JPH0625854A - ダイヤモンド被覆基板およびダイヤモンド薄膜形成法 - Google Patents
ダイヤモンド被覆基板およびダイヤモンド薄膜形成法Info
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- JPH0625854A JPH0625854A JP18252192A JP18252192A JPH0625854A JP H0625854 A JPH0625854 A JP H0625854A JP 18252192 A JP18252192 A JP 18252192A JP 18252192 A JP18252192 A JP 18252192A JP H0625854 A JPH0625854 A JP H0625854A
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- Japan
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- grooves
- groove
- coated substrate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤダイヤモンド析出層の基材への強い接
着力を持たせた基板および放熱基板を提供する。 【構成】 析出させる基板上に所定寸法の溝を設け、そ
の溝中にセラミック粉末を充填した後、気相法ダイヤモ
ンド膜を被覆した基板。
着力を持たせた基板および放熱基板を提供する。 【構成】 析出させる基板上に所定寸法の溝を設け、そ
の溝中にセラミック粉末を充填した後、気相法ダイヤモ
ンド膜を被覆した基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイヤモンドで被覆した
治具、工具および種々基板においてダイヤモンド層と基
材の接着力を改善することによって治具、工具の寿命、
信頼性を向上させるものであり、更に放熱性の優れた特
性を持つ基板に関する。
治具、工具および種々基板においてダイヤモンド層と基
材の接着力を改善することによって治具、工具の寿命、
信頼性を向上させるものであり、更に放熱性の優れた特
性を持つ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】気相合成法でダイヤモンドを基材上に析
出できることが判って以来、析出ダイヤモンド層を基材
間の接着力を増す試みは各所で行われ、炭化珪素等の中
間層を設ける方法（特開昭６２−５７８０２、同６３−
１９９８７０）、電気化学的研磨によって表面に凹凸を
付ける方法（特開昭６０−２０１８７７）、硬質粒子に
よる傷つけによって凹凸をつける方法（特開昭６２−２
２６８８９）等が提案されている。また、放熱基板とし
ては放熱特性の良いものから順に単結晶ダイヤモンド、
立方晶窒化ホウ素、ベリリア、炭化珪素、窒化アルミニ
ウム、アルミナ等が使用されてきたが前２者は大サイズ
のものを入手するのが非常に困難であり、次のベリリア
は安全性に問題があるとされている。しかしながら発熱
量の多い半導体の使用量はますます増加しているので放
熱特性が良く使いやすい放熱基板の開発が求められてい
る。
出できることが判って以来、析出ダイヤモンド層を基材
間の接着力を増す試みは各所で行われ、炭化珪素等の中
間層を設ける方法（特開昭６２−５７８０２、同６３−
１９９８７０）、電気化学的研磨によって表面に凹凸を
付ける方法（特開昭６０−２０１８７７）、硬質粒子に
よる傷つけによって凹凸をつける方法（特開昭６２−２
２６８８９）等が提案されている。また、放熱基板とし
ては放熱特性の良いものから順に単結晶ダイヤモンド、
立方晶窒化ホウ素、ベリリア、炭化珪素、窒化アルミニ
ウム、アルミナ等が使用されてきたが前２者は大サイズ
のものを入手するのが非常に困難であり、次のベリリア
は安全性に問題があるとされている。しかしながら発熱
量の多い半導体の使用量はますます増加しているので放
熱特性が良く使いやすい放熱基板の開発が求められてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術による凹凸付
けは規則性に欠ける高々数μｍの凹凸を基材表面につけ
たアンカー効果で接着力の向上を期待した物であって充
分に接着力を増すに至っていない。特に析出膜の厚みを
増していくと蓄積された熱応力のために簡単に剥離する
ことがおきている。また、近年気相合成法によって熱伝
導性と絶縁性が両立した膜状ダイヤモンドをケイ素、炭
化珪素、超硬合金の表面に析出させることが可能となっ
たが、銅、金、銀のような熱伝導性の良い金属の表面に
任意の厚さで析出できるまでには至っていない。それは
ダイヤモンドの熱膨張係数（３．３×１０-6／Ｋ）が金
属１５〜２５×１０-6／Ｋに比較して極端に小さいこと
による熱応力に起因している。熱膨張差によって発生す
る熱応力は非常に大きいものであって、例えば銅の基材
上に熱フィラメント法によるダイヤモンドの析出を継続
していくと７００〜９００℃に加熱されている析出中は
トラブルは発生しないが、析出を終了して室温に冷却す
る過程で析出膜の剥離が直ちに起きてしまっている。そ
こで熱膨張差に基づく剥離現象を抑止しつつダイヤモン
ドと金属の組合せの特徴である高い熱伝導性を維持する
必要性がある。剥離現象はダイヤモンド自身の基材との
親和力不足、格子定数のミスマッチ、熱膨張係数の不一
致等、材料の性質に基づく本質的な問題ではあって簡単
には解決できるものではないが、新たな発想による基材
との接着力向上で、実用上問題の無い状態に改善しよう
としたのが本発明の目的である。
けは規則性に欠ける高々数μｍの凹凸を基材表面につけ
たアンカー効果で接着力の向上を期待した物であって充
分に接着力を増すに至っていない。特に析出膜の厚みを
増していくと蓄積された熱応力のために簡単に剥離する
ことがおきている。また、近年気相合成法によって熱伝
導性と絶縁性が両立した膜状ダイヤモンドをケイ素、炭
化珪素、超硬合金の表面に析出させることが可能となっ
たが、銅、金、銀のような熱伝導性の良い金属の表面に
任意の厚さで析出できるまでには至っていない。それは
ダイヤモンドの熱膨張係数（３．３×１０-6／Ｋ）が金
属１５〜２５×１０-6／Ｋに比較して極端に小さいこと
による熱応力に起因している。熱膨張差によって発生す
る熱応力は非常に大きいものであって、例えば銅の基材
上に熱フィラメント法によるダイヤモンドの析出を継続
していくと７００〜９００℃に加熱されている析出中は
トラブルは発生しないが、析出を終了して室温に冷却す
る過程で析出膜の剥離が直ちに起きてしまっている。そ
こで熱膨張差に基づく剥離現象を抑止しつつダイヤモン
ドと金属の組合せの特徴である高い熱伝導性を維持する
必要性がある。剥離現象はダイヤモンド自身の基材との
親和力不足、格子定数のミスマッチ、熱膨張係数の不一
致等、材料の性質に基づく本質的な問題ではあって簡単
には解決できるものではないが、新たな発想による基材
との接着力向上で、実用上問題の無い状態に改善しよう
としたのが本発明の目的である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記の課題を
解決すべく鋭意検討した結果、幅５〜１００μｍ、深さ
２０〜５００μｍで間隔が１０〜５００μｍである溝の
中にセラミック粉末が充填され、溝側の基板面に厚さ１
０μｍ以上のダイヤモンド薄膜が被覆されていることを
特徴とするダイヤモンド被覆基板、基板の材質が金属で
あり、放熱基板として使用することを特徴とする上記記
載のダイヤモンド被覆基板および金属が金、銀、銅また
はこれらの合金であることを特徴とする上記記載のダイ
ヤモンド被覆基板を見出し、その造り方としても被覆用
基板上に幅５〜１００μｍ、深さ２０〜５００μｍ、間
隔１０〜５００μｍの溝を設け、該溝にセラミック粉末
が充填した後、その上に厚さ１０μｍ以上のダイヤモン
ド薄膜を気相合成法によって析出させることを特徴とす
るダイヤモンド薄膜形成法を見出した。
解決すべく鋭意検討した結果、幅５〜１００μｍ、深さ
２０〜５００μｍで間隔が１０〜５００μｍである溝の
中にセラミック粉末が充填され、溝側の基板面に厚さ１
０μｍ以上のダイヤモンド薄膜が被覆されていることを
特徴とするダイヤモンド被覆基板、基板の材質が金属で
あり、放熱基板として使用することを特徴とする上記記
載のダイヤモンド被覆基板および金属が金、銀、銅また
はこれらの合金であることを特徴とする上記記載のダイ
ヤモンド被覆基板を見出し、その造り方としても被覆用
基板上に幅５〜１００μｍ、深さ２０〜５００μｍ、間
隔１０〜５００μｍの溝を設け、該溝にセラミック粉末
が充填した後、その上に厚さ１０μｍ以上のダイヤモン
ド薄膜を気相合成法によって析出させることを特徴とす
るダイヤモンド薄膜形成法を見出した。
【０００５】次に基材上に設ける溝の形状および配置に
つき述べる。 （１）溝幅 溝幅が５μｍ未満ではダイヤモンドの回り込みが少ない
のと、逆に１００μｍを超えると析出ダイヤモンドで実
質的に埋めつくさないので溝幅は５〜１００μｍ、好ま
しくは２０〜５０μｍである。 （２）溝の深さ 溝の深さが２０μｍ未満では特にピッチの広いときに接
触面積の増加が得られない。他方５００μｍを超えると
所定の形状をしたシャープな溝加工が難しくなるので２
０〜５００μｍが適し、好ましくは溝幅の３〜５倍であ
る。 （３）溝のピッチ（間隔） 溝のピッチが１０μｍ未満では加工中のチッピングで溝
自体の加工がし難いし、溝の強度も劣る。他方５００μ
ｍを超えると接触面積の増加が得られないので１０〜５
００μｍが適し、好ましくは溝幅の２〜５倍である。
つき述べる。 （１）溝幅 溝幅が５μｍ未満ではダイヤモンドの回り込みが少ない
のと、逆に１００μｍを超えると析出ダイヤモンドで実
質的に埋めつくさないので溝幅は５〜１００μｍ、好ま
しくは２０〜５０μｍである。 （２）溝の深さ 溝の深さが２０μｍ未満では特にピッチの広いときに接
触面積の増加が得られない。他方５００μｍを超えると
所定の形状をしたシャープな溝加工が難しくなるので２
０〜５００μｍが適し、好ましくは溝幅の３〜５倍であ
る。 （３）溝のピッチ（間隔） 溝のピッチが１０μｍ未満では加工中のチッピングで溝
自体の加工がし難いし、溝の強度も劣る。他方５００μ
ｍを超えると接触面積の増加が得られないので１０〜５
００μｍが適し、好ましくは溝幅の２〜５倍である。
【０００６】溝の断面形状は接触面積の増加が期待でき
る、三角形、逆三角形、矩形、台形、円またはそれらの
複合されたものやこれらの組合せのいずれでもよい。溝
の配置は一方向配列、格子配列、渦巻状、同心円状また
はそれらの複合された物でもよい。溝の加工は基材の種
類によっても異なるがダイシングソー切込み、ダイヤモ
ンド砥石切込み、各種の放電加工、マスキング後の電解
加工、化学エッチング加工、レーザー加工等によって行
うことができる。
る、三角形、逆三角形、矩形、台形、円またはそれらの
複合されたものやこれらの組合せのいずれでもよい。溝
の配置は一方向配列、格子配列、渦巻状、同心円状また
はそれらの複合された物でもよい。溝の加工は基材の種
類によっても異なるがダイシングソー切込み、ダイヤモ
ンド砥石切込み、各種の放電加工、マスキング後の電解
加工、化学エッチング加工、レーザー加工等によって行
うことができる。
【０００７】基材には気相法でダイヤモンドを析出させ
るときによく使用される気相合成法による炭化珪素（Ｃ
ＶＤ・ＳｉＣ）、焼結法による炭化珪素、超硬合金（Ｗ
Ｃ等）等を使用することができるが放熱基板として本発
明のものを使用する場合にはその基材は金属がよく、金
属でも金、銀、銅またはこれらの合金であるのが好まし
い。
るときによく使用される気相合成法による炭化珪素（Ｃ
ＶＤ・ＳｉＣ）、焼結法による炭化珪素、超硬合金（Ｗ
Ｃ等）等を使用することができるが放熱基板として本発
明のものを使用する場合にはその基材は金属がよく、金
属でも金、銀、銅またはこれらの合金であるのが好まし
い。
【０００８】本発明に使用するセラミック粉末としては
アルミナ、炭化珪素、窒化ホウ素等が使用できるが、い
かなるセラミック粉末でもよく、特にこれらのものに限
定するものではない。しかし、放熱基板の場合には熱伝
導性のよいダイヤモンドの粉末を使用すれば応力緩和と
放熱促進を兼ねて好ましい。また、使用するセラミック
粉末の粒度は溝に入ればよく、特に限定するものではな
いが、平均粒径で５〜１０μｍが好ましい。
アルミナ、炭化珪素、窒化ホウ素等が使用できるが、い
かなるセラミック粉末でもよく、特にこれらのものに限
定するものではない。しかし、放熱基板の場合には熱伝
導性のよいダイヤモンドの粉末を使用すれば応力緩和と
放熱促進を兼ねて好ましい。また、使用するセラミック
粉末の粒度は溝に入ればよく、特に限定するものではな
いが、平均粒径で５〜１０μｍが好ましい。
【０００９】また、これらのセラミック粉末は溝に詰め
る程度でよく、ガチガチに充填する必要もなく、パラパ
ラと溝に粉末を入れてトントンと叩いて詰める程度でも
よい。溝に練り込んだり、塗り込んでもよく、充分にセ
ラミック粉末が入り込んでいればよい。更にＩＣ等の放
熱基板の場合にはセラミック粉末中にＵ、Ｔｈ、Ｎａ等
の含有量の少ないものを使用するのが好ましい。
る程度でよく、ガチガチに充填する必要もなく、パラパ
ラと溝に粉末を入れてトントンと叩いて詰める程度でも
よい。溝に練り込んだり、塗り込んでもよく、充分にセ
ラミック粉末が入り込んでいればよい。更にＩＣ等の放
熱基板の場合にはセラミック粉末中にＵ、Ｔｈ、Ｎａ等
の含有量の少ないものを使用するのが好ましい。
【００１０】極端な凹凸や亀裂のある基材上にてダイヤ
モンドの気相合成を実施し、その断面を観察すると表面
の隙間間隔と同等または倍程度の深さのところまでダイ
ヤモンドが析出するが、それ以上の深いところには殆ど
析出していない事が判ったので深い溝を表面に彫り込め
ばダイヤモンドで埋まらない。また、敷き詰めた耐熱性
セラミック粉末表面に気相合成法でダイヤモンドを析出
させてその断面を観察すると、表面から３〜１０層まで
しかダイヤモンドが進入析出していないことが判ったの
で、溝の中に必要量のセラミック粉末を前もって入れて
置けばダイヤモンドの析出しなかった溝の部分が多くな
るので応力緩和等をより効果的に行うことが出来ること
を見出した。本発明で行うダイヤモンドの析出は熱フィ
ラメント法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法等の通常行わ
れている気相合成法によればよく限定するものではな
い。ダイヤモンド層の厚さは膜の強度を考慮して１０μ
ｍ以上、好ましくは５０〜３００μｍが適している。
モンドの気相合成を実施し、その断面を観察すると表面
の隙間間隔と同等または倍程度の深さのところまでダイ
ヤモンドが析出するが、それ以上の深いところには殆ど
析出していない事が判ったので深い溝を表面に彫り込め
ばダイヤモンドで埋まらない。また、敷き詰めた耐熱性
セラミック粉末表面に気相合成法でダイヤモンドを析出
させてその断面を観察すると、表面から３〜１０層まで
しかダイヤモンドが進入析出していないことが判ったの
で、溝の中に必要量のセラミック粉末を前もって入れて
置けばダイヤモンドの析出しなかった溝の部分が多くな
るので応力緩和等をより効果的に行うことが出来ること
を見出した。本発明で行うダイヤモンドの析出は熱フィ
ラメント法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法等の通常行わ
れている気相合成法によればよく限定するものではな
い。ダイヤモンド層の厚さは膜の強度を考慮して１０μ
ｍ以上、好ましくは５０〜３００μｍが適している。
【００１１】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を説
明するが、本発明はこれらの例によって限定されるもの
ではない。 実施例１〜５ 無酸素銅基材（１０×１０ｍｍ、厚み３ｍｍ）にレーザ
ー加工によって表１に示す溝幅、溝深さ、ピッチ断面が
矩形の溝を格子状にいれ溝の表面より溝幅ぶん（最大３
０μｍ）残してダイヤモンド粉末（平均粒径５μｍ粉
末）を埋めた基材上に厚さ２００μｍのダイヤモンドを
メタン濃度０．５ vol％の水素ガス雰囲気で装置内圧力
８０Torr、Ｔａフィラメント温度２０００℃、基材温度
８００℃で２００時間熱フィラメント法にて析出させ
た。ダイヤモンド析出された基材を常温まで放冷し、目
視により剥離しているかどうかを観察するとともに２０
０倍の光学顕微鏡で亀裂の有無を調べた。
明するが、本発明はこれらの例によって限定されるもの
ではない。 実施例１〜５ 無酸素銅基材（１０×１０ｍｍ、厚み３ｍｍ）にレーザ
ー加工によって表１に示す溝幅、溝深さ、ピッチ断面が
矩形の溝を格子状にいれ溝の表面より溝幅ぶん（最大３
０μｍ）残してダイヤモンド粉末（平均粒径５μｍ粉
末）を埋めた基材上に厚さ２００μｍのダイヤモンドを
メタン濃度０．５ vol％の水素ガス雰囲気で装置内圧力
８０Torr、Ｔａフィラメント温度２０００℃、基材温度
８００℃で２００時間熱フィラメント法にて析出させ
た。ダイヤモンド析出された基材を常温まで放冷し、目
視により剥離しているかどうかを観察するとともに２０
０倍の光学顕微鏡で亀裂の有無を調べた。
【００１２】また、更にダイヤモンド被覆をした基材の
表面を最終的にｄ50＝１μｍのダイヤモンド粉末で鏡面
研磨した後、基材中央に１．０×１．５ｍｍのチップ抵
抗（Ｒ＝５０Ω）を共晶ハンダで接着し、結線し、０．
５Ｗの電力投入５sec 後、チップ抵抗の外表面中央の温
度を放射温度計にて測定し表１に示した。
表面を最終的にｄ50＝１μｍのダイヤモンド粉末で鏡面
研磨した後、基材中央に１．０×１．５ｍｍのチップ抵
抗（Ｒ＝５０Ω）を共晶ハンダで接着し、結線し、０．
５Ｗの電力投入５sec 後、チップ抵抗の外表面中央の温
度を放射温度計にて測定し表１に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】実施例１〜５の試料については被覆ダイヤ
モンドの剥離も全てなく、また基材にも亀裂は全てなか
った。
モンドの剥離も全てなく、また基材にも亀裂は全てなか
った。
【００１５】実施例６〜９ 銀および金の基材（１０×１０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）につ
き表２に示す溝形状寸法およびダイヤモンド粉末溝埋め
深さ寸法以外については実施例１と同一条件で熱フィラ
メント法にてダイヤモンドを析出し、剥離および亀裂の
観察ならびにチップ抵抗の表面温度を測定した。実施例
６〜９の試料については被覆ダイヤモンドの剥離も全て
なく、また基材にも亀裂は全てなかった。
き表２に示す溝形状寸法およびダイヤモンド粉末溝埋め
深さ寸法以外については実施例１と同一条件で熱フィラ
メント法にてダイヤモンドを析出し、剥離および亀裂の
観察ならびにチップ抵抗の表面温度を測定した。実施例
６〜９の試料については被覆ダイヤモンドの剥離も全て
なく、また基材にも亀裂は全てなかった。
【００１６】
【表２】
【００１７】実施例１０〜１２ 実施例１について溝に充填したダイヤモンド粉末の代り
にｄ50＝５μｍの炭化珪素、窒化ホウ素、アルミナの粉
末を使用した以外は実施例１と同一条件で処理し、各種
の観察および測定を行った。その結果、実施例１０〜１
２の試料については全て、剥離も亀裂もなかった。ま
た、チップ抵抗の表面温度は次の様であった。 実施例１０ 充填粉末 炭化珪素 表面温度１２６℃ 〃 １１ 〃 窒化ホウ素 〃 １２７ 〃 １２ 〃 アルミナ 〃 １２８
にｄ50＝５μｍの炭化珪素、窒化ホウ素、アルミナの粉
末を使用した以外は実施例１と同一条件で処理し、各種
の観察および測定を行った。その結果、実施例１０〜１
２の試料については全て、剥離も亀裂もなかった。ま
た、チップ抵抗の表面温度は次の様であった。 実施例１０ 充填粉末 炭化珪素 表面温度１２６℃ 〃 １１ 〃 窒化ホウ素 〃 １２７ 〃 １２ 〃 アルミナ 〃 １２８
【００１８】実施例１３〜１７ 焼結炭化珪素基材（１０×１０ｍｍ、厚さ３ｍｍ）につ
きダイシングソー切込みで実施例１〜５と同一寸法の溝
形状で、炭化珪素粉末（ｄ50＝５μｍ）を溝に充填（充
填深さ実施例１〜５と同じ）し、その他の条件は実施例
１と同様に処理し、被覆ダイヤモンドの剥離および基材
の亀裂につき観察した。その結果、実施例１３〜１７の
試料につき、総てに剥離も亀裂も全くなかった。
きダイシングソー切込みで実施例１〜５と同一寸法の溝
形状で、炭化珪素粉末（ｄ50＝５μｍ）を溝に充填（充
填深さ実施例１〜５と同じ）し、その他の条件は実施例
１と同様に処理し、被覆ダイヤモンドの剥離および基材
の亀裂につき観察した。その結果、実施例１３〜１７の
試料につき、総てに剥離も亀裂も全くなかった。
【００１９】比較例１〜６ 実施例１と同じ無酸素銅基材に表３に示す溝加工を実施
例１と同じように行いその内にダイヤモンド粉末を埋込
み、気相ダイヤモンド被覆を行い、冷却後、剥離および
亀裂の有無を調べ、異常のない比較例３についてのみチ
ップ抵抗表面温度を測定した。それらの結果も含めて、
表３に示す。
例１と同じように行いその内にダイヤモンド粉末を埋込
み、気相ダイヤモンド被覆を行い、冷却後、剥離および
亀裂の有無を調べ、異常のない比較例３についてのみチ
ップ抵抗表面温度を測定した。それらの結果も含めて、
表３に示す。
【００２０】
【表３】
【００２１】比較例７、８ １０ｍｍ角、厚さ２ｍｍのアルミナ、ベリリア基板に対
し、それぞれに対し実施例１と同じように鏡面研磨後、
チップ抵抗を接着し表面温度測定をした。その結果、ア
ルミナ基板の場合３１０℃、ベリリア基板の場合１９０
℃であった。
し、それぞれに対し実施例１と同じように鏡面研磨後、
チップ抵抗を接着し表面温度測定をした。その結果、ア
ルミナ基板の場合３１０℃、ベリリア基板の場合１９０
℃であった。
【００２２】比較例９ 実施例１について気相法ダイヤモンド析出厚さを平均９
μｍとしたところ部分的に析出不十分のところが見ら
れ、チップ抵抗による放熱テストでの表面温度測定は不
可能であった。
μｍとしたところ部分的に析出不十分のところが見ら
れ、チップ抵抗による放熱テストでの表面温度測定は不
可能であった。
【００２３】
【発明の効果】所定の寸法の溝加工を表面に施し、その
溝にセラミック粉末を充填した後、所定の厚さまで気相
法によりダイヤモンドを被覆することにより、剥離現象
や基板亀裂の見られないものが得られ、更に基材材質を
金属に限ると、高性能の放熱基板が得られる。
溝にセラミック粉末を充填した後、所定の厚さまで気相
法によりダイヤモンドを被覆することにより、剥離現象
や基板亀裂の見られないものが得られ、更に基材材質を
金属に限ると、高性能の放熱基板が得られる。
Claims (4)
- 【請求項１】 幅５〜１００μｍ、深さ２０〜５００μ
ｍで間隔が１０〜５００μｍである溝の中にセラミック
粉末が充填され、溝側の基板面に厚さ１０μｍ以上のダ
イヤモンド薄膜が被覆されていることを特徴とするダイ
ヤモンド被覆基板。 - 【請求項２】 基板の材質が金属であり、放熱基板とし
て使用することを特徴とする請求項１記載のダイヤモン
ド被覆基板。 - 【請求項３】 金属が金、銀、銅またはこれらの合金で
あることを特徴とする請求項２記載のダイヤモンド被覆
基板。 - 【請求項４】 被覆用基板上に幅５〜１００μｍ、深さ
２０〜５００μｍ、間隔１０〜５００μｍの溝を設け、
該溝にセラミック粉末が充填した後、その上に厚さ１０
μｍ以上のダイヤモンド薄膜を気相合成法によって析出
させることを特徴とするダイヤモンド薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18252192A JPH0625854A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | ダイヤモンド被覆基板およびダイヤモンド薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18252192A JPH0625854A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | ダイヤモンド被覆基板およびダイヤモンド薄膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625854A true JPH0625854A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16119760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18252192A Pending JPH0625854A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | ダイヤモンド被覆基板およびダイヤモンド薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8879944B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Cartridge having molded resin electrode |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP18252192A patent/JPH0625854A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8879944B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Cartridge having molded resin electrode |
| US9367025B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Cartridge including cartridge electrode integrally molded with frame |
| US9688008B2 (en) | 2010-08-20 | 2017-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for cartridge having a molded electrode |
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