JPH06267856A - 化合物薄膜の形成方法 - Google Patents
化合物薄膜の形成方法Info
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- JPH06267856A JPH06267856A JP5554493A JP5554493A JPH06267856A JP H06267856 A JPH06267856 A JP H06267856A JP 5554493 A JP5554493 A JP 5554493A JP 5554493 A JP5554493 A JP 5554493A JP H06267856 A JPH06267856 A JP H06267856A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高品質の化合物薄膜を高速で成膜する形成方
法を提供する。 【構成】 反応容器中に被成膜基体を配置し、少なくと
も二種の原料気体を前記基体表面で反応させて前記被成
膜基体上に酸素および窒素のうちの少なくとも一方の化
合物薄膜を形成するに際し、酸素および窒素のうちの少
なくとも一方の元素を含む気体を予め分解させてプラズ
マ化するとともに、酸素あるいは窒素を含まない他の原
料ガスと混合することなく前記基体近傍まで導いたうえ
で前記基体表面に照射することを特徴とする化合物薄膜
の形成方法。 【効果】 あらかじめ分解された構成元素に半導体元素
と化合する元素を含む気体と、構成元素に半導体元素を
含む気体から生成した反応種が効率良くかつ均一に基板
面に入射されるため、高速かつ均一に高品質な半導体化
合物薄膜が形成できる。
法を提供する。 【構成】 反応容器中に被成膜基体を配置し、少なくと
も二種の原料気体を前記基体表面で反応させて前記被成
膜基体上に酸素および窒素のうちの少なくとも一方の化
合物薄膜を形成するに際し、酸素および窒素のうちの少
なくとも一方の元素を含む気体を予め分解させてプラズ
マ化するとともに、酸素あるいは窒素を含まない他の原
料ガスと混合することなく前記基体近傍まで導いたうえ
で前記基体表面に照射することを特徴とする化合物薄膜
の形成方法。 【効果】 あらかじめ分解された構成元素に半導体元素
と化合する元素を含む気体と、構成元素に半導体元素を
含む気体から生成した反応種が効率良くかつ均一に基板
面に入射されるため、高速かつ均一に高品質な半導体化
合物薄膜が形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物薄膜の形成方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラス基板上に駆動回路を形成し
た液晶表示素子の開発が進められている。これら液晶表
示素子の駆動回路にはＭＯＳ型の薄膜トランジスタが用
いられるが、その動作の安定性を確保するために高品質
なゲート絶縁膜を、基板として用いられるガラスの耐熱
温度以下で形成する方法が強く求められている。
た液晶表示素子の開発が進められている。これら液晶表
示素子の駆動回路にはＭＯＳ型の薄膜トランジスタが用
いられるが、その動作の安定性を確保するために高品質
なゲート絶縁膜を、基板として用いられるガラスの耐熱
温度以下で形成する方法が強く求められている。
【０００３】高品質なゲート絶縁膜を形成する方法とし
て従来リモートプラズマＣＶＤ法が提案されている。
て従来リモートプラズマＣＶＤ法が提案されている。
【０００４】図６にリモートプラズマＣＶＤ法に用いら
れる酸化シリコン膜形成装置を示す。この装置は、反応
容器１と、この反応容器１に内装され酸化膜被形成基板
２を載置した基板加熱ヒータ３と、反応容器１の下部に
取付けされた排気ポンプ４と、反応容器１の上部に設け
られて第１のガスを導入する第１のガス導入管５および
第１のガス導入管５に接続し反応容器内に伸びるガスノ
ズル６と、反応容器１の上部に設けられて第２のガスを
導入する第２のガス導入管７と、この第２のガス導入管
７に設けられた予備分解室８およびこれに設けられたＲ
Ｆコイル９とを具備し構成されている。
れる酸化シリコン膜形成装置を示す。この装置は、反応
容器１と、この反応容器１に内装され酸化膜被形成基板
２を載置した基板加熱ヒータ３と、反応容器１の下部に
取付けされた排気ポンプ４と、反応容器１の上部に設け
られて第１のガスを導入する第１のガス導入管５および
第１のガス導入管５に接続し反応容器内に伸びるガスノ
ズル６と、反応容器１の上部に設けられて第２のガスを
導入する第２のガス導入管７と、この第２のガス導入管
７に設けられた予備分解室８およびこれに設けられたＲ
Ｆコイル９とを具備し構成されている。
【０００５】上記装置により、次のように成膜を行う。
構成元素に珪素を含む第１のガス、例えばＳｉＨ4は第
１のガス導入管５より反応容器に導入されガスノズル６
より反応容器内に解放される。一方、構成元素に酸素を
含む第２のガス、例えばＯ2は第２のガス導入管７より
予備分解室８に導入される。予備分解室でＲＦコイル９
にＲＦ電流を通じることにより第２の気体を電離して分
解する。分解された第２の気体は反応容器中に入り、ガ
スノズル６より導入された第１の気体と反応して基板２
上に酸化シリコン膜が形成される。
構成元素に珪素を含む第１のガス、例えばＳｉＨ4は第
１のガス導入管５より反応容器に導入されガスノズル６
より反応容器内に解放される。一方、構成元素に酸素を
含む第２のガス、例えばＯ2は第２のガス導入管７より
予備分解室８に導入される。予備分解室でＲＦコイル９
にＲＦ電流を通じることにより第２の気体を電離して分
解する。分解された第２の気体は反応容器中に入り、ガ
スノズル６より導入された第１の気体と反応して基板２
上に酸化シリコン膜が形成される。
【０００６】たとえば、第１の気体としてＳｉＨ4、第
２の気体としてＯ2を用い、基板温度４００℃、Ｓｉ
Ｈ4：Ｏ2比１：１、圧力０．５Ｔｏｒｒで成膜して１０
14オーム・ｃｍ台の良質な酸化シリコン膜を得た。この
時成膜速度は２０オングストローム／ｍｉｎ（オングス
トロームを以下Ａと略記する）であった。
２の気体としてＯ2を用い、基板温度４００℃、Ｓｉ
Ｈ4：Ｏ2比１：１、圧力０．５Ｔｏｒｒで成膜して１０
14オーム・ｃｍ台の良質な酸化シリコン膜を得た。この
時成膜速度は２０オングストローム／ｍｉｎ（オングス
トロームを以下Ａと略記する）であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】叙々の如くリモートプ
ラズマＣＶＤ法を用いることにより、一例の良質な酸化
シリコン膜を形成する事が可能であるが、従来のリモー
トプラズマＣＶＤ法では成膜速度が２０Ａ程度で、液晶
表示素子の駆動回路に用いられるＭＯＳ型薄膜トランジ
スタのゲート絶縁膜に必要な１０００Ａ程度の膜厚を得
るには２０ｍｉｎ程度の長時間を必要とする問題点があ
る。
ラズマＣＶＤ法を用いることにより、一例の良質な酸化
シリコン膜を形成する事が可能であるが、従来のリモー
トプラズマＣＶＤ法では成膜速度が２０Ａ程度で、液晶
表示素子の駆動回路に用いられるＭＯＳ型薄膜トランジ
スタのゲート絶縁膜に必要な１０００Ａ程度の膜厚を得
るには２０ｍｉｎ程度の長時間を必要とする問題点があ
る。
【０００８】本発明は良質の化合物薄膜を短時間で成膜
する形成方法を提供することを目的とする。
する形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る化合物薄膜
の形成方法は、反応容器中に被成膜基体を配置し、少な
くとも二種の原料気体を前記基体表面で反応させて前記
被成膜基体上に酸素および窒素のうちの少なくとも一方
の化合物薄膜を形成するに際し、酸素および窒素のうち
の少なくとも一方の元素を含む気体を予め分解させてプ
ラズマ化するとともに、酸素あるいは窒素を含まない他
の原料ガスと混合することなく前記基体近傍まで導いた
うえで前記基体表面に照射することを特徴とする。
の形成方法は、反応容器中に被成膜基体を配置し、少な
くとも二種の原料気体を前記基体表面で反応させて前記
被成膜基体上に酸素および窒素のうちの少なくとも一方
の化合物薄膜を形成するに際し、酸素および窒素のうち
の少なくとも一方の元素を含む気体を予め分解させてプ
ラズマ化するとともに、酸素あるいは窒素を含まない他
の原料ガスと混合することなく前記基体近傍まで導いた
うえで前記基体表面に照射することを特徴とする。
【００１０】ここで基体近傍とは基体から２０ｍｍ以内
の領域をいう。この領域まで酸素および窒素のうちの少
なくとも一方を含むガスを導くことができれば、極めて
反応性に富む性質を維持することができる。
の領域をいう。この領域まで酸素および窒素のうちの少
なくとも一方を含むガスを導くことができれば、極めて
反応性に富む性質を維持することができる。
【００１１】
【作用】本発明によれば、あらかじめ分解され構成元素
に一例の酸素を含む第２の気体と、構成元素に一例の珪
素を含む第１の気体から生成される反応種が効率よく入
射する。このため成膜速度を高速化する事が可能であ
る。また、あらかじめ分解された構成元素に酸素を含む
第２の気体を基板面に対し均一に反応容器に放出する事
により、基板面に均一な膜厚の酸化シリコン膜を形成す
る事が可能となる。
に一例の酸素を含む第２の気体と、構成元素に一例の珪
素を含む第１の気体から生成される反応種が効率よく入
射する。このため成膜速度を高速化する事が可能であ
る。また、あらかじめ分解された構成元素に酸素を含む
第２の気体を基板面に対し均一に反応容器に放出する事
により、基板面に均一な膜厚の酸化シリコン膜を形成す
る事が可能となる。
【００１２】
（実施例１）図１に本発明の一実施例のリモートプラズ
マＣＶＤ法に係る半導体化合物薄膜の形成方法に用いら
れる装置を示し、これによって以下に説明する。
マＣＶＤ法に係る半導体化合物薄膜の形成方法に用いら
れる装置を示し、これによって以下に説明する。
【００１３】この装置は、反応容器１１と、この反応容
器１１に内装され酸化膜被形成基板２を載置した基板加
熱ヒータ３と、反応容器１１の下部に取付けされた排気
ポンプ４と、反応容器１１の上部に設けられて第１のガ
スを導入する第１のガス導入管５および第１のガス導入
管５に接続し反応容器内に伸びる第１のガスノズル６
と、反応容器１１の上部に設けられて第２のガスを導入
する第２のガス導入管１７と、この第２のガス導入管１
７に反応容器の外側に設けられた予備分解室１８および
これに設けられたＲＦコイル１９を備えるとともに、反
応容器内に伸びプラズマ化したガスを基板に吹付ける位
置に導く絶縁物でなる管状の第２のガスノズル１００が
夫々接続された構成である。
器１１に内装され酸化膜被形成基板２を載置した基板加
熱ヒータ３と、反応容器１１の下部に取付けされた排気
ポンプ４と、反応容器１１の上部に設けられて第１のガ
スを導入する第１のガス導入管５および第１のガス導入
管５に接続し反応容器内に伸びる第１のガスノズル６
と、反応容器１１の上部に設けられて第２のガスを導入
する第２のガス導入管１７と、この第２のガス導入管１
７に反応容器の外側に設けられた予備分解室１８および
これに設けられたＲＦコイル１９を備えるとともに、反
応容器内に伸びプラズマ化したガスを基板に吹付ける位
置に導く絶縁物でなる管状の第２のガスノズル１００が
夫々接続された構成である。
【００１４】構成元素に珪素を含む第１のガス、例えば
ＳｉＨ4は第１のガス導入管５より反応容器に導入され
ガスノズル６より反応容器内に解放される。一方構成元
素に酸素を含む第２の気体、例えばＯ2は第２のガス導
入管１７より予備分解室１８に導入される。予備分解室
でＲＦコイル１９にＲＦ電流を通じることにより第２の
気体を電離して分解する。分解された第２の気体は第１
の気体と混合される事なくガスノズル１００中を流れ基
板より２０ｍｍ以内の位置で反応容器中に解放される。
第２の気体はガスノズル６より導入された第１の気体と
反応して基板２上に酸化シリコン膜が形成される。
ＳｉＨ4は第１のガス導入管５より反応容器に導入され
ガスノズル６より反応容器内に解放される。一方構成元
素に酸素を含む第２の気体、例えばＯ2は第２のガス導
入管１７より予備分解室１８に導入される。予備分解室
でＲＦコイル１９にＲＦ電流を通じることにより第２の
気体を電離して分解する。分解された第２の気体は第１
の気体と混合される事なくガスノズル１００中を流れ基
板より２０ｍｍ以内の位置で反応容器中に解放される。
第２の気体はガスノズル６より導入された第１の気体と
反応して基板２上に酸化シリコン膜が形成される。
【００１５】上記においてたとえば、第１の気体として
ＳｉＨ4、第２の気体としてＯ2を用い基板温度４００
℃、ＳｉＨ4：Ｏ2比１：１、圧力０．５Ｔｏｒｒで成膜
したところ２０００Ａ／ｍｉｎの高い成膜速度を得た。
得られた酸化シリコン膜の抵抗率は１０14オーム・ｃｍ
台の良質な物であった。成膜速度が上昇した理由は明か
でないが、成膜に関わるＳｉＨ4と酸素からの生成物の
寿命が短いためではないかと考えられる。
ＳｉＨ4、第２の気体としてＯ2を用い基板温度４００
℃、ＳｉＨ4：Ｏ2比１：１、圧力０．５Ｔｏｒｒで成膜
したところ２０００Ａ／ｍｉｎの高い成膜速度を得た。
得られた酸化シリコン膜の抵抗率は１０14オーム・ｃｍ
台の良質な物であった。成膜速度が上昇した理由は明か
でないが、成膜に関わるＳｉＨ4と酸素からの生成物の
寿命が短いためではないかと考えられる。
【００１６】（実施例２）上記実施例１によると、形成
された一例の酸化シリコン膜に、第２のガス導入管のガ
スノズル１００の下端面を中心とする微少の膜厚分布が
なお認められた。そこで、さらに膜厚の均一をはかるべ
く改良を施した。この改良点は、第１実施例における第
２のガス導入管のガスノズル１００を図２、ないし図４
に夫々示す構造としたものである。
された一例の酸化シリコン膜に、第２のガス導入管のガ
スノズル１００の下端面を中心とする微少の膜厚分布が
なお認められた。そこで、さらに膜厚の均一をはかるべ
く改良を施した。この改良点は、第１実施例における第
２のガス導入管のガスノズル１００を図２、ないし図４
に夫々示す構造としたものである。
【００１７】以下、上記改良点について各図を参照して
説明する。なお、上記実施例１と変わらない部分につい
ては図面に実施例１におけると同じ符号をつけて示し説
明を省略する。
説明する。なお、上記実施例１と変わらない部分につい
ては図面に実施例１におけると同じ符号をつけて示し説
明を省略する。
【００１８】図２に示す第２のガスノズル２００は、予
め分解した一例のプラズマ化Ｏ2を反応容器中に、基板
面に対し均一に解放させるように先端に碗状の反射部２
００ａが基板２に対向し設けられている。
め分解した一例のプラズマ化Ｏ2を反応容器中に、基板
面に対し均一に解放させるように先端に碗状の反射部２
００ａが基板２に対向し設けられている。
【００１９】また、図３に示す第２のガスノズル３００
は、先端に管で形成された（自動車の）ハンドル型で、
一例のプラズマ化Ｏ2を基板に向かう吐出孔３００ｂを
有する吹出部３００ａが基板に対向して設けられてい
る。
は、先端に管で形成された（自動車の）ハンドル型で、
一例のプラズマ化Ｏ2を基板に向かう吐出孔３００ｂを
有する吹出部３００ａが基板に対向して設けられてい
る。
【００２０】さらに、図４に示す第２のガスノズル４０
０は、先端に中空の円板状吹出部４００ａが基板に対向
して設けられ、基板との対向面（図の下面）に吹出孔４
００ｂと、基板と対向しない面（図の上面）に吹出孔４
００ｃが複数個ずつ設けられている。これらの吹出孔４
００ｂ、４００ｃの中には垂直線上に一致する（上方か
らみて基板が視える）ように設けられているものが一部
にある。これにより第１のガスが基板面に供与できる。
０は、先端に中空の円板状吹出部４００ａが基板に対向
して設けられ、基板との対向面（図の下面）に吹出孔４
００ｂと、基板と対向しない面（図の上面）に吹出孔４
００ｃが複数個ずつ設けられている。これらの吹出孔４
００ｂ、４００ｃの中には垂直線上に一致する（上方か
らみて基板が視える）ように設けられているものが一部
にある。これにより第１のガスが基板面に供与できる。
【００２１】（実施例３）この実施例は一例としてＡｌ
2Ｏ3膜の形成例を示し、図５を参照して次に説明する。
2Ｏ3膜の形成例を示し、図５を参照して次に説明する。
【００２２】反応容器２１は基板加熱ヒータ２３を内装
し、これにＡｌ2Ｏ3膜が形成される基板２２を載置す
る。また、この反応容器２１にはこの内部を真空にする
排気ポンプ４、第１のガス導入管２５とこれに接続し第
１のガスを反応容器内に導く第１のガスノズル２６、お
よびプラズマ化した一例の酸素を導入する第２のガス導
入管２７とこれに接続し反応容器内に設けられて第２の
ガスを基板に吹付ける位置に導く第２のガスノズル２８
が夫々接続されている。さらに反応容器２１の外部には
前記第１のガス導入管２５にバブラー３０が設けられて
おり、このバブラーには一例としてＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ
3）3）が満たされ、これに第１のガス導入管から導入さ
れたＨ2が通される。また、前記第２のガス導入管２７
には反応容器２１の外側でかつこの第２のガス導入管２
７から離隔して設けられたマグネトロン３１でマイクロ
波を発生させ、これを導波管３２を介してこの第２のガ
ス導入管２７に共鳴キャビテイ３３が設けられており、
ここにマイクロ波プラズマを発生させる。そして第２の
ガス導入管２７にＯ2が導入され、これが予備分解室３
４を経て共鳴キャビテイ３３に至り、ここに発生してい
るマイクロ波プラズマによって活性酸素となる。この活
性酸素は前記第２のガスノズル２８から基板に吹付けら
れ、成膜が達成される。
し、これにＡｌ2Ｏ3膜が形成される基板２２を載置す
る。また、この反応容器２１にはこの内部を真空にする
排気ポンプ４、第１のガス導入管２５とこれに接続し第
１のガスを反応容器内に導く第１のガスノズル２６、お
よびプラズマ化した一例の酸素を導入する第２のガス導
入管２７とこれに接続し反応容器内に設けられて第２の
ガスを基板に吹付ける位置に導く第２のガスノズル２８
が夫々接続されている。さらに反応容器２１の外部には
前記第１のガス導入管２５にバブラー３０が設けられて
おり、このバブラーには一例としてＴＭＡ（Ａｌ（ＣＨ
3）3）が満たされ、これに第１のガス導入管から導入さ
れたＨ2が通される。また、前記第２のガス導入管２７
には反応容器２１の外側でかつこの第２のガス導入管２
７から離隔して設けられたマグネトロン３１でマイクロ
波を発生させ、これを導波管３２を介してこの第２のガ
ス導入管２７に共鳴キャビテイ３３が設けられており、
ここにマイクロ波プラズマを発生させる。そして第２の
ガス導入管２７にＯ2が導入され、これが予備分解室３
４を経て共鳴キャビテイ３３に至り、ここに発生してい
るマイクロ波プラズマによって活性酸素となる。この活
性酸素は前記第２のガスノズル２８から基板に吹付けら
れ、成膜が達成される。
【００２３】叙上により基板面に極めて均一な膜厚の酸
化シリコン薄膜が得られた。この時の成膜速度は５００
Ａ／ｍｉｎ程度に低下したが実用上充分な成膜速度であ
る。以上の実施例では気体の電離分解にＲＦコイルを用
いたが、気体の分解手段としては平行平板電極を用いた
ＲＦ放電、マイクロ波放電等も可能である。また、第１
の気体としては珪素を構成元素として含む物であればＳ
ｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、ＳｉＨ2Ｆ2、ＳｉＦ4、ＳｉＨ2Ｃｌ
2、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎ
ｅ）等でもよい。また、第２の気体としては酸素を構成
元素として含む、Ｎ2Ｏ、Ｈ2ＯあるいはＮ2等でも良
い。Ｎ2を入れた場合には窒化膜、ＯとＮを入れた場合
には酸化窒化膜が形成できることはいうまでもない。さ
らに、第１、第２の気体とともにＨｅ、Ａｒ、Ｈ2、Ｎ2
等の希釈ガスを加えても効果は変わらない。
化シリコン薄膜が得られた。この時の成膜速度は５００
Ａ／ｍｉｎ程度に低下したが実用上充分な成膜速度であ
る。以上の実施例では気体の電離分解にＲＦコイルを用
いたが、気体の分解手段としては平行平板電極を用いた
ＲＦ放電、マイクロ波放電等も可能である。また、第１
の気体としては珪素を構成元素として含む物であればＳ
ｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、ＳｉＨ2Ｆ2、ＳｉＦ4、ＳｉＨ2Ｃｌ
2、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎ
ｅ）等でもよい。また、第２の気体としては酸素を構成
元素として含む、Ｎ2Ｏ、Ｈ2ＯあるいはＮ2等でも良
い。Ｎ2を入れた場合には窒化膜、ＯとＮを入れた場合
には酸化窒化膜が形成できることはいうまでもない。さ
らに、第１、第２の気体とともにＨｅ、Ａｒ、Ｈ2、Ｎ2
等の希釈ガスを加えても効果は変わらない。
【００２４】次に、本発明の実施例にあたって設定した
基礎条件を以下にあげる。
基礎条件を以下にあげる。
【００２５】（ａ）ガスノズルと基板面との距離の設定
の経緯は、過当に近接せしめると膜厚分布が悪化するの
で、基板面に均一にガスを接触させる好適な値として上
記２０ｍｍを選択した。実験から上記距離が５０ｍｍの
場合、膜厚分布はほぼ１桁劣化することがわかった。
の経緯は、過当に近接せしめると膜厚分布が悪化するの
で、基板面に均一にガスを接触させる好適な値として上
記２０ｍｍを選択した。実験から上記距離が５０ｍｍの
場合、膜厚分布はほぼ１桁劣化することがわかった。
【００２６】（ｂ）第１のガスと第２のガスとの流量比
は１：１０ないし１０：１の範囲で良好な結果が示され
た。
は１：１０ないし１０：１の範囲で良好な結果が示され
た。
【００２７】（ｃ）プラズマを発生させるパワーは５０
０Ｗないし２００Ｗの範囲で好適であった。
０Ｗないし２００Ｗの範囲で好適であった。
【００２８】（ｄ）成膜時の圧力はおおよそ０．５Ｔｏ
ｒｒないし２Ｔｏｒｒの範囲内が推賞できる。
ｒｒないし２Ｔｏｒｒの範囲内が推賞できる。
【００２９】（ｅ）成膜時の基板の温度は３００℃ない
し６００℃の範囲に保持することが好ましい。
し６００℃の範囲に保持することが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】叙上の本発明によれば、あらかじめ分解
された構成元素に半導体元素と化合する元素を含む気体
と、構成元素に半導体元素を含む気体から生成した反応
種効率良くかつ均一に基板面に入射させるため、高速か
つ均一に高品質な半導体化合物薄膜が形成できる。
された構成元素に半導体元素と化合する元素を含む気体
と、構成元素に半導体元素を含む気体から生成した反応
種効率良くかつ均一に基板面に入射させるため、高速か
つ均一に高品質な半導体化合物薄膜が形成できる。
【図１】本発明に係る実施例１の薄膜形成方法を説明す
るための形成装置の断面図。
るための形成装置の断面図。
【図２】本発明に係る実施例２の薄膜形成方法を説明す
るための形成装置の断面図。
るための形成装置の断面図。
【図３】本発明に用いられる薄膜形成装置の要部を示す
一部断面で示す斜視図。
一部断面で示す斜視図。
【図４】本発明に用いられる薄膜形成装置の要部を示す
一部断面で示す斜視図。
一部断面で示す斜視図。
【図５】本発明に係る実施例３の薄膜形成方法を説明す
るための形成装置の断面図。
るための形成装置の断面図。
【図６】従来の薄膜形成方法を説明するための形成装置
の断面図。
の断面図。
１、１１、２１ 反応容器 ２ 酸化膜被形成基板 ３ 基板加熱ヒータ ４ 排気ポンプ ５、２５ 第１のガス導入管 ６、２６ 第１のガスノズル ７、１７、２７ 第２のガス導入管 ８、１８、３４ 予備分解室 ９、１９ ＲＦコイル ２８、１００、２００、３００、４００ 第２のガス
ノズル ２００ａ 反射部 ３００ａ、４００ａ 吹出部 ３００ｂ、４００ｂ、４００ｃ 吹出孔
ノズル ２００ａ 反射部 ３００ａ、４００ａ 吹出部 ３００ｂ、４００ｂ、４００ｃ 吹出孔
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器中に被成膜基体を配置し、少な
くとも二種の原料気体を前記基体表面で反応させて前記
被成膜基体上に酸素および窒素のうちの少なくとも一方
の化合物薄膜を形成するに際し、酸素および窒素のうち
の少なくとも一方の元素を含む気体を予め分解させてプ
ラズマ化するとともに、酸素あるいは窒素を含まない他
の原料ガスと混合することなく前記基体近傍まで導いた
うえで前記基体表面に照射することを特徴とする化合物
薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5554493A JPH06267856A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 化合物薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5554493A JPH06267856A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 化合物薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267856A true JPH06267856A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13001661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5554493A Pending JPH06267856A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 化合物薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267856A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030037092A (ko) * | 2001-11-02 | 2003-05-12 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조장치 |
| JP2009033120A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5554493A patent/JPH06267856A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030037092A (ko) * | 2001-11-02 | 2003-05-12 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조장치 |
| JP2009033120A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
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