JPH06258509A - 微細構造物の作製方法 - Google Patents
微細構造物の作製方法Info
- Publication number
- JPH06258509A JPH06258509A JP4659693A JP4659693A JPH06258509A JP H06258509 A JPH06258509 A JP H06258509A JP 4659693 A JP4659693 A JP 4659693A JP 4659693 A JP4659693 A JP 4659693A JP H06258509 A JPH06258509 A JP H06258509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photopolymerizable compound
- compd
- coherent light
- photopolymerizable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易な設備・プロセスで安定して微細な構造
物を作製する方法を提供すること。 【構成】 フェニルアセチレンなどの光重合性化合物層
を備える基板に直線偏光のコヒーレント光(例えば、エ
キシマレーザ光)を照射することにより化合物を光重合
させることを特徴とする微細構造物の作製方法。上記の
光重合性化合物層は基板表面に光重合性化合物を吸着、
含浸等させることにより設けられる。
物を作製する方法を提供すること。 【構成】 フェニルアセチレンなどの光重合性化合物層
を備える基板に直線偏光のコヒーレント光(例えば、エ
キシマレーザ光)を照射することにより化合物を光重合
させることを特徴とする微細構造物の作製方法。上記の
光重合性化合物層は基板表面に光重合性化合物を吸着、
含浸等させることにより設けられる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は1μm以下の周期の凹凸
をもつ微細構造物の作製方法に関する。本発明により得
られる微細構造物は、回折格子、偏光フィルター、旋光
子、光制御機能のある各種フィルターなどの光学部品、
各種のホログラフィック・ディスプレイなどの装飾・広
告用品等に利用できる。
をもつ微細構造物の作製方法に関する。本発明により得
られる微細構造物は、回折格子、偏光フィルター、旋光
子、光制御機能のある各種フィルターなどの光学部品、
各種のホログラフィック・ディスプレイなどの装飾・広
告用品等に利用できる。
【0002】
【従来の技術】光の作用を用いて、ピッチ1μm以下の
非常に微細な構造物を作製する従来の方法として、以下
のものが挙げられる。 (1)あらかじめ微細構造が描かれているマスクを感光
性樹脂膜上に載置し、マスク上から光を照射した後、溶
媒等を用いて感光性樹脂の反応部分(ポジ型)または未
反応部分(ネガ型)を溶解除去することによって、感光
性樹脂膜上に微細構造を形成する方法(マスク露光
法)。マスクは電子ビーム描画法、レーザービーム描画
法、干渉露光法などを利用して作製される。 (2)2つの干渉可能な光を感光性樹脂膜上に照射する
ことにより生じる干渉縞によって、光が強めあう位置に
ある感光性樹脂を反応させ、溶媒等を用いて反応部分ま
たは未反応部分を除去する方法(干渉露光法)。
非常に微細な構造物を作製する従来の方法として、以下
のものが挙げられる。 (1)あらかじめ微細構造が描かれているマスクを感光
性樹脂膜上に載置し、マスク上から光を照射した後、溶
媒等を用いて感光性樹脂の反応部分(ポジ型)または未
反応部分(ネガ型)を溶解除去することによって、感光
性樹脂膜上に微細構造を形成する方法(マスク露光
法)。マスクは電子ビーム描画法、レーザービーム描画
法、干渉露光法などを利用して作製される。 (2)2つの干渉可能な光を感光性樹脂膜上に照射する
ことにより生じる干渉縞によって、光が強めあう位置に
ある感光性樹脂を反応させ、溶媒等を用いて反応部分ま
たは未反応部分を除去する方法(干渉露光法)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記(1)のマスク露
光法ではマスクの作製に高度な技術が要求され、その製
造コストが高い。また、上記(2)の干渉露光法では、
精密な位置合わせ、十分な振動対策などが要求され、安
定した作製プロセスとするためには精密な制御等の可能
な製造設備が必要となり、コストの上昇を招く。以上の
通り、従来の方法では、マスク、製造設備といった付随
的な部分で高度な技術が要求され、簡易な設備・プロセ
スでピッチ1μm以下の微細な構造物を作製することが
困難である。
光法ではマスクの作製に高度な技術が要求され、その製
造コストが高い。また、上記(2)の干渉露光法では、
精密な位置合わせ、十分な振動対策などが要求され、安
定した作製プロセスとするためには精密な制御等の可能
な製造設備が必要となり、コストの上昇を招く。以上の
通り、従来の方法では、マスク、製造設備といった付随
的な部分で高度な技術が要求され、簡易な設備・プロセ
スでピッチ1μm以下の微細な構造物を作製することが
困難である。
【0004】上記の点に鑑み、本発明は簡易な設備・プ
ロセスで安定して微細な構造物を作製する方法を提供す
ることを目的とする。
ロセスで安定して微細な構造物を作製する方法を提供す
ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、光重合性
化合物層を備える基板に直線偏光成分を含むコヒーレン
ト光を照射することにより該化合物を光重合させること
を特徴とする本発明の微細構造物の作製方法により達成
される。
化合物層を備える基板に直線偏光成分を含むコヒーレン
ト光を照射することにより該化合物を光重合させること
を特徴とする本発明の微細構造物の作製方法により達成
される。
【0006】上記の光重合性化合物としては、分子内に
1個以上の炭素−炭素二重結合を有する化合物、例え
ば、分子内にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニ
ル基、アリル基などの重合可能な基を1個以上含有する
モノマーまたはオリゴマーを用いることができる。光重
合性化合物の好適な例としては、メチルアクリレート、
エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロ
ピルアクリレート、ブチルアクリレート、ブテニルアク
リレート、フェニルアクリレート、トリブロモフェニル
アクリレート、フェノキシエチルアクリレート、トリブ
ロモフェノキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレ
ート、p−ブロモベンジルアクリレート、イソボルニル
アクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ラウ
リルアクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプ
ロピルアクリレートならびにこれらの単官能性アクリレ
ートに対応するメタクリレート類、または、ポリエステ
ルアクリレート、ポリオールポリアクリレート、変性ポ
リオールポリアクリレート、イソシアヌル酸骨格のポリ
アクリレート、メラミンアクリレート、ヒダントイン骨
格のポリアクリレート、ポリブタジエンアクリレート、
エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、また
は、ビスフェノールAジアクリレート、2,2−ビス
(4−メタクリロキシエトキシ−3,5−ジブロモフェ
ニル)プロパンなどの多官能性アクリレートやこれらの
アクリレートに対応するメタクリレート類、および、ス
チレン、p−クロロスチレン、p−ブロモスチレン、ジ
ビニルベンゼン、ビニルアセテート、アクリロニトニ
ル、N−ビニルピロリドン、ビニルナフタレン、ビニル
アントラセン等のビニル化合物、あるいはジエチレング
リコールビスアリルカーボネート、トリアリルイソシア
ヌレート、ジアリリデンペンタエリスリトール、ジアリ
ルフタレート、ジアリルイソフタレート等のアリル化合
物などが挙げられる。本発明においては、これらの化合
物の1種または2種以上を混合して用いることができ
る。また、必要により、光重合開始剤を添加することが
できる。
1個以上の炭素−炭素二重結合を有する化合物、例え
ば、分子内にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニ
ル基、アリル基などの重合可能な基を1個以上含有する
モノマーまたはオリゴマーを用いることができる。光重
合性化合物の好適な例としては、メチルアクリレート、
エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロ
ピルアクリレート、ブチルアクリレート、ブテニルアク
リレート、フェニルアクリレート、トリブロモフェニル
アクリレート、フェノキシエチルアクリレート、トリブ
ロモフェノキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレ
ート、p−ブロモベンジルアクリレート、イソボルニル
アクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ラウ
リルアクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプ
ロピルアクリレートならびにこれらの単官能性アクリレ
ートに対応するメタクリレート類、または、ポリエステ
ルアクリレート、ポリオールポリアクリレート、変性ポ
リオールポリアクリレート、イソシアヌル酸骨格のポリ
アクリレート、メラミンアクリレート、ヒダントイン骨
格のポリアクリレート、ポリブタジエンアクリレート、
エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、また
は、ビスフェノールAジアクリレート、2,2−ビス
(4−メタクリロキシエトキシ−3,5−ジブロモフェ
ニル)プロパンなどの多官能性アクリレートやこれらの
アクリレートに対応するメタクリレート類、および、ス
チレン、p−クロロスチレン、p−ブロモスチレン、ジ
ビニルベンゼン、ビニルアセテート、アクリロニトニ
ル、N−ビニルピロリドン、ビニルナフタレン、ビニル
アントラセン等のビニル化合物、あるいはジエチレング
リコールビスアリルカーボネート、トリアリルイソシア
ヌレート、ジアリリデンペンタエリスリトール、ジアリ
ルフタレート、ジアリルイソフタレート等のアリル化合
物などが挙げられる。本発明においては、これらの化合
物の1種または2種以上を混合して用いることができ
る。また、必要により、光重合開始剤を添加することが
できる。
【0007】本発明において、基板に光重合性化合物層
を設ける方法としては、ガラス、プラスチック等の清浄
な基板の上に、光重合性化合物をスピンコーティング法
などでコーティングする方法のほか、基板表面に光重合
性化合物を吸着または含浸させる方法等が採用される。
光重合性化合物を基板表面に吸着させる場合の真空度と
しては、10-5〜10mmHgの範囲が好ましい。この
範囲をはずれ、真空度が低すぎると光重合後に未反応モ
ノマーが十分に除去されないことがあり、また真空度が
高すぎると、光照射前にモノマーが蒸発することがあ
る。また、吸着時の基板温度は光重合性化合物の融点以
下にあることが好ましい。基板温度が高すぎると、基板
への光重合性化合物の吸着が十分に起こらないことがあ
る。光重合性化合物を基板表面に含浸させる場合には、
プラスチック等の基板表面に光重合性化合物を例えば1
0〜600分間接触させて、浸透させれば良い。この場
合、必要により40〜150℃に加温することができ
る。上述の方法により基板に設けられた光重合性化合物
層を光重合させた後、または光重合させながら、未反応
モノマーが除去される。未反応のモノマーを除去する方
法としては蒸発除去法、加熱除去法、未反応のモノマー
を溶解する溶液に浸漬する方法などが挙げられる。
を設ける方法としては、ガラス、プラスチック等の清浄
な基板の上に、光重合性化合物をスピンコーティング法
などでコーティングする方法のほか、基板表面に光重合
性化合物を吸着または含浸させる方法等が採用される。
光重合性化合物を基板表面に吸着させる場合の真空度と
しては、10-5〜10mmHgの範囲が好ましい。この
範囲をはずれ、真空度が低すぎると光重合後に未反応モ
ノマーが十分に除去されないことがあり、また真空度が
高すぎると、光照射前にモノマーが蒸発することがあ
る。また、吸着時の基板温度は光重合性化合物の融点以
下にあることが好ましい。基板温度が高すぎると、基板
への光重合性化合物の吸着が十分に起こらないことがあ
る。光重合性化合物を基板表面に含浸させる場合には、
プラスチック等の基板表面に光重合性化合物を例えば1
0〜600分間接触させて、浸透させれば良い。この場
合、必要により40〜150℃に加温することができ
る。上述の方法により基板に設けられた光重合性化合物
層を光重合させた後、または光重合させながら、未反応
モノマーが除去される。未反応のモノマーを除去する方
法としては蒸発除去法、加熱除去法、未反応のモノマー
を溶解する溶液に浸漬する方法などが挙げられる。
【0008】本発明において光重合のため基板に照射す
る直線偏光コヒーレント光の波長としては190〜36
0nmの範囲、直線偏光コヒーレント光の強度としては
1平方センチあたり10mW〜1Wの範囲が高い反応効
率が得られる点で好ましい。なお、本発明で用いる光源
としては、エキシマレーザ等のレーザ装置が効率の点で
好ましいが、直線偏光コヒーレント光以外の光をあわせ
て出射する装置であってもよい。
る直線偏光コヒーレント光の波長としては190〜36
0nmの範囲、直線偏光コヒーレント光の強度としては
1平方センチあたり10mW〜1Wの範囲が高い反応効
率が得られる点で好ましい。なお、本発明で用いる光源
としては、エキシマレーザ等のレーザ装置が効率の点で
好ましいが、直線偏光コヒーレント光以外の光をあわせ
て出射する装置であってもよい。
【0009】
【作用】直線偏光したコヒーレント光を物質表面に照射
した場合、物質表面がエッチングされて微細な周期構造
が現れる現象がたとえば、IEEE、ジャーナルオブカ
ンタムエレクトロニクス、ボリュームQE22、138
4ページ(1986)に報告されている。これは、表面
の微細な凹凸により直線偏光した光の散乱効率が特定の
方向で大きくなって表面を伝播し、入射した光と干渉す
ることによって形成されるものであると考えられてい
る。本発明においては、光重合性化合物層を備える基板
表面で散乱したコヒーレント光と基板に入射してくるコ
ヒーレント光との間で干渉がおこり、干渉模様が生じ
る。干渉模様のうち、光が強め合う部分では化合物の光
重合反応が進行し、干渉して光が弱めあう部分では光重
合反応が進行しない。ここで、光照射後または光照射中
に減圧下で基板温度を融点以上(好ましくは沸点程度)
まで上昇させること等により未反応のモノマーが蒸発
し、基板上には干渉縞と同じ周期でコヒーレント光の電
界ベクトル方向と垂直方向に周期性を有する重合体構造
物が形成される。本発明によれば、一つの光束で干渉縞
が発生し、干渉する光は殆ど同じ光路を通るため、振動
対策、光学系の高精度の調整等の必要がない。なお、基
板への入射角は垂直である必要はない。本発明によって
形成される微細構造物の周期gは概ね次式で表される。 g=λ/(cosθ) ここで、λは入射コヒーレント光の波長、θは入射角度
(ラジアン)である。したがって、コヒーレント光の波
長またはコヒーレント光の入射角を変更することで、任
意の周期の構造物が作製できる。
した場合、物質表面がエッチングされて微細な周期構造
が現れる現象がたとえば、IEEE、ジャーナルオブカ
ンタムエレクトロニクス、ボリュームQE22、138
4ページ(1986)に報告されている。これは、表面
の微細な凹凸により直線偏光した光の散乱効率が特定の
方向で大きくなって表面を伝播し、入射した光と干渉す
ることによって形成されるものであると考えられてい
る。本発明においては、光重合性化合物層を備える基板
表面で散乱したコヒーレント光と基板に入射してくるコ
ヒーレント光との間で干渉がおこり、干渉模様が生じ
る。干渉模様のうち、光が強め合う部分では化合物の光
重合反応が進行し、干渉して光が弱めあう部分では光重
合反応が進行しない。ここで、光照射後または光照射中
に減圧下で基板温度を融点以上(好ましくは沸点程度)
まで上昇させること等により未反応のモノマーが蒸発
し、基板上には干渉縞と同じ周期でコヒーレント光の電
界ベクトル方向と垂直方向に周期性を有する重合体構造
物が形成される。本発明によれば、一つの光束で干渉縞
が発生し、干渉する光は殆ど同じ光路を通るため、振動
対策、光学系の高精度の調整等の必要がない。なお、基
板への入射角は垂直である必要はない。本発明によって
形成される微細構造物の周期gは概ね次式で表される。 g=λ/(cosθ) ここで、λは入射コヒーレント光の波長、θは入射角度
(ラジアン)である。したがって、コヒーレント光の波
長またはコヒーレント光の入射角を変更することで、任
意の周期の構造物が作製できる。
【0010】
実施例1 コヒーレント光源として波長248nmのエキシマレー
ザーを使用し、光重合性化合物としてフェニルアセチレ
ンを使用し、真空チャンバ中で10-3mmHgの減圧下
で液体窒素温度にあるガラス基板の表面にフェニルアセ
チレンを0.1mg吸着させ(膜厚:約1μm)、当該
基板にパルスエネルギー40mJ/cm2のレーザー光
を、入射角30度、繰り返し周波数(パルス)10Hz
の条件で10分間照射した。照射後の走査型電子顕微鏡
による観察によって微細構造物の成長が確認され、その
周期は0.2〜0.3μmであった。
ザーを使用し、光重合性化合物としてフェニルアセチレ
ンを使用し、真空チャンバ中で10-3mmHgの減圧下
で液体窒素温度にあるガラス基板の表面にフェニルアセ
チレンを0.1mg吸着させ(膜厚:約1μm)、当該
基板にパルスエネルギー40mJ/cm2のレーザー光
を、入射角30度、繰り返し周波数(パルス)10Hz
の条件で10分間照射した。照射後の走査型電子顕微鏡
による観察によって微細構造物の成長が確認され、その
周期は0.2〜0.3μmであった。
【0011】実施例2〜4 実施例1と同様にエキシマレーザー(波長193nmお
よび248nm)を使用して、表1に示す条件で微細構
造物の作製を行った。
よび248nm)を使用して、表1に示す条件で微細構
造物の作製を行った。
【表1】 いずれの実施例においても、走査電子顕微鏡による観察
によって微細構造物の成長が確認された。
によって微細構造物の成長が確認された。
【0012】実施例5 コヒーレント光源として波長248nmのエキシマレー
ザーを使用し、光重合性化合物としてメチルメタクリレ
ートを使用し、PMMA基板の表面にメチルメタクリレ
ート層の厚さが約1μmになるように含浸させ、当該基
板にパルスエネルギー40mJ/cm2のレーザー光
を、入射角30度、繰り返し周波数(パルス)10Hz
の条件で10分間照射した。照射後の走査型電子顕微鏡
による観察によって周期構造物の成長が確認され、その
周期は0.2〜0.3μmであった。
ザーを使用し、光重合性化合物としてメチルメタクリレ
ートを使用し、PMMA基板の表面にメチルメタクリレ
ート層の厚さが約1μmになるように含浸させ、当該基
板にパルスエネルギー40mJ/cm2のレーザー光
を、入射角30度、繰り返し周波数(パルス)10Hz
の条件で10分間照射した。照射後の走査型電子顕微鏡
による観察によって周期構造物の成長が確認され、その
周期は0.2〜0.3μmであった。
【0013】実施例6 実施例5において、メチルメタクリレートに変えてスチ
レンを用いる以外は同様にして、微細構造物の作製を行
ったところ、走査電子顕微鏡による観察によって微細構
造物の成長が確認された。
レンを用いる以外は同様にして、微細構造物の作製を行
ったところ、走査電子顕微鏡による観察によって微細構
造物の成長が確認された。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、高価なマスクを使用す
る必要がないほか、振動対策等を施す必要がないので、
簡易な設備・プロセスで安定して微細構造物を作製する
ことができる。
る必要がないほか、振動対策等を施す必要がないので、
簡易な設備・プロセスで安定して微細構造物を作製する
ことができる。
Claims (5)
- 【請求項1】 光重合性化合物層を備える基板に直線偏
光成分を含むコヒーレント光を照射することにより該化
合物を光重合させることを特徴とする微細構造物の作製
方法。 - 【請求項2】 光重合性化合物層を備える基板表面で散
乱したコヒーレント光と基板に入射してくるコヒーレン
ト光との間で発生する干渉光の作用により該化合物を光
重合させることを特徴とする請求項1記載の微細構造物
の作製方法。 - 【請求項3】 基板表面に光重合性化合物を吸着させる
ことにより光重合性化合物層が形成されたことを特徴と
する請求項1記載の微細構造物の作製方法。 - 【請求項4】 光重合性化合物層を備える基板の温度が
光重合性化合物の融点以下にあることを特徴とする請求
項3記載の微細構造物の作製方法。 - 【請求項5】 基板表面に光重合性化合物を含浸させる
ことにより光重合性化合物層が形成されたことを特徴と
する請求項1記載の微細構造物の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4659693A JP2825193B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 凹凸パターンの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4659693A JP2825193B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 凹凸パターンの作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06258509A true JPH06258509A (ja) | 1994-09-16 |
JP2825193B2 JP2825193B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=12751685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4659693A Expired - Fee Related JP2825193B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 凹凸パターンの作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2825193B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004359344A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-24 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラスチック包装体及びその加飾方法 |
US8586158B2 (en) | 2003-05-14 | 2013-11-19 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | Decorated plastic package |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP4659693A patent/JP2825193B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004359344A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-24 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラスチック包装体及びその加飾方法 |
JP4539129B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2010-09-08 | 東洋製罐株式会社 | プラスチック包装体及びその加飾方法 |
US8586158B2 (en) | 2003-05-14 | 2013-11-19 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | Decorated plastic package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2825193B2 (ja) | 1998-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Moon et al. | Fabricating three‐dimensional polymeric photonic structures by multi‐beam interference lithography | |
US6479193B1 (en) | Optical recording film and process for production thereof | |
US3809732A (en) | Photo-locking technique for producing integrated optical circuits | |
JP3039165B2 (ja) | 光記録膜及びその製造方法 | |
JP2008523453A (ja) | 有孔性ホログラフィック膜 | |
US11920252B2 (en) | SU-8 etching technique using molten salt | |
US20030129501A1 (en) | Fabricating artificial crystalline structures | |
JP3060308B2 (ja) | 体積位相型ホログラムの製造方法及び製造装置 | |
JP2825193B2 (ja) | 凹凸パターンの作製方法 | |
JPH06281805A (ja) | 屈折率変調パターンの作製方法 | |
US9052588B2 (en) | Composition for producing optical elements having gradient structure | |
US20230042586A1 (en) | Interference lithography using reflective base surfaces | |
JPS62247356A (ja) | アニオン性重合可能モノマ−の蒸着フオトレジストの製造方法およびその製品 | |
JPH0217002B2 (ja) | ||
JP3861477B2 (ja) | 色素会合体薄膜、その製造方法および光スイッチ | |
US7244369B2 (en) | Method for producing active or passive components on a polymer basis for integrated optical devices | |
JP2000017003A (ja) | 光重合性組成物、該組成物を使用した光機能性膜作製法および光機能性膜 | |
JPH06316757A (ja) | 紫外レーザーによる有機多層膜製造方法 | |
WO2024005139A1 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
TW202240285A (zh) | 潛在全訊光柵的紀錄及其動態範圍的放大 | |
JP3181998B2 (ja) | 重合体の製造方法及び架橋体の製造方法 | |
JP4649609B2 (ja) | 光回折格子素子の製造方法 | |
JPS63142327A (ja) | 液晶分子の配向方法 | |
Indutnyi et al. | Manufacturing of holographic optical elements with the help of chalcogenide resists | |
JPH04253085A (ja) | ホログラム記録体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |