号が接続されており、前方空間のどの角度または距
離からの反射があったのかが判別される。
１４からの出力と前記光源駆動電源１３からのタイミン
グ信号が接続されており、前方空間のどの角度または距
離からの反射があったのかが判別される。
今、障害物１１が前方の空間の一定の角度範囲（ω１）
内の（ω２）の範囲内に存在したとすると、光束が前記
（ω２）の範囲内を走査しているときに限り第１図
（Ａ）に示すような反射が発生し、受光素子１２により
検出される。その期間だけ前記光電変換素子出力処理回
路１４から出力が現れる。
内の（ω２）の範囲内に存在したとすると、光束が前記
（ω２）の範囲内を走査しているときに限り第１図
（Ａ）に示すような反射が発生し、受光素子１２により
検出される。その期間だけ前記光電変換素子出力処理回
路１４から出力が現れる。
検出対象判別回路１５は前記光電変換素子出力処理回路
１４からの出力を前記光源駆動電源１３からのタイミン
グ信号を参照して、前方空間（ω１）内の（ω２）に障
害物が存在すると判別することができる。
１４からの出力を前記光源駆動電源１３からのタイミン
グ信号を参照して、前方空間（ω１）内の（ω２）に障
害物が存在すると判別することができる。
第２図は複数の発光素子を備えた本発明の特徴を明確に
するための参考例の図であり、発光素子を１つだけ備え
た反射形光電センサの構成を示すブロック図である。
するための参考例の図であり、発光素子を１つだけ備え
た反射形光電センサの構成を示すブロック図である。
この参考例では、光源として発光点が１つの赤外線発光
ダイオード１７（例えば浜松ホトニクス株式会社のＬ１
９０９）を用いている。
ダイオード１７（例えば浜松ホトニクス株式会社のＬ１
９０９）を用いている。
この赤外線発光ダイオード１７は、発光ダイオード駆動
回路２３により、パルス発光させられる。このパルス発
光は投光レンズ１８により、平行光束に近い状態にされ
る。
回路２３により、パルス発光させられる。このパルス発
光は投光レンズ１８により、平行光束に近い状態にされ
る。
回転プリズム１９はモータ２４により基線（投光レンズ
１８と受光レンズ２１を結ぶ距離Ｂ）に平行な軸中心に
回転させられる。
１８と受光レンズ２１を結ぶ距離Ｂ）に平行な軸中心に
回転させられる。
これにより赤外線発光ダイオード１７からの光束は紙面
に対して垂直方向に偏向させられる。
に対して垂直方向に偏向させられる。
この偏向周波数および同期をとるために、回転プリズム
１９の同期検出用センサ２５を用いる。
１９の同期検出用センサ２５を用いる。
障害物２０がこの光束の偏向角内に入って来ると障害物
２０の表面で反射され、この反射光の一部は受光レンズ
２１で１次元半導体位置検出装置２２（例えば浜松ホト
ニクス株式会社のＳ１７４３−０１）の受光面に集光さ
せられる。
２０の表面で反射され、この反射光の一部は受光レンズ
２１で１次元半導体位置検出装置２２（例えば浜松ホト
ニクス株式会社のＳ１７４３−０１）の受光面に集光さ
せられる。
今、障害物までの距離をＬ、基線長をＢ、受光レンズの
焦点距離をｆ、１次元半導体位置検出器２２の電極２２
ａ，２２ｂ間の距離をＣ、半導体位置検出器２２の電気
的中心位置（通常前記電極間の等分点）から集光された
スポット光の重心位置までの距離をｘとすると、次の
（１）式が成立する。
焦点距離をｆ、１次元半導体位置検出器２２の電極２２
ａ，２２ｂ間の距離をＣ、半導体位置検出器２２の電気
的中心位置（通常前記電極間の等分点）から集光された
スポット光の重心位置までの距離をｘとすると、次の
（１）式が成立する。
ｘ＝（Ｂ・ｆ）／Ｌ …（１） また半導体位置検出器２２の電極から得られる反射光検
出電流ｉ１，ｉ２とｘの間には次の（２）式に示す関係
が成立する。
出電流ｉ１，ｉ２とｘの間には次の（２）式に示す関係
が成立する。
ｉ２／ｉ１＝ （Ｃ／２＋ｘ）／（Ｃ／２−ｘ）…（２） 半導体位置検出器２２からの反射光検出電流ｉ１，ｉ２
の比を求めれば（１），（２）式により、障害物までの
距離Ｌを得ることができる。
の比を求めれば（１），（２）式により、障害物までの
距離Ｌを得ることができる。
半導体位置検出器２２の出力電流は演算装置２６に入力
されｉ２／ｉ１が求められる。
されｉ２／ｉ１が求められる。
第３図は第２図に示した反射形光電センサに設けられた
演算装置２６の構成を示すブロック図である。
演算装置２６の構成を示すブロック図である。
半導体位置検出器２２の出力端子から得られる光電流に
障害物から反射された光源からのパルス光の他に、外部
の光の成分が含まれている。
障害物から反射された光源からのパルス光の他に、外部
の光の成分が含まれている。
このため、信号成分の抽出・増幅回路３３，３４によ
り、信号成分のみを抜き取り、増幅する。
り、信号成分のみを抜き取り、増幅する。
そして、演算回路３５で、ｉ２／ｉ１の演算を実行す
る。この演算値をサンプリングホールド回路３６でホー
ルドする。
る。この演算値をサンプリングホールド回路３６でホー
ルドする。
判別回路２７は前記ｉ２／ｉ１から（１）式に示すＬ
と、ｉ２、ｉ１の存在する期間から、どの空間からの反
射であるかを判別出力する。
と、ｉ２、ｉ１の存在する期間から、どの空間からの反
射であるかを判別出力する。
第４図は、本発明による反射形光電センサの一実施例を
示す斜視図である。同図では、特に光源部と受光部を取
り出して示している。
示す斜視図である。同図では、特に光源部と受光部を取
り出して示している。
第２図に示した参考例では発光点が１つの赤外線発光ダ
イオード１７を用い回転プリズム１９およびその駆動用
モータ２４を使用して、光束を紙面に垂直方向に振らし
ている。
イオード１７を用い回転プリズム１９およびその駆動用
モータ２４を使用して、光束を紙面に垂直方向に振らし
ている。
しかし、本発明の実施例ではそのような機械的な可動部
は不必要である。
は不必要である。
ＬＥＤチップｌ１，ｌ２〜ｌｎを基線Ｂに直角方向に配
置した多点発光光源２８を設け、このＬＥＤチップｌ１
〜ｌｎを時分割で発光させる。
置した多点発光光源２８を設け、このＬＥＤチップｌ１
〜ｌｎを時分割で発光させる。
そして投光レンズ２９により前方に投射すれば、光束に
よる前方空間の走査が可能になる。
よる前方空間の走査が可能になる。
この多点発光光源２８から基線長Ｂだけ離れた位置に半
導体位置検出器３１が配置されている。レンズ３０は集
光レンズである。
導体位置検出器３１が配置されている。レンズ３０は集
光レンズである。
第５図は前記多点発光光源とこの多点発光光源を時分割
で点燈するためのドライバ回路の実施例を示す回路図で
ある。
で点燈するためのドライバ回路の実施例を示す回路図で
ある。
第６図はドライバ回路のタイミングチャートである。
ドライバ回路３７にｎ個のクロックが入力するとリセッ
ト（ＲＥＳＥＴ）が掛り、出力端子Ｏ１から順に、Ｏｎ
まで時分割でＨＩＧＨの出力状態になる。この順番でト
ランジスタＴｒ１〜Ｔｒｎがオンになり、ＬＥＤチップ
ｌ１〜ｌｎが時分割で発光させられる。
ト（ＲＥＳＥＴ）が掛り、出力端子Ｏ１から順に、Ｏｎ
まで時分割でＨＩＧＨの出力状態になる。この順番でト
ランジスタＴｒ１〜Ｔｒｎがオンになり、ＬＥＤチップ
ｌ１〜ｌｎが時分割で発光させられる。
第４図に示すように光源の発光点は基線長Ｂに対して、
直角方向に並べられている。
直角方向に並べられている。
この発光点の配列の全長をｌとする。
これに対して半導体位置検出器３１の一対の電極３１
ａ，３１ｂの配列方向は基線長方向であり、電極間隔を
Ｃ，電極の長さをＷとする。
ａ，３１ｂの配列方向は基線長方向であり、電極間隔を
Ｃ，電極の長さをＷとする。
発光点の配列の全長ｌを電極の長さＷの間には次の
（３）式の関係を与えておく。
（３）式の関係を与えておく。
Ｗ＞ｌ …（３） これにより、総てのＬＥＤチップの発光に原因する反射
は、総て半導体位置検出器３１の有効受光面に到達す
る。
は、総て半導体位置検出器３１の有効受光面に到達す
る。
障害物までの最至近距離をＬmin とすると、（１）式よ
り、反射スポット光の最大移動距離ｘmax は（４）式に
なる。
り、反射スポット光の最大移動距離ｘmax は（４）式に
なる。
ｘmax ＝（Ｂ・ｆ）／Ｌmin …（４） 受光レンズ３０によって、半導体位置検出器３１の上に
集光された反射スポット光の径のｄとする時、反射スポ
ット光が半導体位置検出器３１の電極３１ａ，３１ｂ内
からはずれないためには（５）式の条件を満たす必要が
ある。
集光された反射スポット光の径のｄとする時、反射スポ
ット光が半導体位置検出器３１の電極３１ａ，３１ｂ内
からはずれないためには（５）式の条件を満たす必要が
ある。
Ｃ≧２ｘmax ＋ｄ …（５） 半導体位置検出器３１の出力電流は第２図と第３図の参
考例で示した演算装置２６と判別装置２７と同一の装置
により処理される。またこのときの障害物までの距離Ｌ
の検出原理は第２図の参考例で示した検出原理と同じで
ある。
考例で示した演算装置２６と判別装置２７と同一の装置
により処理される。またこのときの障害物までの距離Ｌ
の検出原理は第２図の参考例で示した検出原理と同じで
ある。
次に本実施例の反射形光電センサの動作例を説明する。
第５図に示すドライバ回路３７にクロック信号が入力す
ると、光源２８の発光点が時分割で順に点燈する。
ると、光源２８の発光点が時分割で順に点燈する。
第７図に演算装置２６の出力波形を示す。
クロック信号およびが入力した時点では反射光電流
がゼロ状態であることを示している。言いかえれば、障
害物までの距離は無限遠である。次にクロック，，
が入力した時、光源からのパルス光束が障害物に当
り、半導体位置検出器３１から反射光電流が得られる。
がゼロ状態であることを示している。言いかえれば、障
害物までの距離は無限遠である。次にクロック，，
が入力した時、光源からのパルス光束が障害物に当
り、半導体位置検出器３１から反射光電流が得られる。
クロック信号，，…が入力した時、反射光電流は
再びゼロ状態になる。
再びゼロ状態になる。
この出力波形Ｖout より次の３つの情報を得ることがで
きる。
きる。
１）クロック信号は検出視野をｎ分割していることにな
り、クロック信号の何番目からＶout （ｉ２／ｉ１に相
当する電圧）が立上がり、何番目で立下がるかで、障害
物の存在する方向を知ることができる。
り、クロック信号の何番目からＶout （ｉ２／ｉ１に相
当する電圧）が立上がり、何番目で立下がるかで、障害
物の存在する方向を知ることができる。
２）１）と同様の理由で、障害物の幅ＯＷを知ることが
できる。
できる。
３）出力演算値の振幅Ｖout の大きさにより、障害物ま
での距離を知ることができる。
での距離を知ることができる。
すなわち、（１），（２）式より、出力演算値ｖout は
障害物までの距離Ｌによって決まる。
障害物までの距離Ｌによって決まる。
（発明の効果） 本発明による反射形の光電センサは、前方空間を光速で
走査するように構成してあるから、前方物体の距離、位
置、大きさ等の情報を得ることができる。
走査するように構成してあるから、前方物体の距離、位
置、大きさ等の情報を得ることができる。
特に、一列に配置された複数の発光素子の夫々を時分割
的に点灯させて、前方空間の一定の角度範囲を高速で走
査しているので、回転プリズムや駆動用モータなどの光
束を振るための機械的な可動部が不要となる。
的に点灯させて、前方空間の一定の角度範囲を高速で走
査しているので、回転プリズムや駆動用モータなどの光
束を振るための機械的な可動部が不要となる。
第１図は、本発明による反射形光電センサを用いて障害
物の測定原理を示すための原理図であって、同図（Ａ）
は平面的配置図、同図（Ｂ）は左側面配置図、同図
（Ｃ）は回路のブロック図である。 第２図は本発明の特徴を明確にするための参考例である
反射形光電センサの構成を示すブロック図である。 第３図は第２図の反射形光電センサに設けられた演算装
置の構成を示すブロック図である。 第４図は本発明による反射形光電センサの一実施例を示
す斜視図である。 第５図は前記実施例で使用する光源とそのドライバの実
施例を示すブロック図である。 第６図は前記ドライバの動作を示すタイミングチャート
である。 第７図は出力信号波形の例を示す波形図である。 第８図は従来の反射形の光電センサを用いた障害物セン
サを示すブロック図である。 １０……光束走査装置付き光源 １１……検出対象物体 １２……光電素子 １３……光源駆動電源 １４……光電変換素子出力処理回路 １５……検出対象判別回路 １７……発光ダイオード、１８……投光レンズ １９……回転プリズム、２０……障害物 ２１……受光レンズ ２２……半導体位置検出器 ２３……ＬＥＤドライバ回路 ２４……駆動モータ ２５……回転同期検出用センサ ２６……演算装置 ２７……判別回路 ２８……光源 ２９……投光レンズ ３０……受光レンズ ３１……半導体位置検出器 ３３，３４……信号成分抽出・増幅回路 ３５……演算回路 ３６……サンプルホールド回路 ３７……ドライバ回路 １０１……光源、１０２……投光レンズ １０３……障害物、１０４……受光レンズ １０５……受光素子、１０６……ドライバ回路
物の測定原理を示すための原理図であって、同図（Ａ）
は平面的配置図、同図（Ｂ）は左側面配置図、同図
（Ｃ）は回路のブロック図である。 第２図は本発明の特徴を明確にするための参考例である
反射形光電センサの構成を示すブロック図である。 第３図は第２図の反射形光電センサに設けられた演算装
置の構成を示すブロック図である。 第４図は本発明による反射形光電センサの一実施例を示
す斜視図である。 第５図は前記実施例で使用する光源とそのドライバの実
施例を示すブロック図である。 第６図は前記ドライバの動作を示すタイミングチャート
である。 第７図は出力信号波形の例を示す波形図である。 第８図は従来の反射形の光電センサを用いた障害物セン
サを示すブロック図である。 １０……光束走査装置付き光源 １１……検出対象物体 １２……光電素子 １３……光源駆動電源 １４……光電変換素子出力処理回路 １５……検出対象判別回路 １７……発光ダイオード、１８……投光レンズ １９……回転プリズム、２０……障害物 ２１……受光レンズ ２２……半導体位置検出器 ２３……ＬＥＤドライバ回路 ２４……駆動モータ ２５……回転同期検出用センサ ２６……演算装置 ２７……判別回路 ２８……光源 ２９……投光レンズ ３０……受光レンズ ３１……半導体位置検出器 ３３，３４……信号成分抽出・増幅回路 ３５……演算回路 ３６……サンプルホールド回路 ３７……ドライバ回路 １０１……光源、１０２……投光レンズ １０３……障害物、１０４……受光レンズ １０５……受光素子、１０６……ドライバ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 忠男 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 鈴木 正孝 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 鈴木 佐喜雄 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (56)参考文献 特開 昭51−5052（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−96475（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−172269（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−158574（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】発光手段と受光手段を一定基線長離して配
置した三角測量方式で前方の反射物体までの距離を検出
する反射形光電センサにおいて、 前記発光手段は、前記基線長方向に直交する方向に一列
に配置された複数の発光素子と、前記発光素子の前方に
配置された平行光形成用の発光レンズとを備え、前記発
光素子の夫々が時分割的に点燈し、前記一定の角度範囲
を光束により走査するように構成され、 前記受光手段は、前記発光手段の光束を走査する平面か
ら一定基線長離れて配置され基線長方向に位置検出可能
な１次元半導体位置検出器と、前記１次元半導体位置検
出器の前方に前記１次元半導体位置検出器の位置検出面
の電気的中心位置と光軸が一致するように配置され前方
からの反射光を前記１次元半導体位置検出器の位置検出
面に集光させる受光レンズとを備え、前記１次元半導体
位置検出器の位置検出方向に直交方向する方向の幅は、
前記複数の発光素子の両端間の距離より大きく、前記基
線長方向と直交する方向の走査範囲で前方からの反射光
を受光して、前記基線長方向の入射位置検出をするよう
に構成され、 更に、前記受光手段の出力を前記発光手段からの光束の
出射方向に対応させて処理し、どの領域からの反射であ
るかを判別する判別回路を備え、 前記三角測量方式は、前記反射物体までの距離をＬ、前
記基線長をＢ、前記受光レンズの焦点距離をｆ、前記受
光レンズの光軸と前記１次元半導体位置検出器の位置検
出面の電気的中心位置から前記受光レンズにより集光さ
れたスポット光の重心位置までの距離をｘとした場合に
得られる式 Ｌ＝（Ｂ・ｆ）／ｘ から距離Ｌを求める方式であり、 前記距離ｘは、前記１次元半導体位置検出器の基線長方
向の両端に設けられた２つの電極から得られる反射光検
出電流をそれぞれｉ１，ｉ２、前記２つの電極間の距離
をＣとした場合に得られる式 ｉ２／ｉ１＝（Ｃ／２＋ｘ）／（Ｃ／２−ｘ） から求めるものであることを特徴とする反射形光電セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091501A JPH0627810B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 反射形光電センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091501A JPH0627810B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 反射形光電センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235083A JPS60235083A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH0627810B2 true JPH0627810B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=14028154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091501A Expired - Lifetime JPH0627810B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 反射形光電センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627810B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616147B2 (ja) * | 1986-03-26 | 1994-03-02 | チノン株式会社 | カメラ |
| CA1288128C (en) * | 1986-12-01 | 1991-08-27 | Gerardus A.W. Vermeulen | Cathode ray tube having a blue luminescing zinc sulphide |
| JP6531502B2 (ja) * | 2015-06-11 | 2019-06-19 | 株式会社リコー | 光走査装置、物体検出装置及びセンシング装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS515052A (ja) * | 1974-06-29 | 1976-01-16 | Omron Tateisi Electronics Co | |
| JPS5596475A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-22 | Nissan Motor Co Ltd | Obstacle detector for vehicle |
| JPS57172269A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Limited reflection type photoelectric detector |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59091501A patent/JPH0627810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60235083A (ja) | 1985-11-21 |
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