JPH06268007A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH06268007A JPH06268007A JP5056638A JP5663893A JPH06268007A JP H06268007 A JPH06268007 A JP H06268007A JP 5056638 A JP5056638 A JP 5056638A JP 5663893 A JP5663893 A JP 5663893A JP H06268007 A JPH06268007 A JP H06268007A
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- JP
- Japan
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- arm
- heater
- semiconductor manufacturing
- temperature
- assembly
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
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- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/01—Chemical elements
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置のワイヤボンダ及びダイボンダ
において、半導体装置加熱用ヒーターによる半導体装置
組立実行中のアームの熱膨張を無くし、組立位置精度を
向上させる。 【構成】アーム１内部にカートリッジヒーター１０を取
り付け、半導体装置組立実行中と同温度にアーム１を加
熱しておく。これにより半導体装置組立開始時と組立実
行中のアーム１の温度が一定となる。この為組立開始時
と組立実行中のアーム１の熱膨張量の差は０となり組立
位置精度が向上し、半導体装置の組立不良の発生を低減
できる。
において、半導体装置加熱用ヒーターによる半導体装置
組立実行中のアームの熱膨張を無くし、組立位置精度を
向上させる。 【構成】アーム１内部にカートリッジヒーター１０を取
り付け、半導体装置組立実行中と同温度にアーム１を加
熱しておく。これにより半導体装置組立開始時と組立実
行中のアーム１の温度が一定となる。この為組立開始時
と組立実行中のアーム１の熱膨張量の差は０となり組立
位置精度が向上し、半導体装置の組立不良の発生を低減
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に高温加熱機構を有するワイヤボンダ及びダイボンダ
に関する。
特に高温加熱機構を有するワイヤボンダ及びダイボンダ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置のワイヤボンダ及
びダイボンダの構造について図面を用いて説明する。図
５（ａ）に示す様に、Ｘ−Ｙテーブル５に搭載されたＺ
軸駆動部６にアーム１を取付け、アーム１の先端に組立
ツール２を取付ける。この組立ツール２はワイヤボンダ
の場合ボンディングキャピラリでありダイボンダの場合
ダイコレットである。Ｘ−Ｙテーブル５及びＺ軸駆動部
にはそれぞれＸ軸駆動用モータ７，Ｙ軸駆動用モータ８
及びＺ軸駆動用モータ９が取付けられる。次に図５
（ｂ）に半導体装置の組立方法を示す。図５（ａ）の機
構により組立ツール２をＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に移動し、ヒ
ーターブロック４により組立必要温度（２００度〜４０
０℃程度）まで加熱した半導体装置３にワイヤボンディ
グまたはダイボンディングを行う。
びダイボンダの構造について図面を用いて説明する。図
５（ａ）に示す様に、Ｘ−Ｙテーブル５に搭載されたＺ
軸駆動部６にアーム１を取付け、アーム１の先端に組立
ツール２を取付ける。この組立ツール２はワイヤボンダ
の場合ボンディングキャピラリでありダイボンダの場合
ダイコレットである。Ｘ−Ｙテーブル５及びＺ軸駆動部
にはそれぞれＸ軸駆動用モータ７，Ｙ軸駆動用モータ８
及びＺ軸駆動用モータ９が取付けられる。次に図５
（ｂ）に半導体装置の組立方法を示す。図５（ａ）の機
構により組立ツール２をＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に移動し、ヒ
ーターブロック４により組立必要温度（２００度〜４０
０℃程度）まで加熱した半導体装置３にワイヤボンディ
グまたはダイボンディングを行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体製造
装置のワイヤボンダ及びダイボンダは、半導体装置を加
熱するヒーターブロックからの熱によりアームが加熱さ
れ熱膨張することにより組立開始時と終了時でアーム長
が異なり、その結果組立位置がずれる為、半導体装置の
組立不良が発生するという欠点があった。アームの熱膨
張状態を図６に示す。熱膨張量はアーム材質，アーム
長，ヒーターブロック加熱温度により差があるがワイヤ
ボンダを例に説明する。ワイヤボンダの場合、アーム材
質はステンレス，アーム長は約１００ｍｍ，ヒーターブ
ロック加熱温度は２５０℃程度が標準的である。この条
件でワイヤボンディングを行うと、図７（ａ）に示す様
にボンディングステージ上への移動直後から、アーム１
の温度は上昇し、常温状態の３０℃からボンディング実
行中は５０℃まで上昇する。この時のアーム１の熱膨張
量は２０μｍである。この熱膨張によりボンディング位
置が２０μｍずれ、組立不良が発生する。
装置のワイヤボンダ及びダイボンダは、半導体装置を加
熱するヒーターブロックからの熱によりアームが加熱さ
れ熱膨張することにより組立開始時と終了時でアーム長
が異なり、その結果組立位置がずれる為、半導体装置の
組立不良が発生するという欠点があった。アームの熱膨
張状態を図６に示す。熱膨張量はアーム材質，アーム
長，ヒーターブロック加熱温度により差があるがワイヤ
ボンダを例に説明する。ワイヤボンダの場合、アーム材
質はステンレス，アーム長は約１００ｍｍ，ヒーターブ
ロック加熱温度は２５０℃程度が標準的である。この条
件でワイヤボンディングを行うと、図７（ａ）に示す様
にボンディングステージ上への移動直後から、アーム１
の温度は上昇し、常温状態の３０℃からボンディング実
行中は５０℃まで上昇する。この時のアーム１の熱膨張
量は２０μｍである。この熱膨張によりボンディング位
置が２０μｍずれ、組立不良が発生する。
【０００４】本発明の目的は、半導体装置組立実行中以
外の状態においても組立実行中の温度にアームを加熱し
ておくことにより、組立開始時と組立実行中のアームの
温度を一定に保ち、熱膨張量の差を０にすることであ
る。
外の状態においても組立実行中の温度にアームを加熱し
ておくことにより、組立開始時と組立実行中のアームの
温度を一定に保ち、熱膨張量の差を０にすることであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、アーム内部に
ヒーターを取付る、またはアームにテープ状ヒーターを
貼り付けるというアームを直接加熱する方法と、アーム
外周にアームと密着させない状態でヒーターを設置す
る、またはエアヒーターにて加熱した高温のエアをアー
ムに吹きつけるという間接的に加熱する方法をとる。
ヒーターを取付る、またはアームにテープ状ヒーターを
貼り付けるというアームを直接加熱する方法と、アーム
外周にアームと密着させない状態でヒーターを設置す
る、またはエアヒーターにて加熱した高温のエアをアー
ムに吹きつけるという間接的に加熱する方法をとる。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１実施例を示す外観図である。組
立ツール２を取付けたアーム１の内部にカートリッジヒ
ーター１０を取付け、アーム１の温度を半導体装置組立
実行中と同温度に直接加熱する。
る。図１は本発明の第１実施例を示す外観図である。組
立ツール２を取付けたアーム１の内部にカートリッジヒ
ーター１０を取付け、アーム１の温度を半導体装置組立
実行中と同温度に直接加熱する。
【０００７】図２は第２実施例を示す外観図である。ア
ーム１外側にテープ状ヒーター１１を貼り付け、第１実
施例と同様にアーム１を直接加熱する。
ーム１外側にテープ状ヒーター１１を貼り付け、第１実
施例と同様にアーム１を直接加熱する。
【０００８】図３は第３実施例を示す外観図である。ア
ーム１に発熱体を直接取付けず、間接的に加熱する方法
である。アーム１外周にコイル状ヒーター１２をアーム
１に密着しない状態で設置し、第１実施例と同様にアー
ム１を加熱する。
ーム１に発熱体を直接取付けず、間接的に加熱する方法
である。アーム１外周にコイル状ヒーター１２をアーム
１に密着しない状態で設置し、第１実施例と同様にアー
ム１を加熱する。
【０００９】図４は、第４実施例を示す外観図である。
本実施例もアーム１を間接的に加熱する方法で、高圧エ
ア配管１４にて導いたエアをエアヒーター１３にて加熱
し、高温となったエア１５をアーム１に吹きつけること
により第１実施例と同様にアーム１を加熱する方法であ
る。
本実施例もアーム１を間接的に加熱する方法で、高圧エ
ア配管１４にて導いたエアをエアヒーター１３にて加熱
し、高温となったエア１５をアーム１に吹きつけること
により第１実施例と同様にアーム１を加熱する方法であ
る。
【００１０】本発明の第１実施例によるアーム１の温度
と伸びの関係を図７（ｂ）に示す。実施例では、あらか
じめカートリッジヒータ１０によりアーム１の温度を５
２℃に保つことにより、ボンディングステージ上での温
度変化は３℃となり、これによりアーム１の伸びは最大
でも３μｍ以下とすることができる。
と伸びの関係を図７（ｂ）に示す。実施例では、あらか
じめカートリッジヒータ１０によりアーム１の温度を５
２℃に保つことにより、ボンディングステージ上での温
度変化は３℃となり、これによりアーム１の伸びは最大
でも３μｍ以下とすることができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、半導体装置
組立実行中以外の状態においても組立実行中の温度にア
ームを加熱しておくことにより組立開始時と組立実行中
のアームの温度が一定となる。この為組立開始時と組立
実行中のアームの熱膨張量の差が０となり組立位置精度
が向上し、半導体装置の組立不良の発生を低減できる効
果がある。当社ワイヤボンダを例にするとボンディング
位置ずれによる組立不良率を１．８％から０．５％に低
減することができた。
組立実行中以外の状態においても組立実行中の温度にア
ームを加熱しておくことにより組立開始時と組立実行中
のアームの温度が一定となる。この為組立開始時と組立
実行中のアームの熱膨張量の差が０となり組立位置精度
が向上し、半導体装置の組立不良の発生を低減できる効
果がある。当社ワイヤボンダを例にするとボンディング
位置ずれによる組立不良率を１．８％から０．５％に低
減することができた。
【図１】本発明の第１実施例の外観図
【図２】本発明の第２実施例の外観図
【図３】本発明の第３実施例の外観図
【図４】本発明の第４実施例の外観図
【図５】従来技術の半導体製造装置のワイヤボンダ及び
ワイヤボンダの構造図及び従来技術の半導体装置の組立
方法
ワイヤボンダの構造図及び従来技術の半導体装置の組立
方法
【図６】アーム熱膨張状態を示す外観図
【図７】従来及び本発明のワイヤボンダのアームの伸び
１ アーム ２ 組立ツール ３ 半導体装置 ４ ヒータブロック ５ Ｘ−Ｙテーブル ６ Ｚ軸駆動部 ７ Ｘ軸駆動用モータ ８ Ｙ軸駆動用モータ ９ Ｚ軸駆動用モータ １０ カートリッジヒータ １１ テープ状ヒーター １２ コイル状ヒーター １３ エアヒータ １４ 高圧エア配管 １５ 高温エア
Claims (4)
- 【請求項１】 ワイヤボンダ及びダイボンダにおいてア
ーム内部にヒーターを取付け半導体装置の組立実行中以
外の状態でもアームを組立実行中と同温度に加熱してお
くことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記アーム加熱方法として、アームにテ
ープ状ヒーターを貼けることを特徴とする請求項１記載
の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記アーム加熱方法としてアーム外周に
アームと密着させない状態でヒーターを設置することを
特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記アーム加熱方法として、エアヒータ
ーにて加熱した高温エアをアームに吹きつけることを特
徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056638A JPH06268007A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056638A JPH06268007A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268007A true JPH06268007A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13032880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5056638A Pending JPH06268007A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268007A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0974114A (ja) * | 1995-09-02 | 1997-03-18 | Lg Semicon Co Ltd | ヒーターを有したウェッジ工具 |
| WO2014103463A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング装置 |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5056638A patent/JPH06268007A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0974114A (ja) * | 1995-09-02 | 1997-03-18 | Lg Semicon Co Ltd | ヒーターを有したウェッジ工具 |
| WO2014103463A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング装置 |
| JP2016033931A (ja) * | 2012-12-27 | 2016-03-10 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981222 |