JPH06275876A - 複合型ジョセフソン接合素子 - Google Patents
複合型ジョセフソン接合素子Info
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- JPH06275876A JPH06275876A JP5065550A JP6555093A JPH06275876A JP H06275876 A JPH06275876 A JP H06275876A JP 5065550 A JP5065550 A JP 5065550A JP 6555093 A JP6555093 A JP 6555093A JP H06275876 A JPH06275876 A JP H06275876A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アモルファス薄膜の組成を制御することによ
り定常的にジョセフソン接合素子を得る。 【構成】 Ｙが７．５ａｔ％以上、１７．５ａｔ％以
下、Ｂａが１５．０ａｔ％以上、４０．０ａｔ％以下、
Ｃｕが４２．５ａｔ％以上、７７．５ａｔ％以下である
組成範囲内のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系アモルファス薄膜で
ブリッジ部分を製造し、多結晶化した複合素子において
は、アモルファス薄膜が多結晶化する際、双方の超電導
単結晶薄膜電極部２から結晶成長してブリッジ部分に結
晶粒界３１を形成するためジョセフソン特性を示す。
り定常的にジョセフソン接合素子を得る。 【構成】 Ｙが７．５ａｔ％以上、１７．５ａｔ％以
下、Ｂａが１５．０ａｔ％以上、４０．０ａｔ％以下、
Ｃｕが４２．５ａｔ％以上、７７．５ａｔ％以下である
組成範囲内のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系アモルファス薄膜で
ブリッジ部分を製造し、多結晶化した複合素子において
は、アモルファス薄膜が多結晶化する際、双方の超電導
単結晶薄膜電極部２から結晶成長してブリッジ部分に結
晶粒界３１を形成するためジョセフソン特性を示す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複合型ジョセフソン接合
素子に関するものであり、例えばセラミック超電導薄膜
に用いられるものがある。
素子に関するものであり、例えばセラミック超電導薄膜
に用いられるものがある。
【０００２】
【従来の技術】近年の薄膜形成技術の進展に伴い、超電
導セラミックの薄膜を基板上に形成して種々のセンサ類
を作製する試みがなされており、特に高感度の磁気セン
サを実現するためには超電導薄膜にジョセフソン接合を
作り込む必要がある。
導セラミックの薄膜を基板上に形成して種々のセンサ類
を作製する試みがなされており、特に高感度の磁気セン
サを実現するためには超電導薄膜にジョセフソン接合を
作り込む必要がある。
【０００３】このジョセフソン接合のうちでも、特に多
結晶型ジョセフソン接合を実現する方法としては、従
来、アモルファス薄膜をアニールにより再結晶化する方
法、超電導多結晶薄膜をＣＶＤ、等により形成する方法
が試みられている。
結晶型ジョセフソン接合を実現する方法としては、従
来、アモルファス薄膜をアニールにより再結晶化する方
法、超電導多結晶薄膜をＣＶＤ、等により形成する方法
が試みられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述した従来
の方法では、偶発的に出来た結晶粒界を利用しているた
めに、結晶軸の制御されていない結晶粒界によりジョセ
フソン接合が構成されてジョセフソン接合の特性がばら
ついてしまったり、超電導薄膜全面が多結晶化している
ために、ジョセフソン接合部分以外からの電気的、磁気
的雑音の影響を受け易い等の問題を有していた。これを
解決すべく、我々は、特開平４−２４４６７９号公報に
記載されている如く、超電導単結晶薄膜と超電導多結晶
薄膜の複合型ジョセフソン接合デバイスを考案した。
の方法では、偶発的に出来た結晶粒界を利用しているた
めに、結晶軸の制御されていない結晶粒界によりジョセ
フソン接合が構成されてジョセフソン接合の特性がばら
ついてしまったり、超電導薄膜全面が多結晶化している
ために、ジョセフソン接合部分以外からの電気的、磁気
的雑音の影響を受け易い等の問題を有していた。これを
解決すべく、我々は、特開平４−２４４６７９号公報に
記載されている如く、超電導単結晶薄膜と超電導多結晶
薄膜の複合型ジョセフソン接合デバイスを考案した。
【０００５】しかし、上記デバイス作製過程において
も、アモルファス薄膜を製造し、再結晶化して得る多結
晶薄膜は、もとのアモルファス薄膜の組成によって電気
的特性が大きく異なるという問題を有していた。
も、アモルファス薄膜を製造し、再結晶化して得る多結
晶薄膜は、もとのアモルファス薄膜の組成によって電気
的特性が大きく異なるという問題を有していた。
【０００６】そこで本発明は上記問題点に鑑みてなされ
たものであり、アモルファス薄膜の組成を制御すること
により多結晶薄膜の電気的特性を改善し、良好な複合型
ジョセフソン接合素子を提供することを目的とするもの
である。
たものであり、アモルファス薄膜の組成を制御すること
により多結晶薄膜の電気的特性を改善し、良好な複合型
ジョセフソン接合素子を提供することを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そのため本発明は、Ｙ、
Ｂａ、Ｃｕの３元素化合酸化物のアモルファス薄膜を熱
処理で多結晶化した薄膜によりジョセフソン接合部分を
構成し、超電導単結晶薄膜によりジョセフソン接合以外
の部分を構成する、多結晶薄膜と単結晶薄膜を複合した
複合型ジョセフソン接合素子において、前記アモルファ
ス薄膜は、Ｙが７．５ａｔ％以上、１７．５ａｔ％以
下、Ｂａが１５．０ａｔ％以上、４０．０ａｔ％以下、
Ｃｕが４２．５ａｔ％以上、７７．５ａｔ％以下の組成
で構成される複合型ジョセフソン接合素子を採用するも
のである。
Ｂａ、Ｃｕの３元素化合酸化物のアモルファス薄膜を熱
処理で多結晶化した薄膜によりジョセフソン接合部分を
構成し、超電導単結晶薄膜によりジョセフソン接合以外
の部分を構成する、多結晶薄膜と単結晶薄膜を複合した
複合型ジョセフソン接合素子において、前記アモルファ
ス薄膜は、Ｙが７．５ａｔ％以上、１７．５ａｔ％以
下、Ｂａが１５．０ａｔ％以上、４０．０ａｔ％以下、
Ｃｕが４２．５ａｔ％以上、７７．５ａｔ％以下の組成
で構成される複合型ジョセフソン接合素子を採用するも
のである。
【０００８】また好ましくは、前記アモルファス薄膜
は、Ｙが１０．０ａｔ％以上、１５．０ａｔ％以下、Ｂ
ａが２２．５ａｔ％以上、３２．５ａｔ％以下、Ｃｕが
５２．５ａｔ％以上、６７．５ａｔ％以下の組成で構成
される複合型ジョセフソン接合素子を採用するものであ
る。
は、Ｙが１０．０ａｔ％以上、１５．０ａｔ％以下、Ｂ
ａが２２．５ａｔ％以上、３２．５ａｔ％以下、Ｃｕが
５２．５ａｔ％以上、６７．５ａｔ％以下の組成で構成
される複合型ジョセフソン接合素子を採用するものであ
る。
【０００９】
【作用】上記により示された組成範囲内のアモルファス
薄膜でブリッジ部分を製造し多結晶化した複合型素子
は、アモルファス薄膜を多結晶化する際、双方の超電導
単結晶薄膜電極部から結晶成長してブリッジ部分に結晶
粒界を形成することができるため、電気的特性が良好で
あるジョセフソン特性を示す。
薄膜でブリッジ部分を製造し多結晶化した複合型素子
は、アモルファス薄膜を多結晶化する際、双方の超電導
単結晶薄膜電極部から結晶成長してブリッジ部分に結晶
粒界を形成することができるため、電気的特性が良好で
あるジョセフソン特性を示す。
【００１０】したがって、アモルファス薄膜の組成を上
記範囲内に制御することにより、定常的に複合型ジョセ
フソン接合素子を得ることができる。
記範囲内に制御することにより、定常的に複合型ジョセ
フソン接合素子を得ることができる。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように本発明においては、ア
モルファス薄膜の組成を上記範囲内に制御することによ
り、多結晶薄膜の電気的特性が改善された、複合型ジョ
セフソン接合素子を提供することができるという優れた
効果がある。
モルファス薄膜の組成を上記範囲内に制御することによ
り、多結晶薄膜の電気的特性が改善された、複合型ジョ
セフソン接合素子を提供することができるという優れた
効果がある。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図に示す実施例に基づいて説
明する。図１〜図５は、複合型ジョセフソン接合素子の
製造方法を説明するものである。尚、各図において、
（ａ）は上面図を、（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示すもので
あり、同一構成部分には同一の符号で示している。
明する。図１〜図５は、複合型ジョセフソン接合素子の
製造方法を説明するものである。尚、各図において、
（ａ）は上面図を、（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示すもので
あり、同一構成部分には同一の符号で示している。
【００１３】まず、図１（ａ）、（ｂ）に示す如く、単
結晶ＭｇＯ基板１上に、セラミック超電導単結晶薄膜Ｙ
1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy （以下、ＹＢＣＯと略す）を形成し
た。この薄膜形成はＲＦマグネトロンスパッタ法により
ＹＢＣＯ単結晶薄膜２を基板１上に堆積せしめるもの
で、その条件を以下に示す。
結晶ＭｇＯ基板１上に、セラミック超電導単結晶薄膜Ｙ
1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏy （以下、ＹＢＣＯと略す）を形成し
た。この薄膜形成はＲＦマグネトロンスパッタ法により
ＹＢＣＯ単結晶薄膜２を基板１上に堆積せしめるもの
で、その条件を以下に示す。
【００１４】 ターゲット：Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ4 Ｏy 焼結体 基板温度：７００℃ Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ Ｏ2 流量：１００ｓｃｃｍ スパッタ圧力：７０ｍＴｏｒｒ スパッタ電力：１５０Ｗ ターゲット基板間距離：４０ｍｍ 堆積レート：５ｎｍ／ｍｉｎ 続いて、ＹＢＣＯ単結晶薄膜２を、図２（ａ）、（ｂ）
に示す如く、二つの部分に分割し、左単結晶薄膜電極部
分２１及び右単結晶薄膜電極部分２２を形成した。この
左右電極部分の形成はケミカルエッチング法により行
い、フォトレジストとしてシプレー社製Ｓ１４００−２
５レジスト、エッチャントとして塩酸水溶液（０．１５
ｖｏｌ％）を使用した。
に示す如く、二つの部分に分割し、左単結晶薄膜電極部
分２１及び右単結晶薄膜電極部分２２を形成した。この
左右電極部分の形成はケミカルエッチング法により行
い、フォトレジストとしてシプレー社製Ｓ１４００−２
５レジスト、エッチャントとして塩酸水溶液（０．１５
ｖｏｌ％）を使用した。
【００１５】しかる後、図３（ａ）、（ｂ）に示す如
く、基板全面にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系アモルファス薄膜
４（以下、ＹＢＣＯアモルファス薄膜と略す。）を形成
した。この薄膜形成にはＲＦマグネトロンスパッタ法に
よりＹＢＣＯアモルファス薄膜４を基板１上に堆積せし
めるもので、その条件を以下に示す。
く、基板全面にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系アモルファス薄膜
４（以下、ＹＢＣＯアモルファス薄膜と略す。）を形成
した。この薄膜形成にはＲＦマグネトロンスパッタ法に
よりＹＢＣＯアモルファス薄膜４を基板１上に堆積せし
めるもので、その条件を以下に示す。
【００１６】 ターゲット：Ｙ- Ｂａ- Ｃｕ- Ｏ焼結体 基板温度：室温から２００℃ Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ Ｏ2 流量：１００ｓｃｃｍ スパッタ圧力：７０ｍＴｏｒｒ スパッタ電力：１５０Ｗ ターゲット基板間距離：４０ｍｍ 堆積レート：５ｎｍ／ｍｉｎ ここで、アモルファス薄膜４の組成制御は、ターゲット
の組成を変えることにより行った。
の組成を変えることにより行った。
【００１７】続いて、ＹＢＣＯアモルファス薄膜４を、
図４（ａ）、（ｂ）に示す如く、左右単結晶薄膜電極部
分間にアモルファス薄膜によりブリッジ部分４１を形成
した。このブリッジ部分４１の形成は、単結晶薄膜電極
の形成と同一の方法を使用した。
図４（ａ）、（ｂ）に示す如く、左右単結晶薄膜電極部
分間にアモルファス薄膜によりブリッジ部分４１を形成
した。このブリッジ部分４１の形成は、単結晶薄膜電極
の形成と同一の方法を使用した。
【００１８】さらに、ＹＢＣＯアモルファス薄膜４を熱
処理して多結晶化し、図５（ａ）、（ｂ）に示す如く、
超電導多結晶薄膜３、結晶粒界３１を形成した。熱処理
条件を以下に示す。
処理して多結晶化し、図５（ａ）、（ｂ）に示す如く、
超電導多結晶薄膜３、結晶粒界３１を形成した。熱処理
条件を以下に示す。
【００１９】 雰囲気：酸素中 昇温速度：４００℃／ｈｒ 熱処理温度：１０００℃ 熱処理時間：１０ｍｉｎ 降温速度：炉冷。
【００２０】以上の製造工程を経て、図５（ａ）、
（ｂ）のような構造を有する超電導多結晶薄膜３と超電
導単結晶薄膜２の第１実施例の複合型ジョセフソン接合
素子が作製された。
（ｂ）のような構造を有する超電導多結晶薄膜３と超電
導単結晶薄膜２の第１実施例の複合型ジョセフソン接合
素子が作製された。
【００２１】そこで、上記第１実施例と同一の製造方法
を用いて、Ｙが１７．５ａｔ％、Ｂａが１５．０ａｔ
％、Ｃｕが６７．５ａｔ％よりなるアモルファス薄膜を
熱処理して得られた第２実施例のジョセフソン接合素子
の電流電圧特性を図６に示す。
を用いて、Ｙが１７．５ａｔ％、Ｂａが１５．０ａｔ
％、Ｃｕが６７．５ａｔ％よりなるアモルファス薄膜を
熱処理して得られた第２実施例のジョセフソン接合素子
の電流電圧特性を図６に示す。
【００２２】この時、測定条件として、測定温度を１５
Ｋの雰囲気中で行った。尚、Ａはマイクロ波の未照射
時、Ｂは第２実施例のジョセフソン接合素子に対して、
２．６ＧＨｚのマイクロ波を照射した時における電流電
圧特性を示す。
Ｋの雰囲気中で行った。尚、Ａはマイクロ波の未照射
時、Ｂは第２実施例のジョセフソン接合素子に対して、
２．６ＧＨｚのマイクロ波を照射した時における電流電
圧特性を示す。
【００２３】図６より、このジョセフソン接合素子の電
流電圧特性は、マイクロ波照射時にシャピロステップが
観測され良好なジョセフソン特性を示すことがわかる。
また、上記第１実施例と同一の製造方法を用いて、Ｙが
１２．５ａｔ％、Ｂａが２７．５ａｔ％、Ｃｕが６０．
０ａｔ％よりなるアモルファス薄膜を熱処理して得られ
た第３実施例のジョセフソン接合素子において、同一の
２個のジョセフソン接合からなるＳＱＵＩＤを製造した
素子の諸特性を図７および図８に示す。
流電圧特性は、マイクロ波照射時にシャピロステップが
観測され良好なジョセフソン特性を示すことがわかる。
また、上記第１実施例と同一の製造方法を用いて、Ｙが
１２．５ａｔ％、Ｂａが２７．５ａｔ％、Ｃｕが６０．
０ａｔ％よりなるアモルファス薄膜を熱処理して得られ
た第３実施例のジョセフソン接合素子において、同一の
２個のジョセフソン接合からなるＳＱＵＩＤを製造した
素子の諸特性を図７および図８に示す。
【００２４】図７は、温度が４．２ＫにおけるＳＱＵＩ
Ｄの電流電圧特性を示す。尚、図７において、電圧値を
示す１目盛りは１００μＶを示し、電流値を示す１目盛
りは５０μＡを示す。
Ｄの電流電圧特性を示す。尚、図７において、電圧値を
示す１目盛りは１００μＶを示し、電流値を示す１目盛
りは５０μＡを示す。
【００２５】この第３実施例のジョセフソン接合素子の
電流電圧特性は、下に凸の曲線を示しており典型的なジ
ョセフソン接合の特徴を示した。図８は、温度が４．２
ＫにおけるＳＱＵＩＤの電圧磁場特性を示す。尚、図８
において、電圧値を示す１目盛りは５０μＶを示す。
電流電圧特性は、下に凸の曲線を示しており典型的なジ
ョセフソン接合の特徴を示した。図８は、温度が４．２
ＫにおけるＳＱＵＩＤの電圧磁場特性を示す。尚、図８
において、電圧値を示す１目盛りは５０μＶを示す。
【００２６】これより、第３実施例のジョセフソン接合
素子は、磁場に対する周期的な電圧の変動がみられ、素
子がＳＱＵＩＤとして動作していることがわかる。また
電圧の変動幅ΔＶの値が１２０μＶに達していることが
わかる。
素子は、磁場に対する周期的な電圧の変動がみられ、素
子がＳＱＵＩＤとして動作していることがわかる。また
電圧の変動幅ΔＶの値が１２０μＶに達していることが
わかる。
【００２７】そこで、表１において、アモルファス薄膜
を構成するＹ、ＢａおよびＣｕの組成割合をそれぞれ変
化させ、第１実施例の製造方法と同一の条件によって得
られた複合型ジョセフソン接合素子を試料No．ａ〜ｙと
し、これらのジョセフソン接合のシャピロステップの観
測の有無、ＳＱＵＩＤの出力電圧の磁場応答の有無およ
び電圧変動幅ΔＶを示した。
を構成するＹ、ＢａおよびＣｕの組成割合をそれぞれ変
化させ、第１実施例の製造方法と同一の条件によって得
られた複合型ジョセフソン接合素子を試料No．ａ〜ｙと
し、これらのジョセフソン接合のシャピロステップの観
測の有無、ＳＱＵＩＤの出力電圧の磁場応答の有無およ
び電圧変動幅ΔＶを示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１に示されるように、試料No．ａ〜ｍの
アモルファス薄膜よりなるジョセフソン接合素子ではシ
ャピロステップが観測され、さらに試料No．ｉ〜ｍのア
モルファス薄膜よりなるジョセフソン接合素子では、Ｓ
ＱＵＩＤの出力電圧の磁場応答もみられた。しかし、試
料No．ｎ〜ｙのアモルファス薄膜よりなるジョセフソン
接合素子ではシャピロステップも、ＳＱＵＩＤの出力電
圧の磁場応答も観測されなかった。
アモルファス薄膜よりなるジョセフソン接合素子ではシ
ャピロステップが観測され、さらに試料No．ｉ〜ｍのア
モルファス薄膜よりなるジョセフソン接合素子では、Ｓ
ＱＵＩＤの出力電圧の磁場応答もみられた。しかし、試
料No．ｎ〜ｙのアモルファス薄膜よりなるジョセフソン
接合素子ではシャピロステップも、ＳＱＵＩＤの出力電
圧の磁場応答も観測されなかった。
【００３０】そこで、この表１の結果を図９に示す三角
組成図にａ〜ｙとして記した。ここで例えば、表１中に
記載される２１１の位置は、Ｙ2 ＢａＣｕＯx となり、
また、１２３の位置は、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx であること
を示す。
組成図にａ〜ｙとして記した。ここで例えば、表１中に
記載される２１１の位置は、Ｙ2 ＢａＣｕＯx となり、
また、１２３の位置は、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx であること
を示す。
【００３１】この結果、組成を異ならしめることによ
り、特性のことなる領域である領域１および領域２の範
囲が存在することが分かった。即ち、図９において、ア
モルファス薄膜を領域１の組成範囲で得られたジョセフ
ソン接合素子は、シャピロステップを有し、また、領域
２の組成範囲で得られたジョセフソン接合素子では、こ
の２個からなる超電導量子干渉計（Superconducting QU
amtum Interference Device,ＳＱＵＩＤ）において、出
力電圧の磁場応答が見られ、良好なＳＱＵＩＤ特性を有
することができるのである。
り、特性のことなる領域である領域１および領域２の範
囲が存在することが分かった。即ち、図９において、ア
モルファス薄膜を領域１の組成範囲で得られたジョセフ
ソン接合素子は、シャピロステップを有し、また、領域
２の組成範囲で得られたジョセフソン接合素子では、こ
の２個からなる超電導量子干渉計（Superconducting QU
amtum Interference Device,ＳＱＵＩＤ）において、出
力電圧の磁場応答が見られ、良好なＳＱＵＩＤ特性を有
することができるのである。
【００３２】以上のことから、アモルファス薄膜の組成
を、Ｙが７．５ａｔ％以上、１７．５ａｔ％以下、Ｂａ
が１５．０ａｔ％以上、４０．０ａｔ％以下、Ｃｕが４
２．５ａｔ％以上、７７．５ａｔ％以下の組成とし、こ
れを焼成した場合には、シャピロステップを有するジョ
セフソン接合素子を得ることがわかった。
を、Ｙが７．５ａｔ％以上、１７．５ａｔ％以下、Ｂａ
が１５．０ａｔ％以上、４０．０ａｔ％以下、Ｃｕが４
２．５ａｔ％以上、７７．５ａｔ％以下の組成とし、こ
れを焼成した場合には、シャピロステップを有するジョ
セフソン接合素子を得ることがわかった。
【００３３】さらにまた、好ましくは、アモルファス薄
膜の組成を、Ｙが１０．０ａｔ％以上、１５．０ａｔ％
以下、Ｂａが２２．５ａｔ％以上、３２．５ａｔ％以
下、Ｃｕが５２．５ａｔ％以上、６７．５ａｔ％以下の
組成で構成とし、これを焼成した場合には、この２個か
らなる超電導量子干渉計（Superconducting QUamtum In
terference Device,ＳＱＵＩＤ）において、出力電圧の
磁場応答が見られ、良好なＳＱＵＩＤ特性を有するジョ
セフソン接合素子を得ることが分かった。
膜の組成を、Ｙが１０．０ａｔ％以上、１５．０ａｔ％
以下、Ｂａが２２．５ａｔ％以上、３２．５ａｔ％以
下、Ｃｕが５２．５ａｔ％以上、６７．５ａｔ％以下の
組成で構成とし、これを焼成した場合には、この２個か
らなる超電導量子干渉計（Superconducting QUamtum In
terference Device,ＳＱＵＩＤ）において、出力電圧の
磁場応答が見られ、良好なＳＱＵＩＤ特性を有するジョ
セフソン接合素子を得ることが分かった。
【図１】第１実施例の複合型ジョセフソン接合素子製造
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
【図２】第１実施例の複合型ジョセフソン接合素子製造
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
【図３】第１実施例の複合型ジョセフソン接合素子製造
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
【図４】第１実施例の複合型ジョセフソン接合素子製造
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
【図５】第１実施例の複合型ジョセフソン接合素子製造
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
方法を説明する上面図（ａ）及びＡ−Ａ断面図（ｂ）で
ある。
【図６】本発明の第２実施例のジョセフソン接合素子の
特性を示す特性図である。
特性を示す特性図である。
【図７】本発明の第３実施例のジョセフソン接合素子の
ＳＱＵＩＤの電流電圧特性を示す特性図である。
ＳＱＵＩＤの電流電圧特性を示す特性図である。
【図８】本発明の第３実施例のジョセフソン接合素子の
ＳＱＵＩＤの電圧磁場特性を示す特性図である。
ＳＱＵＩＤの電圧磁場特性を示す特性図である。
【図９】本発明によるアモルファス薄膜の組成範囲を示
す三角組成図である。
す三角組成図である。
２ 超電導単結晶薄膜 ３ 超電導多結晶薄膜 ３１ 結晶粒界 ４ アモルファス薄膜 ４１ ブリッジ部（ジョセフソン接合部）
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの３元素化合酸化物のア
モルファス薄膜を熱処理で多結晶化した薄膜によりジョ
セフソン接合部分を構成するとともに、超電導単結晶薄
膜によりジョセフソン接合以外の部分を構成する、多結
晶薄膜と単結晶薄膜を複合した複合型ジョセフソン接合
素子において、 前記アモルファス薄膜は、Ｙが７．５ａｔ％以上、１
７．５ａｔ％以下、Ｂａが１５．０ａｔ％以上、４０．
０ａｔ％以下、Ｃｕが４２．５ａｔ％以上、７７．５ａ
ｔ％以下の組成で構成されることを特徴とする複合型ジ
ョセフソン接合素子。 - 【請求項２】 前記アモルファス薄膜は、Ｙが１０．０
ａｔ％以上、１５．０ａｔ％以下、Ｂａが２２．５ａｔ
％以上、３２．５ａｔ％以下、Ｃｕが５２．５ａｔ％以
上、６７．５ａｔ％以下の組成で構成されることを特徴
とする請求項１記載の複合型ジョセフソン接合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5065550A JPH06275876A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 複合型ジョセフソン接合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5065550A JPH06275876A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 複合型ジョセフソン接合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275876A true JPH06275876A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13290239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5065550A Withdrawn JPH06275876A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 複合型ジョセフソン接合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124534A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Fujitsu Ltd | 高温超伝導体膜及びその形成方法並びに超伝導素子 |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP5065550A patent/JPH06275876A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124534A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Fujitsu Ltd | 高温超伝導体膜及びその形成方法並びに超伝導素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |