JPH06265410A - 輻射を用いたプロセス状態検出装置及び制御装置 - Google Patents
輻射を用いたプロセス状態検出装置及び制御装置Info
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- JPH06265410A JPH06265410A JP5053763A JP5376393A JPH06265410A JP H06265410 A JPH06265410 A JP H06265410A JP 5053763 A JP5053763 A JP 5053763A JP 5376393 A JP5376393 A JP 5376393A JP H06265410 A JPH06265410 A JP H06265410A
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- Japan
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- wavelength
- epr
- value
- spectrum
- emissivity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温で輻射エネルギを発する製造物のプロセ
ス処理中の状態の検出及び制御を高精度で行う。 【構成】 プロセス材料の放出する輻射エネルギを、回
転板状の可変透過波長フィルタないしは偏光フィルタを
通して、複数の離隔波長帯域又は、偏光角を用いる光電
変換素子により検出し、放射率累乗比のスペクトルを求
め、それによりプロセス状態検出・制御の精度を向上さ
せる。
ス処理中の状態の検出及び制御を高精度で行う。 【構成】 プロセス材料の放出する輻射エネルギを、回
転板状の可変透過波長フィルタないしは偏光フィルタを
通して、複数の離隔波長帯域又は、偏光角を用いる光電
変換素子により検出し、放射率累乗比のスペクトルを求
め、それによりプロセス状態検出・制御の精度を向上さ
せる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属、半導体、超伝導
材料等を製造する際のように、プロセス材料が高温にな
り輻射エネルギを発する製造物のプロセス中の状態の検
出ならびに自動制御の精度を高めるのに好適な、輻射を
用いたプロセス状態検出装置及び制御装置に関するもの
である。
材料等を製造する際のように、プロセス材料が高温にな
り輻射エネルギを発する製造物のプロセス中の状態の検
出ならびに自動制御の精度を高めるのに好適な、輻射を
用いたプロセス状態検出装置及び制御装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】例えば従来、表面処理鋼板等を連続的に
プロセス処理する際に、その表面に生じる酸化膜の厚さ
（真の制御量）を目標値に制御するためには、その膜厚
をオンラインで計測することができないので、制御量と
して温度を用い、温度と膜厚との間に一定の関係がある
ことを前提として、温度を制御することにより間接的に
膜厚の制御を行っていた。
プロセス処理する際に、その表面に生じる酸化膜の厚さ
（真の制御量）を目標値に制御するためには、その膜厚
をオンラインで計測することができないので、制御量と
して温度を用い、温度と膜厚との間に一定の関係がある
ことを前提として、温度を制御することにより間接的に
膜厚の制御を行っていた。
【０００３】連続プロセスラインでは、通常プロセス材
料の表面温度を放射温度計を用いて測定しているが、上
記表面処理鋼板等のプロセス材料のようにその表面に酸
化膜が形成され、経時的に成長していく場合には、その
表面からの分光放射率も変化するために制御量である温
度を必ずしも正確に測定できない。
料の表面温度を放射温度計を用いて測定しているが、上
記表面処理鋼板等のプロセス材料のようにその表面に酸
化膜が形成され、経時的に成長していく場合には、その
表面からの分光放射率も変化するために制御量である温
度を必ずしも正確に測定できない。
【０００４】即ち、放射測温技術を応用して熱物体の表
面温度を測定する放射温度計には、測定に使用する波長
が１つの単色温度計と、２つの２色温度計等があり、単
色温度計ではもとより、２波長を使用する２色温度計で
も測定対象の放射率が変化する場合には大きな測定誤差
が生じる。
面温度を測定する放射温度計には、測定に使用する波長
が１つの単色温度計と、２つの２色温度計等があり、単
色温度計ではもとより、２波長を使用する２色温度計で
も測定対象の放射率が変化する場合には大きな測定誤差
が生じる。
【０００５】２色温度計では、測定する２波長での分光
放射率がほぼ等しいか又は一定の比例関係が成立する場
合には温度測定精度に問題はないが、熱物体の表面状態
が酸化反応等で急変し、分光放射率が上記関係から外れ
るときには測定精度が著しく悪くなる（単色式放射温度
計はこれよりも更に誤差は大きい）。
放射率がほぼ等しいか又は一定の比例関係が成立する場
合には温度測定精度に問題はないが、熱物体の表面状態
が酸化反応等で急変し、分光放射率が上記関係から外れ
るときには測定精度が著しく悪くなる（単色式放射温度
計はこれよりも更に誤差は大きい）。
【０００６】この測定精度問題を解決した放射温度計と
して放射率を補正して使用する改良形２色温度計が、特
公平３−４８５５に開示されている。
して放射率を補正して使用する改良形２色温度計が、特
公平３−４８５５に開示されている。
【０００７】又、上記改良形２色温度計と実質的に同一
の放射測温技術に、田中、D.P.Dewi、ttによる「Theory
of a New Radiation Thermometry Method and an Expe
rimental Study Using Galvannealed Steel Specimens
」（計測自動制御学会論文集第２５巻第１０号１０３
１／１０３７頁１９８９年１０月）に開示されているＴ
ＲＡＣＥ（Thermometry Re-established by Automatic
Compensation of Emissivity）法がある。このＴＲＡＣ
Ｅ法は、特公平３−４８５５に開示されている改良形２
色温度計に比べ、繰り返し計算があるため、計算が複雑
で時間がかかり、又、実験式を作り難い等の欠点があ
る。
の放射測温技術に、田中、D.P.Dewi、ttによる「Theory
of a New Radiation Thermometry Method and an Expe
rimental Study Using Galvannealed Steel Specimens
」（計測自動制御学会論文集第２５巻第１０号１０３
１／１０３７頁１９８９年１０月）に開示されているＴ
ＲＡＣＥ（Thermometry Re-established by Automatic
Compensation of Emissivity）法がある。このＴＲＡＣ
Ｅ法は、特公平３−４８５５に開示されている改良形２
色温度計に比べ、繰り返し計算があるため、計算が複雑
で時間がかかり、又、実験式を作り難い等の欠点があ
る。
【０００８】上記改良放射温度計とＴＲＡＣＥ法は基本
的に同一の計算法を採用しているので前者を中心に説明
する。
的に同一の計算法を採用しているので前者を中心に説明
する。
【０００９】特公平３−４８５５は、Ｗien （ウィー
ン）の近似則を用いるもので、初めに以下の説明で使用
する記号の原則的意味を明らかにしておく。
ン）の近似則を用いるもので、初めに以下の説明で使用
する記号の原則的意味を明らかにしておく。
【００１０】 温度測定波長 ：λ1 、λ2 、・・・λ
i ［μm ］ 上記各波長の近接波長 ：λ1x、λ2x、・・・λ
ix［μm ］ 上記波長の大小関係 λ1 ＜λ1x＜λ2 ＜λ2x＜・
・・＜λi ＜λix 温度測定波長λi における分光放射率 ：εi ［μm
］ 近接波長λixにおける近接分光放射率 ：εix［μm
］ 熱物体表面 真温度 ：Ｔ［Ｋ］ 熱物体表面 波長λi における輝度温度 ：Ｓi ［Ｋ］ 熱物体表面 波長λixにおける輝度温度 ：Ｓix［Ｋ］ 放射（Plank ）第１定数Ｃ1 ：3.7418×104 ［Ｗ
・cm-2・μm 4 ］ 放射（Plank ）第２定数Ｃ2 ：1.4388×104 ［μ
m ・Ｋ］
i ［μm ］ 上記各波長の近接波長 ：λ1x、λ2x、・・・λ
ix［μm ］ 上記波長の大小関係 λ1 ＜λ1x＜λ2 ＜λ2x＜・
・・＜λi ＜λix 温度測定波長λi における分光放射率 ：εi ［μm
］ 近接波長λixにおける近接分光放射率 ：εix［μm
］ 熱物体表面 真温度 ：Ｔ［Ｋ］ 熱物体表面 波長λi における輝度温度 ：Ｓi ［Ｋ］ 熱物体表面 波長λixにおける輝度温度 ：Ｓix［Ｋ］ 放射（Plank ）第１定数Ｃ1 ：3.7418×104 ［Ｗ
・cm-2・μm 4 ］ 放射（Plank ）第２定数Ｃ2 ：1.4388×104 ［μ
m ・Ｋ］
【００１１】輻射に関するＷien の近似式は次式（１）
である。
である。
【００１２】 Ｌλi ＝εi Ｃ1 ／λi 5 ｛exp （Ｃ2 ／λi Ｔ）｝-1 …（１）
【００１３】ここで添字のi は２波長に応じてi ＝１，
２である。２波長に応じた２つの式から真温度Ｔを消去
すると、次式（２）が得られる。
２である。２波長に応じた２つの式から真温度Ｔを消去
すると、次式（２）が得られる。
【００１４】
【数１】
【００１５】この式中の定数を見れば明らかに次の
（３）の関係が成り立つことがわかる。
（３）の関係が成り立つことがわかる。
【００１６】
【数２】
【００１７】従って、２波長で観測されるエネルギ信号
Ｌによって、（３）式左辺のような波長累乗比を計算す
ると、それは右辺の放射率の関数に比例した値となる。
Ｌによって、（３）式左辺のような波長累乗比を計算す
ると、それは右辺の放射率の関数に比例した値となる。
【００１８】この（３）式の右辺を「放射率累乗比」と
呼び、ＥＰＲ（Emissivity Power Ratio）と略記する。
呼び、ＥＰＲ（Emissivity Power Ratio）と略記する。
【００１９】上記の式変形を輝度温度Ｓi を用いて繰り
返すと、Ｗien の近似式の同値変形は次の（４）式であ
り、これから真温度Ｔを消去すると以下の（５）式が得
られる。
返すと、Ｗien の近似式の同値変形は次の（４）式であ
り、これから真温度Ｔを消去すると以下の（５）式が得
られる。
【００２０】 Ｔ＝｛Ｓi -1＋（λi ／Ｃ2 ）・lnεi ｝-1 （i ＝１．２） …（４）
【００２１】
【数３】
【００２２】（５）式は可観測の輝度温度から放射率累
乗比ＥＰＲを求める式であり、（３）式と同値である。
乗比ＥＰＲを求める式であり、（３）式と同値である。
【００２３】（３）式あるいは（５）式からわかるよう
に、ＥＰＲの値はオンラインで可観測である。
に、ＥＰＲの値はオンラインで可観測である。
【００２４】特公平３−４８５５では、次の（６）式に
示すような、ＥＰＲと放射率累乗比の関数f をオフライ
ンで実験で予め観測によって求めておき、このf によっ
てＥＰＲから放射率累乗比を求めている。
示すような、ＥＰＲと放射率累乗比の関数f をオフライ
ンで実験で予め観測によって求めておき、このf によっ
てＥＰＲから放射率累乗比を求めている。
【００２５】
【数４】
【００２６】ここではＥＰＲの形から、放射率比との相
関がとり易いことを利用している。
関がとり易いことを利用している。
【００２７】又、放射率累乗比ＥＰＲの特別な場合とし
て、測定角度ないしは偏光角度を利用した方式も本発明
者によって提案されている。
て、測定角度ないしは偏光角度を利用した方式も本発明
者によって提案されている。
【００２８】これは２組の異なった測定角度ないしは偏
光角度θa 、θb にて測定される２つの輝度エネルギ信
号から、前記と同様にＥＰＲをオンラインで得るもので
ある。
光角度θa 、θb にて測定される２つの輝度エネルギ信
号から、前記と同様にＥＰＲをオンラインで得るもので
ある。
【００２９】この場合、２組の測定において測定波長λ
自体は同一であるので、ＥＰＲは放射率比の単純な波長
の累乗となり、放射率比がオンラインで得られることに
なる。
自体は同一であるので、ＥＰＲは放射率比の単純な波長
の累乗となり、放射率比がオンラインで得られることに
なる。
【００３０】（５）式に対応する測定角、偏光角度方式
の場合の式は、θa 、θb での放射率をそれぞれεa 、
εb とすると次式のようになる。
の場合の式は、θa 、θb での放射率をそれぞれεa 、
εb とすると次式のようになる。
【００３１】 εa ／εb ＝exp ｛Ｃ2 ／λ（１／Ｓa −１／Ｓb ）｝ …（７）
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記各
式を用いる測定方法は、表面状態が酸化反応等で変化す
る熱物体に適用する場合には、表面変化に対して「鈍
い」測定波長を選択すれば、よい精度で温度測定が可能
であるが、選択波長の放射率累乗比が表面状態の変化に
対して敏感に変化する場合には、測定精度が著しく悪く
なる。
式を用いる測定方法は、表面状態が酸化反応等で変化す
る熱物体に適用する場合には、表面変化に対して「鈍
い」測定波長を選択すれば、よい精度で温度測定が可能
であるが、選択波長の放射率累乗比が表面状態の変化に
対して敏感に変化する場合には、測定精度が著しく悪く
なる。
【００３３】又、前述した如く、放射温度計では、鋼板
を連続的に処理する場合のように材料の表面状態が経時
的に変化し、それに伴って放射率も変化する場合には、
プロセス材料の表面温度をオンラインで正確に測定する
ことはできない。従って、プロセス材料の表面温度を制
御量として使用し、炉温等の加熱温度やラインスピード
等の操作量を制御しても酸化膜の厚さを高精度に制御す
ることができないという問題がある。
を連続的に処理する場合のように材料の表面状態が経時
的に変化し、それに伴って放射率も変化する場合には、
プロセス材料の表面温度をオンラインで正確に測定する
ことはできない。従って、プロセス材料の表面温度を制
御量として使用し、炉温等の加熱温度やラインスピード
等の操作量を制御しても酸化膜の厚さを高精度に制御す
ることができないという問題がある。
【００３４】又、仮に表面温度を正確に測定することが
できたとしても、その温度に酸化膜厚が正確に対応して
いるとは限らないので、同様に測定温度を制御量として
使用しても酸化膜厚を目標値に制御できるとは限らない
という問題がある。
できたとしても、その温度に酸化膜厚が正確に対応して
いるとは限らないので、同様に測定温度を制御量として
使用しても酸化膜厚を目標値に制御できるとは限らない
という問題がある。
【００３５】これらの問題点を解決するために、本発明
者は既に特願平３−３５２７９７において、連続プロセ
スラインの場合に、複数の放射温度計の波長と測定角度
をうまくとることによって好適な制御を可能とするプロ
セス制御装置を提案している。
者は既に特願平３−３５２７９７において、連続プロセ
スラインの場合に、複数の放射温度計の波長と測定角度
をうまくとることによって好適な制御を可能とするプロ
セス制御装置を提案している。
【００３６】しかしながら、最近の半導体のナノメート
ルオーダの薄膜成長制御、超電導体の積層多重薄膜成長
制御、あるいはＸ線フィルタ等の積層多重薄膜成長制御
においては、更に高い制御精度が必要とされている。
ルオーダの薄膜成長制御、超電導体の積層多重薄膜成長
制御、あるいはＸ線フィルタ等の積層多重薄膜成長制御
においては、更に高い制御精度が必要とされている。
【００３７】前記特願平３−３５２７９７は、これらの
問題に応えるものであり、酸化膜等の薄膜の厚さや表面
合金化度等の物性である真の制御量の制御精度を飛躍的
に向上させるという優れた効果を有しているが、２波長
ないしは２角度をよほどうまくセットしないと状態検出
・制御がし難いという問題点があった。
問題に応えるものであり、酸化膜等の薄膜の厚さや表面
合金化度等の物性である真の制御量の制御精度を飛躍的
に向上させるという優れた効果を有しているが、２波長
ないしは２角度をよほどうまくセットしないと状態検出
・制御がし難いという問題点があった。
【００３８】即ち、図１に示すように、ＥＰＲの値に対
する種々の物性値の感度が鈍いことがある。この感度が
鈍いという状況では変化がわからないため、物性値制御
はもとより、物性値検出も精度が低くなってしまう。
する種々の物性値の感度が鈍いことがある。この感度が
鈍いという状況では変化がわからないため、物性値制御
はもとより、物性値検出も精度が低くなってしまう。
【００３９】結局従来は、ある２波長によるＥＰＲしか
感知していなかったので、その波長帯に依存した状態し
か検出・制御ができないという問題があった。
感知していなかったので、その波長帯に依存した状態し
か検出・制御ができないという問題があった。
【００４０】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
く成されたもので、輻射エネルギを放射する材料のプロ
セスにおいて、プロセス材料の放出する輻射エネルギを
広帯域波長で検知する、あるいは偏光角を検知すること
により、ＥＰＲスペクトルを用いて、制御精度を大幅に
向上させた輻射を用いたプロセス状態検出装置及び制御
装置を提供することを目的とする。
く成されたもので、輻射エネルギを放射する材料のプロ
セスにおいて、プロセス材料の放出する輻射エネルギを
広帯域波長で検知する、あるいは偏光角を検知すること
により、ＥＰＲスペクトルを用いて、制御精度を大幅に
向上させた輻射を用いたプロセス状態検出装置及び制御
装置を提供することを目的とする。
【００４１】
【課題を解決するための手段】本発明は、輻射を用いた
プロセス状態検出装置及び制御装置において、プロセス
材料の放出する輻射エネルギを、広帯域波長で検知する
光電変換素子と、該広帯域内の複数の波長のエネルギを
選択的に繰り返し透過させるフィルタ機構と、前記選択
透過波長の、ある特定波長と、その他のパラメータ波長
との２組の輻射エネルギから、波長をパラメータとする
放射率累乗比に対応する値に変換する放射率累乗比計算
手段とを備えた構成とすることにより、前記目的を達成
したものである。
プロセス状態検出装置及び制御装置において、プロセス
材料の放出する輻射エネルギを、広帯域波長で検知する
光電変換素子と、該広帯域内の複数の波長のエネルギを
選択的に繰り返し透過させるフィルタ機構と、前記選択
透過波長の、ある特定波長と、その他のパラメータ波長
との２組の輻射エネルギから、波長をパラメータとする
放射率累乗比に対応する値に変換する放射率累乗比計算
手段とを備えた構成とすることにより、前記目的を達成
したものである。
【００４２】本発明は、又、前記プロセス状態検出装置
及び制御装置において、更に、ある時刻の波長をパラメ
ータとする放射率累乗比のピークを与える波長パラメー
タ値と、そのピーク値とを出力する手段を備えた構成と
することにより、同様に前記目的を達成したものであ
る。
及び制御装置において、更に、ある時刻の波長をパラメ
ータとする放射率累乗比のピークを与える波長パラメー
タ値と、そのピーク値とを出力する手段を備えた構成と
することにより、同様に前記目的を達成したものであ
る。
【００４３】本発明は、又、前記プロセス状態検出装置
及び制御装置において、更に、ある時刻の波長をパラメ
ータとする放射率累乗比のピーク値の時間軸上の最大値
が出た時刻と、そのピーク値を与える波長とを出力する
手段を備えた構成とすることにより、同様に前記目的を
達成したものである。
及び制御装置において、更に、ある時刻の波長をパラメ
ータとする放射率累乗比のピーク値の時間軸上の最大値
が出た時刻と、そのピーク値を与える波長とを出力する
手段を備えた構成とすることにより、同様に前記目的を
達成したものである。
【００４４】本発明は、又、輻射を用いたプロセス状態
検出装置及び制御装置において、プロセス材料の放出す
る輻射エネルギを検知する光電変換素子と、該輻射エネ
ルギの複数の偏光角を選択的に繰り返し透過させる偏光
フィルタ機構と、前記選択透過偏光角の、ある特定偏光
角と、その他のパラメータ偏光角との２組の輻射エネル
ギから、偏光角をパラメータとする放射率累乗比に対応
する値に変換する放射率累乗比計算手段とを備えた構成
とすることにより、同様に前記目的を達成したものであ
る。
検出装置及び制御装置において、プロセス材料の放出す
る輻射エネルギを検知する光電変換素子と、該輻射エネ
ルギの複数の偏光角を選択的に繰り返し透過させる偏光
フィルタ機構と、前記選択透過偏光角の、ある特定偏光
角と、その他のパラメータ偏光角との２組の輻射エネル
ギから、偏光角をパラメータとする放射率累乗比に対応
する値に変換する放射率累乗比計算手段とを備えた構成
とすることにより、同様に前記目的を達成したものであ
る。
【００４５】本発明は、又、前記プロセス状態検出装置
及び制御装置において、更に、ある時刻の偏光角をパラ
メータとする放射率累乗比のピークを与える偏光角と、
そのピーク値とを出力する手段を備えた構成とすること
により、同様に前記目的を達成したものである。
及び制御装置において、更に、ある時刻の偏光角をパラ
メータとする放射率累乗比のピークを与える偏光角と、
そのピーク値とを出力する手段を備えた構成とすること
により、同様に前記目的を達成したものである。
【００４６】本発明は、又、前記プロセス状態検出装置
及び制御装置において、更に、ある時刻の偏光角をパラ
メータとする放射率累乗比のピーク値の時間軸上の最大
値が出た時刻と、そのピーク値を与える偏光角とを出力
する手段を備えた構成とすることにより、同様に前記目
的を達成したものである。
及び制御装置において、更に、ある時刻の偏光角をパラ
メータとする放射率累乗比のピーク値の時間軸上の最大
値が出た時刻と、そのピーク値を与える偏光角とを出力
する手段を備えた構成とすることにより、同様に前記目
的を達成したものである。
【００４７】
【作用】前述したように、波長によって放射率累乗比Ｅ
ＰＲの値に対する種々の物性値の感度が鈍いことがある
が、このような場合でも、例えば図２（a ）に示すよう
に、波長λ1 、λ2 では感度が鈍いのに、図２（b ）に
示すように、波長λ3 、λ4 に対しては高感度が得られ
ることがある。
ＰＲの値に対する種々の物性値の感度が鈍いことがある
が、このような場合でも、例えば図２（a ）に示すよう
に、波長λ1 、λ2 では感度が鈍いのに、図２（b ）に
示すように、波長λ3 、λ4 に対しては高感度が得られ
ることがある。
【００４８】即ち、従来はある２波長によるＥＰＲしか
検知していなかったので、その波長帯に依存した状態し
か検出・制御できなかったのであるが、本発明は、この
欠点をＥＰＲを拡張したＥＰＲスペクトルを用い、ＥＰ
Ｒスペクトルをオンラインでモニタすることによって解
決し、広い波長域で検出・制御できるようにしたもので
ある。
検知していなかったので、その波長帯に依存した状態し
か検出・制御できなかったのであるが、本発明は、この
欠点をＥＰＲを拡張したＥＰＲスペクトルを用い、ＥＰ
Ｒスペクトルをオンラインでモニタすることによって解
決し、広い波長域で検出・制御できるようにしたもので
ある。
【００４９】本発明の中心であるＥＰＲスペクトルの定
義を以下に述べる。
義を以下に述べる。
【００５０】従来のＥＰＲを適当な中心代表波長λ
0 と、それに応じた放射率ε0 ＝ε（λ 0 ）を基準とし
た基準ＥＰＲを、次式（８）
0 と、それに応じた放射率ε0 ＝ε（λ 0 ）を基準とし
た基準ＥＰＲを、次式（８）
【数５】 で定義する。
【００５１】これは、波長λの関数とみてλ＝λ0 のと
きＥＰＲ（λ0 ）＝１であり、その他のλのときは、λ
0 （ε0 ）からの相対的ＥＰＲを示すものである。
きＥＰＲ（λ0 ）＝１であり、その他のλのときは、λ
0 （ε0 ）からの相対的ＥＰＲを示すものである。
【００５２】上記ＥＰＲ（λ）は、波長λの関数であ
り、図３に示すように、波長λを横軸にとると光学のス
ペクトルと似ているので、これをＥＰＲスペクトルと呼
ぶことにする。
り、図３に示すように、波長λを横軸にとると光学のス
ペクトルと似ているので、これをＥＰＲスペクトルと呼
ぶことにする。
【００５３】更に本発明では、ＥＰＲスペクトルの時間
変化も考慮するので、波長λと時間t の２変数のスペク
トル時間変化関数ＥＰＲ（λ，t ）を考えることにな
る。
変化も考慮するので、波長λと時間t の２変数のスペク
トル時間変化関数ＥＰＲ（λ，t ）を考えることにな
る。
【００５４】材料プロセス中にＥＰＲスペクトルを観測
すると、λ、t の変化に伴い、ＥＰＲ（λ）は例えば図
４に示すような曲面を構成する。又、図５（a ）、（b
）、（c ）はそれぞれ図４の時刻t ＝０、t ＝ t1 、t
＝ t2 における断面を示すグラフである。
すると、λ、t の変化に伴い、ＥＰＲ（λ）は例えば図
４に示すような曲面を構成する。又、図５（a ）、（b
）、（c ）はそれぞれ図４の時刻t ＝０、t ＝ t1 、t
＝ t2 における断面を示すグラフである。
【００５５】図４において、初期t ＝０ではλ＝λM で
スペクトルピークＭ0 を示している（図５（a ））が、
t ＝ t1 ではλ＝λ1 でスペクトル極大値Ｍ1 となり
（図５（b ））、t ＝ t2 ではλ＝λ2 でスペクトル極
小値Ｍ2 を示す（図５（c ））。
スペクトルピークＭ0 を示している（図５（a ））が、
t ＝ t1 ではλ＝λ1 でスペクトル極大値Ｍ1 となり
（図５（b ））、t ＝ t2 ではλ＝λ2 でスペクトル極
小値Ｍ2 を示す（図５（c ））。
【００５６】このようなピーク値、極大値、極小値は材
料表面状態と密接な関係がある。即ち、表面酸化膜の構
成分子（膜質）の相異（例えばＦe Ｏ、Ｆe 2 Ｏ3 とＦ
e 3Ｏ4 ）が極大値、極小値を挾んで起こる。あるい
は、合金化の活性原子がなくなる合金化反応の完了や、
あるいは表面改質で、極めて良好な平坦度が得られる等
の、プロセス上極めて重要な状態が極大値、極小値を監
視することで判明する。
料表面状態と密接な関係がある。即ち、表面酸化膜の構
成分子（膜質）の相異（例えばＦe Ｏ、Ｆe 2 Ｏ3 とＦ
e 3Ｏ4 ）が極大値、極小値を挾んで起こる。あるい
は、合金化の活性原子がなくなる合金化反応の完了や、
あるいは表面改質で、極めて良好な平坦度が得られる等
の、プロセス上極めて重要な状態が極大値、極小値を監
視することで判明する。
【００５７】図６は、図４と同じ状態における、従来技
術による検出を示すもので、従来はある２波長を固定し
ての検出であったので、例えば任意の波長λx をとり、
λ0、λx の２波長による従来のＥＰＲ＝εx のλx 乗
／ε0 のλ0 乗をモニタした状況が図７（a ）に示され
ているが、このように感度が悪い。図４の極大値、極小
値はλ0 、λ1 に対するＥＰＲ（λ1 ）、あるいは
λ0 、λ2 に対するＥＰＲ（λ2 ）を検知していれば検
出可能である。実際、図７（b ）、（c ）に示すよう
に、ＥＰＲ（λ1 ）、ＥＰＲ（λ2 ）は高感度である。
術による検出を示すもので、従来はある２波長を固定し
ての検出であったので、例えば任意の波長λx をとり、
λ0、λx の２波長による従来のＥＰＲ＝εx のλx 乗
／ε0 のλ0 乗をモニタした状況が図７（a ）に示され
ているが、このように感度が悪い。図４の極大値、極小
値はλ0 、λ1 に対するＥＰＲ（λ1 ）、あるいは
λ0 、λ2 に対するＥＰＲ（λ2 ）を検知していれば検
出可能である。実際、図７（b ）、（c ）に示すよう
に、ＥＰＲ（λ1 ）、ＥＰＲ（λ2 ）は高感度である。
【００５８】しかし、このようなλ1 、λ2 は予めわか
っていることはまれであるし、プロセス毎にλ1 、λ2
は変わる。即ち、ピーク座標が変わることもある。この
ように従来技術では、ＥＰＲスペクトルの極大値、極小
値の検出は非常に困難である。
っていることはまれであるし、プロセス毎にλ1 、λ2
は変わる。即ち、ピーク座標が変わることもある。この
ように従来技術では、ＥＰＲスペクトルの極大値、極小
値の検出は非常に困難である。
【００５９】そこで本発明においては、時間t だけでな
く、波長λも変化させ広い波長帯域でＥＰＲスペクトル
ＥＰＲ（λ，t ）を検知して、前記困難を解消してい
る。
く、波長λも変化させ広い波長帯域でＥＰＲスペクトル
ＥＰＲ（λ，t ）を検知して、前記困難を解消してい
る。
【００６０】本発明では、プロセス材料の輻射エネルギ
を可変透過波長フィルタを通じて、広帯域波長で検知す
る光電変換素子によって検出し、その波長を示す信号と
共にＥＰＲ計算手段へ送り、そこにおいて、ＥＰＲスペ
クトルデータを作成する。
を可変透過波長フィルタを通じて、広帯域波長で検知す
る光電変換素子によって検出し、その波長を示す信号と
共にＥＰＲ計算手段へ送り、そこにおいて、ＥＰＲスペ
クトルデータを作成する。
【００６１】更に、該ＥＰＲスペクトルデータからスペ
クトル値の極大値を求め、そのときの波長と共に出力す
る。あるいは、スペクトル値の最大値を与える時刻を、
そのときの波長と共に出力する。又一方、ＥＰＲスペク
トルデータを、オフラインで与えられるＥＰＲスペクト
ルの時間変化の目標値と比較し、その誤差を出力して、
その情報により材料プロセスの高精度な制御が行われ
る。
クトル値の極大値を求め、そのときの波長と共に出力す
る。あるいは、スペクトル値の最大値を与える時刻を、
そのときの波長と共に出力する。又一方、ＥＰＲスペク
トルデータを、オフラインで与えられるＥＰＲスペクト
ルの時間変化の目標値と比較し、その誤差を出力して、
その情報により材料プロセスの高精度な制御が行われ
る。
【００６２】又、可変透過波長フィルタの代わりに偏光
フィルタを用いて、プロセス材料の輻射エネルギの偏光
角を検出する場合には、ＥＰＲスペクトルは単なる放射
率比スペクトルとなるが、波長の代わりに偏光角を用い
て前と同じ処理が行われる。
フィルタを用いて、プロセス材料の輻射エネルギの偏光
角を検出する場合には、ＥＰＲスペクトルは単なる放射
率比スペクトルとなるが、波長の代わりに偏光角を用い
て前と同じ処理が行われる。
【００６３】
【実施例】以下図面を参照して、本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００６４】図８は、本発明に係る第１実施例の概念構
成を示す説明図である。図８において、１は検出部、１
００は処理部であり、１０は光電変換素子、１２は輻射
エネルギの透過部、２０は可変透過波長フィルタ、３０
は角度検出センサであり、又Ｔはターゲット（被プロセ
ス材）、ＯP は光学集光系、Ｃは光電変換素子冷却デバ
イス、Ｍはフィルタ回転モータである。
成を示す説明図である。図８において、１は検出部、１
００は処理部であり、１０は光電変換素子、１２は輻射
エネルギの透過部、２０は可変透過波長フィルタ、３０
は角度検出センサであり、又Ｔはターゲット（被プロセ
ス材）、ＯP は光学集光系、Ｃは光電変換素子冷却デバ
イス、Ｍはフィルタ回転モータである。
【００６５】検出部１で重要なのは可変透過波長フィル
タ２０である。図９はその正面図であり、フィルタ２０
はモータＭによって回転し、回転角θで表わす。フィル
タ２０は各部分での透過波長が図１０に示すように角θ
と共に連続的に変化している。このようなフィルタを構
成するには図１１に示すように回転角θと共に干渉膜厚
相対値が連続的に変化するように干渉膜を可変で作れば
よい。
タ２０である。図９はその正面図であり、フィルタ２０
はモータＭによって回転し、回転角θで表わす。フィル
タ２０は各部分での透過波長が図１０に示すように角θ
と共に連続的に変化している。このようなフィルタを構
成するには図１１に示すように回転角θと共に干渉膜厚
相対値が連続的に変化するように干渉膜を可変で作れば
よい。
【００６６】以下、第１実施例の作用を説明する。
【００６７】図８に示すように、検出部１ではターゲッ
トＴの輻射エネルギＬ（λ，t ）を、可変透過波長フィ
ルタ２０を通し、波長λを変化させて広帯域にて、光電
変換素子１０へ入力し、処理部１００へ出力する。この
とき角度検出センサ３０により、その波長λを弁別する
ためのフィルタ角度検知信号λ（θ）も同時に処理部１
００へ出力する。
トＴの輻射エネルギＬ（λ，t ）を、可変透過波長フィ
ルタ２０を通し、波長λを変化させて広帯域にて、光電
変換素子１０へ入力し、処理部１００へ出力する。この
とき角度検出センサ３０により、その波長λを弁別する
ためのフィルタ角度検知信号λ（θ）も同時に処理部１
００へ出力する。
【００６８】処理部１００は、Ｌ（λ，t ）、λ（θ）
を受け取り処理するのであるが、その構成を図１２に示
す。まずＬ（λ， t0 ）データ作成ブロック１０２で
は、フィルタ２０の１回転に要する時間をΔt とすると
き、t ＝ t0 からt ＝ t0 ＋Δt の間のデータを、図１
３に示すように、サンプリング間隔Δλでサンプリング
して、図１４に示すようなＬ（λ， t0 ）データを作成
する。
を受け取り処理するのであるが、その構成を図１２に示
す。まずＬ（λ， t0 ）データ作成ブロック１０２で
は、フィルタ２０の１回転に要する時間をΔt とすると
き、t ＝ t0 からt ＝ t0 ＋Δt の間のデータを、図１
３に示すように、サンプリング間隔Δλでサンプリング
して、図１４に示すようなＬ（λ， t0 ）データを作成
する。
【００６９】次にＥＰＲスペクトルＥＰＲ（λ， t0 ）
データ作成ブロック１０４では、λmin ＜λ0 ＜λmax
なる中心波長λ0 にて、最小波長λmin から最大波長λ
maxまでのλ値にて、式（８）で定義されるＥＰＲスペ
クトルＥＰＲ（λ）を、図１５に示すように、Ｌ（λ，
t0 ）からΔλ刻みで計算し、t ＝ t0 のＥＰＲスペク
トルデータ、ＥＰＲ（λ， t0 ）を作成する。
データ作成ブロック１０４では、λmin ＜λ0 ＜λmax
なる中心波長λ0 にて、最小波長λmin から最大波長λ
maxまでのλ値にて、式（８）で定義されるＥＰＲスペ
クトルＥＰＲ（λ）を、図１５に示すように、Ｌ（λ，
t0 ）からΔλ刻みで計算し、t ＝ t0 のＥＰＲスペク
トルデータ、ＥＰＲ（λ， t0 ）を作成する。
【００７０】データ記録ブロック１０６では、時刻 t0
を任意に動かしたＥＰＲスペクトルの時間変化のオンラ
インデータＥＰＲ（λ，t ）を記録する。
を任意に動かしたＥＰＲスペクトルの時間変化のオンラ
インデータＥＰＲ（λ，t ）を記録する。
【００７１】状態検知ブロック１０８ではＥＰＲ（λ，
t ）を用いて状態の検知を行うが、その態様には次の２
通りがある。
t ）を用いて状態の検知を行うが、その態様には次の２
通りがある。
【００７２】第１は、図１６に示すように、スペクトル
値の極大値Ｍとそのときの波長λを出力するものであ
り、第２は、図１７に示すように、スペクトル値の最大
値を与える時刻t とそのときの波長λを出力するもので
ある。図１６、図１７の機能に対応したプロセス状態検
出方法を図１８に示す。
値の極大値Ｍとそのときの波長λを出力するものであ
り、第２は、図１７に示すように、スペクトル値の最大
値を与える時刻t とそのときの波長λを出力するもので
ある。図１６、図１７の機能に対応したプロセス状態検
出方法を図１８に示す。
【００７３】まず図１６の場合、スペクトル最大値検出
ブロック１０８０で、時刻t におけるスペクトル中の最
大値を検出し、ストアする。次に、スペクトル極大値検
出及び出力ブロック１０８２において、t ＝ t1 −Δt
におけるスペクトル最大値Ｍ -1（このときλ＝λ-1）
（図１９（a ））、t ＝ t1 におけるスペクトル最大値
Ｍ1 （このときλ＝λ1 ）（図１９（b ））、t ＝ t1
＋Δt のおけるスペクトル最大値Ｍ+1（このときλ＝λ
+1）（図１９（c ））を求め、これらの最大値を比較
し、スペクトル値の極大値Ｍを検出し、その時の波長λ
と組みにして（Ｍ，λ）、スペクトル極大値検知信号と
共に出力する。これらと表面状態との関係はオフライン
データとして持っているので、これだけ出力すればよ
い。
ブロック１０８０で、時刻t におけるスペクトル中の最
大値を検出し、ストアする。次に、スペクトル極大値検
出及び出力ブロック１０８２において、t ＝ t1 −Δt
におけるスペクトル最大値Ｍ -1（このときλ＝λ-1）
（図１９（a ））、t ＝ t1 におけるスペクトル最大値
Ｍ1 （このときλ＝λ1 ）（図１９（b ））、t ＝ t1
＋Δt のおけるスペクトル最大値Ｍ+1（このときλ＝λ
+1）（図１９（c ））を求め、これらの最大値を比較
し、スペクトル値の極大値Ｍを検出し、その時の波長λ
と組みにして（Ｍ，λ）、スペクトル極大値検知信号と
共に出力する。これらと表面状態との関係はオフライン
データとして持っているので、これだけ出力すればよ
い。
【００７４】又、図１７の場合、図１８に示すように、
各時刻でのスペクトルの最大値を与える点をつないでで
きる最大値曲線をt −λ平面上へ射影した曲線を考え
（図２０）、（t ，λ）出力ブロック１０８４は、t ＝
t のスペクトル最大値を与える波長λを（t ，λ）の組
合せで出力する。
各時刻でのスペクトルの最大値を与える点をつないでで
きる最大値曲線をt −λ平面上へ射影した曲線を考え
（図２０）、（t ，λ）出力ブロック１０８４は、t ＝
t のスペクトル最大値を与える波長λを（t ，λ）の組
合せで出力する。
【００７５】又、図１２において、処理部１００中の１
１０にて保持されている、オフラインで与えられるＥＰ
Ｒスペクトルの時間変化目標値を、１１２のデータ比較
ブロックでオンライン記録データＥＰＲ（λ，t ）と比
較し、その誤差を出力し、この情報をもとに、公知の制
御装置で、温度、ラインスピード、濃度等の諸制御量の
高精度な制御が行われる。
１０にて保持されている、オフラインで与えられるＥＰ
Ｒスペクトルの時間変化目標値を、１１２のデータ比較
ブロックでオンライン記録データＥＰＲ（λ，t ）と比
較し、その誤差を出力し、この情報をもとに、公知の制
御装置で、温度、ラインスピード、濃度等の諸制御量の
高精度な制御が行われる。
【００７６】なお、第１実施例の変形として、可変透過
波長フィルタ２０の代わりに図２１及び図２２に示すよ
うに、異なる透過波長フィルタを組合せ、回転角θと共
に透過波長が段階的に変化するように構成した組合せフ
ィルタ１２０を用いることもできる。
波長フィルタ２０の代わりに図２１及び図２２に示すよ
うに、異なる透過波長フィルタを組合せ、回転角θと共
に透過波長が段階的に変化するように構成した組合せフ
ィルタ１２０を用いることもできる。
【００７７】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
【００７８】第２実施例の構成は、図８に示す第１実施
例と同じで、可変透過波長フィルタ２０を図２３に示す
ような偏光フィルタ１４０に替えたものである。偏光フ
ィルタ１４０は図２３（a ）に示すように普通の偏光板
を用いて構成し、フィルタの回転と共に振動方向が変化
するものであり、図２３（b ）に９０°回転した状態を
示す。又、図２４はフィルタの回転角と偏光角の関係を
示したものである。
例と同じで、可変透過波長フィルタ２０を図２３に示す
ような偏光フィルタ１４０に替えたものである。偏光フ
ィルタ１４０は図２３（a ）に示すように普通の偏光板
を用いて構成し、フィルタの回転と共に振動方向が変化
するものであり、図２３（b ）に９０°回転した状態を
示す。又、図２４はフィルタの回転角と偏光角の関係を
示したものである。
【００７９】偏光フィルタを用いる場合には、ＥＰＲは
放射率比であるのでＥＰＲスペクトルは単なる放射率比
スペクトルεθ2 （λ，t ）／εθ1 （λ，t ）とな
る。即ち、適当な角度θ0 での放射率をε0 とすると、
ＥＰＲスペクトルは次式で与えられる。
放射率比であるのでＥＰＲスペクトルは単なる放射率比
スペクトルεθ2 （λ，t ）／εθ1 （λ，t ）とな
る。即ち、適当な角度θ0 での放射率をε0 とすると、
ＥＰＲスペクトルは次式で与えられる。
【００８０】 ＥＰＲ（λ）＝εθ／ε0 …（９）
【００８１】又、これらは次式のようにしてもよい。
【００８２】 ＥＰＲ（λ）＝（εθ／ε0 ）λ0 …（１０）
【００８３】第２実施例では、波長の代わりに偏光角を
用いて、第１実施例と同様の処理が行われ、ＥＰＲスペ
クトルのピーク値が求められ特異的な表面状態が検出で
きる。
用いて、第１実施例と同様の処理が行われ、ＥＰＲスペ
クトルのピーク値が求められ特異的な表面状態が検出で
きる。
【００８４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、プ
ロセス材料のプロセス処理において、放射率累乗比（Ｅ
ＰＲ）スペクトルをオンラインでモニタすることによっ
て広い波長域で状態検出・制御が可能となった。従っ
て、制御可能範囲が拡がり、プロセス状態検出・制御の
精度が著しく向上し、プロセス材料の品質を大幅に高め
ることができるという効果を有する。
ロセス材料のプロセス処理において、放射率累乗比（Ｅ
ＰＲ）スペクトルをオンラインでモニタすることによっ
て広い波長域で状態検出・制御が可能となった。従っ
て、制御可能範囲が拡がり、プロセス状態検出・制御の
精度が著しく向上し、プロセス材料の品質を大幅に高め
ることができるという効果を有する。
【図１】従来の、物性値と放射率累乗比（ＥＰＲ）との
相関を示す線図
相関を示す線図
【図２】同じく、物性値とＥＰＲとの相関を示す線図
【図３】本発明で用いられるＥＰＲスペクトルを示すた
めの、波長とＥＰＲとの相関を示す線図
めの、波長とＥＰＲとの相関を示す線図
【図４】同じくλとt の２変数のスペクトル時間変化関
数ＥＰＲ（λ，t ）のグラフ
数ＥＰＲ（λ，t ）のグラフ
【図５】同じく時間t を固定して波長λのみの関数とみ
たＥＰＲ（λ，t ）の線図
たＥＰＲ（λ，t ）の線図
【図６】従来の問題点を示すための、図４のＥＰＲ
（λ，t ）のグラフで波長λx を固定したことを示す線
図
（λ，t ）のグラフで波長λx を固定したことを示す線
図
【図７】同じく波長λを固定して時間t の関数とみたＥ
ＰＲ（λ，t ）の線図
ＰＲ（λ，t ）の線図
【図８】本発明の第１実施例の概念構成を示す説明図
【図９】第１実施例で用いられる可変透過波長フィルタ
の正面図
の正面図
【図１０】前記可変透過波長フィルタの回転角と透過波
長の関係を示す線図
長の関係を示す線図
【図１１】前記可変透過波長フィルタの回転角と干渉膜
厚相対値の関係を示す線図
厚相対値の関係を示す線図
【図１２】本発明の第１実施例の処理部の構造を示すブ
ロック線図
ロック線図
【図１３】第１実施例の、波長のサンプリングの様子を
示す時間と波長の関係を示す線図
示す時間と波長の関係を示す線図
【図１４】同じく、Ｌ（λ， t0 ）のサンプリングの様
子を示す線図
子を示す線図
【図１５】同じく、ＥＰＲ（λ， t0 ）のサンプリング
の様子を示す線図
の様子を示す線図
【図１６】第１実施例の処理部の状態検知ブロックの１
つの例を示すブロック線図
つの例を示すブロック線図
【図１７】同じく、状態検知ブロックの他の例を示すブ
ロック線図
ロック線図
【図１８】第１実施例における、状態検知の様子を示す
ためのＥＰＲ（λ，t ）のグラフ
ためのＥＰＲ（λ，t ）のグラフ
【図１９】第１実施例における、スペクトル値の最大を
求めるためのt を固定したＥＰＲの線図
求めるためのt を固定したＥＰＲの線図
【図２０】同じく、スペクトル値の最大を与える波長λ
を求めるためのt とλの関係を示す線図
を求めるためのt とλの関係を示す線図
【図２１】第１実施例の変形として用いられる組合せフ
ィルタの構成を示す正面図
ィルタの構成を示す正面図
【図２２】同じく、組合せフィルタの透過波長を示す線
図
図
【図２３】本発明の第２実施例で用いられる偏光フィル
タの構成を示す正面図
タの構成を示す正面図
【図２４】同じく、偏光フィルタの回転角と偏光角の関
係を示す線図
係を示す線図
１…検出部 １０…光電変換素子 １２…輻射エネルギの透過部 ２０…可変透過波長フィルタ ３０…角度検出センサ １００…処理部 １２０…組合せフィルタ １４０…偏光フィルタ
Claims (6)
- 【請求項１】プロセス材料の放出する輻射エネルギを、
広帯域波長で検知する光電変換素子と、 該広帯域内の複数の波長のエネルギを選択的に繰り返し
透過させるフィルタ機構と、 前記選択透過波長の、ある特定波長と、その他のパラメ
ータ波長との２組の輻射エネルギから、波長をパラメー
タとする放射率累乗比に対応する値に変換する放射率累
乗比計算手段と、 を備えていることを特徴とする輻射を用いたプロセス状
態検出装置及び制御装置。 - 【請求項２】請求項１において、更に、ある時刻の波長
をパラメータとする放射率累乗比のピークを与える波長
パラメータ値と、そのピーク値とを出力する手段を備え
ていることを特徴とする輻射を用いたプロセス状態検出
装置及び制御装置。 - 【請求項３】請求項１において、更に、ある時刻の波長
をパラメータとする放射率累乗比のピーク値の時間軸上
の最大値が出た時刻と、そのピーク値を与える波長とを
出力する手段を備えていることを特徴とする輻射を用い
たプロセス状態検出装置及び制御装置。 - 【請求項４】プロセス材料の放出する輻射エネルギを、
検知する光電変換素子と、 該輻射エネルギの複数の偏光角を選択的に繰り返し透過
させる偏光フィルタ機構と、 前記選択透過偏光角の、ある特定偏光角と、その他のパ
ラメータ偏光角との２組の輻射エネルギから、偏光角を
パラメータとする放射率累乗比に対応する値に変換する
放射率累乗比計算手段と、 を備えていることを特徴とする輻射を用いたプロセス状
態検出装置及び制御装置。 - 【請求項５】請求項４において、更に、ある時刻の偏光
角をパラメータとする放射率累乗比のピークを与える偏
光角と、そのピーク値とを出力する手段を備えているこ
とを特徴とする輻射を用いたプロセス状態検出装置及び
制御装置。 - 【請求項６】請求項４において、更に、ある時刻の偏光
角をパラメータとする放射率累乗比のピーク値の時間軸
上の最大値が出た時刻と、そのピーク値を与える偏光角
とを出力する手段を備えていることを特徴とする輻射を
用いたプロセス状態検出装置及び制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053763A JPH06265410A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 輻射を用いたプロセス状態検出装置及び制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053763A JPH06265410A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 輻射を用いたプロセス状態検出装置及び制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06265410A true JPH06265410A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12951863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5053763A Pending JPH06265410A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 輻射を用いたプロセス状態検出装置及び制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06265410A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6157025A (en) * | 1997-10-20 | 2000-12-05 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Disk shaped tunable optical filter |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5053763A patent/JPH06265410A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6157025A (en) * | 1997-10-20 | 2000-12-05 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Disk shaped tunable optical filter |
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