JPH06275516A - 基板の周縁露光装置 - Google Patents

基板の周縁露光装置

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JPH06275516A
JPH06275516A JP5060419A JP6041993A JPH06275516A JP H06275516 A JPH06275516 A JP H06275516A JP 5060419 A JP5060419 A JP 5060419A JP 6041993 A JP6041993 A JP 6041993A JP H06275516 A JPH06275516 A JP H06275516A
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正夫 中島
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 必要な箇所でのみ露光幅が目標値に維持され
るように露光光束と基板周縁部との相対位置を制御でき
る周縁露光装置を提供する。 【構成】 基板1の周縁の露光幅が目標値Mに維持され
るように基板101と露光光束100との相対回転に対
する半径方向の相対位置を制御する相対位置制御手段1
02を備えた基板の周縁露光装置において、露光に先立
ち基板101の周縁形状に対応した外形情報を検出する
外形情報検出手段103と、検出された外形情報に基づ
いて基板101の周縁上の露光幅維持不要領域を検出す
る不要領域検出手段104と、露光光束100が露光幅
維持不要領域に位置するとき、露光幅の目標値Mからの
ずれ量に対する相対位置の制御量が圧縮されるように相
対位置制御手段102の制御特性を変更する制御特性変
更手段105とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造用の半
導体ウエハ等の基板の周縁部を露光する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハの製造工程では、基板の周
縁部でのレジストの剥がれを防止するため、基板の周縁
部を所定の露光幅(例えば1〜7mm程度)で露光するこ
とがある。この種の露光に用いる装置としては、例えば
特開平4−72614号公報に記載されているように、
基板の周縁部に向って露光光束を照射する照射部と、露
光光束による基板周縁部の露光幅が目標値に一致するよ
うに、基板の回転位置に応じて照射部を基板の半径方向
に移動させる露光幅制御手段とを備えたものが知られて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した装置では、基
板の全周において照射部を基板の周縁形状に倣って移動
させるので、例えばオリエンテーションフラット(以
下、OFと称する。)と呼ばれる基板の位置合わせ用の
切欠きが形成されているときは、当該OFにも照射部が
追従して露光幅が一定に維持される。OFに代え、ノッ
チと呼ばれる深さ1mm程度の小さな切欠を形成した場
合、あるいは基板の周縁部に欠損が生じているときも上
記と同様で、照射部がノッチや欠損部分に追従する。と
ころが、これらノッチや欠損部分はOFに比して小さい
ので照射部を追従させる必要性は少なく、むしろ照射部
を追従させた結果として、基板周縁部の露光領域がノッ
チ等の形状に沿って基板中心側へ突出し、基板の有効面
積(例えばパターン形成可能な領域の面積)が減少する
ことの方が問題となる。
【0004】本発明の目的は、必要な箇所でのみ露光幅
が目標値に維持されるように露光光束と基板周縁部との
相対位置を制御できる基板の周縁露光装置を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】図1に対応付けて説明す
ると、本発明は、露光光束100と基板101とを基板
101の周縁に沿って相対回転させて露光する際に、基
板101の周縁の露光幅が目標値Mに維持されるように
基板101と露光光束100との相対回転に対する半径
方向の相対位置を制御する相対位置制御手段102を備
えた基板の周縁露光装置に適用される。そして、上述し
た目的は、露光に先立って基板101の周縁形状に対応
した外形情報を検出する外形情報検出手段103と、検
出された外形情報に基づいて基板101の周縁上の露光
幅維持不要領域を検出する不要領域検出手段104と、
露光光束100が露光幅維持不要領域に位置するとき、
露光幅の目標値Mからのずれ量に対する相対位置の制御
量が圧縮されるように相対位置制御手段102の制御特
性を変更する制御特性変更手段105とを備えることに
より達成される。制御特性変更手段105は、露光幅維
持不要領域以外での外形情報に基づいて露光幅維持不要
領域での相対位置の制御量を設定する制御量補完手段1
05Aを備えることができる。制御量補完手段105A
では、例えば露光幅維持不要領域の前後に隣接する二つ
の位置での外形情報に基づいて露光幅維持不要領域での
相対位置の制御量を設定する。制御特性変更手段105
は、露光幅維持不要領域にて相対位置制御手段のゲイン
を低下させて相対位置の制御量を圧縮することもでき
る。不要領域検出手段104は、例えば外形情報に基づ
いて得られる基板101の周縁形状の変化の程度により
露光幅維持不要領域か否かを判別する。
【0006】
【作用】基板101の外形情報が検出されると、これに
基づいて露光幅維持不要領域が検出される。露光時に、
露光光束100と基板101との相対回転に伴って露光
光束100が露光幅維持不要領域に達すると、相対位置
制御手段102による相対位置の制御特性が変更され、
露光幅の目標値Mと現実の露光幅とのずれ量に対する相
対位置の制御量が圧縮される。
【0007】
【実施例】以下、図2〜図8を参照して本発明の一実施
例を説明する。図2は本実施例に係る露光装置の概略構
成を示す図で、1は露光対象のウエハ、2はウエハ1を
吸着保持するターンテーブル(以下、テーブルと略称す
る。)、3はテーブル2を回転駆動させるモータ、4は
モータ3の回転位置に対応した信号を出力する例えばロ
ータリーエンコーダ等の回転位置検出器、5はテーブル
2を回転自在に支持するベースである。モータ3の回転
軸とほぼ垂直な平面内でウエハ1が回転するように、モ
ータ3はテーブル2を回転駆動する。6は超高圧水銀灯
等を用いた光源で、その照明光は楕円鏡7、ミラー8、
シャッタ9および波長選択フィルタ10を介してレンズ
11に入射し、光ファイバー12の端面に集光されて照
射部14に導かれる。13は波長選択フィルタ10を光
路中に挿入したり、光路から退出させる駆動部で、フィ
ルタ10が光路中に挿入されると、ウエハ1のレジスト
に対する感応性が高い波長域の照明光がカットされる。
このフィルタ10でカットされる波長域の光束が露光光
束であり、以下ではフィルタ10を通過した光束、すな
わち露光光束を含まない光束を非露光光束と呼ぶ。
【0008】15は照射部14から照射される照明光束
16を所望形状(本実施例では矩形状)に成形する絞
り、17は照明光束16を受光して受光状態に応じた信
号を出力する受光部、18は照射部14および受光部1
7を一体に保持するホルダである。ホルダ18は、ベー
ス5に取り付けたリニアガイド21上をスライダ22と
ともに移動可能とされ、このホルダ18をウエハ1側に
接近させたとき照射部14と受光部17との間にウエハ
1の周縁部が入り込む。ホルダ18をウエハ1から最も
離れた領域へ移動させると、照射部14と受光部17と
の間にダミーウエハ20が入り込む。19はホルダ18
が図の左端位置から一定範囲にあるときのホルダ18の
位置を検出する位置検出器である。
【0009】図3に示すように、受光部17は、ホルダ
18の移動方向(矢印S方向)に延在する一対の長方形
状の受光素子17aと、照明光束16のウエハ1側のエ
ッジから所定距離Lだけ離間して配置されたピンホール
状のエッジセンサ17bと、照明光束16のウエハ1と
反対側のエッジの近傍に配置された受光素子17cとを
有する。受光素子17aはホルダ18の移動に応じてそ
の一部がウエハ1の周縁部またはダミーウエハ20のエ
ッジ20aに覆われ、これらで遮光されることなく受光
部17へ到達した照明光束16(図2参照)の光量に応
じた信号Seを出力する。エッジセンサ17bは照明光
束16を受光するか否かでレベルが異なる信号Bを出力
する。そして、受光素子17cはホルダ18の位置に関
係なく常にその全面で照明光束16を受光し、照明光束
16の強度に応じた信号Cを出力する。
【0010】図2に示すように、スライダ22の下面に
取り付けられた移動ブロック23は不図示のばねにより
図中右方へ常時付勢され、回転アーム24の回転位置に
応じてローラ25,26のいずれかと圧接する。これに
より、モータ27で回転アーム24を回転させると、そ
の回転方向および回転量に応じて移動ブロック23がリ
ニアガイド21上を移動してホルダ18の位置が変化す
る。モータ27の回転位置は図4に示すロータリーエン
コーダ等の回転位置検出器28で検出される。
【0011】図4は本実施例の露光装置の制御系のブロ
ック図である。制御部30は駆動回路31,32へ駆動
信号を出力してモータ3,27の回転を制御するととも
に、駆動部13へ駆動信号を出力してフィルタ10の動
作を制御する。制御部30には、制御のための情報とし
て、回転位置検出器4,28が出力するモータ3,27
の回転位置に応じた信号と、位置検出器19が出力する
ホルダ18の位置に応じた信号と、受光部17が出力す
る受光状態に応じた信号とが入力され、これらの信号に
基づいて制御部30は後述する各種の処理を実行する。
33は制御部30の外部メモリである。なお、制御部3
0には不図示の指令器によりウエハ1の種類および露光
条件に関する情報が与えられる。この情報には、ウエハ
1の直径やOFの有無、OFがあればその形状寸法、ウ
エハ1の露光量、周縁部の目標露光幅に関する情報が含
まれる。
【0012】次に、制御部30による処理を図6〜図8
を参照して説明する。なお、以下の説明では、図5に示
すようにOFを有するウエハ1の周縁部を一定幅Mにて
露光する場合を例とする。ウエハ1の周縁部には、周方
向に長い第1の欠損D1と、略V字状の第2の欠損D2
とが生じているものとする。
【0013】図6は制御部30による一連の処理を示す
フローチャートである。露光すべきウエハ1がテーブル
2に吸着され、その種類および露光条件に関する情報が
入力されると図示の処理が開始される。まず、ステップ
S1では、受光部17の受光素子17cからの信号Cに
基づいて、ウエハ1のレジストに適した露光量にて露光
が行なわれるようにモータ3の回転速度を演算し、演算
結果を速度情報として記憶する。
【0014】ステップS2では目標露光幅Mに対応する
受光部17の出力信号を測定するキャリブレーション処
理を行なう。すなわち、ダミーウエハ20のエッジ20
aに向けて徐々にホルダ18を移動させ、エッジ20a
がエッジセンサ17bに達して信号Bのレベルが変化し
た位置を位置検出器19で検出する。そして、目標露光
幅Mと距離L(図3参照)との差分だけホルダ18をウ
エハ1側またはその反対側へ移動させ、そのときの受光
素子17aの信号Seを受光素子17cの信号Cで除し
た値Se/Cを基準信号Sbとして記憶する。信号Se
を受光素子17cの信号Cで除した値を用いるのは、照
明光束16の強度変化による信号Seの変化の影響を排
除するためである。以下では便宜上、Se/Cを受光部
17からの出力信号と呼ぶ。
【0015】ステップS3ではウエハ1の周縁形状に対
応する第1の外形情報を検出する。この第1の外形情報
は、照明光束16の一部がウエハ1の周縁部と重なる位
置にホルダ18を固定し、かつフィルタ10を照明光の
光路中に挿入して照明光束16を非露光光束とした状態
で、ウエハ1を一定速度で回転させて受光部17からの
信号Se/Cの変化を検出することで得られる。このと
き、受光部17からの信号Se/Cは、テーブル2の回
転中心に対するウエハ1の偏心状態とウエハ1の周縁形
状に応じて変化する。例えば、図5のウエハ1では、図
7(a)に示すようにウエハ1の偏心状態に応じて信号
Se/Cが緩やかに変化するとともに、OFおよび欠損
D1,D2に対応する領域A1〜A3で受光素子17a
の受光量が急変して信号Se/Cが乱れる。検出した第
1の外形情報はメモリ33に記憶する。
【0016】ステップS4では、ステップS3で検出し
た第1の外形情報に基づいてウエハ1の周縁部の露光幅
維持不要領域の検出処理を行なう。この処理を図7およ
び図8を参照して説明する。図8に示すように、制御部
30はステップS401でメモリ33に記憶した第1の
外形情報を読み出し、ステップS402で第1の外形情
報を微分処理する。図7(a)の波形を微分処理した例
を同図(b)に示す。続くステップS403では、微分
処理で得られた波形に基づいてウエハ1の外形変化位置
を検出する。テーブル2に対するウエハ1の偏心は一般
に僅かなため、外形情報を微分して得られる波形はウエ
ハ1の周縁形状の変化部分で正または負方向へ大きく変
化する。したがって、信号Se/Cの微分値の絶対値が
所定の閾値以上か否かを判断し、閾値を越えた位置を外
形変化位置と判断する。
【0017】ステップS404では、先に検出した外形
変化位置に基づいて外形変化領域Anを識別し、領域A
n毎に中心角θn、微分値のピーク高さdnを求める。
次のステップS405では、ウエハ1に関する情報とし
て予め与えられたOFの中心角θOF(図5参照)、微分
値のピーク高さdOFを演算し、演算結果とステップS4
04で求めた外形変化領域毎のθn、dnとを比較して
OFの位置を特定する。図7(b)の例では測定開始位
置から2番目の領域A2がOFであると特定される。な
お、中心角θOF、ピーク高さdOFは、OFの形状寸法
と、第1の外形情報検出処理時(図6のステップS3)
でのテーブル2の回転速度とに基づいて予め求めること
ができる。
【0018】続くステップS406では、OFとして特
定された領域A2を除く領域Anを露光幅維持不要領域
として特定し、それぞれの位置を記憶する。位置の定義
方法としては、例えばOFとされた領域A2での微分値
が反転する位置をOFの中心位置とし、この位置から反
時計方向へ図った角度で露光幅維持不要領域A1,A3
を表すことができる。なお、図7(b)の例では、領域
A1が第1の欠損D1に対応し、領域A3が第2の欠損
D2に対応する。この後、露光幅維持不要領域検出処理
を終了して図6の処理へ戻る。
【0019】なお、図8では省略したが、露光装置のウ
エハ把持用の爪との接触に備えて当該爪との当接部45
a〜45cの露光幅を目標露光幅Mよりも大きく設定す
るときは、当接部45a〜45cのOFの中心位置から
の角度α1〜α3を予めウエハ1に関する情報として与
え、この情報と検出したOFの位置とに基づいて当接部
45a〜45cの位置を割出せばよい。
【0020】露光幅維持不要領域検出処理を終了した後
は、ステップS5にてダミートラッキング処理を行な
う。この処理では、フィルタ10を照明光の光路中に挿
入したままウエハ1を少なくとも一回転させ、ステップ
S2のキャリブレーション処理で検出した基準信号Sb
(目標露光幅Mに対応する信号Se/C)と、現時点で
の受光部17からの出力信号Se/Cとの偏差Sdが零
となるように、ウエハ1の回転位置に応じてホルダ18
の位置を調整する。当接部45a〜45cを設けるとき
は、かかる部分のみ偏差Sdが予め定めた値となるよう
に制御する。ダミートラッキング時には、回転位置検出
器28の出力信号に基づいてウエハ1の半径方向におけ
るホルダ18の位置を検出し、検出結果をウエハ1の回
転位置と対応させてメモリ33に記憶する。ホルダ18
はウエハ1の外形に倣ってウエハ1の半径方向に移動す
るので、メモリ33に記憶されたホルダ18の位置のデ
ータはウエハ1の周縁形状に対応して変化する。以下、
この情報を第2の外形情報と呼ぶ。
【0021】ダミートラッキング処理を終えた後は、ス
テップS6にて外形情報修正処理を行なう。この処理で
は、図7(c)に示すように、ステップS4で検出した
露光幅調整領域Anの情報に基づいてメモリ33に記憶
した波形中の露光幅調整領域Anを求め、これらの領域
の波形を修正する。この修正は、目標露光幅Mと現実の
露光幅とのずれ量に対するホルダ18の位置の制御量が
圧縮されるように行なう。図7(c)の例では、ウエハ
1の周方向に占める長さが比較的短い領域A3について
は、領域A3の前後に隣接する2点P1,P2が直線で
結ばれるように第2の外形情報を修正する。ウエハ1の
周方向に占める長さが比較的長い領域A1は、領域A1
〜A3を除いた第2の外形情報の変化に基づいてウエハ
1の偏心状態を演算し、第1の欠損D1がなかったとし
た場合の第2の外形情報の変化曲線を推定して元のデー
タと置換する。
【0022】第2の外形情報の修正後はステップS7に
進んで露光を行なう。この露光では、フィルタ10を光
路中から退避させて照明光束16を露光光束とした上
で、テーブル2をステップS1で求めた速度で回転させ
つつ、メモリ33に記憶した修正後の第2の外形情報
と、回転位置検出器28が検出するホルダ18の現在位
置とが一致するようにホルダ18の位置を制御する。
【0023】以上の処理によれば、現実の露光幅が目標
露光幅Mと一致するようにホルダ18の位置が第2の外
形情報に倣って調整される。露光幅維持不要領域A1,
A3では、目標露光幅Mと現実の露光幅とのずれ量に対
するホルダ18の位置の制御量が圧縮されるように第2
の外形情報が修正されるので、露光幅維持不要領域A
1,A3とされた第1の欠損D1および第2の欠損D2
の部分では、図5に示すようにウエハ1の周縁形状に対
するホルダ18の追従性が低下して実際の露光幅が目標
露光幅Mより狭くなる。これにより、ウエハ1の有効面
積の無駄な減少が抑制される。
【0024】本実施例では、第1の外形情報に基づいて
露光幅維持不要領域を選別し、その結果に基づいて第2
の外形情報を修正したが、ダミートラッキング処理で得
た第2の外形情報に基づいて露光幅維持不要領域を検出
し、データ修正を行なってもよい。OFに代えてノッチ
が形成されたウエハが露光対象のときは、ノッチか欠損
かを問わず外形情報の微分値の絶対値が所定の閾値を越
える部分をすべて露光幅維持不要領域と認識すればよ
い。露光幅維持不要領域の検出に際しては、外形情報を
必ずしも微分処理する必要はなく、外形情報の波形から
露光幅維持不要領域を特定してもよい。ウエハ1の偏心
量が大きくて1回の微分処理だけでは露光幅維持不要領
域を特定できないときは、2回あるいはそれ以上微分処
理を繰り返してもよい。
【0025】本実施例ではダミートラッキング処理で得
られた第2の外形情報とホルダ18の現在位置とを比較
して露光幅を制御する装置を例としたが、本発明はこれ
に限るものではなく、受光部17からの出力信号が一定
となるようにホルダ18の位置を制御して露光を行なう
装置にも適用可能である。この場合は、第1の外形情報
から露光幅維持不要領域を求める迄の処理を本実施例と
同様に行なった後、露光幅維持不要領域でのホルダ18
の位置の制御量をウエハ1の形状寸法に関する情報や第
1の外形情報に基づいて決定し、露光時に露光光束が露
光幅維持不要領域に入ったとき、受光部17からの信号
に基づくホルダ18の位置制御を中断して予め定めた制
御量でホルダ18の位置を調整すればよい。
【0026】露光幅維持不要領域にて目標露光幅Mと現
実の露光幅とのずれ量に対するホルダ18の位置の制御
量を圧縮させるには、露光幅維持不要領域のみホルダ1
8の位置の制御系のゲインを低下させ、ウエハ1の外形
形状の変化に対するホルダ18の応答性を鈍くしてもよ
い。
【0027】以上の実施例と請求項との対応において、
制御部30が相対位置制御手段、外形情報検出手段、不
要領域検出手段、制御特性変更手段および制御量補完手
段を構成する。露光光束と基板との相対回転は、露光光
束側を基板に沿って回転させても得られる。露光光束と
基板との相対回転に対する半径方向の相対移動は、基板
側を移動させても得られる。基板は円形に限らず多角形
のものでもよい。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では露光に
先立って基板の外形情報を検出して露光幅維持不要領域
を選別し、露光時には、露光幅維持不要領域にて露光幅
の目標値と現実の露光幅とのずれ量に対する露光光束と
基板との相対位置の制御量を圧縮するので、必要な箇所
でのみ露光幅が目標値に維持されるように露光光束と基
板周縁部との相対位置が制御される。このため、基板の
有効面積が無駄に減少せず、例えば半導体ウエハの場合
にはチップ歩留り率が向上するなど、基板をより有効に
利用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のクレーム対応図。
【図2】本発明の実施例の露光装置の概略構成を示す
図。
【図3】図2の受光部の詳細を示す図。
【図4】図2の露光装置の制御系のブロック図
【図5】図2の露光装置が露光対象とするウエハの一例
を示す図。
【図6】図4の制御部での処理手順を示すフローチャー
ト。
【図7】図4の制御部での処理を説明するための図で、
(a)は第1の外形情報を、(b)は(a)の波形を微
分処理したときの波形を、(c)は第2の外形情報を示
す図である。
【図8】図6の露光幅維持不要領域検出処理の手順を示
すフローチャート。
【符号の説明】
1 ウエハ 6 光源 14 照射部 16 照射光束 17 受光部 30 制御部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光光束と基板とを当該基板の周縁に沿
    って相対回転させて露光する際に、前記基板の周縁の露
    光幅が目標値に維持されるように前記基板と前記露光光
    束との前記相対回転に対する半径方向の相対位置を制御
    する相対位置制御手段を備えた基板の周縁露光装置にお
    いて、 前記露光に先立って、前記基板の周縁形状に対応した外
    形情報を検出する外形情報検出手段と、 検出された外形情報に基づいて前記基板の周縁上の露光
    幅維持不要領域を検出する不要領域検出手段と、 前記露光光束が前記露光幅維持不要領域に位置すると
    き、前記露光幅の目標値からのずれ量に対する前記相対
    位置の制御量が圧縮されるように前記相対位置制御手段
    の制御特性を変更する制御特性変更手段と、を備えるこ
    とを特徴とする基板の周縁露光装置。
  2. 【請求項2】 前記制御特性変更手段は、前記露光幅維
    持不要領域以外での前記外形情報に基づいて当該露光幅
    維持不要領域での前記相対位置の制御量を設定する制御
    量補完手段を備えることを特徴とする請求項1記載の基
    板の周縁露光装置。
  3. 【請求項3】 前記制御量補完手段は、前記露光幅維持
    不要領域の前後に隣接する二つの位置での前記外形情報
    に基づいて当該露光幅維持不要領域での前記相対位置の
    制御量を設定することを特徴とする請求項2記載の基板
    の周縁露光装置。
  4. 【請求項4】 前記制御特性変更手段は、前記露光幅維
    持不要領域にて前記相対位置制御手段のゲインを低下さ
    せて前記相対位置の制御量を圧縮することを特徴とする
    請求項1記載の基板の周縁露光装置。
  5. 【請求項5】 前記不要領域検出手段は、前記外形情報
    に基づいて得られる前記基板の周縁形状の変化の程度に
    より前記露光幅維持不要領域か否かを判別することを特
    徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の基板の周縁
    露光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100591674B1 (ko) * 2001-05-21 2006-06-19 우시오덴키 가부시키가이샤 주변 노광 장치
KR100591677B1 (ko) * 2001-09-17 2006-06-19 우시오덴키 가부시키가이샤 주변 노광 장치
JP2011009626A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Olympus Corp 基板検査方法および基板検査装置

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