JPH06268095A - Ｃｏｂ回路基板構造 - Google Patents
Ｃｏｂ回路基板構造Info
- Publication number
- JPH06268095A JPH06268095A JP5054056A JP5405693A JPH06268095A JP H06268095 A JPH06268095 A JP H06268095A JP 5054056 A JP5054056 A JP 5054056A JP 5405693 A JP5405693 A JP 5405693A JP H06268095 A JPH06268095 A JP H06268095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- cob
- plating
- bonding
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ＣＯＢ回路基板の配線長が短く基板
面積を小さくでき、高周波回路のＣＯＢ実装を可能に
し、金属細線と安定した接合ができ、接合強度が大きく
強度にバラツキの少ないＣＯＢ回路基板構造を提供する
ことを目的とする。 【構成】複数のリード端子が形成されたＣＯＢ（チップ
オンボード）回路基板構造において、前記リード端子先
端部に位置して設けられた接続パッドの金属メッキが無
電解メッキで形成され、更に接続パッド表面が、粗面化
され凹凸を有することを特徴とするＣＯＢ回路基板構
造。 【効果】メッキリード不要となりＣＯＢ回路基板の面積
を小さく、配線長も最短で済むので高周波回路のＣＯＢ
実装が実現可能になる。又、接続パッド表面が粗面化さ
れ凸凹を有しているから、接続用金属細線が凸凹部分に
食い込み、容易に反応し、安定した接合となり、充分な
接合強度を得ることができる。
面積を小さくでき、高周波回路のＣＯＢ実装を可能に
し、金属細線と安定した接合ができ、接合強度が大きく
強度にバラツキの少ないＣＯＢ回路基板構造を提供する
ことを目的とする。 【構成】複数のリード端子が形成されたＣＯＢ（チップ
オンボード）回路基板構造において、前記リード端子先
端部に位置して設けられた接続パッドの金属メッキが無
電解メッキで形成され、更に接続パッド表面が、粗面化
され凹凸を有することを特徴とするＣＯＢ回路基板構
造。 【効果】メッキリード不要となりＣＯＢ回路基板の面積
を小さく、配線長も最短で済むので高周波回路のＣＯＢ
実装が実現可能になる。又、接続パッド表面が粗面化さ
れ凸凹を有しているから、接続用金属細線が凸凹部分に
食い込み、容易に反応し、安定した接合となり、充分な
接合強度を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数のリード端子が形
成されたＣＯＢ回路基板構造に関する。
成されたＣＯＢ回路基板構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のＣＯＢ回路基板構造を示す
平面図、図４は従来のＣＯＢ回路基板構造を示す主要断
面図、図５はリード端子先端部の接続パッドを示す斜視
図、図６は回路基板を用いたＩＣチップでの実装構造を
示す断面図である。図において１はガラスエポキシ等の
ＣＯＢ基板ベース、２は導体パターン、３はリード端
子、４はリード端子３の接合パッド部、５は接合パッド
部４の接合面、９は電解メッキ用のメッキリード、１０
はメッキリード切断部である。ＣＯＢ回路基板製造工程
において、メッキ液中にＣＯＢ回路基板を浸漬し、回路
基板のメッキリード９に電荷を加え、電気分解反応で金
属イオンを還元し、接合パッド部４の接合面５の銅箔素
材にニッケル及び金を析出させメッキを施して形成し、
メッキリード切断部１０で切断される。この時の接合面
の面粗度は約１μｍ程度である。
平面図、図４は従来のＣＯＢ回路基板構造を示す主要断
面図、図５はリード端子先端部の接続パッドを示す斜視
図、図６は回路基板を用いたＩＣチップでの実装構造を
示す断面図である。図において１はガラスエポキシ等の
ＣＯＢ基板ベース、２は導体パターン、３はリード端
子、４はリード端子３の接合パッド部、５は接合パッド
部４の接合面、９は電解メッキ用のメッキリード、１０
はメッキリード切断部である。ＣＯＢ回路基板製造工程
において、メッキ液中にＣＯＢ回路基板を浸漬し、回路
基板のメッキリード９に電荷を加え、電気分解反応で金
属イオンを還元し、接合パッド部４の接合面５の銅箔素
材にニッケル及び金を析出させメッキを施して形成し、
メッキリード切断部１０で切断される。この時の接合面
の面粗度は約１μｍ程度である。
【０００３】従来の回路基板構造は、上記のように構成
され、例えばＩＣチップ６のアルミパッド７と回路基板
の対応するリード端子３上の接合パッド部４とをツール
により接続用金属細線８を加圧、加熱して接合する。こ
の回路基板の接合パッド部４と接続用金属細線８との接
合において、接続用金属細線は接合パッド部４の接合面
５にツールの加圧により、食い込み接続用金属細線８が
押しつぶされ、圧着方向と垂直にふくらむ状態にて変形
することにより接合パッド部４の細かい凸部と反応し合
金を形成し強固な接合を得ることができる。
され、例えばＩＣチップ６のアルミパッド７と回路基板
の対応するリード端子３上の接合パッド部４とをツール
により接続用金属細線８を加圧、加熱して接合する。こ
の回路基板の接合パッド部４と接続用金属細線８との接
合において、接続用金属細線は接合パッド部４の接合面
５にツールの加圧により、食い込み接続用金属細線８が
押しつぶされ、圧着方向と垂直にふくらむ状態にて変形
することにより接合パッド部４の細かい凸部と反応し合
金を形成し強固な接合を得ることができる。
【０００４】このように、電解メッキを施した回路基板
のボンディングに対しては、接合パッド部４の接合面５
の面粗度を約１μｍとすることは有効である。
のボンディングに対しては、接合パッド部４の接合面５
の面粗度を約１μｍとすることは有効である。
【０００５】しかし、昨今の電子機器の小型携帯化の流
れの中にあって、半導体装置及びこの実装に用いるＣＯ
Ｂ回路基板は、小型高集積化及び底ノイズ化の要求が益
々高まっている。
れの中にあって、半導体装置及びこの実装に用いるＣＯ
Ｂ回路基板は、小型高集積化及び底ノイズ化の要求が益
々高まっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の回
路基板構造では、小型携帯化の要求がされる中で、電解
メッキによるＣＯＢ回路基板構造では、接合パッド部そ
れぞれにメッキリードが必要である為、配線の引き回し
が複雑になり回路基板の面積も大きくなってしまう。
又、リード配線長も長い為、電気的ノイズがのり易く高
周波回路には適用不可能であった。更にＣＯＢ回路基板
製造工程においても、メッキリード切断工程が必要で基
板も高価であるという問題もあった。
路基板構造では、小型携帯化の要求がされる中で、電解
メッキによるＣＯＢ回路基板構造では、接合パッド部そ
れぞれにメッキリードが必要である為、配線の引き回し
が複雑になり回路基板の面積も大きくなってしまう。
又、リード配線長も長い為、電気的ノイズがのり易く高
周波回路には適用不可能であった。更にＣＯＢ回路基板
製造工程においても、メッキリード切断工程が必要で基
板も高価であるという問題もあった。
【０００７】又、無電解メッキは、電解メッキと異な
り、接合パッド部の化学反応にて金属を析出しリードに
メッキさせる為、メッキ液の組成、温度等の条件管理が
複雑で、その分安定した金属の析出が行なえず不純物も
同時にメッキされ良好な表面状態が得られにくい。従っ
て接合パッド部の接合面と金属細線を接合した場合に、
目的とする金属メッキ以外に不純物もメッキされている
ために、金属結合が合金化されにくく、接合強度が低く
ボンディング品質に悪影響を与えるという問題点が生じ
ることがある。
り、接合パッド部の化学反応にて金属を析出しリードに
メッキさせる為、メッキ液の組成、温度等の条件管理が
複雑で、その分安定した金属の析出が行なえず不純物も
同時にメッキされ良好な表面状態が得られにくい。従っ
て接合パッド部の接合面と金属細線を接合した場合に、
目的とする金属メッキ以外に不純物もメッキされている
ために、金属結合が合金化されにくく、接合強度が低く
ボンディング品質に悪影響を与えるという問題点が生じ
ることがある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、かかる問題点を
解決するもので、ＣＯＢ回路基板の配線長が短く基板面
積を小さくでき、高周波回路のＣＯＢ実装を可能にし、
しかも安価なＣＯＢ回路基板を提供し、更に無電解メッ
キＣＯＢ回路基板にあっても、金属細線と安定した接合
ができ、接合強度が大きく強度にバラツキのないＣＯＢ
回路基板構造を実現することにある。
解決するもので、ＣＯＢ回路基板の配線長が短く基板面
積を小さくでき、高周波回路のＣＯＢ実装を可能にし、
しかも安価なＣＯＢ回路基板を提供し、更に無電解メッ
キＣＯＢ回路基板にあっても、金属細線と安定した接合
ができ、接合強度が大きく強度にバラツキのないＣＯＢ
回路基板構造を実現することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に関わるＣＯＢ回路基板構造は、複数のリー
ド端子が形成されたＣＯＢ回路基板構造において、前記
リード端子先端部に位置して設けられた接続パッドの金
属メッキが無電解メッキであり、更に前記接続パッド表
面が粗面化され凹凸を有することを特徴とする。
め、本発明に関わるＣＯＢ回路基板構造は、複数のリー
ド端子が形成されたＣＯＢ回路基板構造において、前記
リード端子先端部に位置して設けられた接続パッドの金
属メッキが無電解メッキであり、更に前記接続パッド表
面が粗面化され凹凸を有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明においては、リード端子先端部に位置し
て設けられた接続パッドの金属メッキが無電解メッキで
あるため、メッキリードが不要となりその分ＣＯＢ回路
基板の面積を小さく、高周波回路のＣＯＢ実装を可能に
し、しかも安価なＣＯＢ回路基板を提供できる。更に前
記接続パッド表面が粗面化され凹凸を有しているので、
接続用金属細線が凸凹部分に食い込み、接合が安定して
接合強度も充分なものとなりボンディング品質が向上す
る。
て設けられた接続パッドの金属メッキが無電解メッキで
あるため、メッキリードが不要となりその分ＣＯＢ回路
基板の面積を小さく、高周波回路のＣＯＢ実装を可能に
し、しかも安価なＣＯＢ回路基板を提供できる。更に前
記接続パッド表面が粗面化され凹凸を有しているので、
接続用金属細線が凸凹部分に食い込み、接合が安定して
接合強度も充分なものとなりボンディング品質が向上す
る。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説
明する。
明する。
【００１２】図１は本発明の実施例のＣＯＢ回路基板構
造を示す平面図である。図２は同実施例を示す主要断面
図、図３は同実施例のリード先端部の接合パッド部４を
示す斜視図である。図において従来例と同一の構成は同
一符号を付して重複した構成の説明を省略する。
造を示す平面図である。図２は同実施例を示す主要断面
図、図３は同実施例のリード先端部の接合パッド部４を
示す斜視図である。図において従来例と同一の構成は同
一符号を付して重複した構成の説明を省略する。
【００１３】この実施例では、回路基板における接合パ
ッド部４の接合面５は、銅箔素材に、６μｍの表面粗度
を形成している。この粗面化の方法として銅箔素材を硫
酸，塩酸などの酸水溶液に浸漬するか噴霧することによ
り粗面化させる化学的方法と叉は、水に均一な大きさの
研磨用の砥粒を一定量混合し、高吐出力ポンプにて噴射
激突させ粗面化させる機械的方法がある。次に、ニッケ
ル及び金の無電解メッキ液に還元剤を加えたメッキ液中
にＣＯＢ回路基板を浸漬し、化学還元反応で接合パッド
部４の接合面５の該銅箔素材にメッキ液中よりニッケル
及び金を析出させメッキを施して形成されている。
ッド部４の接合面５は、銅箔素材に、６μｍの表面粗度
を形成している。この粗面化の方法として銅箔素材を硫
酸，塩酸などの酸水溶液に浸漬するか噴霧することによ
り粗面化させる化学的方法と叉は、水に均一な大きさの
研磨用の砥粒を一定量混合し、高吐出力ポンプにて噴射
激突させ粗面化させる機械的方法がある。次に、ニッケ
ル及び金の無電解メッキ液に還元剤を加えたメッキ液中
にＣＯＢ回路基板を浸漬し、化学還元反応で接合パッド
部４の接合面５の該銅箔素材にメッキ液中よりニッケル
及び金を析出させメッキを施して形成されている。
【００１４】上記のように構成されたＣＯＢ回路基板構
造では、金属メッキを化学還元反応にて施すため、メッ
キリードが不要となりその分ＣＯＢ回路基板の面積を小
さくでき、配線長も最短ですみ電気的ノイズがのり難い
ことから高周波回路のＣＯＢ実装を実現可能にできる。
造では、金属メッキを化学還元反応にて施すため、メッ
キリードが不要となりその分ＣＯＢ回路基板の面積を小
さくでき、配線長も最短ですみ電気的ノイズがのり難い
ことから高周波回路のＣＯＢ実装を実現可能にできる。
【００１５】又、接合パッド部４の接合面５に、金など
の接続用金属細線８を従来例と同様の手順でツールを用
いて、加熱．加圧環境のもとで接合すると、接合パッド
部４の接合面５の凸凹部に接続用金属細線８が食い込
み、接合パッド部４の金属と、接続用金属細線８が容易
に反応し、合金を形成して安定した接合となり、充分な
接合強度を得ることができる。
の接続用金属細線８を従来例と同様の手順でツールを用
いて、加熱．加圧環境のもとで接合すると、接合パッド
部４の接合面５の凸凹部に接続用金属細線８が食い込
み、接合パッド部４の金属と、接続用金属細線８が容易
に反応し、合金を形成して安定した接合となり、充分な
接合強度を得ることができる。
【００１６】次に本発明と従来例との効果の違いを立証
するものとして接続用金属細線８径を２８μｍを用い
て、接合パッド部４の接合面５の面粗度の変化に対する
接合強度のデータを下記に示す。
するものとして接続用金属細線８径を２８μｍを用い
て、接合パッド部４の接合面５の面粗度の変化に対する
接合強度のデータを下記に示す。
【００１７】 上記データからわかるように、面粗度１μｍの場合に比
較して面粗度が大きい（２〜１０μｍ）ほど接合強度が
高い水準になる。ここで一般的に接合強度は３ｇ以上あ
る方が信頼性等の面から好ましいため、面粗度は２μｍ
以上が好ましいといえる。
較して面粗度が大きい（２〜１０μｍ）ほど接合強度が
高い水準になる。ここで一般的に接合強度は３ｇ以上あ
る方が信頼性等の面から好ましいため、面粗度は２μｍ
以上が好ましいといえる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は以上説明したとおり、リード先
端部に位置して設けられた接続パッドの金属メッキが化
学還元反応による無電解メッキであるため、メッキリー
ド不要となりその分ＣＯＢ回路基板の面積を小さくで
き、配線長も最短で済むので電気的ノイズがのり難いこ
とから高周波回路のＣＯＢ実装が実現可能になる。しか
もＣＯＢ回路基板製造工程においてもメッキリード切断
工程が不要になりＣＯＢ回路基板も安価にできるという
効果もある。
端部に位置して設けられた接続パッドの金属メッキが化
学還元反応による無電解メッキであるため、メッキリー
ド不要となりその分ＣＯＢ回路基板の面積を小さくで
き、配線長も最短で済むので電気的ノイズがのり難いこ
とから高周波回路のＣＯＢ実装が実現可能になる。しか
もＣＯＢ回路基板製造工程においてもメッキリード切断
工程が不要になりＣＯＢ回路基板も安価にできるという
効果もある。
【００１９】又、接続パッド表面が粗面化され凸凹を有
しているから、接続用金属細線が凸凹部分に食い込み、
接続パッド部の金属と金属細線が容易に反応し、合金を
形成して、安定した接合となり、充分接合強度を得るこ
とができ、小型携帯化されたＣＯＢ回路基板の品質が向
上するという効果も有する。
しているから、接続用金属細線が凸凹部分に食い込み、
接続パッド部の金属と金属細線が容易に反応し、合金を
形成して、安定した接合となり、充分接合強度を得るこ
とができ、小型携帯化されたＣＯＢ回路基板の品質が向
上するという効果も有する。
【図１】本発明の実施例を示す平面図である。
【図２】本発明のＣＯＢ回路基板構造を示す主要断面図
である。
である。
【図３】本発明のＣＯＢ回路基板構造におけるリード先
端部の接続パッド部を示す斜視図である。
端部の接続パッド部を示す斜視図である。
【図４】従来のＣＯＢ回路基板構造を示す主要断面図で
ある。
ある。
【図５】従来のＣＯＢ回路基板構造におけるリード先端
部の接合パッド部を示す斜視図である。
部の接合パッド部を示す斜視図である。
【図６】従来の回路基板を用いたＩＣチップでの実装構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図７】従来のＣＯＢ回路基板構造を示す平面図であ
る。
る。
１．ＣＯＢ回路基板ベース ２．導体パターン ３．リード端子 ４．接合パッド部 ５．接合面 ６．ＩＣチップ ７．アルミパッド ８．接続用金属細線 ９．メッキリード １０．メッキリード切断部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/34 Ｈ 7128−4Ｅ 3/38 Ｂ 7011−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】複数のリード端子が形成されたＣＯＢ（チ
ップオンボード）回路基板構造において、前記リード端
子先端部に位置して設けられた接続パッドの金属メッキ
が無電解メッキであることを特徴とするＣＯＢ回路基板
構造。 - 【請求項２】請求項１記載の前記接続パッド表面が、化
学的あるいは機械的方法により粗面化され、表面粗度２
〜１０μｍの凹凸を有することを特徴とするＣＯＢ回路
基板構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054056A JPH06268095A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | Ｃｏｂ回路基板構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054056A JPH06268095A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | Ｃｏｂ回路基板構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268095A true JPH06268095A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12959963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054056A Pending JPH06268095A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | Ｃｏｂ回路基板構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268095A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100778A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 回路基板及び回路基板に部品が実装された半導体装置 |
| JP2013012727A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント回路基板及びその製造方法 |
| US8929092B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-01-06 | Panasonic Corporation | Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board |
| US9332642B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-05-03 | Panasonic Corporation | Circuit board |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5054056A patent/JPH06268095A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8929092B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-01-06 | Panasonic Corporation | Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board |
| US9332642B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-05-03 | Panasonic Corporation | Circuit board |
| US9351402B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-05-24 | Panasonic Corporation | Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board |
| JP2011100778A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 回路基板及び回路基板に部品が実装された半導体装置 |
| JP2013012727A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プリント回路基板及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7176062B1 (en) | Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module | |
| US6653170B1 (en) | Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit | |
| EP0884935B1 (en) | Universal surface finish for DCA, SMT and pad on pad interconnections | |
| JP3345529B2 (ja) | ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 | |
| JP2003051665A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JPH06268095A (ja) | Ｃｏｂ回路基板構造 | |
| US6428908B1 (en) | Contact and method for producing a contact | |
| EP1289352A2 (en) | High-frequency circuit device and method for manufacturing the same | |
| JP2001257304A (ja) | 半導体装置およびその実装方法 | |
| US6376054B1 (en) | Surface metallization structure for multiple chip test and burn-in | |
| JP3420469B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH1074859A (ja) | Ｑｆｎ半導体パッケージ | |
| JP3244102B2 (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JP3596335B2 (ja) | ワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板 | |
| EP0964446A2 (en) | An electronic circuit assembly | |
| JPH06112395A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| KR100648970B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| JP2003110061A (ja) | フリップチップ実装用電子部品及びその製造法、回路板及びその製造法、実装体の製造法 | |
| JPH11103164A (ja) | 半田材料並びにプリント配線板及びその製造方法 | |
| JP3167360B2 (ja) | 混成集積回路用基板の製造方法 | |
| JP2003258161A (ja) | 電子部品実装用配線基板 | |
| JPS58169878A (ja) | Ｉｃソケツト用コンタクト | |
| JP3801334B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板とその製造方法 | |
| JP2813998B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JPH05129761A (ja) | プリント配線板 |