JPH06260471A - 半導体ウェーハ製造用器具 - Google Patents
半導体ウェーハ製造用器具Info
- Publication number
- JPH06260471A JPH06260471A JP6590893A JP6590893A JPH06260471A JP H06260471 A JPH06260471 A JP H06260471A JP 6590893 A JP6590893 A JP 6590893A JP 6590893 A JP6590893 A JP 6590893A JP H06260471 A JPH06260471 A JP H06260471A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- semiconductor wafer
- amount
- impurities
- cleaning tank
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 不純物及び不純ガスによる半導体ウェーハの
汚染を防止し、その結果として高集積半導体回路製造に
おける歩留りの向上を実現できる半導体ウェーハ製造用
器具を提供する。 【構成】 ガラス状カーボン基材によって形成された器
具本体の表面に炭素膜をコーティングした構成とする。
器具本体を形成するガラス状カーボン基材は、炭素材料
を高温のハロゲンガスによって熱処理することで製造す
ることができ、このガラス状カーボン基材は熱処理の結
果、炭素材料内に含有していた金属不純物が塩化物とな
るため容易に除去することができる。また、ガラス状の
カーボン基材は、開気孔が格段に少なく、よって放出ガ
ス量が少ない。さらに、器具本体の表面に高硬度材料で
ある炭素膜をコーティングしてあるので、削り屑の発生
が少ない。しかも、この炭素膜によってガラス状カーボ
ン基材の開気孔を閉塞するため、一層放出ガス量が低減
される。
汚染を防止し、その結果として高集積半導体回路製造に
おける歩留りの向上を実現できる半導体ウェーハ製造用
器具を提供する。 【構成】 ガラス状カーボン基材によって形成された器
具本体の表面に炭素膜をコーティングした構成とする。
器具本体を形成するガラス状カーボン基材は、炭素材料
を高温のハロゲンガスによって熱処理することで製造す
ることができ、このガラス状カーボン基材は熱処理の結
果、炭素材料内に含有していた金属不純物が塩化物とな
るため容易に除去することができる。また、ガラス状の
カーボン基材は、開気孔が格段に少なく、よって放出ガ
ス量が少ない。さらに、器具本体の表面に高硬度材料で
ある炭素膜をコーティングしてあるので、削り屑の発生
が少ない。しかも、この炭素膜によってガラス状カーボ
ン基材の開気孔を閉塞するため、一層放出ガス量が低減
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの製造
に使用される器具に関し、特に削れ屑及びアウトガスの
発生、静電気の蓄積等が少なくかつ高純度を要求される
洗浄槽等の半導体ウェーハ製造用器具に関する。
に使用される器具に関し、特に削れ屑及びアウトガスの
発生、静電気の蓄積等が少なくかつ高純度を要求される
洗浄槽等の半導体ウェーハ製造用器具に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の高集積化が進むにつれて、ウェ
ーハ面上に形成される配線パターンはより微細かつ高精
密となる。このような微細かつ高精密な配線パターンを
欠陥なく形成するためには、半導体ウェーハの製造工程
において、不純物の付着や不純ガス等による汚染を防止
することが極めて重要な課題となる。しかるに、従来の
半導体ウェーハ製造用器具、例えばウェーハ洗浄槽は、
プラスチック材料で形成されていたので、次のような問
題があった。
ーハ面上に形成される配線パターンはより微細かつ高精
密となる。このような微細かつ高精密な配線パターンを
欠陥なく形成するためには、半導体ウェーハの製造工程
において、不純物の付着や不純ガス等による汚染を防止
することが極めて重要な課題となる。しかるに、従来の
半導体ウェーハ製造用器具、例えばウェーハ洗浄槽は、
プラスチック材料で形成されていたので、次のような問
題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、プラスチッ
ク製の洗浄槽では、洗浄作業中に壁面が削り取られて微
細な削り屑を槽内に浮遊させ、これを半導体ウェーハに
付着させてしまうおそれがあった。また、絶縁材料であ
るプラスチックに蓄積した静電気の作用によって、洗浄
槽表面に不純物が吸着しやすいため、この表面に吸着さ
れた不純物が洗浄液中に混入し、洗浄作業に際して半導
体ウェーハへ付着するおそれがあった。さらに、プラス
チック製の洗浄槽は、不純ガスの放出量が多く、放出さ
れた不純ガスによって半導体ウェーハが汚染される危険
を有していた。本発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、不純物及び不純ガスによる半導体ウェーハの
汚染を防止し、その結果として高集積半導体回路製造に
おける歩留りの向上を実現できる半導体ウェーハ製造用
器具の提供を目的とする。
ク製の洗浄槽では、洗浄作業中に壁面が削り取られて微
細な削り屑を槽内に浮遊させ、これを半導体ウェーハに
付着させてしまうおそれがあった。また、絶縁材料であ
るプラスチックに蓄積した静電気の作用によって、洗浄
槽表面に不純物が吸着しやすいため、この表面に吸着さ
れた不純物が洗浄液中に混入し、洗浄作業に際して半導
体ウェーハへ付着するおそれがあった。さらに、プラス
チック製の洗浄槽は、不純ガスの放出量が多く、放出さ
れた不純ガスによって半導体ウェーハが汚染される危険
を有していた。本発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、不純物及び不純ガスによる半導体ウェーハの
汚染を防止し、その結果として高集積半導体回路製造に
おける歩留りの向上を実現できる半導体ウェーハ製造用
器具の提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェーハ製造用器具は、ガラス状カ
ーボン基材によって形成された器具本体と、前記器具本
体の表面にコーティングした炭素膜と、を備えた構成と
してある。
に、本発明の半導体ウェーハ製造用器具は、ガラス状カ
ーボン基材によって形成された器具本体と、前記器具本
体の表面にコーティングした炭素膜と、を備えた構成と
してある。
【０００５】
【作用】一般の炭素材料は金属不純物を多量に含んでお
り、しかも多孔貭なためガスの吸着量が多く、よってガ
ス放出量も多い。そこで、ガラス状カーボンを高温（例
えば、２０００℃以上）のハロゲンガスによって熱処理
することで、高純度なガラス状カーボンを形成する。熱
処理の結果、炭素材料内に含有していた金属不純物は塩
化物となって容易に除去することができる。また、ガラ
ス状カーボンは、開気孔が格段に少なく、よって放出ガ
ス量が少ないという特徴を有する。
り、しかも多孔貭なためガスの吸着量が多く、よってガ
ス放出量も多い。そこで、ガラス状カーボンを高温（例
えば、２０００℃以上）のハロゲンガスによって熱処理
することで、高純度なガラス状カーボンを形成する。熱
処理の結果、炭素材料内に含有していた金属不純物は塩
化物となって容易に除去することができる。また、ガラ
ス状カーボンは、開気孔が格段に少なく、よって放出ガ
ス量が少ないという特徴を有する。
【０００６】さらに、本発明の半導体ウェーハ製造用器
具は、上記ガラス状カーボン基材によって形成した器具
本体の表面に、高硬度で緻密な材料である炭素膜をコー
ティングしてあるので、削り屑の発生が少ない。しか
も、この炭素膜によってガラス状カーボン基材の開気孔
を閉塞するため、一層放出ガス量を低減している。
具は、上記ガラス状カーボン基材によって形成した器具
本体の表面に、高硬度で緻密な材料である炭素膜をコー
ティングしてあるので、削り屑の発生が少ない。しか
も、この炭素膜によってガラス状カーボン基材の開気孔
を閉塞するため、一層放出ガス量を低減している。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を実施例にもとづき更に詳細に
説明する。ただし、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。以下の実施例は、半導体ウェーハ製造用器
具として、図１に示すような構造の半導体ウェーハ洗浄
槽を製作し、各種の特性を検討したものである。同図に
示す半導体ウェーハ洗浄槽は、ガラス状カーボン基材に
よって洗浄槽本体１を形成し、さらにその洗浄槽本体１
の表面に炭素膜２をコーティングした構成となってい
る。
説明する。ただし、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。以下の実施例は、半導体ウェーハ製造用器
具として、図１に示すような構造の半導体ウェーハ洗浄
槽を製作し、各種の特性を検討したものである。同図に
示す半導体ウェーハ洗浄槽は、ガラス状カーボン基材に
よって洗浄槽本体１を形成し、さらにその洗浄槽本体１
の表面に炭素膜２をコーティングした構成となってい
る。
【０００８】実施例１〜３及び比較例。粉末状フェノー
ル樹脂を温度１５０℃、加圧力０．１ton ／cm2 で６０
分間の加圧加熱成形を行い、マス状の硬化成形体を成形
した。この成形体を不活性雰囲気下で１０００℃まで焼
成し、炭素化を行った。次いで、この焼成体を真空下で
２０００℃まで熱処理し、二次焼成体を得た。さらに、
この二次焼成体をハロゲンガスを用いて純化処理し、ガ
ラス状カーボンからなる洗浄槽本体１を形成した。続い
て、メタンガスを用いたＣＶＤ（化学蒸着）法により、
洗浄槽本体１の表面に炭素膜２をコーティングした。こ
の炭素膜コーティング時の反応温度は１２００℃とし
た。また、炭素膜２の膜厚は、２μｍ（実施例１）、１
０μｍ（実施例２）、１００μｍ（実施例３）に形成し
た。上述の方法で製造した半導体ウェーハ洗浄槽の物理
特性を表１に示す。なお、炭素膜部分の物理特性は、沈
積面に平行な方向で測定した結果を示している。また、
上記半導体ウェーハ洗浄槽の灰分量（金属不純物量）及
びガス放出量をそれぞれ表２及び表３に示す。比較例と
して、ハロゲンガスによる純化処理前の二次焼成体の灰
分量（金属不純物量）を表２に示し、またガラス状カー
ボンからなる洗浄槽本体１単味のガス放出量を表３に示
す。
ル樹脂を温度１５０℃、加圧力０．１ton ／cm2 で６０
分間の加圧加熱成形を行い、マス状の硬化成形体を成形
した。この成形体を不活性雰囲気下で１０００℃まで焼
成し、炭素化を行った。次いで、この焼成体を真空下で
２０００℃まで熱処理し、二次焼成体を得た。さらに、
この二次焼成体をハロゲンガスを用いて純化処理し、ガ
ラス状カーボンからなる洗浄槽本体１を形成した。続い
て、メタンガスを用いたＣＶＤ（化学蒸着）法により、
洗浄槽本体１の表面に炭素膜２をコーティングした。こ
の炭素膜コーティング時の反応温度は１２００℃とし
た。また、炭素膜２の膜厚は、２μｍ（実施例１）、１
０μｍ（実施例２）、１００μｍ（実施例３）に形成し
た。上述の方法で製造した半導体ウェーハ洗浄槽の物理
特性を表１に示す。なお、炭素膜部分の物理特性は、沈
積面に平行な方向で測定した結果を示している。また、
上記半導体ウェーハ洗浄槽の灰分量（金属不純物量）及
びガス放出量をそれぞれ表２及び表３に示す。比較例と
して、ハロゲンガスによる純化処理前の二次焼成体の灰
分量（金属不純物量）を表２に示し、またガラス状カー
ボンからなる洗浄槽本体１単味のガス放出量を表３に示
す。
【０００９】実施例４〜６ 炭素膜コーティング時の反応温度を１８００℃として、
上記実施例１〜３と同様の方法により半導体ウェーハ洗
浄槽を製造した。炭素膜２の膜厚は、２μｍ（実施例
４）、１０μｍ（実施例５）、１００μｍ（実施例６）
とした。各半導体ウェーハ洗浄槽の物理特性を表１に、
灰分量を表２に、ガス放出量を表３にそれぞれ示す。
上記実施例１〜３と同様の方法により半導体ウェーハ洗
浄槽を製造した。炭素膜２の膜厚は、２μｍ（実施例
４）、１０μｍ（実施例５）、１００μｍ（実施例６）
とした。各半導体ウェーハ洗浄槽の物理特性を表１に、
灰分量を表２に、ガス放出量を表３にそれぞれ示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】
【表３】
【００１３】表２及び表３の結果から明らかなように、
本発明の半導体ウェーハ洗浄槽は、灰分量（金属不純物
量）及びガス放出量がともに著しく少ないことがわか
る。また表１に示した物理的特性から明らかなように、
高硬度でかつ導電性を有することがわかる。なお、上記
実施例は半導体ウェーハ洗浄槽を示したが、本発明はこ
れに限定されず、不純物又は不純ガスによるウェーハの
汚染を防止する必要のある各種半導体ウェーハ製造用の
器具として構成できることは勿論である。
本発明の半導体ウェーハ洗浄槽は、灰分量（金属不純物
量）及びガス放出量がともに著しく少ないことがわか
る。また表１に示した物理的特性から明らかなように、
高硬度でかつ導電性を有することがわかる。なお、上記
実施例は半導体ウェーハ洗浄槽を示したが、本発明はこ
れに限定されず、不純物又は不純ガスによるウェーハの
汚染を防止する必要のある各種半導体ウェーハ製造用の
器具として構成できることは勿論である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
ェーハ製造用器具は、ガラス状カーボン基材によって形
成した器具本体の表面に炭素膜をコーティングしたの
で、不純物及び不純ガスの発生及び吸着が少なく、その
結果、半導体ウェーハの汚染が防止でき、高集積半導体
回路製造における歩留の向上に寄与することができる。
ェーハ製造用器具は、ガラス状カーボン基材によって形
成した器具本体の表面に炭素膜をコーティングしたの
で、不純物及び不純ガスの発生及び吸着が少なく、その
結果、半導体ウェーハの汚染が防止でき、高集積半導体
回路製造における歩留の向上に寄与することができる。
【図１】 本発明の実施例に係る半導体ウェーハ洗浄槽
を示す正面断面図である。
を示す正面断面図である。
１ 洗浄槽本体 ２ 炭素膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの製造に使用される器具
であって、ガラス状カーボン基材によって形成された器
具本体と、前記器具本体の表面にコーティングした炭素
膜と、を備えたことを特徴とする半導体ウェーハ製造用
器具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6590893A JPH06260471A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 半導体ウェーハ製造用器具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6590893A JPH06260471A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 半導体ウェーハ製造用器具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260471A true JPH06260471A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=13300535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6590893A Pending JPH06260471A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 半導体ウェーハ製造用器具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260471A (ja) |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP6590893A patent/JPH06260471A/ja active Pending
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