JPH06268524A - Ｃｍｏｓアナログ回路を使用したカメラコントローラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】カメラのアナログＣＭＯＳ回路とマイコンを１
チップ化すること。 【構成】ＣＭＯＳアナログ回路を使用したカメラコント
ローラは、マイクロコンピュ―タ１と、Ｐウェル若しく
はＮウェルをベ―スとし当該Ｐウェル若しくはＮウェル
内部のＮ⁺ をエミッタとする寄生バイポ―ラトランジス
タを有するＣＭＯＳプロセスで構成した対数圧縮型の測
距回路ブロック４又は測光回路ブロック１３等を同一チ
ップ上に構成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カメラ制御用のＣＭＯ
Ｓアナログ回路を使用したカメラコントローラに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、カメラの電気系の構造上の技術
の推移について考えると、先ず第１段階ではＣＭＯＳか
らなるシーケンス制御回路と、バイボーラ（以下、Ｂｉ
ｐと称す）からなる自動露出（以下、ＡＥと称す）回
路、自動焦点調整（以下、ＡＦと称す）回路などを接続
したものとなっていた。そして、第２段階では、ＣＭＯ
Ｓからなるマイクロコンピュータ（以下、マイコンと称
す）とＢｉｐからなるＡＥ，ＡＦ回路などを接続したも
のとなっていた。

【０００３】そして、これを更に押し進めた技術とし
て、例えば「写真工業；１９８８年５月号８８頁」に示
される如くＣＭＯＳからなるマイコンとＢｉｐからなる
ＡＥ回路などをＢｉ−ＣＯＳプロセスにて１チップ化し
たものが登場した。ここで、Ｂｉｐからなる回路をＡ
Ｅ，ＡＦ回路などに用いるのは、過去の流れを引きずっ
ていること、アナログ回路はＢｉｐの方が設計しやすい
こと、Ｂｉｐの方が大電流を流しやすいこと等が起因し
ている。

【０００４】さらに、ＣＭＯＳのマイコンを使用したＡ
Ｆ回路としては、一般的に反射光量積分型が用いられて
いる。この他、カメラに関する技術においては、近年、
ＬＣＤにより表示が多用されており、当該ＬＣＤによる
場合、周囲温度による悪影響を受けることに鑑み、ＬＣ
Ｄ駆動源としてＤ／Ａコンバータの電圧を温度により変
更する技術も提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
ＣＭＯＳマイコンとＢｉｐ回路とを１チップ化しようと
すると、その製造過程でＢｉｐ−ＣＭＯＳプロセスの工
程が必要となり、リードタイムが長くなると共にコスト
も高くなる。また、アナログ部をＢｉｐとしていること
により消費電流も大きくなる。

【０００６】そして、上記ＣＭＯＳのマイコンを使用し
たＡＦ回路として用いられている反射光量積分型装置は
対数圧縮をすることができず、割算機能もないため、高
精度な測距装置を得ようとすると回路規模が大きくなる
という欠点がある。

【０００７】さらに、カメラのＡＦ回路、ＡＥ回路、リ
モコン回路等は微弱な信号を扱うことからノイズに弱い
という欠点があり、従来、これを防ぐためには部品配置
やパターンを工夫する位しか対策がなかった。

【０００８】また、カメラに関する技術においては、種
々のところでデジタルタイマが使用されているが、この
デジタルタイマはクロックを必要とし、このクロックの
ノイズがカメラの撮影動作に必要な種々の測定回路に悪
影響を与えてしまう。

【０００９】そして、上記したように温度測定のための
センサをパワー系のドライブ回路を含んだチップ状に配
設すると、供給すべき電圧にエラーを生じ、適切な表示
とならない。

【００１０】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、第１にリードタイムやコ
ストマイコン並みの新たなＣＭＯＳアナログプロセスの
ＡＥ回路、ＡＦ回路を提供し、第２に低コスト及び短納
期で且つ消費電流の少ないアナログ回路を含むマイコン
提供し、第３に通常のマイコンのＣＭＯＳプロセスにお
いて構成可能な対数圧縮型測距回路を提供し、第４に通
常のマイコンのＣＭＯＳプロセス内に構成可能な対数圧
縮型測光回路を提供し、第５にマイコン駆動用の原振の
クロックノイズの影響を除去し、第６にクロックを必要
としないタイマを提供し、第７に集積回路の温度が自己
発熱で上昇する場合でも鮮明な表示を得るＬＣＤ駆動温
度補正回路を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様によるＣＭＯＳアナログ回路を
使用したカメラコントローラでは、マイクロコンピュ―
タと、Ｐウェル若しくはＮウェルをベ―スとし当該Ｐウ
ェル若しくはＮウェル内部のＮ⁺ をエミッタとする寄生
バイポ―ラトランジスタを有するＣＭＯＳプロセスで構
成した対数圧縮型の測距回路又は測光回路とを同一チッ
プ上に構成したことを特徴とする。

【００１２】そして、第２の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、カメラ制御
用マイクロコンピュータコアと、カメラの撮影動作に必
要な測定回路と、バイポ―ラトランジスタを直接駆動す
る大電流ソ―ス回路とを同一チップ上に有するカメラ用
マイクロコンピュータにおいて、上記電池と直列に接続
された第１の電源端子と、上記電池をと並列に接続した
電源バックアップ用コンデンサに接続された第２の電源
端子とを具備し、上記カメラ制御用マイクロコンピュー
タコアと上記カメラ用の測定回路は上記第２の電源端子
から給電し、上記大電流ソ―ス回路の少くとも大電流ソ
―ス源としては上記第１の電源端子から給電することを
特徴とする。

【００１３】さらに、第３の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラは、同一チップ上
にカメラ制御用マイクロコンピュータとカメラ用測定回
路とバイポ―ラトランジスタを直接駆動する大電流シン
ク回路とを有するカメラ用１チップマイクロコンピュー
タにおいて、上記カメラ制御用マイクロコンピュータの
為の第１のグランドパッドと、上記第１のグランドパッ
ドに接続された第１のＩＣリ―ドと、上記カメラ用測定
回路の為の第２のグランドパッドと、上記第２のグラン
ドパッドに接続された第２のＩＣリ―ドと、上記大電流
シンク回路の為の第３のグランドパッドと、上記第３の
グランドパッドに接続された第３のＩＣリ―ドとを具備
することを特徴とする。

【００１４】また、第４の態様によるＣＭＯＳアナログ
回路を使用したカメラコントローラでは、上記第１のグ
ランドパッドと第２のグランドパッドを共通としたこと
を特徴とする。

【００１５】そして、第５の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、ＣＭＯＳア
ナログ回路を同一チップ上に構成した１チップマイクロ
コンピュ―タを有するカメラにおいて、上記ＣＭＯＳア
ナログ回路には少なくとも自動焦点調整回路、自動露光
回路、リモートコントロール回路、測温回路のいずれか
を含み、カメラの撮影可能状態の場合は、少なくとも上
記いづれかの回路は電源供給されていることを特徴とす
る。

【００１６】さらに、第６の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、測距対象に
向けてパルス投光する投光手段と、上記測距対象からの
反射光を受光するために上記投光手段から基線長離れた
位置に配置された半導体位置検出素子と受光レンズから
なる受光手段と、上記半導体位置検出素子のパルス光電
流をＣＭＯＳプロセス中のＰウェル若しくはＮウェルを
ベ―スとし当該Ｐウェル若しくはＮウェル内部のＮ⁺ を
エミッタとする寄生バイポ―ラトランジスタのベ―スに
入力するＭＯＳトランジスタ回路と、上記ＭＯＳトラン
ジスタ回路の出力に基づいて測距対象までの距離を演算
する測距演算手段とを具備することを特徴とする。

【００１７】また、第７の態様によるＣＭＯＳアナログ
回路を使用したカメラコントローラでは、ＣＭＯＳプロ
セス中のＰウェル若しくはＮウェルの内部のＮ⁺ をエミ
ッタとする第１及び第２の寄生バイポ―ラトランジスタ
と、被写体輝度に応じて変化する光感応素子と、上記第
１の寄生バイポ―ラトランジスタのエミッタ電位をＡ／
Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段とを具備し、上記光感応素子
を上記第１の寄生バイポ―ラトランジスタのエミッタに
電気的に接続し、上記第１の寄生バイポーラトランジス
タのベ―スを第２の寄生バイポ―ラトランジスタのベ―
スに電気的に接続し、上記第２の寄生バイポ―ラトラン
ジスタのエミッタに定電流源を接続したことを特徴とす
る。

【００１８】そして、第８の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、アナログ回
路を同一チップ上に構成した１チップマイクロコンピュ
―タを含むカメラにおいて、上記アナログ回路には、少
なくとも自動焦点調整回路、自動露光回路、リモートコ
ントロール回路のうちのいづれかを含み、少なくとも上
記回路のいづれかを動作させる時はマイクロコンピュー
タの原振を停止し、測定又は受信完了信号で再び原振を
動作させることを特徴とする。

【００１９】さらに、第９の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、基準電流源
と、上記電流を充電する充電部と、基準電圧設定部と、
充電電圧と基準電圧を比較する比較部と、上記比較部出
力に応じて発振を開始する発振制御部とを具備すること
を特徴とする。

【００２０】また、第１０の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、上記アナロ
グタイマには、温度による補正を行なう補正手段を含む
ことを特徴とする。

【００２１】そして、第１１の態様によるＣＭＯＳアナ
ログ回路を使用したカメラコントローラでは、大電流を
制御するパワ系回路と、ＬＣＤ表示用電源用Ｄ／Ａコン
バ―タと、パワ系を駆動したかどうかを記憶する記憶部
と、パワ系を駆動した後所定時間経過したか否かをカウ
ントするタイマと、所定時間経過後に上記記憶部をクリ
アするクリア手段と、測温回路と、当該測温回路の出力
に応じて上記Ｄ／Ａコンバ―タの出力を設定する設定手
段とを具備し、上記記憶部がクリアされていない場合に
は、上記設定手段の作動を禁止することを特徴とする。

【００２２】

【作用】即ち、本発明の第１の態様によるＣＭＯＳアナ
ログ回路を使用したカメラコントローラでは、マイクロ
コンピュ―タと、Ｐウェル若しくはＮウェルをベ―スと
し当該Ｐウェル若しくはＮウェル内部のＮ⁺ をエミッタ
とする寄生バイポ―ラトランジスタを有するＣＭＯＳプ
ロセスで構成した対数圧縮型の測距回路又は測光回路と
が同一チップ上に構成されている。

【００２３】そして、第２の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、カメラ制御
用マイクロコンピュータコアとカメラ用の測定回路は第
２の電源端子から給電し、大電流ソ―ス回路の少くとも
大電流ソ―ス源としては第１の電源端子から給電する。

【００２４】さらに、第３の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、カメラ制御
用マイクロコンピュータの為の第１のグランドパッドに
第１のＩＣリ―ドが接続され、上記カメラ用測定回路の
為の第２のグランドパッドに第２のＩＣリ―ドが接続さ
れ、上記大電流シンク回路の為の第３のグランドパッド
に第３のＩＣリ―ドが接続されている。

【００２５】また、第４の態様によるＣＭＯＳアナログ
回路を使用したカメラコントローラでは、上記第１のグ
ランドパッドと第２のグランドパッドを共通としてい
る。

【００２６】そして、第５の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、ＣＭＯＳア
ナログ回路には少なくとも自動焦点調整回路、自動露光
回路、リモートコントロール回路、測温回路のいずれか
を含み、カメラの撮影可能状態の場合は、少なくとも上
記いづれかの回路は電源供給されている。

【００２７】さらに、第６の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、投光手段が
測距対象に向けてパルス投光すると、この投光手段から
基線長離れた位置に配置された半導体位置検出素子と受
光レンズからなる受光手段が、その測距対象からの反射
光を受光する。そして、ＭＯＳトランジスタ回路が上記
半導体位置検出素子のパルス光電流をＣＭＯＳプロセス
中のＰウェル若しくはＮウェルをベ―スとし、当該Ｐウ
ェル若しくはＮウェル内部のＮ⁺ をエミッタとする寄生
バイポ―ラトランジスタのベ―スに入力すると、測距演
算手段が、このＭＯＳトランジスタ回路の出力に基づい
て測距対象までの距離を演算する。

【００２８】また、第７の態様によるＣＭＯＳアナログ
回路を使用したカメラコントローラでは、光感応素子が
上記第１の寄生バイポ―ラトランジスタのエミッタに電
気的に接続されており、上記第１の寄生バイポーラトラ
ンジスタのベ―スが第２の寄生バイポ―ラトランジスタ
のベ―スに電気的に接続されており、上記第２の寄生バ
イポ―ラトランジスタのエミッタが定電流源に接続され
ている。

【００２９】そして、第８の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、アナログ回
路には、少なくとも自動焦点調整回路、自動露光回路、
リモートコントロール回路のうちのいづれかを含み、少
なくとも上記回路のいづれかを動作させる時はマイクロ
コンピュータの原振を停止し、測定又は受信完了信号で
再び原振を動作させる。

【００３０】さらに、第９の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、基準電流源
と、上記電流を充電する充電部と、基準電圧設定部と、
充電電圧と基準電圧を比較する比較部と、上記比較部出
力に応じて発振を開始する発振制御部とを具備する。

【００３１】また、第１０の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、上記アナロ
グタイマには、温度による補正を行なう補正手段を含
む。

【００３２】そして、第１１の態様によるＣＭＯＳアナ
ログ回路を使用したカメラコントローラでは、記憶部が
クリアされていない場合には、上記設定手段の作動を禁
止する。

【００３３】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。

【００３４】図１は、本発明の第１の実施例に係るＣＭ
ＯＳアナログ回路を使用したカメラコントローラの構成
を示す図である。第１の実施例は、アナログ回路をＣＭ
ＯＳで構成しＣＭＯＳアナログ回路とマイクロコンピュ
ータを１チップ化した構成となっている。

【００３５】詳細には同図に示すように、ＣＰＵ（μ−
ｃｏｍコア）１と昇圧回路ブロック２、リモコン回路ブ
ロック３、測距回路ブロック４、ＮＰＮモータプリドラ
イバ回路ブロック５、モータ定電圧回路ブロック６、Ｔ
安定Ｔ比例ＤＡＣ回路ブロック７、コンパレータ８、
Ｂ．Ｃ回路ブロック９、測温回路ブロック１０、リセッ
ト回路ブロック１１、基準電圧回路ブロック１２、測光
回路ブロック１３、ストロボ充電検出回路ブロック１
４、ＰＩ／ＰＲ検出回路ブロック１５、ＰＬＥＤドライ
バ回路ブロック１６、ＰＮＰプリドライバ回路ブロック
１７が一体に構成されており、その周辺にＥＥＰＲＯＭ
１８、ＬＣＤ２１、スイッチ２０、ストロボ回路ブロッ
ク１９が設けられている。

【００３６】以下、図２乃至図４のフロ―チャ―トを参
照して、第１の実施例に係るＣＭＯＳアナログ回路を使
用したカメラコントローラの動作について詳細に説明す
る。

【００３７】先ず図２のフローチャートを参照して、第
１の実施例に係るＣＭＯＳアナログ回路を使用したカメ
ラコントローラのメインシーケンスについて説明する。

【００３８】電池が投入されると、リセット回路ブロッ
ク１１によりリセットがかかり、ＣＰＵ１のプログラム
がスタ―トする。そして、ＣＰＵ１のフラグ、ＲＡＭや
ポ―ト及びアナログ回路部の初期設定が行なわれる（ス
テップＳ１０１）。さらに、Ｂ．Ｃ回路ブロック９によ
りバッテリ―チェックが行なわれ、その結果がＯＫの場
合には次のステップＳ１０３に移行する（ステップＳ１
０２）。そして、昇圧回路ブロック２を“オン”するこ
とによりシステム全体の電圧を保証する（ステップＳ１
０３）。

【００３９】続いて、ステップＳ１０４の割込み許可で
は、スイッチ２０のブロック内にある図示しないレリ―
ズスイッチやパワスイッチ、アトブタ開閉スイッチ、フ
イルム巻戻しスイッチなどの許可を行なう（Ｓ１０
４）。そして、パワスイッチが“オン”の場合はステッ
プＳ１１１に移行し、“オフ”の場合にはステップＳ１
０６に移行する（Ｓ１０５）。

【００４０】このステップＳ１０６では、ＡＦ回路を
“オフ”したり、昇圧回路を“オフ”したり、ＬＣＤ２
１を“オフ”したり、ポ―トを電流の流れない状態にす
るなどの消エネモ―ドを設定する。そして、パワ駆動フ
ラグが“オン”の場合には、一定時間経過してからパワ
駆動フラグを“オフ”した後（ステップＳ１０８，Ｓ１
０９）、ＣＰＵ１の原振を止めストップ状態とする（ス
テップＳ１１０）。このストップ状態で受けつけられる
スイッチはパワスイッチ（オンになった場合、丸印１に
移行する）とアトブタ開閉スイッチ、強制フイルム巻戻
しスイッチ（処理後、丸印１へ移行する）などである。

【００４１】これに対して、ステップＳ１０５におい
て、パワスイッチが“オン”になった場合は、以下の処
理が繰り返される。即ち、まずＬＣＤ２１を表示し（ス
テップＳ１１１）、測距回路がいつでも動作できるよう
にするため測距回路ブロック４に電源を供給する（ステ
ップＳ１１２）。尚、Ｂｉｐ回路の場合は電流が大きい
ので常時“オン”することができず、レリ―ズを押され
てから“オン”するため測定できるまで数１０ｍｓのタ
イムラグとなる。

【００４２】続いて、ストロボ充電は、ストロボ発光用
のエネルギ―をストロボ回路ブロック１９内のメインコ
ンデンサに充電する（ステップＳ１１３）。この充電レ
ベルはストロボ充電電圧検出回路ブロック１４で検出
し、この充電が完了している場合は何もしないで次のス
テップＳ１１４へ移る。

【００４３】続いて、測光回路ブロック１３で被写体の
明るさを測定する（ステップＳ１１４）。この時、リモ
コンモ―ドであるか否かを判定する（ステップＳ１１
５）。

【００４４】そして、リモコンモードである場合には、
リモコン設定処理によりリモコン回路ブロック３を動作
状態にして原振のノイズの影響を除去する為、ＣＰＵ１
をスタンバイ状態にする（ステップＳ１２１，Ｓ１２
２）。

【００４５】このスタンバイ状態は、ストップ状態と異
なり原振は動いているが、ＬＣＤ２１の表示などの最低
必要な部分のみにクロックを供給するモ―ドであり、ア
ナログ回路部へのノイズの影響はほとんどなくなる。さ
らに、このスタンバイ状態において、当然リモコン信号
が入れば後述するサブルーチン“リモコン受信割込み”
（図２０参照）が実行されるが、レリ―ズスイッチが押
れれば後述するサブルーチン“レリ―ズ割込み処理”
（図３参照）が実行される。このサブルーチン“レリ―
ズ割込み処理”はスタンバイ以外でもパワスイッチの
“オン”の間は随時受け付けられる。そして、その他の
操作スイッチが“オン”された場合には、図中丸印２へ
移行する。

【００４６】一方、リモコンモ―ドでない場合には、タ
イマを開始した後、スタンバイ状態に入る（ステップＳ
１１６，１１７）。このスタンバイ状態が解除されるの
は、操作スイッチが押されるか上記タイマがオ―バ―フ
ロ―した場合であり、当該タイマでメインル―チンの繰
り返し間隔が決まる。さらに、スタンバイ状態が解除さ
れた場合はサブルーチン“スイッチ処理”が実行され
（ステップＳ１１８）、図示しないモ―ドスイッチが押
された場合のモ―ド切換やズ―ムスイッチが押された場
合のズ―ム駆動指示などが行なわれる。

【００４７】そして、パワ駆動フラグが“オン”になっ
ている場合は、“オン”になってから一定時間経過した
か否かを確認し（ステップＳ１１９）、一定時間経過し
た場合はパワ駆動フラグを“オフ”にする（ステップＳ
１２０）。尚、このパワ駆動フラグは測温回路を使用し
て良いか否かの判定フラグである。さらに、上記した一
定時間とはチップが周囲温度に戻る為の時間である。以
上の動作をパワスイッチが“オフ”になるまで繰り返
す。

【００４８】本発明はチップをＣＭＯＳアナログ回路で
構成している為、基本的には各回路とも消費電流が少な
く済み、従って、チップ自身の発熱は少ない。そして、
バイポーラと異なり、チップ温度が上昇しないので、い
つ測温しても周囲の温度と同等である。しかし、モ―タ
プリドライバ―などのパワ系を駆動した場合は、バイポ
ーラと差はなく電流を必要とする為、チップの温度は上
昇するので、パワ系を駆動した場合はパワ駆動フラグを
“オン”し、パワ駆動フラグが“オン”の間は測温しな
いような工夫をしている。

【００４９】次に、図３のフローチャートを参照して、
レリ―ズスイッチが押された時又はリモコン信号を受信
した時に実行するサブルーチン“レリーズ割込み”のシ
ーケンスについて詳細に説明する。

【００５０】本ルーチンに入ると、先ずパワ駆動フラグ
をチェックし、該フラグが“オフ”ならば測温し、“オ
ン”ならば未だＩＣ自身の温度が高いので測温せずに前
回の測温値を使用する。そして、この温度はレンズの温
度係数の補正などに使用される（ステップＳ２０１〜Ｓ
２０３）。

【００５１】続いて、測光中であるか否かを確認し、測
光中である場合はレリ―ズタイムラグになるので測光を
中断し前回の測光値を使用する。そして、メインフロ―
で常時測光をしているので、測光が終っている場合は該
値を使用する。即ち、測光時間は疑似的にはゼロという
事になる（ステップＳ２０４，２０５）。

【００５２】そして、ストロボが必要であるか否かを判
断し（ステップＳ２０６）、ストロボが必要でない場合
には充電を中止し、次のステップＳ２１０へ進む。そし
て、ストロボが必要である場合には充電が完了している
か否かを判断し（ステップＳ２０８）、完了している場
合には次のステップＳ２１０へ、未完了である場合には
未充電の警告を出した後、割り込みを抜ける（ステップ
Ｓ２０９）。

【００５３】さらに、測距回路ブロック４で被写体まで
の距離を測定し（ステップＳ２１０）、リモコン受信フ
ラグを確認し（ステップＳ２１１）、リモコンを受信し
ている場合にはリモコン受信フラグとリモコン回路、リ
モコンモ―ドをそれぞれ“オフ”してから撮影シ―ケン
スに移る（ステップＳ２１２〜Ｓ２１７）。

【００５４】そして、リモコン受信していない場合は、
２ｎｄレリ―ズのオン／オフを確認し（ステップＳ２１
５）、２ｎｄレリ―ズが“オン”になるまで待機する。
このとき、２ｎｄレリ―ズが“オン”にならずにレリ―
ズスイッチが“オフ”になった場合には割込みを抜ける
（ステップＳ２１６）。

【００５５】さらに、ステップＳ２１７の撮影シ―ケン
スでは、まずピント位置にフォ―カスレンズを駆動す
る。続いてシャッタを駆動し、フイルムを巻き上げ、モ
―タを動かしたのでパワ駆動フラグを“オン”し、割込
みを抜け（ステップＳ２１７〜Ｓ２２１）、メインルー
チンに戻る。

【００５６】次に、図４を参照して、サブルーチン“Ｌ
ＣＤ ＯＮ”のシーケンスについて詳細に説明する。

【００５７】本ルーチンに入ると、先ずパワ駆動フラグ
を確認し（ステップＳ３０１）、当該フラグが“オフ”
ならば測温を行った後、ＬＣＤ２１の駆動電圧を設定す
る（ステップＳ３０２，Ｓ３０３）。本実施例では、こ
のＬＣＤ２１の駆動電圧を図５に示す範囲で設定するこ
とで、温度変化があっても表示濃度が変らないようにし
ている。続いて、パワ駆動フラグが“オン”の場合は、
ＬＣＤ２１の駆動電圧を設定せずに前回設定した電圧を
維持する。そして、フィルムコマ数やカメラのモ―ドな
どの表示を行った後（ステップＳ３０４）、メインルー
チンに戻る。以下、第１の実施例に係るＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラの各回路ブロック
について詳細に説明する。

【００５８】ＣＭＯＳプロセスのみを使用したＣＭＯＳ
アナログ回路において、従来のアナログ回路の様に大き
なダイナミックレンジや割り算機能を可能とする技術の
１つとして、ＣＭＯＳプロセスに予てから存在するバイ
ポ―ラトランジスタを利用する技術がある。

【００５９】例えば、図６にはＣＭＯＳプロセス内に存
在するＮＰＮバイポ―ラトランジスタとＮＰＮバイポ―
ラトランジスタの構成を示し説明する。

【００６０】同図（ａ）に示すように、Ｐ^- ウェルをベ
―ス領域，このウェルの内部のＮ⁺をエミッタ，さらに
Ｎ^- サブストレ―トをコレクタとみなせば、寄生ＮＰＮ
バイポ―ラトランジスタができる。但し、このトランジ
スタのコレクタは電源ラインにつながっている。

【００６１】また、同図（ｂ）に示すように、Ｎ^- ウェ
ルをベ―ス領域，このウェルの内部のＰ⁺ をエミッタ，
さらにＰ^- サブストレ―トをコレクタとみなせば、寄生
ＮＰＮバイポ―ラトランジスタができる。但し、このト
ランジスタのコレクタはＧＮＤラインにつながってい
る。

【００６２】従って、このようなＣＭＯＳプロセスにお
ける寄生トランジスタを利用することによりＣＭＯＳプ
ロセスのみにおけるＣＭＯＳアナログ回路においても、
従来のパイポ―ラアナログ回路と同様、大きなダイナミ
ックレンジや割り算機能を可能とすることができる。

【００６３】次に、図７はＣＭＯＳプロセスにおける寄
生ＮＰＮトランジスタを利用した測距回路ブロック４の
具体的な構成を示す図である。

【００６４】同図において、μ−ｃｏｍコア３１からの
発光信号Ｐ0 により投光回路部のＰＭＯＳトランジスタ
３２を“オン”し、外付けのパワ―トランジスタ３３を
“オン”することにより、投光素子３４で発光されたパ
ルス光は、投光レンズ３５により集光され、被写体距離
ａに位置する被写体３６に向けて照射される。

【００６５】そして、この被写体３６で反射された反射
光は、上記投光レンズ３５から基線長Ｓ隔てて配置され
た受光レンズ３７を介し、その焦点距離ｆj の位置に配
置された半導体位置検出素子（以下、ＰＳＤと略記す
る）３８上に結像される。

【００６６】さらに、このＰＳＤ３８の両端子から出力
された信号光電流Ｉ1 ，Ｉ2 は、後述する信号光電流検
出回路３９，３９ａによって検出される。

【００６７】このように、測距回路ブロック４は、測距
対象物に光パルスを投射する投光回路３２と、測距対象
物からの反射光を受光して信号パルス光電流成分を検出
し増幅する信号光電流検出回路３９，３９ａと、前記検
出された光電流から被写体の距離情報を求める演算回路
４０と、この演算回路４０の出力をＡ／Ｄ変換するカウ
ント回路４１とで構成されている。そして、上記信号光
電流検出回路３９，３９ａにはそれぞれ同一の構成部材
を使用し且つ同様の構成としているので、信号光電流検
出回路３９についてのみ説明し、同一構成部材３９ａに
ついては同一番号に“ａ”を付し、その説明は省略す
る。

【００６８】上記投光回路のＩＲＥＤ３４は、トランジ
スタ３３によりドライブされる。そして、この外付けパ
ワトランジスタ３３のオン／オフは、μ−ｃｏｍコア３
１と同一チップ内に構成されたＰＭＯＳトランジスタ３
２により制御される。

【００６９】ここで注意すべきことは、ＰＭＯＳトラン
ジスタ３２は１０数ｍＡのドライブ電流を流す必要があ
る為、そのソ―ス電源としてＶcc1 を利用し、μ−ｃｏ
ｍコア３１を含め他の回路ブロックの電源Ｖcc2 とは別
系統のパワ系電源となる様構成されていることである。
このように、電源系をチップ内でパワ系電源であるＶcc
1 と安定化された電源であるＶcc2 少くとも２系統の電
源とすることで、大電流ドライブ時の電源変動が、測定
・制御回路ブロックに悪影響を及ぼすことを防止してい
る。さらに、上記ＰＭＯＳトランジスタ３２のオン／オ
フはμ−ｃｏｍコア３１の制御端子Ｐ0 により制御さ
れ、この端子出力信号によりＩＲＥＤ３４からパルス波
形で投射される赤外光のオン／オフが制御される。

【００７０】一方、上記光電流検出回路部９は、ＣＭＯ
Ｓオペアンプ４２とＰウェルをベ―ス、Ｐウェル内のＮ
⁺ をエミッタ、Ｎ^- サブストレ―トをコレクタとするＣ
ＭＯＳ内に存在する寄生ＮＰＮトランジスタ４３とで構
成されるプリアンプ回路と、ＣＭＯＳ−オペアンプ４４
とＮＭＯＳトランジスタ４５とその周辺回路からなる背
景光除去回路とで構成されている。

【００７１】そして、ＰＳＤ３８の片チャンネルから得
られる信号パルス電流Ｉ2 は、プリアンプ回路を構成す
るオペアンプ４２に供給される。このオペアンプ４２
は、トランジスタ１３によって帰還がかけられるよう
に、その出力端をトランジスタ４３のエミッタに、反転
入力端をベ―スに非反転入力端を不図示の基準電源Ｖre
f1に、それぞれ接続されており、これによってトランジ
スタ４３のベ―ス入力抵抗は等価的に数ＫΩ程度に下げ
られている。

【００７２】さらに、背景除去回路を構成するオペアン
プ４４の出力は、ＣＭＯＳトランスミッションゲ―ト４
６を介して、チップ内部に形成されたコンデンサと、背
景引き抜き用ＮＭＯＳトランジスタ４５のゲ―トに接続
されている。非投光時に制御回路部であるμ−ｃｏｍコ
ア３１の端子Ｐ1 のハイレベル“Ｈ”信号がトランスミ
ッションゲ―ト４６に与えられると、オペアンプ４２、
トランジスタ４３、オペアンプ４４、トランスミッショ
ンゲ―ト４６、トランジスタ４５のフィ―ドバックル―
プに従って、オペアンプ４４の反転端子がイマジナリ―
ショ―トによって図示しない基準電圧源出力のＶref2に
なるようにオペアンプ４４が動作した結果、コンデンサ
４７に、この時の背景光に応じた電荷が蓄積されると共
に、背景光電流成分のみがトランジスタ４５によってグ
ランドラインに引き抜かれる。

【００７３】上記フィ―ドバックル―プにより、トラン
ジスタ４３のＶBEは、次式で与えられる。そして、通常
ＶBE＝０．５５Ｖ付近になるようにＶref1，Ｖref2が設
定されている。

【００７４】 ＶBE＝Ｖref1−Ｖref2 …（１） この様な状態の時のエミッタ電流は、得られる信号光電
流Ｉ1 の最小値のβN倍よりも充分小さくしておき、測
距上の誤差が小さいレベルにおさえておく必要がある。
しかし、あまりに小さくしすぎると応答性の問題が生じ
る為、注意しなければならない。これに対する工夫につ
いては後述する。

【００７５】そして、投光時には、トランスミッション
ゲ―ト４６が“オフ”するので、上述したフィ―ドバッ
クル―プが破れるが、コンデンサ４７に蓄積された電荷
によりトランジスタ４５が、背景光による光電流をＧＮ
Ｄに排出しつづけるので、ＰＳＤ３８の片チャンネルか
ら得られる光電流のうち、背景光による光電流を除いた
パルス光成分のみが、トランジスタ４１３でβN 倍され
てエミッタ電流としてβN ×Ｉ2 として流れ、この時の
エミッタ電位は次式で示される。

【００７６】

【数１】 同様にして投光時にオペアンプ１２Ａの出力、即ちトラ
ンジスタ１３Ａのエミッタ電位は次式で示される。

【００７７】

【数２】 そして、演算出力回路４０は、抵抗４９，５０，５１，
５２とＣＭＯＳオペアンプ５３からなる引き算回路を構
成している。この引き算回路により上記（２），（３）
式で示される電圧の引き算が行われ、その出力として下
記の電圧値が得られる。

【００７８】

【数３】 この出力電圧値は、被写体距離ａの逆数１／ａに比例す
る電圧であるので、当該値を求めることで被写体までの
距離を求めることができる。尚、図８に上記出力電圧と
被写体距離ａの逆数との関係を示す。

【００７９】以下、図９のフロ―チャ―トを参照して、
測距回路ブロック４による測距のシーケンスについて説
明する。ここでは、出力電圧をＳとし、Ｓ／Ｎ比を向上
させる為に３６回測定した場合の出力の平均をとってい
る。更に、Ｐ１オン時間は４００μｓ、Ｐ０オン時間は
２００μｓとした（ステップＳ４０１〜Ｓ４１２）。
尚、本シーケンスにおける設定値“３６回”、“４００
μｓ”、“２００μｓ”は一例に過ぎず、これに限定さ
れるものではない。

【００８０】次に、図１０はＣＭＯＳプロセスにおける
寄生ＮＰＮトランジスタを利用した測光回路ブロック１
３の具体的な構成を示す図である。

【００８１】同図に示すように、測光素子として撮影画
面の中央部の狭い範囲の被写体輝度を測定する為のスポ
ット測光用受光素子Ｓp と、撮影画面の広い範囲の被写
体輝度を測定する為の平均測光素子Ａv とを用いてお
り、各光電流ＩAv，ＩSpが、後述する測光回路ブロック
１３によって検出される。

【００８２】測光回路は、ＩAvをエミッタ電流として流
すＣＭＯＳプロセスにおける寄生ＮＰＮトランジスタ６
１と、同じくＩSpをエミッタ電流として流すＣＭＯＳプ
ロセスにおける寄生ＮＰＮトランジスタ６２と、定電流
源６３と、ＣＭＯＳオペアンプ６４と、ＣＭＯＳプロセ
スにおける寄生ＮＰＮトランジスタ６５と、温度に比例
する図示しない基準電圧源Ｖref3とで構成されるＩs
（トランジスタの飽和電流）キャンセル用基準電圧回路
と、コンパレ―タ６６，６７及び温度に比例する電圧出
力を出力するＴ比例ＤＡＣ６８で構成されるＴ比例ＡＤ
変換器６９とからなる。このような構成において、オペ
アンプ６４の出力電位ａ、即ち、Ｉs キャンセル用基準
電圧は、次式で示される。

【００８３】

【数４】 よって、ｂポイントの電位は次式で示される。

【００８４】

【数５】 同様にｃポイントの電位は次式で示される。

【００８５】

【数６】 ここで、ＩAv＝２^m ・Ｉref ，Ｉsp＝２^l ・Ｉref とす
ると、ｂ，ｃポイントの電位はそれぞれ次式で示され
る。尚、ＶT ｌｎ（２）は３０℃において約１８ｍＶで
あって温度に比例する電圧である。

【００８６】 Ｖref3−ＶT ｌｎ（２）・ｌ …（８） Ｖref3−ＶT ｌｎ（２）・ｍ＋ＶT ｌｎ（ｎ） …（９） 次に、Ｔ比例ＡＤ変換器の入力範囲はどの様にして決定
されるか、具体的な設計事例を用いて説明する。ここで
は、例えばスポット測光素子による光電流Ｉspは被写体
輝度により１００ｐＡ〜１μＡの範囲で変化するものと
する。

【００８７】また、Ｉref ＝１０μＡ，Ｖref3＝１８０
ｍＶ（３０℃）とすると、Ｉspが１００ｐＡの場合のｂ
ポイントの電位は４８０ｍＶ（３０℃）となり、Ｉspが
１μＡの場合のｂポイントの電位は２４０ｍＶ（３０
℃）となる。

【００８８】一方、後の演算処理を簡単にする為と、量
子化誤差による測光誤差を少くし、極力精度を上げる
為、きりのいい数値８カウントが輝度１段に対応する様
構成し、Ａ／Ｄ変換器は８ビットであるとする。１段当
りの測光回路出力の変化量は１８ｍＶ（３０℃）である
から、１カウント当りの電圧値は１８ｍＶ／８＝２．２
５ｍＶ（３０℃）に設定されるフルビットが立った時は
２５５×２．２５ｍＶ＝５７３．７５ｍＶ（３０℃）と
なる。

【００８９】一方、平均測光素子の測光範囲面積はスポ
ット測光素子の測光範囲面積の１６倍程度あり、その光
電流ＩAvは被写体輝度により、１６００ｐＡ〜１６μＡ
の範囲で変化する。よって、ＮＰＮＴｒの数ｎが“ｎ−
１”であると、ＩAvが１６００ｐＡの時、ａポイントの
電位は４０８ｍＶ（３０℃）となり、ＩAvが１６μＡの
時、ａポイントの電位は１６８ｍＶ（３０℃）となる。

【００９０】この様に、光電流ＩspとＩAvでは同一輝度
に対して光電流量が異なるので、測光回路を同一のもの
にすると、その出力電圧に差異が生じ、後段のＡ／Ｄ変
換器の入力範囲を大きくする必要が生じる。そこで、本
実施例では、ｎを“１６”とすることにより、平均とス
ポットの測光回路出力電圧が同一輝度において、同一の
電圧値となる様工夫している。

【００９１】上述したように、同一輝度における平均と
スポットの光電流比に等しくＮＰＮトランジスタのエミ
ッタサイズ比を設定することにより同一輝度における各
測光出力電圧値を等しくすることができる。そして、例
え全く同一でなくとも略近い値とすることで、後段のＡ
Ｄ変換回路の入力電圧範囲を無駄に大きくすることなく
設計できるので、回路規模の増大を抑えることができ
る。

【００９２】ここで、同一輝度における光電流比の異な
る測光素子からの測光出力電圧を略等しくするために、
図１１に示す回路により、基準電圧回路出力Ｉs を平均
とスポットで予め異なるようにすることもできる。

【００９３】例えば、ＩAv／Ｉsp＝１６であったとする
と、 Ｖref3A ＝Ｖref3＋１８ｍＡ（３０℃）×ｌｎ（１６）／ｌｎ（２） …（１０） とするか、 ＩrefA＝Ｉref ×１６ …（１１） とすれば良い。この他に、図１２の様にレベルシフト回
路を付加して調整しても良く、更に調整量は１８ｍＶ
（３０℃）×ｌｎ（ＩAv／Ｉsp）／ｌｎ（２）とすれば
良い。

【００９４】ところで、得られた測光電圧値ｂ，ｃポイ
ントの電位は、Ｔ比例ＡＤＣ６９によってＡ／Ｄ変換さ
れ、デジタル量に変換され、μ−ｃｏｍコアに取り込ま
れ被写体輝度情報に演算変換され、メモリに格納され
る。

【００９５】そして、このＴ比例ＡＤＣ６９は、分割抵
抗とタップデコ―ダによって構成されたＤ／Ａコンバー
タとコンパレ―タ６６，６７からなり、μ−ｃｏｍコア
から、タップデコ―ダに指令が行くと、分割抵抗のタッ
プのいづれかの電位がコンパレ―タ６６，６７の一端子
に入力される。μ−ｃｏｍコアは、上記Ｄ／Ａコンバー
タの各設定電圧と測光出力電圧の比較を繰り返すことに
より、測光出力電圧値をＡ／Ｄ変換することができる。

【００９６】さらに、分割抵抗には、定電流源７０によ
りＶT ｌｎ（Ｎ／Ｒ0 ）（Ｎは正整数、Ｒ0 は回路内部
の抵抗を示す）の温度Ｔに比例した電流が流されてお
り、Ｔ比例の電圧を発生する様に構成されている。尚、
図示されていないが、この他にも温度Ｔに対して安定し
た定電流源と上記Ｔ比例定電流源は、μ−ｃｏｍコアか
らのスイッチングによって互いに切り換えられるように
構成されており、更にＡ／Ｄ変換器９はＴ比例，Ｔ安定
のＡ／Ｄ変換器として使用できるように構成されてい
る。そして、Ｔ安定のＡ／Ｄ変換器はカメラの他の情報
量（例えば温度，ストロボチャ―ジ電圧等）をＡ／Ｄ変
換する場合に用いられる。

【００９７】以上の様にして、全体としての回路規模を
向上させるように構成している。

【００９８】さらに、測光値をＡ／Ｄ変換してμ−ｃｏ
ｍコアに取り込むことができるが、ＣＭＯＳオペアンプ
を使用した場合、従来のバイポ―ラオペアンプと異な
り、そのオフセット電圧が問題となる。即ち、従来のオ
ペアンプではわずか２〜３ｍＶであるが、ＣＭＯＳオペ
アンプでは２０ｍＶ程度でてしまう。輝度１段当り１８
ｍＶ（３０℃）であるから、ＣＭＯＳオペアンプのオフ
セット電圧は無視できない大きさである。

【００９９】この問題を解決する為に、図１０に示す実
施例では、図１３に示す様にＣＭＯＳオペアンプ６４と
ＣＭＯＳコンパレ―タ６６をほぼ同一の構成とし、同一
チップ内において、できるだけ近傍に配置することで、
同一方向のオフセット電圧を生じさせ、互いに相殺する
様に工夫している。そして、図１４はＤ／Ａコンバータ
用のＴ安定，Ｔ比例基準電流をつくる回路の具体的な構
成を示す図であり、上記した他にもカメラ用測定回路の
バイアス電流源として用いられる。

【０１００】以下、図１５のフローチャートを参照し
て、測光回路ブロック１３による測光のシーケンスにつ
いて詳細に説明する。

【０１０１】本シーケンスでは、スポットアベレ―ジの
測定はそれぞれｂ，ｃポイントの電位を測定することに
より行なわれる。そして、この電位をＡ／Ｄ変換すれば
良いわけだが、ここでは、コンパレ―タとタップデコ―
ダを使ったＡ／Ｄ変換器を利用したＡ／Ｄ方式として説
明し、更にスポットアベレ―ジとも同一過程なので一方
のみの説明を行なう。

【０１０２】まず、ＶH にＶcc2 ，ＶL にＧＮＤに対応
する値を設定し、コンパレ―タの出力をチェックする。
そして、コンパレ―タの値がハイレベル“Ｈ”ならタッ
プデコ―ダの値の方が低いのでＶL に（ＶH ＋ＶL ）／
２を代入する。さらに、コンパレ―タの出力がローレベ
ル“Ｌ”ならばタップデコ―ダの値の方が高いのでＶH
に（ＶH ＋ＶL ）／２を代入する。以下、これを８回繰
り返すと、８ビットのＡ／Ｄ変換となり、測光の出力が
Ａ／Ｄ変換できたことになる（ステップＳ５０１〜５０
８）。

【０１０３】次に、図１６はＣＭＯＳプロセスにおける
測温回路ブロック１０の構成を示す図である。当該測温
回路ブロック１０により測温される被測温体はＣＭＯＳ
マイコンチップ自体の温度である。このＣＭＯＳはマイ
コン部、及び周辺の測光・測距・測温等々のカメラ用各
種測定回路を全て非常に低消費電力化可能な為に、ＩＣ
チップ自体の消費電力がバイポ―ラ集積回路に比べて非
常に小さい。

【０１０４】そして、通常、バイポ―ラ集積回路である
と、ＩＣチップ自体の温度はその消費電力によって３℃
程度環境温度に対して上昇してしまう。また、その上昇
の度合いはＩＣに給電されてから測温するまでのタイミ
ングによって異なるので、測温タイミングによって常に
３℃前後のバラツキを生じ、精密なカメラの温度補正を
かけることができない。対するＣＭＯＳは持ち前の低消
費電力の為に、チップ自体の温度と環境温度との間の差
異が小さい。

【０１０５】さらに、従来、上記したようなバイポ―ラ
ではチップ自体の消費電力による発熱を考慮して、例え
ば測光回路チップや測距回路チップ、リモコン受信回路
チップ等のカメラの測定回路単体機能、若しくは、ほん
の２，３の機能を持つＩＣチップ中に測温回路を組み込
んで、その様なＩＣチップ温度を測定する様工夫してい
る。

【０１０６】これに対して、ＣＭＯＳ化することによっ
てカメラ用の各種測定回路を大規模に集積化した様なＩ
Ｃチップ内に測温回路を設けることができ、カメラに好
適なオ―ルインワンＩＣを設計することが可能となる。
この様なマイコンはカメラのさらなるコンパクト化，低
コスト化にも貢献する。

【０１０７】そして、図１６に示すように、本実施例の
測温回路ブロック１０は、ＭＯＳトランジスタＱ1 〜Ｑ
8 と抵抗Ｒ1 とＲ2 と回路起動用定電流源Ｉ1 とからな
る温度比例型基準電流回路と、ＣＭＯＳプロセス内に存
在する寄生ＮＰＮＴｒＱ9 と抵抗Ｒ3 とＣＭＯＳオペア
ンプＯＰ1 とＣＭＯＳトランジスタＱ10と抵抗Ｒ4 とか
らなる温度安定型基準電流回路と、抵抗Ｒ5 とで構成さ
れている。

【０１０８】ここで、温度比例型基準電流回路におい
て、Ｑ5 とＱ4 の面積比は１：１６に設定されており、
この関係によってＩref1は次式で示される電流値とな
る。

【０１０９】 Ｉref1＝（ＶT ｌｎ１６）／Ｒ2 …（１２） このＶT はサ―マルボルテ―ジであって温度に比例し、
２６ｍＶ（３０℃）である。Ｉref1をＱ9 とＲ3 に流す
ことによってオペアンプの＋端子電位が、Ｖcc2 を基準
として１．２６Ｖとなる様、Ｒ3 の抵抗値が選ばれてい
る。更に、この１．２６Ｖはバンドギャップ基準電圧と
呼ばれ非常に良好な温度安定性を示す。

【０１１０】そして、この電圧を基準として、Ｑ10のソ
―スから出力される温度安定基準電流Ｉref2は次式で示
される。

【０１１１】 Ｉref2＝１．２６Ｖ／Ｒ4 …（１３） よって、抵抗Ｒ5 に生じる電圧ＶTEMPは次式で示され
る。

【０１１２】

【数７】 ここで、Ｒ2 ＝１ＫΩ，Ｒ4 ＝１５ＫΩ，Ｒ5 ＝２８Ｋ
Ωとすると、

【０１１３】

【数８】 となり、ＶTEMPは４０℃では２６９ｍＶ、−１０℃では
６０５ｍＶとなる。

【０１１４】尚、１℃当りの電圧変化量は、６．７２ｍ
Ｖである。

【０１１５】これに対して、Ａ／Ｄ変換回路部９の入力
電圧範囲を０〜８５６．８ｍＶとし、１カウント当り
３．３６ｍＶと設定すると、１カウント当り０．５℃の
測温精度で測温電圧値をＡ／Ｄ変換できる。この時のＡ
／Ｄ変換回路は勿論、温度に対して安定なものである。
さらに、得られたＡ／Ｄ変換デジタル値と、温度との関
係は、μ−ｃｏｍコアが、予め基準温度において得られ
たＡ／Ｄ変換値の理論値と実際の値との差に対応する量
として記憶されたデジタル量を補正した後に、温度に対
する基準参照値と比較して求める様に構成する。

【０１１６】次に、図１７はＣＭＯＳ化することによっ
て基本的に低消費電力化することの可能なカメラ用の各
種測定回路のみならず、外部のドライブ上基本的に低消
費電力化できないような回路ブロック、例えばモ―タ―
ドライブ回路や昇圧回路やプランジャ―駆動回路などを
組み込んだ場合の具体例な構成を示す図である。

【０１１７】同図に示すようにパワ系の制御回路が組み
込まれた場合は、カメラで言うとフィルム巻き上げ時や
巻き戻し時に、モ―タ―駆動を行なうと、数十〜数百ｍ
Ａの電流が１秒〜３０秒間流れることになり、ＩＣチッ
プの温度が、ピ―クで６０〜７０℃近くまで上昇し、そ
れが環境温度に近い温度まで下がるのに数分の時間を要
する。その為、ＩＣチップ自体の温度で、カメラの動作
の温度補正を行なおとすると、全く不正確な温度補正が
なされいしまうという不具合が生じてしまう。

【０１１８】ここでは、上記問題点を解決する為に、測
温回路８０と共に、計時回路８１を設け、モ―タ―ドラ
イブ回路８３や昇圧回路８６等のパワ系の制御回路が動
作した後は、その事によるＩＣチップ温度上昇分がなく
なるまでの間の測温回路８０の温度デ―タをカメラの温
度補正デ―タとして用いないように構成したものであ
る。これはメインフロ―などでパワ駆動フラグを利用し
た方法を既に説明済である。尚、パワー駆動フラグＭＴ
ＦＬＧは負荷条件、駆動条件に応じてＭＴＦＬＧ１，Ｍ
ＴＦＬＧ２等の２種類以上設けてもよい。

【０１１９】次に、図１８はカメラのリモコン受信回路
ブロックの構成を示す回路構成図であり、図１９は、そ
の受信部で赤外光による遠隔操作信号を受光したときの
各部の動作波形を示す図である。

【０１２０】フォトダイオ―ド９０は、図１９（ａ）に
示す遠隔操作信号Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3を受光する為の受光
素子で、プリアンプ９３に入力される。プリアンプ９３
は入力される微小な信号電圧を図１９（ｂ）に示すプリ
アンプ出力１００に増幅し、次段のバンドパスフィルタ
(BPF;Band Pass Filter)９４に出力する。

【０１２１】このＢＰＦ９４は、上記遠隔操作信号のキ
ャリア周波数ｆc がその通過帯域の中心になるように設
定されたフィルタ特性を有し、螢光灯等の商用周波数の
倍のリップル周波数（１００Ｈｚと１２０Ｈｚ）のノイ
ズ成分を除去し、リモコン信号だけからなる図１９
（ｃ）に示すＢＰＦ出力１０１を次段の検波回路９５に
出力する。さらに、積分回路９６は、この検波出力１０
２を積分してキャリア成分を除去した図１９（ｅ）に示
す積分出力１０３を出力する。また、波形整形回路９７
は、スレッシュレベルＶTH1 及びＶTH2 のヒステリシス
を有し、波形整形を行なって信号パルスＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ
3 からなる図１９（ｆ）に示す受光回路出力としてＣＰ
Ｕ（μ−ｃｏｍコア）９１に出力する。

【０１２２】上記遠隔操作装置における受信手段の各回
路ブロックはＣＭＯＳによって構成され、従来のバイポ
―ラによる消費電力２〜３ｍＡに対して２００〜３００
μＡの１／１０以下に低減されている。この為、従来リ
モコンモ―ド継続時間を電池消耗対策により２０分程度
制限していたが、その１０倍である２００分（＝３時間
２０分）程度に延長することができる。これは実質的に
は充分な時間であり、従来の様なリモコン専用の時間リ
ミッタ―を設ける必要がない。従って、前述したメイン
フロ―ではリモコンモ―ド時に時間制限を設けていな
い。

【０１２３】以下、μ−ｃｏｍコアによるリモコン回路
ブロック９により出力されるリモコン受信信号の処理動
作、及び該リモコン回路ブロック９の制御について詳細
に説明する。μ−ｃｏｍコアは、カメラ本体に設けられ
たリモコンモ―ド設定スイッチの“オン”を検出し、リ
モコンモ―ドである旨を示す“モ―ド表示”を図示しな
いＬＣＤに表示し、リモコン割り込み端子ＲＮＩＮＴを
禁止した後、リモコンイネ―ブル端子ＲＭＥＮをローレ
ベル“Ｌ”とし、リモコン受信回路ブロックに給電す
る。そして、この給電の後、リモコン受信回路ブロック
が安定化する所定時間後に前記リモコン割り込み端子Ｒ
ＮＩＮＴの割り込み許可を行なう。更に、当該μ−ｃｏ
ｍコアは上記受光回路出力が入力されると、その内部の
ＲＯＭに記憶されているプログラムに従って入力信号を
読取り、リモコン信号であるか否かの判別を行なう。

【０１２４】先ず図２０のフローチャートを参照して、
μ−ｃｏｍコアがリモコン信号を受信し判別するまでの
シーケンスについて説明する。

【０１２５】μ−ｃｏｍコアに入力信号パルスＰ1 によ
ってリモコン受信割り込みがかかると、内部のタイマ１
をスタ―トさせ、次の信号パルスＰ2 の入力によりタイ
マ１をストップする。これにより、信号パルスＰ1 とＰ
2 のパルス間隔を測定し、所定の時間Ｔ1 に一致するか
否かの比較を行ない、一致した場合は同様にして信号パ
ルスＰ2 とＰ3 のパルス間隔をタイマによって測定し、
所定の時間Ｔ1 と一致するか否か判定することにより
（ステップＳ６０２〜Ｓ６０７）、リモコン信号の判別
を行なう。そして、一致した場合はリモコン受信フラグ
を“オン”し（ステップＳ６０８）、リモコン割り込み
を禁止した後に割り込み処理を抜ける。

【０１２６】上記パルス間隔が所定時間Ｔ1 と一致しな
い場合はノイズと判断してこれを無視し、割り込み処理
を抜ける（ステップＳ６０９）。尚、所定のパルス間隔
Ｔ1は、螢光灯の周期的ノイズパルスの間隔１０ｍｓｅ
ｃ若しくは８．３ｍｓｅｃの整数倍に同期しない時間間
隔とする。

【０１２７】以上の様にしてμ−ｃｏｍコアによりリモ
コン受信信号と判別された場合は、その後レリ―ズ割り
込み処理に移行し測距・測光・測温やフォ―カスレンズ
駆動、シャッタ―駆動フィルム巻き上げの一連のカメラ
シ―ケンスを続行する。

【０１２８】次に、リモコン受信回路の動作処理をカメ
ラの動作シ―ケンス上に組み込む上で注意すべき点に関
して説明する。

【０１２９】リモコン受信回路は、非常に微弱な数１０
μＶの信号を検出する検出回路であるので、ノイズの影
響を受けやすい。よって、昇圧回路が作動している場
合、即ちリモコン受信回路と同一チップ上に昇圧回路が
形成されている場合や、ストロボ充電が作動している場
合等のノイズの多い状況下においては、リモコン受信割
り込みが経常的にかかり、正常なカメラ動作の遂行がで
きなくなる畏れがある。

【０１３０】この問題を解決する為に、本実施例では、
図２１のフローチャートに示すように、リモコンモ―ド
設定時においては昇圧回路動作を禁止する。そして、ス
トロボチャ―ジ中においてはリモコン受信回路を作動不
能とするか、リモコン受信割り込みを禁止する。尚、本
発明では、メインフロ―に示す様にストロボ充電完了し
てから、リモコンモ―ドになる様な工夫をしている。こ
れにより、リモコン受信回路からの誤信号出力が、カメ
ラの正常な動作の遂行を妨げることのない様にしている
（ステップＳ７０１〜Ｓ７０７）。

【０１３１】次に、図２２は、ＣＰＵ及びカメラの各種
測定回路と同一チップ上にモ―タドライブ用のプリドラ
イバ回路を構成した場合のＮＰＮモータプリドライバ回
路ブロック５の具体的な構成を示す図である。

【０１３２】通常、ＣＰＵ及びカメラの各種測定回路用
電源としては、電池からショトキ―バリアダイオ―ドと
３３μＦ程度のタンタルコンデンサによって構成される
ダイオ―ドフィルタ（Ｄ1 ，Ｃ1 ）によって安定化され
た電源Ｖcc2 が使用される。

【０１３３】これは、電池電圧がモ―タ駆動やプランジ
ャ―駆動や昇圧コイル駆動やストロボチャ―ジの様な重
負荷駆動によって急峻で大きな電圧降下を生じる為に、
そのｄｖ／ｄｔがＣＰＵの正常なシ―ケンスの保証や各
種測定回路の正確な測定の保証のできない大きさ（ｄｖ
／ｄｔ）0 以上になる為である。

【０１３４】よって、通常バックアップコンデンサＣ1
の大きさは、Ｖcc2 内部のＩＣの消費電流Ｉdiとすると
次式で示されるような値に設定される。

【０１３５】

【数９】 さらに、大きな問題としてカメラはポ―タブル機器であ
るので、振動によって電池が電池接片から離れ一時的に
絡電が遮断されてしまう。特に、カメラの作動中に上記
問題が発生し、Ｖcc2 電圧がＣＰＵの動作可能以下にま
で低下してしまった場合、ＣＰＵによる正常なカメラ制
御が行なわれず、最悪の場合カメラの破壊につながる。
この電池のチャタリングは電池接片の形状や圧にもよる
が約１０ｍｓｅｃと考えられる。よって、コンデンサＣ
1 の値に、この時間Ｖcc2 がＣＰＵの正常動作可能電圧
以下に下がらない様な容量に定められる。

【０１３６】通常、コンデンサＣ1 の容量を決めるドミ
ナントなパラメ―タ―は上記電池チャタリング時のＶcc
2 電圧保持である。このコンデンサＣ1 は周波数特性の
良さと比較的大容量を得やすいという理由で、タンタル
コンデンサが用いられるが、これは高価であるし、小型
カメラの実装スペ―スに対してはやはり体積が大きいの
で、Ｖcc2 内部のＩＣの消費電流Ｉdiを小さく設計しな
ければならない。

【０１３７】この目的のもとにカメラの各種測定回路は
できるだけ低消費電流な回路に設計する必要がある。こ
れに対して、モ―タ―プリドライブ回路等の、外付けの
パワ―トランジスタを駆動する回路は、そのベ―ス電流
として数１０ｍＡの電流を供給する必要が生じる。この
ような回路を上記カメラ用測定回路と同様にＣＰＵチッ
プと同一チップ上に形成した場合、その回路ブロックの
電源をＣＰＵ及び測定回路と同一のＶcc2 に共通にする
と、上述した様な理由でＶcc2 保持用コンデンサの容量
を非常に大きくしなければならない。実際はコスト、ス
ペ―スの点で上記構成は不可能である。

【０１３８】そこで、本実施例はソ―ス電流源をＶcc2
でなくＶcc1 として、電源安定化コンデンサＣ1 から大
電流をＩＣ外に放出しない様、大電流供給端子及びライ
ンをＩＣに設ける様工夫してある。マイコンを含むＩＣ
のパッケージについては、図４８に示すように、このＩ
Ｃ２０５を外部回路に接続するＩＣリード２０１がパッ
ケージ２０４から突出しており、このＩＣリード２０１
が金ワイヤ２０６によりＩＣ２０５上のパッド２０３に
接続されている。

【０１３９】ここで、大電流がＩＣ２０５のＧＮＤライ
ン２０２に流れた場合、ＩＣ２０５のＧＮＤライン２０
２のアルミ配線は、０．２〜３Ωまたパッド２０３とＩ
Ｃリ―ド２０１との接触抵抗は０．２〜３Ωの値を持つ
もので、５０〜１００ｍＶ程度の電位差を、その大電流
の流れる経路にそって発生してしまう為、ＩＣチップ内
のＧＮＤライン２０２を上記回路ブロックとＣＰＵ及び
カメラ用測定回路ブロックと共通にすると、正常なシ―
ケンス，正確な測定が不可能となってしまう。

【０１４０】本実施例では、大電流をＧＮＤに排出する
ＭＴＧＮＤラインとカメラ用測定回路ブロックの専用Ｇ
ＮＤラインの少くとも２系統のＧＮＤラインを設け、且
つパッドの接触抵抗の影響をさける為に、少くとも２つ
のＧＮＤパッドからなる端子ＭＴＧＮＤ端子，ＡＮＧＮ
Ｄ端子を設けている。

【０１４１】この様に、少くとも２系統のＧＮＤライン
及びＧＮＤ端子を設けることにより１チップ上に上記大
電流ドライプ回路ブロックを構成することが可能であ
る。理想的には、ＣＰＵ用のデジタルＧＮＤと測定回路
用アナログＧＮＤを別々に設ける方が良いが、実際には
端子数の不必要な増大につながるので、本実施例ではあ
えて１つにまとめている。

【０１４２】次に、プリドライブ回路の具体的な構成に
ついて説明する。

【０１４３】先ず、外付けのＮＰＮパワ―トランジスタ
をドライブするＮ端子定電流ドライブ回路について説明
する。

【０１４４】このＮ端子定電流トライブ回路は、ＣＭＯ
ＳオペアンプＯＰ1 と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 と基準電圧
Ｖref3とＣＭＯＳトランジスタＱ1 からなるＣＭＯＳト
ランジスタ定電流ドライブ用電圧発生回路と、上記電圧
をＰＭＯＳトランジスタＱ2，Ｑ3 ，Ｑ4 ，Ｑ5 のゲ―
トに導くトランスファ―ゲ―トスイッチＳＷ1 ，ＳＷ2
，ＳＷ3 ，ＳＷ4 と、Ｖcc1 をソ―スとし外付けＮＰ
Ｎトランジスタのベ―スをドレインとするＰＭＯＳトラ
ンジスタＱ2 ，Ｑ3 ，Ｑ4 ，Ｑ5 と、それらのゲ―トソ
―ス間をシャントするシャント抵抗Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，
Ｒ7 と、外付けＮＰＮパワ―トランジスタのベ―ス−エ
ミッタ間をシャントするＮＭＯＳトランジスタＱ6 ，Ｑ
7 ，Ｑ8 ，Ｑ9 からなる出力部とで構成されている。

【０１４５】このμ−ｃｏｍコアのポ―トＮ０からオペ
アンプＯＰ1 に給電信号が入力されると、オペアンプが
動作し、抵抗Ｒ3 に１００μＡの電流ＩN0が流れる。こ
のＩN0は次式で示される。

【０１４６】ＩN0＝Ｖref3／Ｒ3 …（１７） そして、トランジスタＱ1 のＶGSとＩN0の間には次式の
関係が成立する。

【０１４７】 ＩN0＝Ａ・（ＶGS−Ｖth）² …（１８） Ａ；比例定数、Ｖth；スレッシュ電圧 よって、Ｖcc1 基準でａ点の電位Ｖa は次式で示され
る。

【０１４８】

【数１０】 さらに、μ−ｃｏｍコアの出力ポ―トＮ1 がハイレベル
“Ｈ”になってトランスファ―ゲ―トスイッチＳＷ１が
“オン”になると、Ｑ2 のＧ−Ｓ間電圧は０ＶでＱ2 が
オフ状態で、Ｑ6 がオン状態であったのが、Ｖa 電圧が
印加されＱ2 がオンＱ6 はオフ状態となる。この時、出
力電流ＩN1は次式で示される。

【０１４９】 ＩN1＝Ａ・（ＶGS1 −Ｖth）² …（２０） そして、ＩN1＝２０ｍＡとなる様なＶGS1 となるよう
に、上記（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）／Ｒ2 を次式により設定する。

【０１５０】

【数１１】 上記したような回路構成とすることで、各出力ポートＮ
1 ，Ｎ2 ，Ｎ3 ，Ｎ4から２０ｍＡの定電流を出力で
き、従来の様にベ―ス制限抵抗を用いる必要もない為、
実装面積の小さなプリドライブ回路を得ることができ
る。

【０１５１】また、Ｖcc1 の変動をフィ―ドバックして
いる為、Ｖcc1 電圧がどの様に変動しても、常に２０ｍ
Ａドライブを行なうことができ、電源電圧の影響を受け
ずに安定したアクチュエ―タ制御を行なうことができ
る。

【０１５２】次に、外付けＰＮＰパワ―トランジスタを
ドライブするＰ端子定電流ドライブ回路について説明す
る。これは先に説明したＮ端子定電流ドライブ回路と同
じ動作原理であって、ソ―スかシンクであるか否かの違
いがあるのみである。

【０１５３】Ｐ端子定電流ドライブ回路はＣＭＯＳオペ
アンプＯＰ1Aと、抵抗Ｒ1A，Ｒ2A，Ｒ3Aと基準電圧Ｖre
f3A とＣＭＯＳトランジスタＱ1Aから構成されるＣＭＯ
Ｓトランジスタ定電流ドライブ用電圧発生回路と、上記
電圧をＣＭＯＳトランジスタＱ2A，Ｑ3A，Ｑ4A，Ｑ5A
と、それらのゲ―ト−ソ―ス間をシャントするシャント
抵抗Ｒ4A，Ｒ5A，Ｒ6A，Ｒ7Aと、外付けＰＮＰトランジ
スタのベ―ス−エミッタ間をシャントするＰＭＯＳトラ
ンジスタＱ6A，Ｑ7A，Ｑ8A，Ｑ9Aからなる出力部とで構
成されている。

【０１５４】そして、μ−ｃｏｍコアのポ―トＰ0 から
オペアンプＯＰ1Aに給電信号が入力されるとオペアンプ
動作がなされて抵抗Ｒ3Aに１００μＡの電流Ｉp0が流れ
る。

【０１５５】この電流Ｉp0は次式で示される。

【０１５６】 Ｉp0＝（Ｖref3A −Ｖcc1 ）／Ｒ3A …（２２） さらに、トランジスタＱ1 のＶGSとＩp0との間には次式
の関係が成立する。

【０１５７】 Ｉp0＝Ｂ・（ＶGS−Ｖth）² …（２３） Ｂ；比例定数、Ｖth；スレッシュ電圧 よって、ＧＮＤ基準でａ点の電位ＶaAは次式で示され
る。

【０１５８】

【数１２】 さらに、μ−ｃｏｍコアの出力ポ―トＰ1 がハイレベル
“Ｈ”になってトランスファ―ゲ―トスイッチＳＷ１Ａ
が“オン”になると、トランジスタＱ2AのＧ−Ｓ間電圧
は０ＶでトランジスタＱ2Aがオフ状態で、トランジスタ
Ｑ6Aがオン状態であったのがＶaA電圧が印加され、トラ
ンジスタＱ2Aがオン状態となり、トランジスタＱ6Aはオ
フ状態となる。

【０１５９】この時、出力電流ＩP1は次式で示される。

【０１６０】 ＩP1＝Ｂ・（ＶGS1 −Ｖth）² …（２５） そして、ＩP1＝２０ｍＡとなる様なＶGS1 となる様、上
記（Ｒ1A＋Ｒ2A）／Ｒ2Aを、次式により設定する。

【０１６１】

【数１３】 上記したような回路構成とすることにより、Ｐ1 ，Ｐ2
，Ｐ3 ，Ｐ4 各端子から２０ｍＡの定電流をシンクで
きる。

【０１６２】次に、図２３はクロックを用いないアナロ
グタイマ回路の具体的な構成を示す図である。同図に示
すように、タイマ１１８ａは、カレントミラ―回路を構
成するＭＯＳトランジスタ１１１，１１２と定電流源１
１４と定電流源の電流をスイッチングするＭＯＳトラン
ジスタ１１３と上記定電流源の電流を積分するコンデン
サ１１５と積分コンデンサに蓄積された電荷を放電する
ＭＯＳトランジスタ１１６と、コンデンサに蓄積された
電荷量をＤＡＣ出力と比較するコンパレ―タ１１７とタ
イマ１１８ａとで構成されている。

【０１６３】そして、タイマ１１８ｂはタイマ１１８ａ
と同一構成であり、タップデコ―ダの値を変えることで
２つのタイマ値を設定することができ、更には連続して
使用することもできる。また、定電流源の値を変えれば
長いタイマや短いタイマも作ることができる。

【０１６４】以下、図２４のフローチャートを参照し
て、かかるアナログタイマ回路の動作について説明す
る。尚、タイマ値は図２７のグラフを基に設定する。そ
して、集積回路内のコンデンサを利用した場合は温特は
少ないが、温特のある場合は温度によりグラフを選択す
れば良い。さらに、ここでは一応温特のある場合を想定
して説明する。

【０１６５】先ず測温し（ステップＳ８０１）、アナロ
グタイマを呼ぶ前に設定されたタイマ値Ｔ又はＴＡにな
る様に図２７よりタップデコ―ダの出力（Ｄ／Ａ値）を
設定する（ステップＳ８０２）。続いて、ＴＭ１又はＴ
Ｍ１Ａを“オン”し、コンデンサ１１５又は１１５Ａの
電荷を抜く。同時に、ＴＭ２又はＴＭ２Ａを“オン”
し、コンデンサにチャ―ジ可能状態とし、ＴＭ１又はＴ
Ｍ１Ａを“オフ”し、タイマをスタ―トした後、原振を
止める（ステップＳ８０３，８０４）。

【０１６６】その後、コンデンサ１１５又は１１５Ａの
レベルがタップデコ―ダ―の出力を上まわると、ＴＭ３
又はＴＭ３Ａが立上り、この信号により、再びμ−ｃｏ
ｍはウエイクアップし原振が動き出す（クロック休止状
態から発振状態に戻る）。そして、原振が動き出した直
後、ＴＭ２又はＴＭ２Ａを“オフ”し、チャ―ジを中止
し、メインルーチンに戻る（ステップＳ８０５〜８０
８）。

【０１６７】この状態のタイミングチャ―トは図２５に
示す通りであり、この図２５に示す他にも図２６に示す
方法等、種々の方法が考えられるが、以下、図２５に示
すタイミングを基に説明を続けることにする。

【０１６８】以上の説明で明らかであるように、アナロ
グタイマ動作中はμ−ｃｏｍの原振を止めることができ
るので、微少電流や微少電圧の測定、又はノイズに弱い
信号の時間測定などに応用することができる。

【０１６９】次に、図２８はアナログタイマを用いた測
光回路の具体的な構成を示す図である。ここで、先に図
１０に示した測光回路と異なるのは、コンパレ―タの後
にフリップフロップが設けられていることである。そし
て、アナログタイマ停止信号でフリップフロップはコン
パレ―タのレベルをラッチする構成になっている。

【０１７０】図２９は、かかる測光回路の動作を示すフ
ローチャートである。

【０１７１】先に図１５に示した動作と異なるの点は、
新たにステップＳ９０４，Ｓ９０５を設けてアナログタ
イマを使用している事である。即ち、ここでは測光電圧
が微少の場合は、原振のノイズが乗り正確なＡ／Ｄ変換
ができないので、コンパレ―タの出力をチェックする場
合は原振を止めノイズのない状態で測定するという方法
をとっている。尚、コンパレ―タの出力をアナログタイ
マ終了信号でラッチしているので、原振が発振した時に
はすでにノイズのない状態のレベルがラッチされている
ことになる。その他の動作は先に図１５の説明で述べた
通りであるので、ここでは重複した説明は省略する。

【０１７２】次に、図３０はアナログタイマを用いた測
距回路の具体的な構成を示す図である。この測距回路
は、先に図７に示したＡ／Ｄ部４１を改良したものであ
る。

【０１７３】即ち、図７の測光と同様に定常光をコンデ
ンサ４７にラッチする場合及びＬＥＤ３４を投光し、Ｐ
ＳＤ３８の出力を演算する場合にアナログタイマを使用
し、原振のノイズを除去している。そして、その演算結
果はアナログタイマの終了信号ＴＭ３でコンデンサに保
持する。その後、Ａ／Ｄ変換するので原振のノイズのな
い状態の信号をＡ／Ｄ変換することができる。

【０１７４】そして、図３１は、かかる測距回路の動作
を示すフローチャートである。先に図９に示した動作と
異なる点はアナログタイマを使用している事のみである
（ステップＳ１００３〜１０１１）。その他の動作は先
に図９の説明で述べた通りであるので、ここでは重複し
た説明は省略する。

【０１７５】次に、図３２はリモコン受信信号評価にア
ナログタイマを応用した回路の具体的な構成を示す図で
ある。本回路の目的は、やはり原振によるノイズを除去
することにあり、この場合はタイマを２個使用する。

【０１７６】そして、図３４は、かかる回路の動作を示
すフロ―チャートである。正常なリモコン信号は図１９
（Ｆ）に示す様にＴ1 間隔でパルスが３つある場合とす
る。尚、このＴ1 はＴ1 ±αの誤差までＯＫとする。そ
して、本回路はアナログタイマが設定タイマ値になる
か、リモコン受信信号の立下りがあるかのいずれかで、
タイマを止める為のＴ2 信号を作っている。

【０１７７】即ち、図３３（ａ）はリモコン信号が早か
った場合のリモコン受光回路出力を示す。この場合、タ
イマ値はＴ1 ＋αに設定する。即ち、リモコン信号が入
る前にＴ３がハイレベル“Ｈ”になった場合はＴ≧Ｔ1
＋αとなりＮＧとなる。

【０１７８】これに対して、図３３（ｂ）は設定時間が
先にきた場合のリモコン受光回路出力を示す。この場
合、アナログタイマは止っているのでＡ／Ｄ変換すれば
時間がわかるので、Ｔ1 −αより大きいかどうかで正常
な信号かどうかを判定する。この判定はタイマ１終了直
後タイマ２をスタ―トさせ、タイマ２が終了した後行
い、ＯＫの場合はリモコン受信フラグを設定して割込み
を抜ける。

【０１７９】次に、本発明の第２の実施例に係るＣＭＯ
Ｓアナログ回路を使用したカメラコントローラについて
説明する。図３５、３６はその構成を示す図である。

【０１８０】先ず、図３６における基準電流回路ブロッ
ク２０１について説明する。

【０１８１】この基準電流回路ブロック２０１は、ＰＭ
ＯＳトランジスタＱ1 ，Ｑ2 ，Ｑ3，Ｑ7 ，Ｑ8 、ＮＭ
ＯＳトランジスタＱ4 ，Ｑ5 ，Ｑ6 及び抵抗Ｒ1 ，Ｒ2
，Ｒ3 によって構成されている。そして、ＣＰＵによ
って、ＰＴ０＝“Ｌ”とされると、抵抗Ｒ1 で制限され
た数μＡの電流がトランジスタＱ1 に流れ、トランジス
タＱ1 とＱ2 はカレントミラー回路を構成しているの
で、トランジスタＱ2 のドレイン電流がトランジスタＱ
4 のＤ−Ｇショートに流れ込む。そして、トランジスタ
Ｑ4 ，Ｑ5 ，Ｑ6 はそれぞれカレントミラー回路を構成
しているので、トランジスタＱ5 ，Ｑ6 には同じドレイ
ン電流が流れる。

【０１８２】ところで、トランジスタＱ8 とＱ7 は微小
電流領域では、１０：１のカレントミラー回路と同じで
あって（抵抗Ｒ3 による電圧降下分が少ないため）、ト
ランジスタＱ7 のドレイン電流はトランジスタＱ6 のド
レイン電流の１／１０となるので、Ａポイントの電位は
ローレベル“Ｌ”になり、ＰＭＯＳトランジスタＱ3が
“オン”してドレイン電流を流し、トランジスタＱ4 の
ドレイン電流が増え、カレントミラーによりトランジス
タＱ5 ，Ｑ6 のドレイン電流が増える。

【０１８３】この電流が増えると、トランジスタＱ7 ，
Ｑ8 のドレイン電流比は抵抗Ｒ3 の電圧降下分が効いて
くるので、１／１０から“１”に近付いてくる。

【０１８４】以上のようなサイクルで、結果としてトラ
ンジスタＱ5 ，Ｑ7 のドレイン電流が一致する所に収束
し、その結果、抵抗Ｒ3 の電圧降下は次式で示される。
尚、次式においてＶT はサーマルボルテージを示す。

【０１８５】

【数１４】 但し、ＭＯＳはweak inversion region となる様、ＩD
が約２００ｎＡで使用する。

【０１８６】次にバンドギャップ基準電圧回路ブロック
２０３について説明する。

【０１８７】本回路ブロック２０３は、温度に対して安
定な1.26Ｖの定電圧回路である。そして、ＣＭＯＳプロ
セス中のＰウェルをベースとするＮＰＮ寄生トランジス
タＱ13とＮＭＯＳトランジスタＱ12と抵抗Ｒ5 とによっ
て、Ｖcc2 電位基準のバンドギャップ基準電圧を得る。
さらに、このトランジスタＱ13は−２ｍＶ／°Ｃのダイ
オード特性を持ち、抵抗ＲS の両端電圧は、次式の温度
変化に対して＋の変化をする電圧を発生する。

【０１８８】 ＶT ｌｎ（１０）×（Ｒ5 ／Ｒ3 ）×１０ …（２８） そこで、プラス（＋）とマイナス（−）の変化量をほぼ
等しくしてキャンセルするように上記(28)式の（ＲS ／
Ｒ3 ）を設計すれば、ＶCC2 −Ｂ間電圧は温度に対して
安定となる。この目安として該電圧値は1.26Ｖである。
尚、逆にＮＰＮトランジスタであるが、Ｎウェルをベー
スとする寄生ＰＮＰトランジスタを用いる場合はＧＮＤ
基準で1.26Ｖの基準電圧を作ることもできる。

【０１８９】次に、温度安定基準電流回路ブロック２０
４について説明する。

【０１９０】本回路ブロック２０４は、オペアンプＯＰ
1 とＰＭＯＳトランジスタＱ14，Ｑ15と抵抗Ｒ6 ，Ｒ7
によって構成される。そして、オペアンプＯＰ1 によっ
て、トランジスタＱ14，Ｑ15が“オン”され、抵抗Ｒ6
とＲ7 にソース電流が流れ、Ｃポイントの電位はイマジ
ナリーショートでＢポイントの電位と等しくなる。よっ
て、抵抗Ｒ6 とＲ7 には1.26／（Ｒ6 ＋Ｒ7 ）の電流が
流れ、トランジスタＱ15とＱ14には、その半分のドレイ
ン電流が流れる。

【０１９１】次に、測温回路ブロック２０２について説
明する。

【０１９２】本測温回路ブロック２０２は、ＰＭＯＳト
ランジスタＱ10と抵抗Ｒ4 とＮＭＯＳトランジスタＱ11
とで構成されている。

【０１９３】そして、トランジスタＱ10のドレイン電流
は次式で示される。

【０１９４】 ＶT ｌｎ（１０）／Ｒ3 ×４０ …（２９） よって、電圧ＶT は次式で示される。

【０１９５】 ＶT ＝（（２７３＋Ｔ）／３００）×２６ｍＶ …（３０） ここで、Ｔは温度（°Ｃ）を示す。

【０１９６】トランジスタＱ11はトランジスタＱ16とＱ
17とカレントミラー回路を構成しており、そのカレント
ミラー回路には上記温度安定基準電流回路ブロック２０
４から次式で示される電流が注入されている。

【０１９７】 １．２６Ｖ／（Ｒ６＋Ｒ７）／２ …（３１） トランジスタＱ11のドレイン電流は上記電流値となる。
このＴ比例電流値からＴ安定電流を差し引いた残りが抵
抗Ｒ4 に流れ込む。

【０１９８】よって、Ｅ電流は次式で示される。

【０１９９】

【数１５】 従って、−１０°ＣではＶE ＝２８１ｍＶ，＋４０°Ｃ
ではＶE ＝４５６ｍＶとなる。

【０２００】次に、コンデンサ充放電回路ブロック２０
５について説明する。

【０２０１】本回路ブロック２０５は、ストロボメイン
コンデンサの電圧や電池電圧、温度に関連した電圧等の
Ａ／Ｄ変換用であり、ＮＭＯＳトランジスタＱ16，Ｑ1
7，Ｑ18，Ｑ22，ＰＭＯＳトランジスタＱ19，Ｑ20，コ
ンデンサＣ1 から構成されている。そして、ＣＰＵポー
トＰＴ２＝“Ｈ”のとき、トランジスタＱ18は“オン”
し、トランジスタＱ16，Ｑ17，Ｑ19，Ｑ20は、それぞれ
カレントミラー回路を構成しているので、トランジスタ
Ｑ20のドレイン電流は次式で示される。

【０２０２】 １．２６Ｖ／（Ｒ６＋Ｒ７）／２０ …（３４） そして、ＣＰＵポートＰＴ４＝“Ｈ”のとき、トランジ
スタＱ22が“オン”し、コンデンサＣ1 はディスチャー
ジされ、Ｆポイントの電位は０Ｖとなる。

【０２０３】さらに、ＣＰＵポートＰＴ４＝“Ｌ”，Ｐ
Ｔ２＝“Ｈ”のとき、コンデンサＣ1 は先のトランジス
タＱ20のドレイン電流でチャージされ、Ｆ電位は時間共
に上昇する。また、適当な所でＰＴ４＝“Ｌ”、ＰＴ２
＝“Ｌ”とすると、Ｆポイントの電位はその時点の電位
に固定される。

【０２０４】次に、図３７のフローチャートを参照し
て、電池電圧をＡ／Ｄ変換する動作について詳細に説明
する。

【０２０５】まず、ＰＴ０＝“Ｌ”，ＰＴ１＝“Ｌ”と
して基準電流回路を作動させておくものとする。Ａ／Ｄ
変換した値を格納するメモリＡＤＭを“０”とする（ス
テップＳ１２０１）。Ｉを“０”にセットする（ステッ
プＳ１２０２）。ＣＰＵポートＰＴ４とＰＴ２を共にハ
イレベル“Ｈ”にして、トランジスタＱ18，Ｑ22のスイ
ッチングＮＭＯＳトランジスタを“オン”にする（ステ
ップＳ１２０３）。

【０２０６】そして、１ｍｓｅｃ待ち（ステップＳ１２
０４）、ＣＰＵポートＰＴ４をローレベル“Ｌ”としト
ランジスタＱ22を“オフ”にすると、コンデンサＣ1 に
チャージが開始される（ステップＳ１２０５）。

【０２０７】続いて、タイマカウントを開始する。この
タイマはソフトウェアによるソフトタイマでも良いし、
ＣＰＵに組み込まれたハードウェアカウンタでも良い。
ソフトタイマであれば、カメラのＡ／Ｄ変換に必要な分
解能と測定時間の制限により１６〜３２ＫＨｚぐらいが
適当である。そして、ハードウェアでは、速ければ速い
ほど良い（ステップＳ１２０６）。

【０２０８】続いて、ＣＰＵの入力ポートＰＴ６はハイ
レベル“Ｈ”か否か検出する。そして、ハイレベル
“Ｈ”になったところで、ステップＳ１２０８に進みメ
モリＡＤＭの内容にその時のタイマ値を加算する（ステ
ップＳ１２０７）。そして、Ｉ＝３か否かをチェック
し、“３”であればステップＳ１２１１にてＡＤＭの内
容を１／４にしてステップＳ１２１２にてリターンする
（ステップＳ１２０９）。そして、ステップＳ１２０９
でＩ＝３でなければ、ステップＳ１２１０でＩをインク
リメントし、ステップＳ１２０３へ戻る。

【０２０９】以上のようにして、４回のＡ／Ｄ変換値の
平均がメモリＡＤＭに格納される。尚、ステップＳ１２
０７の判定で、１００ｍｓｅｃ以上変化しない時は、別
途割り込みタイマによって割り込みがかけられ、ＣＰＵ
はカメラの故障表示をして全てのカメラ動作を停止す
る。

【０２１０】そして、図３９はストロボ充電電圧をＡ／
Ｄ変換するための動作を示すフローチャートである。本
シーケンスはステップＳ１３０７でＰＴ７をハイレベル
“Ｈ”としている以外は、先に説明した図３７のシーケ
ンスと同じであるので、ここでは重複した説明は省略す
る。

【０２１１】さらに、図４１は測温電圧値をＡ／Ｄ変換
する動作を示すフローチャートである。本シーケンスは
ステップＳ１４０７でＰＴ５をハイレベル“Ｈ”として
いる以外は、先に説明した図３７のシーケンスと同じで
あるので、ここでは重複した説明は省略する。

【０２１２】次に、図４３のフローチャートを参照し
て、測光値をＡ／Ｄ変換する動作について詳細に説明す
る。

【０２１３】ＡＤＭを“０”に設定し（ステップＳ１５
０１）、Ｉを“０”にする（ステップＳ１５０２）。そ
して、ＣＰＵポートＰＴ３をローレベル“Ｌ”にして、
トランジスタＱ21を“オン”にすると、コンデンサＣ2
は放電されてＨ電位はＶCC2と同電位になる（ステップ
Ｓ１５０３）。

【０２１４】この後、１ｍｓｅｃ待ち（ステップＳ１５
０４）、ＣＰＵポートＰＴ３をハイレベル“Ｈ”にし、
トランジスタＱ21を“オフ”すると、ＳＰＤ１によって
明るさに応じた光電流でコンデンサＣ2 がチャージされ
る（ステップＳ１５０５）。

【０２１５】続いて、タイマカウントを開始し（ステッ
プＳ１５０６）、ＣＰＵポートＰＴ８がハイレベル
“Ｈ”であるか否かをチェックし（ステップＳ１５０
７）、ハイレベル“Ｈ”ならばＡＤＭメモリの内容にタ
イマ値を加算する（ステップＳ１５０８）。そして、Ｉ
＝３かチェックし、Ｉ＝３でないならばＩをインクリメ
ントしてステップＳ１５０３に戻る。そして、“３”で
あればステップＳ１５１１でＡＤＭの内容を１／４にし
てステップＳ１５１２でリターンする（ステップＳ１５
０９）。こうして測光値がＡ／Ｄ変換される。

【０２１６】以上説明したようなシーケンスにより、カ
メラ作動に必要なカメラ情報がＡ／Ｄ変換される。ここ
で、一般的にＶ−Ｔ変換によるＡ／Ｄ変換手法は、他の
Ａ／Ｄ変換手法に比べて時間が掛り過ぎる問題がある。
これは、通常カメラはレリーズボタンが押し込まれてか
らフィルムに露光がなされるまでの時間は０．３秒程度
でなくてはならない。あまりに遅いと、シャッターチャ
ンスを逃してしまうからである。上記観点から考える
と、レリーズ毎に少なくとも測光Ａ／Ｄとストロボ充電
電圧Ａ／Ｄと電池電圧のＡ／Ｄは必要であるから、０．
３秒／３＝０．１秒、即ち１つのＡＤ所要時間は少なく
とも１００ｍｓｅｃ以下でなければならない。本実施例
ではＣ1 と、これへのチャージ電流の値を適宜設定する
ことにより、１回のＡ／Ｄが約１０ｍｓｅｃとなるよう
に設計している。

【０２１７】これについては、更に次のような工夫が考
えられる。即ち、第１に少なくとも２つ以上のカメラ情
報のＡ／Ｄ変換を同時に行う。例えば図４５のフローチ
ャートに示すように、測光と測温と電池電圧の３つのＡ
／Ｄ変換を同時に行うことや、第２に所定メモリ領域に
各カメラ情報に対応したＡ／Ｄ変換値も格納するメモリ
領域を確認し、そのメモリ領域の内容をレリーズスイッ
チ以外のキー操作及び禁止される場合を含む所定時間毎
に応答して、Ａ／Ｄ変換し更新するようにし、レリーズ
スイッチが入った時点以前のＡ／Ｄ変換値に従ってカメ
ラ動作を行うよう構成することである。

【０２１８】次に、定電圧モータドライブ回路ブロック
２０６について説明する。

【０２１９】この定電圧モータドライブ回路ブロック２
０６は、オペアンプＯＰ2 と抵抗Ｒ13，Ｒ14と外づけの
ＰＮＰパワートランジスタによって構成されている。

【０２２０】これは非反転型の増幅器であって、ハイレ
ベル“Ｈ”ポイントの電位とＩポイントの電位ＶI との
間には次式の関係が成立する。

【０２２１】

【数１６】 ここで、ＶI はスイッチングトランジスタＱ18，Ｑ22の
時間制御によって、コンデンサＣ1 をＧＮＤレベルから
所定時間チャージすることにより任意の電圧値を作り出
しホールドすることができる。これによリ、ＣＰＵは、
例えば巻き上げ開始時は低い電圧でも、またある程度速
度がでれば高い電圧で駆動するというような細かい制御
を行うことができる。

【０２２２】尚、ＣＭＯＳプロセスにおいて、対数圧縮
特性を利用する方法としては、寄生トランジスタを用い
る他に、ＭＯＳトランジスタをWeak inversion region
で用いる方法がある。即ち、図４６に示すように、ドレ
イン電流が数１００ｎＡ以下の領域では、ドレイン電流
ＩD とゲートソース間電圧ＶGSの間には次式の関係がが
成立する。

【０２２３】

【数１７】 次に、図４９は上記ドレイン電流が数１００ｎＡ以下の
領域を測距回路に応用した場合の具体的な回路の構成を
示す図である。

【０２２４】同図において、パルス光電流検出回路ブロ
ックは、ＣＭＯＳオペアンプＯＰ1とＮＭＯＳトランジ
スタＱ1 ，Ｑ2 ，Ｑ3 及び定電流源Ｉ1 ，Ｉ2 からなる
プリアンプ部と、ＣＭＯＳオペンアンプＯＰ2 とトラン
スファーゲートＧ1 とコンデンサＣ1 とＮＭＯＳトラン
ジスタＱ4 からなる背景光引き抜き回路とで構成されて
いる。そして、Ｖref2は、ＶCC2 −１００ｍｖに設定さ
れており、オペアンプＯＰ2 はトランスファーゲートＧ
1 が“オン”していると、プリアンプ部トでフィードバ
ックループを作り、Ｉ1 の定電流１μとＰＳＤの背景光
成分Ｉp1を全部トランジスタＱ4 を通じてＧＮＤに排出
し、その時の電位がコンデンサＣ1 に記憶される。この
状態では、トランジスタＱ3 のドレインソース間電圧は
１００ｍＶになり、トランジスタＱ3 にはほとんど電流
が流れていない。トランスファーゲートＧ1 が“オフ”
になってフィードバックループが切られてもコンデンサ
Ｃ1 にはそれ以前の電位が保持されつづけるので、依然
としてトランジスタＱ4 はＩ1 の定電流とＰＳＤの背景
光成分を排出し続ける。この時に、ＣＰＵのポートＰ1
からＬパルスを出してＱ5 を“オン”し、ＩＲＥＤから
赤外光パルスを被写体に投射し、その反射光による光電
流成分ΔＩp1がＰＳＤ１端子に入力すると、その電流値
はトランジスタＱ3 にすべて流れ込む。

【０２２５】ここでは、トランジスタＱ3 を２０倍にし
ているので、この流れ込む電流に対してトランジスタＱ
3 はweak inversion region における動作を行うため、
Ａポイントの電位を次式より求める。

【０２２６】

【数１８】 同様に、Ｂポイントの電位を次式より求める。

【０２２７】

【数１９】 そして、トランジスタＱ6 ，Ｑ7 も２０倍にされ、Ｉ3
の定電流源に比して、weak inversion region における
動作を行うよう設計している。さらに、トランジスタＱ
6 のドレイン電流をＩD1とすると次式が成立する。

【０２２８】

【数２０】 そして、トランジスタＱ7 のドレイン電流をＩD2とする
と次式が成立する。

【０２２９】

【数２１】 この上記２式は等しいので次式が成立する。

【０２３０】

【数２２】 よって、

【０２３１】

【数２３】 となる。ここで、ＩD1＋ＩD2＝１μＡであるから次式が
成立する。

【０２３２】

【数２４】 以上より、Ｒ1 のＣポイントの電位は次式で示される。

【０２３３】

【数２５】 従って、ΔＩp2／（ΔＩp1＋ΔＩp2）はＰＳＤに入射す
るスポット光像の重心位置を表すから上記Ｃポイントの
電位を計測すれば被写体距離が求められる。

【０２３４】さらに、ＣＰＵは、投光パルスに同期して
ＣポイントのＡ／Ｄ変換を行い、そのデジタル値を取り
込む。そして、複数回の投光を行い、その平均値から被
写体までの距離を割り出す。

【０２３５】次に、図５０は測光回路に応用した場合の
具体的な構成を示す図である。

【０２３６】同図において、Ａポイントの電位は次式で
示される。

【０２３７】

【数２６】 この式において、Ｖref1はタップデコーダのいずれかの
タップの電圧とする。

【０２３８】そして、タップ抵抗Ｒに流れる電流Ｉ1 は
次式で示される。

【０２３９】

【数２７】 よって、ＣＰＵとタップデコーダで逐次比較ＡＤを行う
ことによって、ＣＰＵは輝に応じたＡ／Ｄ値を得ること
ができる。

【０２４０】以上詳述したように、本発明のＣＭＯＳア
ナログ回路を使用したカメラコントローラでは、ＣＭＯ
Ｓプロセスでアナログ回路を構成できたので、リードタ
イム、コストもマイコン並みで、しかもＡＦ，ＡＥ回路
とマイコンを１チップ化でき、カメラの小型化を図るこ
とができる。

【０２４１】さらに、タイムラグの減少やリモコンの受
信可能時間の制限をなくすこともできる。また、クロッ
クなしのタイマを使用することにより、クロックノイズ
の影響が無い。そして、チップの発熱があっても、誤判
断せずにＬＣＤ駆動電圧の温度補正ができる。

【０２４２】

【発明の効果】本発明によれば、第１にリードタイムや
コストマイコン並みの新たなＣＭＯＳアナログプロセス
のＡＥ回路、ＡＦ回路を提供し、第２に低コスト及び短
納期で且つ消費電流の少ないアナログ回路を含むマイコ
ン提供し、第３に通常のマイコンのＣＭＯＳプロセスに
おいて構成可能な対数圧縮型測距回路を提供し、第４に
通常のマイコンのＣＭＯＳプロセス内に構成可能な対数
圧縮型測光回路を提供し、第５にマイコン駆動用の原振
のクロックノイズの影響を除去し、第６にクロックを必
要としないタイマを提供し、第７に集積回路の温度が自
己発熱で上昇する場合でも鮮明な表示を得るＬＣＤ駆動
温度補正回路を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係るＣＭＯＳアナログ
回路を用いたカメラコントローラの構成を示す図であ
る。

【図２】第１の実施例に係るＣＭＯＳアナログ回路を用
いたカメラコントローラのメインシーケンスを示すフロ
―チャートである。

【図３】レリ―ズスイッチが押された時又はリモコン信
号を受信した時に実行するサブルーチン“レリーズ割込
み”のシーケンスを示すフロ―チャートである。

【図４】サブルーチン“ＬＣＤ ＯＮ”のシーケンスを
示すフロ―チャートである。

【図５】ＬＣＤ２１の温度（°Ｃ）と駆動電圧（Ｖ）の
関係を示すグラフ図である。

【図６】ＣＭＯＳプロセス内に存在するＮＰＮバイポ―
ラトランジスタとＮＰＮバイポ―ラトランジスタを示す
図である。

【図７】ＣＭＯＳプロセスにおける寄生ＮＰＮトランジ
スタを利用した測距回路の具体例を示す図である。

【図８】被写体距離ａの逆数１／ａと出力電圧値との関
係を示すグラフ図である。

【図９】測距回路ブロック４による測距のシーケンスに
ついて説明するためのフローチャートである。

【図１０】ＣＭＯＳプロセスにおける寄生ＮＰＮトラン
ジスタを利用した測光回路ブロック１３の構成を示す図
である。

【図１１】基準電圧回路出力Ｉs を平均とスポットで予
め異なるようにした測光回路ブロック１３の変形例の構
成を示す図である。

【図１２】レベルシフト回路を付加して調整するように
した測光回路ブロック１３の変形例の構成を示す図であ
る。

【図１３】図１０に示す測光回路ブロック１３の一部の
詳細な構成を示す図である。

【図１４】ＤＡＣ用のＴ安定，Ｔ比例基準電流を作る具
体的な回路の構成を示す図である。

【図１５】測光回路ブロック１３による測光のシーケン
スを示すフローチャートである。

【図１６】ＣＭＯＳプロセスにおける測温回路ブロック
１０の構成を示す図である。

【図１７】第１の実施例にモ―タ―ドライブ回路や昇圧
回路やプランジャ―駆動回路などを組み込んだ場合の具
体例の構成を示す図である。

【図１８】カメラのリモコン受信回路ブロックの構成を
示す図である。

【図１９】赤外光による遠隔操作信号を受光したときの
各部の動作波形を示す図である。

【図２０】サブルーチン“リモコン受信割り込み”のシ
ーケンスを示すフロ―チャ―トである。

【図２１】サブルーチン“リモコン設定”のシーケンス
を示すフロ―チャ―トである。

【図２２】ＣＰＵ及びカメラの各種測定回路と同一チッ
プ上にモ―タドライブ用のプリドライバ回路を構成した
場合のＮＰＮモータプリドライバ回路ブロック５の具体
的な構成を示す図である。

【図２３】クロックを用いないアナログタイマ回路の具
体的な構成を示ず図である。

【図２４】アナログタイマ回路の動作を示すフローチャ
ートである。

【図２５】アナログタイマ回路の動作に係るタイミング
チャート図である。

【図２６】アナログタイマ回路の動作に係るタイミング
チャート図である。

【図２７】タイマ時間とＤ／Ａ設定値との関係を示すグ
ラフ図である。

【図２８】アナログタイマを用いた測光回路の具体的な
構成を示す図である。

【図２９】アナログタイマを用いた測光回路の動作を示
すフローチャートである。

【図３０】アナログタイマを測距回路の具体的な構成を
示す図である。

【図３１】アナログタイマを測距回路の動作を示すフロ
ーチャートである。

【図３２】リモコン受信信号評価にアナログタイマを応
用した回路の具体的な構成を示す図である。

【図３３】リモコン受信信号評価にアナログタイマを応
用した回路に係るリモコン受光回路出力の様子を示す図
である。

【図３４】リモコン受信信号評価にアナログタイマを応
用した回路の動作を示すフロ―チャートである。

【図３５】本発明の第２の実施例に係るＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラの構成を示す図で
ある。

【図３６】本発明の第２の実施例に係るＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラの構成を示す図で
ある。

【図３７】電池電圧をＡ／Ｄ変換するための動作を示す
フローチャートである。

【図３８】電池電圧をＡ／Ｄ変換するための動作を説明
するためのタイミングチャートである。

【図３９】ストロボ充電電圧をＡ／Ｄ変換するための動
作を示すフローチャートである。

【図４０】ストロボ充電電圧をＡ／Ｄ変換するための動
作を説明するためのタイミングチャートである。

【図４１】測温電圧値をＡ／Ｄ変換する動作を示すフロ
ーチャートである。

【図４２】測温電圧値をＡ／Ｄ変換する動作を説明する
ためのタイミングチャートである。

【図４３】測光値をＡ／Ｄ変換する動作について詳細に
説明するためのフローチャートである。

【図４４】測光値をＡ／Ｄ変換する動作を説明するため
のタイミングチャートである。

【図４５】測光と測温と電池電圧の３つのＡＤ変換を同
時に行う場合のシーケンスを示すフローチャートであ
る。

【図４６】ドレイン電流ＩD とゲートソース間電圧ＶGS
の関係を示すグラフ図である。

【図４７】実施例に係る電界効果トランジスタについて
説明するための図である。

【図４８】マイコンを含むＩＣのパッケージの様子を示
す図である。

【図４９】ドレイン電流が数１００ｎＡ以下の領域を測
距回路に応用した場合の具体的な回路の構成を示す図で
ある。

【図５０】ドレイン電流が数１００ｎＡ以下の領域を測
光回路に応用した場合の具体的な回路の構成を示す図で
ある。

【符号の説明】

１…ＣＰＵ（μ−ｃｏｍコア）、２…昇圧回路ブロッ
ク、３…リモコン回路ブロック、４…測距回路ブロッ
ク、５…ＮＰＮモータプリドライバ回路ブロック、６…
モータ定電圧回路ブロック、７…Ｔ安定Ｔ比例ＤＡＣ回
路ブロック、８…コンパレータ、９…Ｂ．Ｃ回路ブロッ
ク、１０…測温回路ブロック、１１…リセット回路ブロ
ック、１２…基準電圧回路ブロック、１３…測光回路ブ
ロック、１４…ストロボ充電電圧検出回路ブロック、１
５…ＰＩ／ＰＲ検出回路ブロック、１６…ＰＬＥＤドラ
イバ回路ブロック、１７…ＰＮＰモータプリドライバ回
路ブロック、１８…ＥＥＰＲＯＭ、１９…ストロボ回路
ブロック、２０…スイッチ、２１…ＬＣＤ。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年１１月１１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項６

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項７

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】そして、上記したように温度測定のための
センサをパワー系のドライブ回路を含んだチップ中に配
設すると、誤測温を起こし、その結果ＬＣＰの適切な電
圧を提供できない。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１０】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、第１にリードタイムやコ
ストにおいてマイコン並みの新たなＣＭＯＳアナログプ
ロセスのＡＥ回路、ＡＦ回路を提供し、第２に低コスト
及び短納期で且つ消費電流の少ないアナログ回路を含む
マイコン提供し、第３に通常のマイコンのＣＭＯＳプロ
セスにおいて構成可能な対数圧縮型測距回路を提供し、
第４に通常のマイコンのＣＭＯＳプロセス内に構成可能
な対数圧縮型測光回路を提供し、第５にマイコン駆動用
の原振のクロックノイズの影響を除去し、第６にクロッ
クを必要としないタイマを提供し、第７に集積回路の温
度が自己発熱で上昇する場合でも正確な周囲温度を検知
する手法を示し、上記温度に基づいて鮮明な表示を得る
ＬＣＤ駆動温度補正回路を提供することにある。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様によるＣＭＯＳアナログ回路を
使用したカメラコントローラでは、マイクロコンピュ―
タと、Ｐウェル若しくはＮウェルをベ―スとし当該Ｐウ
ェル内部のＮ⁺ 若しくはＮウェル内部のＰ⁺ をエミッタ
とする寄生バイポ―ラトランジスタを有するＣＭＯＳプ
ロセスで構成した対数圧縮型の測距回路又は測光回路と
を同一チップ上に構成したことを特徴とする。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】さらに、第６の態様によるＣＭＯＳアナロ
グ回路を使用したカメラコントローラでは、測距対象に
向けてパルス投光する投光手段と、上記測距対象からの
反射光を受光するために上記投光手段から基線長離れた
位置に配置された半導体位置検出素子と受光レンズから
なる受光手段と、上記半導体位置検出素子のパルス光電
流をＣＭＯＳプロセス中のＰウェル若しくはＮウェルを
ベ―スとし当該Ｐウェル内部のＮ⁺ 若しくはＮウェル内
部のＰ⁺ をエミッタとする寄生バイポ―ラトランジスタ
のベ―スに入力するＭＯＳトランジスタ回路と、上記Ｍ
ＯＳトランジスタ回路の出力に基づいて測距対象までの
距離を演算する測距演算手段とを具備することを特徴と
する。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１７】また、第７の態様によるＣＭＯＳアナログ
回路を使用したカメラコントローラでは、ＣＭＯＳプロ
セス中のＰウェル内部のＮ⁺ 若しくはＮウェルの内部の
Ｐ⁺ をエミッタとする第１及び第２の寄生バイポ―ラト
ランジスタと、被写体輝度に応じて変化する光感応素子
と、上記第１の寄生バイポ―ラトランジスタのエミッタ
電位をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段とを具備し、上記
光感応素子を上記第１の寄生バイポ―ラトランジスタの
エミッタに電気的に接続し、上記第１の寄生バイポーラ
トランジスタのベ―スを第２の寄生バイポ―ラトランジ
スタのベ―スに電気的に接続し、上記第２の寄生バイポ
―ラトランジスタのエミッタに定電流源を接続したこと
を特徴とする。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２２】

【作用】即ち、本発明の第１の態様によるＣＭＯＳアナ
ログ回路を使用したカメラコントローラでは、マイクロ
コンピュ―タと、Ｐウェル若しくはＮウェルをベ―スと
し当該Ｐウェル内部のＮ⁺ 若しくはＮウェル内部のＰ⁺
をエミッタとする寄生バイポ―ラトランジスタを有する
ＣＭＯＳプロセスで構成した対数圧縮型の測距回路又は
測光回路とが同一チップ上に構成されている。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９６】さらに、分割抵抗には、定電流源７０によ
りＶT ｌｎ（Ｎ／Ｒ0 ）（Ｎは正整数、Ｒ0 は回路内部
の抵抗を示す）の温度Ｔに比例した電流が流されてお
り、Ｔ比例の電圧を発生する様に構成されている。尚、
この他にも温度Ｔに対して安定した定電流源７０Ａと上
記Ｔ比例定電流源７０は、μ−ｃｏｍコアからのスイッ
チングによって互いに切り換えられるように構成されて
おり、更にＡ／Ｄ変換器６９はＴ比例，Ｔ安定のＡ／Ｄ
変換器として使用できるように構成されている。そし
て、Ｔ安定のＡ／Ｄ変換器はカメラの他の情報量（例え
ば温度，ストロボチャ―ジ電圧等）をＡ／Ｄ変換する場
合に用いられる。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９７】以上の様にして、全体としての回路規模の
縮小化を向上させるように構成している。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１３０】この問題を解決する為に、本実施例では、
図２１のフローチャートに示すように、リモコンモ―ド
信号受信待機時においては昇圧回路動作を禁止する。そ
して、ストロボチャ―ジ中においてはリモコン受信回路
を作動不能とするか、リモコン受信割り込みを禁止す
る。尚、本発明では、メインフロ―に示す様にストロボ
充電完了してから、リモコンモ―ドになる様な工夫をし
ている。これにより、リモコン受信回路からの誤信号出
力が、カメラの正常な動作の遂行を妨げることのない様
にしている（ステップＳ７０１〜Ｓ７０７）。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１３８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１３８】そこで、本実施例はソ―ス電流源をＶcc2
でなくＶcc1 として、電源安定化コンデンサＣ1 から大
電流をＩＣ外に放出しない様、大電流供給端子及びライ
ンをＩＣに設ける様工夫してある。マイコンを含むＩＣ
のパッケージについては、図４８に示すように、このＩ
Ｃ２０５を電池に接続するＩＣリード２０１がパッケー
ジ２０４から突出しており、このＩＣリード２０１が金
ワイヤ２０６によりＩＣ２０５上のパッド２０３に接続
されている。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１４１

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１４１】この様に、少くとも２系統のＧＮＤライン
及びＧＮＤ端子を設けることにより１チップ上に上記大
電流ドライプ回路ブロックを構成することが可能であ
る。理想的には、ＣＰＵ用のデジタルＧＮＤと測定回路
用アナログＧＮＤを別々に設ける方が良いが、実際には
端子数の不必要な増大につながるので、本実施例ではあ
えて１つにまとめている。ただし、この際に１点アース
となるような配線上の工夫が必要である。

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１４４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１４４】このＮ端子定電流トライブ回路は、ＣＭＯ
ＳオペアンプＯＰ1 と抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 と基準電圧
Ｖref3とＰＭＯＳトランジスタＱ1 からなるＰＭＯＳト
ランジスタ定電流ドライブ用電圧発生回路と、上記電圧
をＰＭＯＳトランジスタＱ2，Ｑ3 ，Ｑ4 ，Ｑ5 のゲ―
トに導くトランスファ―ゲ―トスイッチＳＷ1 ，ＳＷ2
，ＳＷ3 ，ＳＷ4 と、Ｖcc1 をソ―スとし外付けＮＰ
Ｎトランジスタのベ―スをドレインとするＰＭＯＳトラ
ンジスタＱ2 ，Ｑ3 ，Ｑ4 ，Ｑ5 と、それらのゲ―トソ
―ス間をシャントするシャント抵抗Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，
Ｒ7 と、外付けＮＰＮパワ―トランジスタのベ―ス−エ
ミッタ間をシャントするＮＭＯＳトランジスタＱ6 ，Ｑ
7 ，Ｑ8 ，Ｑ9 からなる出力部とで構成されている。

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１５３

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１５３】Ｐ端子定電流ドライブ回路はＣＭＯＳオペ
アンプＯＰ1Aと、抵抗Ｒ1A，Ｒ2A，Ｒ3Aと基準電圧Ｖre
f3A とＮＭＯＳトランジスタＱ1Aから構成されるＮＭＯ
Ｓトランジスタ定電流ドライブ用電圧発生回路と、上記
電圧をＮＭＯＳトランジスタＱ2A，Ｑ3A，Ｑ4A，Ｑ5A
と、それらのゲ―ト−ソ―ス間をシャントするシャント
抵抗Ｒ4A，Ｒ5A，Ｒ6A，Ｒ7Aと、外付けＰＮＰトランジ
スタのベ―ス−エミッタ間をシャントするＰＭＯＳトラ
ンジスタＱ6A，Ｑ7A，Ｑ8A，Ｑ9Aからなる出力部とで構
成されている。

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０２１７】これについては、更に次のような工夫が考
えられる。即ち、第１に少なくとも２つ以上のカメラ情
報のＡ／Ｄ変換を同時に行う。例えば図４５のフローチ
ャートに示すように、測光と測温と電池電圧の３つのＡ
／Ｄ変換を同時に行うことや、第２に所定メモリ領域に
各カメラ情報に対応したＡ／Ｄ変換値も格納するメモリ
領域を確認し、そのメモリ領域の内容をレリーズスイッ
チ以外のキー操作もしくは削除所定時間毎に応答して、
Ａ／Ｄ変換し更新するようにし、レリーズスイッチが入
った時点以前のＡ／Ｄ変換値に従ってカメラ動作を行う
よう構成することである。

【手続補正１８】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

【手続補正１９】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図９】

【手続補正２０】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１０】

【手続補正２１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１２】

【手続補正２２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２２】

【手続補正２３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図３６】

【手続補正２４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４８

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４８】

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｂ 7/08 8102−2Ｋ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロコンピュ―タと、Ｐウェル若し
   くはＮウェルをベ―スとし当該Ｐウェル若しくはＮウェ
   ル内部のＮ⁺ をエミッタとする寄生バイポ―ラトランジ
   スタを有するＣＭＯＳプロセスで構成した対数圧縮型の
   測距回路又は測光回路とを同一チップ上に構成したこと
   を特徴とするカメラコントロ―ラ。
2. 【請求項２】 カメラ制御用マイクロコンピュータコア
   と、カメラの撮影動作に必要な測定回路と、バイポ―ラ
   トランジスタを直接駆動する大電流ソ―ス回路とを同一
   チップ上に有するカメラ用マイクロコンピュータにおい
   て、上記電池と直列に接続された第１の電源端子と、上
   記電池をと並列に接続した電源バックアップ用コンデン
   サに接続された第２の電源端子とを具備し、上記カメラ
   制御用マイクロコンピュータコアと上記カメラ用の測定
   回路は上記第２の電源端子から給電し、上記大電流ソ―
   ス回路の少くとも大電流ソ―ス源としては上記第１の電
   源端子から給電することを特徴とするカメラ制御用１チ
   ップマイクロコンピュータ。
3. 【請求項３】 同一チップ上にカメラ制御用マイクロコ
   ンピュータとカメラ用測定回路とバイポ―ラトランジス
   タを直接駆動する大電流シンク回路とを有するカメラ用
   １チップマイクロコンピュータにおいて、上記カメラ制
   御用マイクロコンピュータの為の第１のグランドパッド
   と、上記第１のグランドパッドに接続された第１のＩＣ
   リ―ドと、上記カメラ用測定回路の為の第２のグランド
   パッドと、上記第２のグランドパッドに接続された第２
   のＩＣリ―ドと、上記大電流シンク回路の為の第３のグ
   ランドパッドと、上記第３のグランドパッドに接続され
   た第３のＩＣリ―ドとを具備することを特徴とするカメ
   ラ制御用１チップマイクロコンピュータ。
4. 【請求項４】 上記第１のグランドパッドと第２のグラ
   ンドパッドとを共通としたことを特徴とする請求項３に
   記載のカメラ制御用１チップマイクロコンピュータ。
5. 【請求項５】 ＣＭＯＳアナログ回路を同一チップ上に
   構成した１チップマイクロコンピュ―タを有するカメラ
   において、上記ＣＭＯＳアナログ回路には少なくとも自
   動焦点調整回路、自動露光回路、リモートコントロール
   回路、測温回路のいずれかを含み、カメラの撮影可能状
   態の場合は、少なくとも上記いづれかの回路は電源供給
   されていることを特徴とするカメラシステム。
6. 【請求項６】 測距対象に向けてパルス投光する投光手
   段と、上記測距対象からの反射光を受光するために上記
   投光手段から基線長離れた位置に配置された半導体位置
   検出素子と受光レンズからなる受光手段と、上記半導体
   位置検出素子のパルス光電流をＣＭＯＳプロセス中のＰ
   ウェル若しくはＮウェルをベ―スとし当該Ｐウェル若し
   くはＮウェル内部のＮ⁺ をエミッタとする寄生バイポ―
   ラトランジスタのベ―スに入力するＭＯＳトランジスタ
   回路と、上記ＭＯＳトランジスタ回路の出力に基づいて
   測距対象までの距離を演算する測距演算手段とを具備す
   ることを特徴とするカメラ用測距装置。
7. 【請求項７】 ＣＭＯＳプロセス中のＰウェル若しくは
   Ｎウェルの内部のＮ⁺ をエミッタとする第１及び第２の
   寄生バイポ―ラトランジスタと、被写体輝度に応じて変
   化する光感応素子と、上記第１の寄生バイポ―ラトラン
   ジスタのエミッタ電位をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段
   とを具備し、上記光感応素子を上記第１の寄生バイポ―
   ラトランジスタのエミッタに電気的に接続し、上記第１
   の寄生バイポーラトランジスタのベ―スを第２の寄生バ
   イポ―ラトランジスタのベ―スに電気的に接続し、上記
   第２の寄生バイポ―ラトランジスタのエミッタに定電流
   源を接続したことを特徴とするカメラ用測光装置。
8. 【請求項８】 アナログ回路を同一チップ上に構成した
   １チップマイクロコンピュ―タを含むカメラにおいて、
   上記アナログ回路には少なくとも自動焦点調整回路、自
   動露光回路、リモートコントロール回路のうちのいづれ
   かを含み、少なくとも上記回路のいづれかを動作させる
   時はマイクロコンピュータの原振を停止し、測定又は受
   信完了信号で再び原振を動作させることを特徴とするカ
   メラシステム。
9. 【請求項９】 基準電流源と、上記電流を充電する充電
   部と、基準電圧設定部と、充電電圧と基準電圧を比較す
   る比較部と、上記比較部出力に応じて発振を開始する発
   振制御部とを具備することを特徴とするアナログタイ
   マ。
10. 【請求項１０】 上記アナログタイマには、温度による
    補正を行なう補正手段を含むことを特徴とする請求項１
    ０に記載のアナログタイマ。
11. 【請求項１１】 大電流を制御するパワ系回路と、ＬＣ
    Ｄ表示用電源用Ｄ／Ａコンバ―タと、パワ系を駆動した
    かどうかを記憶する記憶部と、パワ系を駆動した後所定
    時間経過したか否かをカウントするタイマと、所定時間
    経過後に上記記憶部をクリアするクリア手段と、測温回
    路と、当該測温回路の出力に応じて上記Ｄ／Ａコンバ―
    タの出力を設定する設定手段とを具備し、上記記憶部が
    クリアされていない場合には、上記設定手段の作動を禁
    止することを特徴とするＬＣＤ駆動電圧温度補正方法。